JP2010028034A - 気相成長装置用のサセプタ、気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウェーハが載置されていないサセプタの上面での反応ガスの消費を抑制することでエピタキシャル層の厚さを均一にすること。
【解決手段】本発明の気相成長装置用のサセプタ2は、半導体ウェーハWを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタ2であって、半導体ウェーハWの主表面にエピタキシャル層EPを成長させる反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域22が前記サセプタ2の上面に設けられていることを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】本発明の気相成長装置用のサセプタ2は、半導体ウェーハWを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタ2であって、半導体ウェーハWの主表面にエピタキシャル層EPを成長させる反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域22が前記サセプタ2の上面に設けられていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、気相成長装置用のサセプタ、気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
エピタキシャルウェーハは、半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させたものである。近年、半導体デバイスの集積度、デザインルール(微細化パターン)の微細化等に伴い、高平坦度で高精度なエピタキシャルウェーハが求められている。エピタキシャルウェーハを製造するために、エピタキシャル層を半導体ウェーハの主表面に成長させる気相成長装置が使用されている。
気相成長装置によれば、例えば、以下の手順により半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させることができる。内部に円盤状の回転可能なサセプタを有し、内部に反応ガスを供給可能な反応容器におけるサセプタの上に少なくとも一つの半導体ウェーハを載置する。サセプタの上面は凹状のウェーハ載置部を少なくとも一つ有しており、各ウェーハ載置部に半導体ウェーハを載置し、反応容器の外面に配置したヒータにて半導体ウェーハを加熱しながら、反応容器の内部を通過する反応ガスと半導体ウェーハとを反応させ、半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させる。反応ガスは、反応ガス供給管より反応容器の内部に供給され、反応ガス排出管より反応容器の外に排出される。
しかし、反応ガスは、半導体ウェーハの主表面上で反応して消費されると共に、半導体ウェーハが載置されていないサセプタの上面でも消費されるので、反応ガス供給管付近から反応ガス排出管付近にかけて反応ガスの濃度が減少する。エピタキシャル層を成長させる際、エピタキシャル層の厚さを均一にするためにサセプタを回転させているが、このような回転によってもエピタキシャル層の厚さを均一にするには不十分である。
ところで、例えば、反応ガスをサセプタの周囲に配置された堤部材の外周面に当てるように供給することで反応ガス流を分散させて反応ガスの濃度分布を均一化し、この分散させた反応ガスを半導体ウェーハの主表面に沿って流すことでエピタキシャル層の厚さを均一にする方法が提案されている(特許文献1参照)。
特開2003−203866号公報
しかし、特許文献1に記載の方法は、半導体ウェーハが載置されていないサセプタの上面でも反応ガスが消費されてしまう問題を解決していない。また、特許文献1では枚葉式のサセプタを使用する場合のみ開示されており、枚葉式と比べて装置が大きいバッチ式のサセプタを使用する場合は具体的に開示されていない。
したがって、本発明は、エピタキシャル層の厚さを均一にすることができる気相成長装置用のサセプタ、気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
(1) 本発明の気相成長装置用のサセプタは、半導体ウェーハを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタであって、該サセプタの上面には、エピタキシャル成長用の反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域が設けられていることを特徴とする。
