JP2015516690A5 - - Google Patents
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Description
上に論じられたいくらかの実施形態への言及によって本発明が説明された。これらの実施形態は、本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく、さまざまな修正と代替形態がこの分野の当業者には可能であることが認められるであろう。したがって、特定の実施形態が説明されたが、これらは単なる例であり、本発明の範囲を限定するものではなく、それは、添付の特許請求の範囲において定められる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1] ターゲット(13)を露出するための荷電粒子リソグラフィシステム(1)であって、
・荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子ビーム発生器と、
・前記荷電粒子ビームから複数のビームレットを形成するための開口アレイ(6)と、
・前記ビームレットをターゲットの表面上に投影するためのビームレット投影器(12)を備えており、
前記荷電粒子ビーム発生器は、
・発散荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子発生源(3)と、
・前記発散荷電粒子ビームを屈折させるためのコリメーターシステム(5a,5b,5c,5d;72;300)と、
・ポンプシステムの一つ以上の開口と、
・高電圧シールド装置(201)であって、前記高電圧シールド装置の外側のコンポーネントを前記高電圧シールド装置内の高電圧からシールドするための前記高電圧シールド装置と、
・熱を取り除くための冷却装置(203)を備えており、
前記一つ以上の開口は、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、リソグラフィシステム。
[2] 前記一つ以上の開口は、一つ以上のポンプ(220)の一部であり、前記一つ以上のポンプは、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、[1]のリソグラフィシステム。
[3] 前記一つ以上のポンプは、ゲッターポンプまたはサブリメーションポンプである、[2]のリソグラフィシステム。
[4] 前記荷電粒子発生源は、第一の真空チャンバー(102)中に配置されており、前記コリメーターシステムと前記高電圧シールド装置と前記冷却装置と前記ポンプシステムの開口は、第二の真空チャンバー(103)中に配置されている、[1]〜[3]のいずれかひとつのリソグラフィシステム。
[5] 前記第二の真空チャンバー中に、前記コリメーターシステムに下流に開口アレイが配置されている、[4]のリソグラフィシステム。
[6] 前記第一の真空チャンバーは、前記第二の真空チャンバー中に配置されている、[4]または[5]のリソグラフィシステム。
[7] 前記第一の真空チャンバーと前記第二の真空チャンバーは第三の真空チャンバー中に配置されている、[4]または[5]に記載のリソグラフィシステム。
[8] 前記高電圧シールド装置は、ワイヤーメッシュ構造体を備えている、[1]〜[7]のいずれかひとつのリソグラフィシステム。
[9] 前記冷却装置を磁気シールド装置(205)が取り囲んでいる、[1]〜[8]のいずれかひとつのリソグラフィシステム。
[10] 前記磁気シールド装置は、ミューメタルからなる一つ以上のプレートを備えている、[9]のリソグラフィシステム。
[11] 前記コリメーターシステムは、500eVを超える電圧を受けるのに適している一つ以上のレンズ構造体(5b;5d)を備えており、前記発生器は、前記一つ以上のレンズ構造体に電圧を供給するワイヤー(210)をさらに備えている、[9]または[10]のリソグラフィシステム。
[12] 前記磁気シールド装置の内側のワイヤーは直線である、[11]のリソグラフィシステム。
[13] 前記コリメーターシステムは、三つの電極(5a,5b,5c)を備えたアインツェルレンズを備えている、[1]〜[12]のいずれかひとつのリソグラフィシステム。
[14] 前記アインツェルレンズの下流に開口アレイをさらに備えており、前記ポンプシステムの前記一つ以上の開口は、前記アインツェルレンズと前記開口アレイの間に配置されている、[13]のリソグラフィシステム。
[15] 前記コリメーターシステムは、その中に空洞をもつ本体を備えており、前記空洞は、前記空洞の表面が前記アインツェルレンズの外側電極として働くように構成されており、前記アインツェルレンズの中央電極(5b)は、前記中央電極を前記空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって空洞内の所定位置に維持される、[13]または[14]のリソグラフィシステム。
[16] 前記コリメーターシステムは、空洞内に収差補正のための追加電極(5d)を備えており、前記追加電極は、前記追加電極を前記空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって前記空洞内の所定位置に維持される、[15]のリソグラフィシステム。
