JP2017212376A5 - - Google Patents

Description

本発明の一観点によれば、半導体装置は、下面に電極端子を有する半導体素子と、矩形の板状であり、下面に開口して前記半導体素子を収容する収容凹部を有し、前記収容凹部の底面が前記収容凹部に収容された前記半導体素子の上面と熱的に接続された放熱体と、前記放熱体の上面に接着剤を介して接続された放熱器と、前記放熱体の前記下面と前記収容凹部の内側面と前記半導体素子の前記下面及び側面とを覆う封止樹脂と、前記封止樹脂の下面に形成され、前記封止樹脂とは反対側に露出する外部端子を有し、前記半導体素子の電極端子と電気的に接続された配線層を備え、上面が前記封止樹脂により覆われた配線構造体と、を有し、前記封止樹脂は、前記放熱体の下面から少なくとも前記半導体素子の上面と同一の高さまで前記放熱体の側面を覆う被覆部を有し、前記放熱器の前記接着剤が接着される下面は前記放熱体の上面よりも大きく形成され、前記放熱体の側面は、前記被覆部により覆われた下側面と、前記被覆部により覆われていない上側面とを含み、前記接着剤は前記放熱体の上側面にまで延在して前記放熱器を接着している。

Claims (11)

1. 下面に電極端子を有する半導体素子と、
   矩形の板状であり、下面に開口して前記半導体素子を収容する収容凹部を有し、前記収容凹部の底面が前記収容凹部に収容された前記半導体素子の上面と熱的に接続された放熱体と、
   前記放熱体の上面に接着剤を介して接続された放熱器と、
   前記放熱体の前記下面と前記収容凹部の内側面と前記半導体素子の前記下面及び側面とを覆う封止樹脂と、
   前記封止樹脂の下面に形成され、前記封止樹脂とは反対側に露出する外部端子を有し、前記半導体素子の電極端子と電気的に接続された配線層を備え、上面が前記封止樹脂により覆われた配線構造体と、を有し、
   前記封止樹脂は、前記放熱体の下面から少なくとも前記半導体素子の上面と同一の高さまで前記放熱体の側面を覆う被覆部を有し、
   前記放熱器の前記接着剤が接着される下面は前記放熱体の上面よりも大きく形成され、
   前記放熱体の側面は、前記被覆部により覆われた下側面と、前記被覆部により覆われていない上側面とを含み、
   前記接着剤は前記放熱体の上側面にまで延在して前記放熱器を接着していること、
   を特徴とする半導体装置。
2. 前記放熱体の上側面は外周部が断面矩形状に切り欠かれた段差部を有し、前記段差部の底面及び側面に前記接着剤が接着していること、を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記放熱体の上側面は前記被覆部の上面を覆う延出部を含み、前記放熱体の上側面と前記延出部の上面に前記接着剤が接着していること、を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記半導体素子の上面と前記放熱体の前記収容凹部の前記底面との間に配設され、熱伝導性を有し、前記半導体素子と前記放熱体とを接続する接続部材を有すること、を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 下面に電極端子を有する半導体素子と、
   矩形の板状であり、下面に開口して前記半導体素子を収容する収容凹部を有し、前記収容凹部の底面が前記収容凹部に収容された前記半導体素子の上面と熱的に接続された放熱体と、
   前記放熱体の前記下面と前記収容凹部の内側面と前記半導体素子の前記下面及び側面とを覆う封止樹脂と、
   前記封止樹脂の下面に形成され、前記封止樹脂とは反対側に露出する外部端子を有し、前記半導体素子の電極端子と電気的に接続された配線層を備え、上面が前記封止樹脂により覆われた配線構造体と、を有し、
   前記封止樹脂は、前記放熱体の下面から少なくとも前記半導体素子の上面と同一の高さまで前記放熱体の側面を覆う被覆部を有し、
   前記放熱体の側面は、前記被覆部により覆われた下側面と、前記被覆部により覆われていない上側面とを含むこと、を特徴とする半導体装置。
6. 半導体素子を該半導体素子の電極端子が設けられた面が露出されるように支持体に配置する工程と、
   前記半導体素子の前記電極端子が設けられた面を覆うように封止樹脂を形成する工程と、
   前記支持体を剥離する工程と、
   前記支持体を剥離した面に、前記半導体素子を囲むように前記封止樹脂に凹部を形成する工程と、
   めっき法により前記凹部に充填されるとともに前記半導体素子を覆うめっき層を形成し、前記めっき層をエッチングして放熱体を形成する工程と、
   前記支持体を剥離した面と反対側の前記封止樹脂の表面に、絶縁層と配線層を含む配線構造体を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 前記放熱体を形成する工程は、
   前記めっき層の上面に、所望の位置に開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
   前記開口部から前記めっき層をエッチングして前記放熱体を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記レジスト層の開口部を、前記凹部の外側端部の位置と等しく形成し、前記めっき層をエッチングして前記封止樹脂を露出することにより、前記放熱体を形成すること、を特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記レジスト層の開口部を、前記凹部の外側端部よりも前記半導体素子側にオフセットして形成し、前記めっき層をエッチングして封止樹脂を露出することにより、中央部上面の高さと端部上面との高さとが異なる段差部を有する前記放熱体を形成すること、を特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記レジスト層の開口部を、前記凹部の外側端部の位置と等しく形成し、前記めっき層をエッチングして前記開口部における前記めっき層を所定の厚さにて残すことにより、前記封止樹脂の上面を覆う延出部を有する前記放熱体を形成すること、を特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記放熱体の上面に接着剤を介して放熱器を接続し、前記接着剤を前記放熱体の側面に接着する工程を有することを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。