(2) 前記非エピタキシャル成長領域は、石英で構成されることが好ましい。
(3) 本発明の気相成長装置は、前記サセプタを備える気相成長装置である。
(4) 本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、半導体ウェーハを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記サセプタの上面には、エピタキシャル成長用の反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域が設けられており、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置する工程と、前記反応ガスを供給し、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させる工程と、を備えることを特徴とする。
(5) 前記サセプタの上面には、前記ウェーハ載置部とは異なる凹部が設けられており、該凹部に前記エピタキシャル成長用の反応ガスと反応しない部材を載置することで、前記サセプタの上面に前記非エピタキシャル成長領域を設けることが好ましい。
本発明の気相成長装置用のサセプタによれば、半導体ウェーハが載置されていないサセプタの上面での反応ガスの消費を抑制することでエピタキシャル層の厚さを均一にすることができる。
以下、本発明のサセプタ及び気相成長装置の一実施形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の気相成長装置の一実施形態について説明する。本発明のサセプタの一実施形態は、本実施形態の気相成長装置の一部を構成している。図1は、本発明の気相成長装置の一実施形態を模式的に示す断面図である。図2は、図1のサセプタの一実施形態を模式的に示す平面図である。なお、図1のサセプタの断面は、図2のX−X´断面である。
本実施形態の気相成長装置1は、複数枚の半導体ウェーハWを処理するバッチ式のサセプタ2を備える気相成長装置である。図1に示すように、シリコンウェーハからなる半導体ウェーハWの主表面にエピタキシャル層EPを気相成長させて、エピタキシャルウェーハEWを製造する装置である。この気相成長装置1は、サセプタ2と、反応容器3と、加熱装置4とを備える。
図1及び図2に示すように、サセプタ2は、少なくとも一つの半導体ウェーハWを載置する部材であり、反応容器3の内部に設置される。サセプタ2は、回転軸Rに連なるサセプタ支持部34によって、その下面が支持され、回転軸Rの駆動により回転する。サセプタ2の材質は特に限定されないが、例えば炭素基材の表面にSiC被膜をコーティングしたものが好ましい。また、サセプタ2の上面には、エピタキシャル成長が起きない非エピタキシャル成長領域22が設けられている。
サセプタ2へ半導体ウェーハWを搬入する方式、サセプタ2から半導体ウェーハWを搬出する方式としては特に限定されず、例えば、ベルヌイチャックを用いて搬送治具の昇降により半導体ウェーハWを移載するものや、半導体ウェーハWの下面をピンで支持してピンの昇降により半導体ウェーハWを移載するもの等が挙げられる。サセプタ2の詳細については後述する。
反応容器3は、その内部にサセプタ2が設置され、その内部に反応ガスを供給可能に構成されている。そして、反応容器3は、サセプタ2の上に載置された半導体ウェーハWに反応ガスを供給することで、半導体ウェーハWの主表面にエピタキシャル層EPを成長させる。この反応容器3は、上側ドーム31と、下側ドーム32と、ドーム取付体33と、サセプタ支持部34とを備える。
上側ドーム31及び下側ドーム32は、石英等の透光性部材から構成されている。
ドーム取付体33は、上方及び下方が開放された略筒状部材から構成され、上方側の開口部分及び下方側の開口部分にて上側ドーム31及び下側ドーム32を支持する。
このドーム取付体33の側面には、反応ガス供給管331が設けられており、反応ガス供給管331に対向するドーム取付体33の側面には、反応ガス排出管332が設けられている。反応ガス供給管331及び反応ガス排出管332は、反応容器3の内部と反応容器3の外部とを連通するように形成されている。
反応ガス供給管331からは、反応ガスが反応容器3の内部に供給される。反応ガスは、例えば、SiHCl3のSiソースを水素ガスで希釈し、それにドーパントを微量混合してなる。供給された反応ガスは、サセプタ2に載置された半導体ウェーハWの主表面を水平に通過した後、反応ガス排出管332から反応容器3の外に排出される。