[17] [1]〜[16]のいずれかひとつに記載の荷電粒子リソグラフィシステムに使用される荷電粒子ビーム発生器であって、
発散荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子発生源(3)と、
前記発散荷電粒子ビームを屈折させるためのコリメーターシステム(5a,5b,5c,5d;72;300)と、
・ポンプシステムの一つ以上の開口と、
高電圧シールド装置(201)であって、前記高電圧シールド装置の外側のコンポーネントを前記高電圧シールド装置内の高電圧からシールドするための前記高電圧シールド装置と、
熱を取り除くための冷却装置(203)を備えており、
前記一つ以上の開口は、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、発生器。
[18] 前記一つ以上の開口は、一つ以上のポンプ(220)の一部であり、前記一つ以上のポンプは、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、[17]のリソグラフィシステム。
[19] 前記一つ以上のポンプは、ゲッターポンプまたはサブリメーションポンプである、[18]の発生器。
[20] 前記荷電粒子ビームから複数のビームレットを形成するための開口アレイ(6)をさらに備えている、[17]〜[19]のいずれかひとつの発生器。
[21] 前記高電圧シールド装置は、ワイヤーメッシュ構造体を備えている、[17]〜[20]のいずれかひとつの発生器。
[22] 前記冷却装置を磁気シールド装置(205)が取り囲んでいる、[17]〜[21]のいずれかひとつの発生器。
[23] 前記磁気シールド装置は、ミューメタルからなる一つ以上のプレートを備えている、[22]の発生器。
[24] 前記コリメーターシステムは、500eVを超える電圧を受けるのに適している一つ以上のレンズ構造体(5b;5d)を備えており、前記発生器は、前記一つ以上のレンズ構造体に電圧を提供するワイヤー(210)をさらに備えている、[22]または[23]の発生器。
[25] 前記磁気シールド装置の内側のワイヤーは直線である、[24]の発生器。
[26] 前記コリメーターシステムは、三つの電極(5a,5b,5c)を備えたアインツェルレンズを備えている、[17]〜[25]のいずれかひとつの発生器。
[27] 前記アインツェルレンズの下流に開口アレイをさらに備えており、前記ポンプシステムの前記一つ以上の開口は、前記アインツェルレンズと前記開口アレイの間に配置されている、[26]の発生器。
[28] 前記コリメーターシステムは、その中に空洞をもつ本体を備えており、前記空洞は、空洞の表面がアインツェルレンズの外側電極(5a,5c)として働くように構成されており、前記アインツェルレンズの中央電極(5b)は、前記中央電極を空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって空洞内の所定位置に維持される、[26]または[27]の発生器。
[29] 前記コリメーターシステムは、空洞内に収差補正のための追加電極(5d)を備えており、前記追加電極は、前記追加電極を前記空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって前記空洞内の所定位置に維持される、[28]の発生器。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1] ターゲット(13)を露出するための荷電粒子リソグラフィシステム(1)であって、
・荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子ビーム発生器と、
・前記荷電粒子ビームから複数のビームレットを形成するための開口アレイ(6)と、
・前記ビームレットをターゲットの表面上に投影するためのビームレット投影器(12)を備えており、
前記荷電粒子ビーム発生器は、
・発散荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子発生源(3)と、
・前記発散荷電粒子ビームを屈折させるためのコリメーターシステム(5a,5b,5c,5d;72;300)と、
・ポンプシステムの一つ以上の開口と、
・高電圧シールド装置(201)であって、前記高電圧シールド装置の外側のコンポーネントを前記高電圧シールド装置内の高電圧からシールドするための前記高電圧シールド装置と、
・熱を取り除くための冷却装置(203)を備えており、
前記一つ以上の開口は、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、リソグラフィシステム。
[2] 前記一つ以上の開口は、一つ以上のポンプ(220)の一部であり、前記一つ以上のポンプは、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、[1]のリソグラフィシステム。
[3] 前記一つ以上のポンプは、ゲッターポンプまたはサブリメーションポンプである、[2]のリソグラフィシステム。
