JP2015516685A - リアクタ装置内においてウェハを支持するためのサセプタセンブリ - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、2012年4月19日に出願された米国仮出願第61/635,436号、および、2013年3月15日に出願された米国非仮出願第13/838,284号に対する優先権を主張する。当該出願の内容は、全体として、本明細書において引用することにより援用する。
本技術分野は、概して、ウェハ処理のための装置および方法に関し、より詳細には、半導体ウェハエッチングもしくは半導体化学気相成長プロセスのための装置および方法に関する。
300mmウェハにおけるエピタキシャルウェハ厚さプロファイルに対するそれらの効果を決定するため、2つの透明な水晶リングを、EPIセンチュラ(アプライドマテリアル;サンタクララ、カリフォルニア)シングルウェハエピタキシツールにおいて別々に試験した。チョクラルスキ法により製造された単結晶シリコンウェハを、1100℃〜1150℃のウェハ温度において、トリクロロシランガスに供することにより準備した。
実施例1のプロセスにしたがって作製された300mmウェハにおけるエピタキシャルウェハ厚さプロファイルに対するそれらの効果を決定するため、透明な水晶リングと3つの補助アームを、EPIセンチュラ(アプライドマテリアル;サンタクララ、カリフォルニア)シングルウェハエピタキシツールにおいて試験した。ターゲットとされたエピタキシャル層厚さは2.75μmであった。試験されたリングは、45mmの内径と、65mmの外径とを有していた。リングサポーティングメンバは、リングとサセプタとの距離が25mmであるような大きさに成形した。
Claims (17)
- ウェハ加工処理の間、反応装置において半導体ウェハを支持するためのサセプタセンブリであって、
互いに反対側に設けられた上面と下面とを有するサセプタであって、サセプタの本体の上記上面は、上記プロセスの間、サセプタ内の半導体ウェハを支持可能な大きさおよび形状に成形されているサセプタと、
上記サセプタの下面より下に配置されたリングと、を有するサセプタセンブリ。 - 上記リングは外側エッジを有し、上記外側エッジは面取りされている請求項1に記載のサセプタセンブリ。
- 上記リングは外側エッジを有し、上記外側エッジは丸く形成されている請求項1に記載のサセプタセンブリ。
- 上記リングは外側エッジを有し、上記外側エッジは、該外側エッジに形成された一連の突出部および/またはノッチを有する請求項1に記載のサセプタセンブリ。
- 上記サセプタは、高強度放射加熱ランプにより生成された放射加熱光を吸収するため、実質的に不透明である請求項1に記載のサセプタセンブリ。
- 上記リングは、可視光および赤外光がリングを通過することを可能とするため、実質的に透明の材料である請求項1に記載のサセプタセンブリ。
- ウェハ加工プロセスは、エピタキシャル化学気相成長である請求項1に記載のサセプタセンブリ。
- 上記サセプタは、シャフトから上方へ延びサセプタを支持するサセプタサポーティングメンバに対して接続されている請求項1に記載のサセプタセンブリ。
- 上記リングは、リングサポーティングメンバを介して、サセプタサポーティングメンバに対して接続されている請求項1に記載のサセプタセンブリ。
- 上記サセプタから半径外側へ離間して配置され、上記サセプタが、予備加熱リングに対して回転することを可能とする予備加熱リングをさらに含む請求項1に記載のサセプタセンブリ。
- 上記予備加熱リングが、高強度放射加熱ランプにより生成された放射加熱光を吸収するため、実質的に不透明である請求項6に記載のサセプタセンブリ。
- ウェハ上に堆積させた層の厚さプロファイルを調整するための方法であって、
上記層はサセプタを有する反応装置において析出させることにより堆積され、
当該方法は、
反応装置内のウェハ上に層を堆積させる工程と、
上記層の厚さプロファイルを測定する工程と、
上記厚さプロファイルにおいて厚さ不均一な箇所の半径方向位置を決定するため、上記層の厚さプロファイルを分析する工程と、
その後に製造されるウェハの層の厚さを増加もしくは減少させるため、厚さプロファイルにおける厚さ不均一な箇所に対応する半径方向位置において、上記サセプタより下にリングを配置させる工程と、を備える方法。 - 上記厚さプロファイルに対するリングの影響を決定するため、上記層の厚さプロファイルを分析する工程と、
上記厚さプロファイルに対するリングの影響を変更するため、上記リングと上記サセプタとの間の距離を変更する工程と、をさらに備える請求項12に記載の方法。 - 上記堆積工程が、エピタキシャル化学気相成長により実行される請求項12に記載の方法。
- 上記サセプタが、高強度放射加熱ランプにより生成された放射加熱光を吸収するため、実質的に不透明である請求項12に記載の方法。
- 上記リングと上記サセプタとの間の距離が100mm未満である請求項12に記載の方法。
- 上記反応装置に対してサセプタを回転させる工程をさらに備える請求項12に記載の方法。
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