サセプタ支持部34は、石英等の透光性部材から構成され、図1に示すように、反応容器3の下側ドーム32の略中央部分から反応容器3の内部に突出し、サセプタ2を水平状態で反応容器3の内部に支持する。そして、サセプタ支持部34は、例えば、制御装置(図示せず)による制御の下、回転軸Rを中心として回転自在に構成されている。
加熱装置4は、反応容器3の上方側及び下方側にそれぞれ配設され、反応容器3の上側ドーム31及び下側ドーム32を介して、サセプタ2及びその上に載置された半導体ウェーハWを放射熱により加熱し、半導体ウェーハWを所定温度に設定するものである。この加熱装置4としては、例えば、ハロゲンランプや赤外ランプ等を採用できる。また、加熱装置4としては、放射熱により加熱するものの他、誘導加熱により半導体ウェーハWを加熱する高周波加熱方式を採用してもよい。
以下、サセプタ2について詳述する。図1及び図2に示すように、サセプタ2の上面には、半導体ウェーハWの直径よりも大きい径の凹部からなるウェーハ載置部21が少なくとも一つ形成されている(本実施形態では五つのウェーハ載置部21が形成されている。)。このウェーハ載置部21は、第1凹部211と、第2凹部212とからなる。第1凹部211は、サセプタ2の上面から下側に凹んだ円形の凹部である。第2凹部212は、第1凹部211よりも小径で第1凹部211の底面から下側に凹んでおり、かつ、第1凹部211と同心の円形の凹部である。また、第2凹部212の外周縁側の位置に、第1凹部211の底面で半導体ウェーハWを支持するウェーハ支持部213が形成されている。
半導体ウェーハWは、ウェーハ支持部213で支持されることでウェーハ載置部21の内側に載置される。なお、ウェーハ支持部213は、第1凹部211の外周側から第2凹部212の外周側にかけて下方に傾斜する形状にして半導体ウェーハWの外周縁部を線接触で支持するようにしてもよい。
本発明者は、鋭意研究の結果、エピタキシャル成長用の反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域をサセプタの上面に設けることで、各半導体ウェーハWのエピタキシャル層EPの厚さを均一にすることができることを知見した。すなわち、選択エピタキシャル成長法を利用することで、半導体ウェーハWのエピタキシャル層EPの厚さを均一にすることができる。ここで、選択エピタキシャル成長法とは、酸化膜、窒化膜等の絶縁体や絶縁膜で覆われた表面は諸条件により反応ガスと反応しないことを利用して、絶縁体や絶縁膜で覆われていない半導体ウェーハWの主表面のみにエピタキシャル層EPを成長させる方法である。
非エピタキシャル成長領域22は反応ガスと反応しないように、反応ガスの成分によって非エピタキシャル成長領域22の材質等を適宜変更する必要がある。
例えば、選択エピタキシャル成長の選択性を向上させるために塩化水素ガスを含有させた反応ガスを供給する場合、上記絶縁体や絶縁膜としてSiO2(石英)膜を使用することが好ましい。半導体ウェーハWの主表面は反応ガスと反応し、主表面上にエピタキシャル層が形成されるが、SiO2膜は塩化水素ガスと反応するので反応ガスとは反応せず、SiO2膜上にエピタキシャル層EPが成長しない。このため、SiO2膜上で反応ガスが消費されることはない。
本発明のサセプタ2の一実施形態として、図2に示すように、上記絶縁体や絶縁膜に相当する非エピタキシャル成長領域22をサセプタ2の上面の外周縁部に設けることで、サセプタ2の外周縁部で反応ガスが消費されることを抑制することができる。
したがって、半導体ウェーハWの主表面に反応ガスをムラなく反応させることができ、バッチ式のサセプタ2を用いても各半導体ウェーハWの主表面に成長するエピタキシャル層EPは略均一の厚さを有する。
図2に示したように、非エピタキシャル成長領域22をサセプタ2の上面の外周縁部に設ける以外に、例えば、図3〜図6に示すように、非エピタキシャル成長領域22をサセプタ2の上面の中心部付近等に設けてもよい。
また、サセプタ2の上面にウェーハ載置部21とは異なる凹部を設け、反応ガスと反応しない絶縁体で構成される部材または絶縁膜で被覆されている部材を凹部に載置することで、反応ガスの消費を抑制するようにしてもよい。さらに、絶縁膜等で被覆された半導体ウェーハを部材として載置してもよい。
次に、エピタキシャルウェーハの製造方法の一実施形態について説明する。本実施形態のエピタキシャルウェーハの製造方法は、前述した気相成長装置1を用いて実施される。
本実施形態においては、図2〜図6に示すような非エピタキシャル成長領域22が上面に設けられているサセプタ2のウェーハ載置部21に半導体ウェーハWを載置する。半導体ウェーハWをウェーハ載置部21に載置させる方法は、特に限定されず、公知の種々の方法で半導体ウェーハWを載置させることができる。