[4] 前記荷電粒子発生源は、第一の真空チャンバー(102)中に配置されており、前記コリメーターシステムと前記高電圧シールド装置と前記冷却装置と前記ポンプシステムの開口は、第二の真空チャンバー(103)中に配置されている、[1]〜[3]のいずれかひとつのリソグラフィシステム。
[5] 前記第二の真空チャンバー中に、前記コリメーターシステムに下流に開口アレイが配置されている、[4]のリソグラフィシステム。
[6] 前記第一の真空チャンバーは、前記第二の真空チャンバー中に配置されている、[4]または[5]のリソグラフィシステム。
[7] 前記第一の真空チャンバーと前記第二の真空チャンバーは第三の真空チャンバー中に配置されている、[4]または[5]に記載のリソグラフィシステム。
[8] 前記高電圧シールド装置は、ワイヤーメッシュ構造体を備えている、[1]〜[7]のいずれかひとつのリソグラフィシステム。
[9] 前記冷却装置を磁気シールド装置(205)が取り囲んでいる、[1]〜[8]のいずれかひとつのリソグラフィシステム。
[10] 前記磁気シールド装置は、ミューメタルからなる一つ以上のプレートを備えている、[9]のリソグラフィシステム。
[11] 前記コリメーターシステムは、500eVを超える電圧を受けるのに適している一つ以上のレンズ構造体(5b;5d)を備えており、前記発生器は、前記一つ以上のレンズ構造体に電圧を供給するワイヤー(210)をさらに備えている、[9]または[10]のリソグラフィシステム。
[12] 前記磁気シールド装置の内側のワイヤーは直線である、[11]のリソグラフィシステム。
[13] 前記コリメーターシステムは、三つの電極(5a,5b,5c)を備えたアインツェルレンズを備えている、[1]〜[12]のいずれかひとつのリソグラフィシステム。
[14] 前記アインツェルレンズの下流に開口アレイをさらに備えており、前記ポンプシステムの前記一つ以上の開口は、前記アインツェルレンズと前記開口アレイの間に配置されている、[13]のリソグラフィシステム。
[15] 前記コリメーターシステムは、その中に空洞をもつ本体を備えており、前記空洞は、前記空洞の表面が前記アインツェルレンズの外側電極として働くように構成されており、前記アインツェルレンズの中央電極(5b)は、前記中央電極を前記空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって空洞内の所定位置に維持される、[13]または[14]のリソグラフィシステム。
[16] 前記コリメーターシステムは、空洞内に収差補正のための追加電極(5d)を備えており、前記追加電極は、前記追加電極を前記空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって前記空洞内の所定位置に維持される、[15]のリソグラフィシステム。
[17] [1]〜[16]のいずれかひとつに記載の荷電粒子リソグラフィシステムに使用される荷電粒子ビーム発生器であって、
発散荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子発生源(3)と、
前記発散荷電粒子ビームを屈折させるためのコリメーターシステム(5a,5b,5c,5d;72;300)と、
・ポンプシステムの一つ以上の開口と、
高電圧シールド装置(201)であって、前記高電圧シールド装置の外側のコンポーネントを前記高電圧シールド装置内の高電圧からシールドするための前記高電圧シールド装置と、
熱を取り除くための冷却装置(203)を備えており、
前記一つ以上の開口は、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、発生器。
[18] 前記一つ以上の開口は、一つ以上のポンプ(220)の一部であり、前記一つ以上のポンプは、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、[17]のリソグラフィシステム。
[19] 前記一つ以上のポンプは、ゲッターポンプまたはサブリメーションポンプである、[18]の発生器。
[20] 前記荷電粒子ビームから複数のビームレットを形成するための開口アレイ(6)をさらに備えている、[17]〜[19]のいずれかひとつの発生器。
[21] 前記高電圧シールド装置は、ワイヤーメッシュ構造体を備えている、[17]〜[20]のいずれかひとつの発生器。
[22] 前記冷却装置を磁気シールド装置(205)が取り囲んでいる、[17]〜[21]のいずれかひとつの発生器。
[23] 前記磁気シールド装置は、ミューメタルからなる一つ以上のプレートを備えている、[22]の発生器。
[24] 前記コリメーターシステムは、500eVを超える電圧を受けるのに適している一つ以上のレンズ構造体(5b;5d)を備えており、前記発生器は、前記一つ以上のレンズ構造体に電圧を提供するワイヤー(210)をさらに備えている、[22]または[23]の発生器。
[25] 前記磁気シールド装置の内側のワイヤーは直線である、[24]の発生器。
[26] 前記コリメーターシステムは、三つの電極(5a,5b,5c)を備えたアインツェルレンズを備えている、[17]〜[25]のいずれかひとつの発生器。
[27] 前記アインツェルレンズの下流に開口アレイをさらに備えており、前記ポンプシステムの前記一つ以上の開口は、前記アインツェルレンズと前記開口アレイの間に配置されている、[26]の発生器。
