JP2015516685A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015516685A5
JP2015516685A5 JP2015507070A JP2015507070A JP2015516685A5 JP 2015516685 A5 JP2015516685 A5 JP 2015516685A5 JP 2015507070 A JP2015507070 A JP 2015507070A JP 2015507070 A JP2015507070 A JP 2015507070A JP 2015516685 A5 JP2015516685 A5 JP 2015516685A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
susceptor
ring
wafer
thickness
thickness profile
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015507070A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2015516685A (ja
JP6291478B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/838,284 external-priority patent/US9401271B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2015516685A publication Critical patent/JP2015516685A/ja
Publication of JP2015516685A5 publication Critical patent/JP2015516685A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6291478B2 publication Critical patent/JP6291478B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2015507070A 2012-04-19 2013-04-12 リアクタ装置内においてウェハを支持するためのサセプタアセンブリ Active JP6291478B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261635436P 2012-04-19 2012-04-19
US61/635,436 2012-04-19
US13/838,284 US9401271B2 (en) 2012-04-19 2013-03-15 Susceptor assemblies for supporting wafers in a reactor apparatus
US13/838,284 2013-03-15
PCT/US2013/036381 WO2013158492A1 (en) 2012-04-19 2013-04-12 Susceptor assemblies for supporting wafers in a reactor apparatus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015516685A JP2015516685A (ja) 2015-06-11
JP2015516685A5 true JP2015516685A5 (enExample) 2016-06-02
JP6291478B2 JP6291478B2 (ja) 2018-03-14

Family

ID=49378929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015507070A Active JP6291478B2 (ja) 2012-04-19 2013-04-12 リアクタ装置内においてウェハを支持するためのサセプタアセンブリ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9401271B2 (enExample)
JP (1) JP6291478B2 (enExample)
TW (1) TWI613751B (enExample)
WO (1) WO2013158492A1 (enExample)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101819095B1 (ko) * 2013-03-15 2018-01-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｅｐｉ 프로세스를 위한 균일성 튜닝 렌즈를 갖는 서셉터 지지 샤프트
US9814099B2 (en) * 2013-08-02 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with surface feature for reduced reflection and manufacturing techniques for producing same
US10184193B2 (en) 2015-05-18 2019-01-22 Globalwafers Co., Ltd. Epitaxy reactor and susceptor system for improved epitaxial wafer flatness
US9721826B1 (en) * 2016-01-26 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer supporting structure, and device and method for manufacturing semiconductor
JP6864564B2 (ja) * 2017-06-09 2021-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法
JP6813096B2 (ja) * 2017-08-31 2021-01-13 株式会社Sumco サセプタ、エピタキシャル成長装置、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、ならびにエピタキシャルシリコンウェーハ
DE102017222279A1 (de) * 2017-12-08 2019-06-13 Siltronic Ag Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102019207772A1 (de) * 2019-05-28 2020-12-03 Siltronic Ag Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US11300880B2 (en) 2019-12-09 2022-04-12 Nanya Technology Corporation Coating system and calibration method thereof
USD1031676S1 (en) * 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system
US20220210872A1 (en) * 2020-12-31 2022-06-30 Globalwafers Co., Ltd. System and methods for a radiant heat cap in a semiconductor wafer reactor
US12252806B2 (en) * 2020-12-31 2025-03-18 Globalwafers Co., Ltd Systems and methods for a preheat ring in a semiconductor wafer reactor
TWI867335B (zh) * 2022-09-07 2024-12-21 晶元光電股份有限公司 用於氣相沉積設備的晶圓承載組件及晶圓固定元件

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444217A (en) 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
JPH0864544A (ja) * 1994-08-22 1996-03-08 Touyoko Kagaku Kk 気相成長方法
US20010001384A1 (en) 1998-07-29 2001-05-24 Takeshi Arai Silicon epitaxial wafer and production method therefor
JP4592849B2 (ja) 1999-10-29 2010-12-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
JP2001313329A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Applied Materials Inc 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
US6444027B1 (en) 2000-05-08 2002-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process
DE60127252T2 (de) 2000-05-08 2007-12-20 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaktischer siliziumwafer frei von selbstdotierung und rückseitenhalo
US6865490B2 (en) * 2002-05-06 2005-03-08 The Johns Hopkins University Method for gradient flow source localization and signal separation
JP3908112B2 (ja) * 2002-07-29 2007-04-25 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 サセプタ、エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法
US6833322B2 (en) * 2002-10-17 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for depositing an oxide film
US20050016466A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-27 Applied Materials, Inc. Susceptor with raised tabs for semiconductor wafer processing
JP4300523B2 (ja) 2004-03-12 2009-07-22 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長装置
JP2007123643A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 成膜装置、成膜方法、成膜装置のモニタリングプログラムおよびその記録媒体
TW200802552A (en) 2006-03-30 2008-01-01 Sumco Techxiv Corp Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus thereof
US20090165721A1 (en) 2007-12-27 2009-07-02 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor with Support Bosses
US20090194024A1 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Applied Materials, Inc. Cvd apparatus
JP5107285B2 (ja) 2009-03-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体
JP5446760B2 (ja) 2009-11-16 2014-03-19 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長方法
US20120073503A1 (en) 2010-09-24 2012-03-29 Juno Yu-Ting Huang Processing systems and apparatuses having a shaft cover

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6291478B2 (ja) リアクタ装置内においてウェハを支持するためのサセプタアセンブリ
JP2015516685A5 (enExample)
JP2012227527A (ja) 材料層を堆積するための装置および方法
US9273414B2 (en) Epitaxial growth apparatus and epitaxial growth method
JP7778150B2 (ja) 半導体ウェハ反応装置における予熱リングのためのシステムおよび方法
TWI704253B (zh) 在半導體晶圓的正面上沉積磊晶層的方法及實施該方法的設備
JP6009237B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ
US20230354478A1 (en) Methods for semiconductor wafer processing using a radiant heat cap in a semiconductor wafer reactor
JP5920156B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
JP5754651B2 (ja) 気相成長装置の温度調整方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2009038294A (ja) 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ
JP4868503B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
KR20140092704A (ko) 서셉터 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기
JP2011171637A (ja) エピタキシャルウェーハ製造方法及びサセプタ
JP7567773B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
JPWO2003003432A1 (ja) 気相成長方法および気相成長装置
US12503792B2 (en) Methods for manufacturing a semiconductor wafer using a preheat ring in a wafer reactor
JP7439739B2 (ja) エピタキシャル成長装置の温度管理方法及びシリコン堆積層ウェーハの製造方法
KR101540573B1 (ko) 웨이퍼 제조 장치
KR20160024165A (ko) 웨이퍼 제조 장치