半導体ウェーハWをウェーハ載置部21に載置した後、半導体ウェーハWの主表面の上にエピタキシャル層EPを形成させる。エピタキシャル成長は、反応ガスを反応ガス供給管331から反応容器3の内側へ導入し、例えば、1000〜1200℃の高温に熱せられた半導体ウェーハWの主表面に反応ガスの熱分解または還元によって生成されたシリコンを成長させる。エピタキシャル成長は、エピタキシャル層EPの厚さが2〜10μmとなるように、反応速度が0.5〜6.0μm/分となるように行う。反応ガスは、例えば、SiソースであるSiHCl3を水素ガスと塩化水素ガスとを混合してなる。また、必要に応じてドーパントガスを混合させてもよい。
上述したように、非エピタキシャル成長領域22の上面にはエピタキシャル層EPが成長しない。非エピタキシャル成長領域22をサセプタ2の上面に設けることで、サセプタ2の外周縁部で反応ガスが消費されることを抑制することができる。
したがって、半導体ウェーハWの主表面に反応ガスをムラなく反応させることができ、半導体ウェーハWの主表面に厚さが均一なエピタキシャル層EPが成長し、エピタキシャルウェーハEWが得られる。
なお、上面に非エピタキシャル成長領域22が設けられていないサセプタ2を用いる場合、サセプタ2の上面に凹部を設け、反応ガスと反応しない絶縁体で構成される部材または絶縁膜で被覆されている部材を凹部に載置することで、反応ガスの消費を抑制するようにしてもよい。さらに、絶縁膜等で被覆された半導体ウェーハを部材として載置してもよい。
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、以上の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。
例えば、上述した実施形態では、本発明の気相成長装置をバッチ式のサセプタ2を有する気相成長装置1に適用したものであるが、本発明の気相成長装置はこれに限定されるものではなく、例えば、一枚の半導体ウェーハWを処理する枚葉式のサセプタを有する気相成長装置にも適用することができる。
また、例えば、サセプタ2のウェーハ載置部21は、第2凹部212を有していなくてもよい。すなわち、ウェーハ載置部21は、1段の凹部でもよい。
1 気相成長装置
2 サセプタ
21 ウェーハ載置部
22 非エピタキシャル成長領域
3 反応容器
4 加熱装置
EP エピタキシャル層
EW エピタキシャルウェーハ
W 半導体ウェーハ
2 サセプタ
21 ウェーハ載置部
22 非エピタキシャル成長領域
3 反応容器
4 加熱装置
EP エピタキシャル層
EW エピタキシャルウェーハ
W 半導体ウェーハ
Claims (5)
- 半導体ウェーハを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタであって、
該サセプタの上面には、エピタキシャル成長用の反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域が設けられている気相成長装置用のサセプタ。 - 前記非エピタキシャル成長領域は、石英で構成される請求項1に記載の気相成長装置用のサセプタ。
- 請求項1または2に記載のサセプタを備える気相成長装置。
- 半導体ウェーハを載置する少なくとも一つの凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記サセプタの上面には、エピタキシャル成長用の反応ガスと反応しない非エピタキシャル成長領域が設けられており、
前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置する工程と、
前記反応ガスを供給し、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させる工程と、を備えるエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記サセプタの上面には、前記ウェーハ載置部とは異なる凹部が設けられており、該凹部に前記エピタキシャル成長用の反応ガスと反応しない部材を載置することで、前記サセプタの上面に前記非エピタキシャル成長領域を設ける請求項4に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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JP2008191035A JP2010028034A (ja) | 2008-07-24 | 2008-07-24 | 気相成長装置用のサセプタ、気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
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