[28] 前記コリメーターシステムは、その中に空洞をもつ本体を備えており、前記空洞は、空洞の表面がアインツェルレンズの外側電極(5a,5c)として働くように構成されており、前記アインツェルレンズの中央電極(5b)は、前記中央電極を空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって空洞内の所定位置に維持される、[26]または[27]の発生器。
[29] 前記コリメーターシステムは、空洞内に収差補正のための追加電極(5d)を備えており、前記追加電極は、前記追加電極を前記空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって前記空洞内の所定位置に維持される、[28]の発生器。
Claims (27)
- ターゲット(13)を露出するための荷電粒子リソグラフィシステム(1)であって、
・荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子ビーム発生器と、
・前記荷電粒子ビームから複数のビームレットを形成するための開口アレイ(6)と、
・前記ビームレットをターゲットの表面上に投影するためのビームレット投影器(12)を備えており、
前記荷電粒子ビーム発生器は、
・発散荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子発生源(3)と、
・前記発散荷電粒子ビームを屈折させるためのコリメーターシステム(5a,5b,5c,5d;72;300)と、
・ポンプシステムの一つ以上の開口と、
・高電圧シールド装置(201)であって、前記高電圧シールド装置の外側のコンポーネントを前記高電圧シールド装置内の高電圧からシールドするための前記高電圧シールド装置と、
・熱を取り除くための冷却装置(203)を備えており、
前記一つ以上の開口は、一つ以上のポンプ(220)の一部であり、前記一つ以上の開口と前記一つ以上のポンプは、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、荷電粒子リソグラフィシステム。 - 前記一つ以上のポンプは、ゲッターポンプまたはサブリメーションポンプである、請求項1に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記荷電粒子発生源は、第一の真空チャンバー(102)中に配置されており、前記コリメーターシステムと前記高電圧シールド装置と前記冷却装置と前記ポンプシステムの開口は、第二の真空チャンバー(103)中に配置されている、請求項1〜2のいずれかひとつに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記第二の真空チャンバー中に、前記コリメーターシステムに下流に開口アレイが配置されている、請求項3に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記第一の真空チャンバーは、前記第二の真空チャンバー中に配置されている、請求項3または4に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記第一の真空チャンバーと前記第二の真空チャンバーは第三の真空チャンバー中に配置されている、請求項3または4に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記高電圧シールド装置は、ワイヤーメッシュ構造体を備えている、請求項1〜6のいずれかひとつに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記冷却装置を磁気シールド装置(205)が取り囲んでいる、請求項1〜7のいずれかひとつに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記磁気シールド装置は、ミューメタルからなる一つ以上のプレートを備えている、請求項8に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記コリメーターシステムは、500eVを超える電圧を受けるための一つ以上のレンズ構造体(5b;5d)を備えており、前記荷電粒子ビーム発生器は、前記一つ以上のレンズ構造体に電圧を供給するワイヤー(210)をさらに備えている、請求項8または9に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記ワイヤーの一部は前記磁気シールド装置の内側に配置されており、前記磁気シールド装置の内側の前記ワイヤーの前記一部は直線である、請求項10に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記コリメーターシステムは、三つの電極(5a,5b,5c)を備えたアインツェルレンズを備えている、請求項1〜11のいずれかひとつに記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記開口アレイは前記アインツェルレンズの下流に配置されており、前記ポンプシステムの前記一つ以上の開口は、前記アインツェルレンズと前記開口アレイの間に配置されている、請求項12に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記コリメーターシステムは、その中に空洞をもつ本体を備えており、前記空洞は、前記空洞の表面が前記アインツェルレンズの外側電極として働くように構成されており、前記アインツェルレンズの中央電極(5b)は、前記中央電極を前記空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって空洞内の所定位置に維持される、請求項12または13に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 前記コリメーターシステムは、空洞内に収差補正のための追加電極(5d)を備えており、前記追加電極は、前記追加電極を前記空洞の表面に接続している三つ以上のさらなるスプリング要素(320)によって前記空洞内の所定位置に維持される、請求項14に記載の荷電粒子リソグラフィシステム。
- 請求項1〜15のいずれかひとつに記載の荷電粒子リソグラフィシステムに使用される荷電粒子ビーム発生器であって、
発散荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子発生源(3)と、
前記発散荷電粒子ビームを屈折させるためのコリメーターシステム(5a,5b,5c,5d;72;300)と、
・ポンプシステムの一つ以上の開口と、
高電圧シールド装置(201)であって、前記高電圧シールド装置の外側のコンポーネントを前記高電圧シールド装置内の高電圧からシールドするための前記高電圧シールド装置と、
熱を取り除くための冷却装置(203)を備えており、
前記一つ以上の開口は、一つ以上のポンプ(220)の一部であり、前記一つ以上の開口と前記一つ以上のポンプは、前記高電圧シールド装置と前記冷却装置の間に配置されている、荷電粒子ビーム発生器。 - 前記一つ以上のポンプは、ゲッターポンプまたはサブリメーションポンプである、請求項16に記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記荷電粒子ビームから複数のビームレットを形成するための開口アレイ(6)をさらに備えている、請求項16または17に記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記高電圧シールド装置は、ワイヤーメッシュ構造体を備えている、請求項16〜18のいずれかひとつに記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記冷却装置を磁気シールド装置(205)が取り囲んでいる、請求項16〜19のいずれかひとつに記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記磁気シールド装置は、ミューメタルからなる一つ以上のプレートを備えている、請求項20に記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記コリメーターシステムは、500eVを超える電圧を受けるための一つ以上のレンズ構造体(5b;5d)を備えており、前記荷電粒子ビーム発生器は、前記一つ以上のレンズ構造体に電圧を提供するワイヤー(210)をさらに備えている、請求項20または21に記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記ワイヤーの一部は前記磁気シールド装置の内側に配置されており、前記磁気シールド装置の内側の前記ワイヤーの前記一部は直線である、請求項22に記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記コリメーターシステムは、三つの電極(5a,5b,5c)を備えたアインツェルレンズを備えている、請求項16〜23のいずれかひとつに記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記開口アレイは前記アインツェルレンズの下流に配置されており、前記ポンプシステムの前記一つ以上の開口は、前記アインツェルレンズと前記開口アレイの間に配置されている、請求項18および請求項24に記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記コリメーターシステムは、その中に空洞をもつ本体を備えており、前記空洞は、前記空洞の表面がアインツェルレンズの外側電極(5a,5c)として働くように構成されており、前記アインツェルレンズの中央電極(5b)は、前記中央電極を空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって空洞内の所定位置に維持される、請求項24または25に記載の荷電粒子ビーム発生器。
- 前記コリメーターシステムは、空洞内に収差補正のための追加電極(5d)を備えており、前記追加電極は、前記追加電極を前記空洞の表面に接続している三つ以上のスプリング要素(320)によって前記空洞内の所定位置に維持される、請求項26に記載の荷電粒子ビーム発生器。
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