JP2015507665A - 微細構造の着色減摩複合材料 - Google Patents
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Abstract
Description
HO(CH2CH2O)x−(−CH(CH3)CH2O−)y−(CH2CH2O)zH
(式中、x、y及びzは、2〜130、より詳細には15〜100の範囲の整数であり、x及びzは同じであるが、yとは無関係に選択されるものである)。
1wt%〜40wt%の少なくとも1つの小板型の固体潤滑剤、
0.2wt%〜15wt%の界面活性化合物、
29wt%〜97.8wt%の硬化性バインダー系、
1wt%〜40wt%の小板型の無機顔料粒子、
0wt%〜15wt%の無機粒子。
20wt%〜30wt%の少なくとも1つの小板型の固体潤滑剤、
5wt%〜10wt%の界面活性化合物、
40wt%〜71wt%の硬化性バインダー系、
2wt%〜10wt%の小板型の無機顔料粒子、
2wt%〜10wt%の無機粒子。
一般的な合成手順:
Dispermat(10%〜40%の溶媒を使用、ガラスビーズ分散)において、固体潤滑剤、及び少なくとも1つの親水性と少なくとも1つの疎水基とを有する界面活性化合物を、50℃及び2000rpmで分散させる。15分後、マトリクス成分、及び場合によっては、硬質材料粒子を添加し、50℃及び2000rpmで分散を更に90分間続ける。ガラスビーズを、濾過によって粗生成物から取り出す。続いて、混合物全体中で顔料粒子の分散を、ディソルバーディスク(dissolver disk)を用いて25℃及び1000rpmで30分かけて行う。
得られる反応性混合物は、例えば、浸漬塗工又は噴霧散布等の当該技術分野における通常の塗布方法によって塗布することができる。硬化は150℃〜250℃、1時間〜2時間で起こる。
実施例1:硬質材料を含まないベース系(A200)
5.94gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのN−メチル−2−ピロリドン(NMP)及び1.98gのFluorolink D10H(Solvay)と、Dispermatにおいて50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に、3.37gのピロメリット酸二無水物(PMDA)及び7.51gのビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPPS)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、0.99gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディソルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
6.08gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び2.03gのFluorolink D10H(Solvay)と、Dispermatにおいて50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び0.25gのSiC UF10(HC Starck)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.01gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディソルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び2.07gのFluorolink D10H(Solvay)と、Dispermatにおいて50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び0.52gのSiC UF10(HC Starck)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディソルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
6.53gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び2.18gのFluorolink D10H(Solvay)と、Dispermatにおいて50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び1.09gのSiC UF10(HC Starck)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.09gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディソルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
7.26gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び2.42gのFluorolink D10H(Solvay)と、Dispermatにおいて50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び2.42gのSiC UF10(HC Starck)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.21gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディソルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
8.16gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び2.72gのFluorolink D10H(Solvay)と、Dispermatにおいて50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び4.08gのSiC UF10(HC Starck)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.36gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディソルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
9.33gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び3.11gのFluorolink D10H(Solvay)と、Dispermatにおいて50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び6.22gのSiC UF10(HC Starck)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.55gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディソルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
6.08gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.03gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.25gのSi3N4 E05(UBE)、1.01gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.07gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.52gのSi3N4 E05(UBE)、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.53gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.18gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、1.09gのSi3N4 E05(UBE)、1.09gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
7.26gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.42gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、2.42gのSi3N4 E05(UBE)、1.21gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
8.16gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.72gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、4.08gのSi3N4 E05(UBE)、1.36gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.08gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.03gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.25gのSi3N4 E03(UBE)、1.01gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.07gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.52gのSi3N4 E03(UBE)、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.53gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.18gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、1.09gのSi3N4 E03(UBE)、1.09gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
7.26gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.42gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、2.42gのSi3N4 E03(UBE)、1.21gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
8.16gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.72gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、4.08gのSi3N4 E03(UBE)、1.36gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.08gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.03gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.25gのSi3N4 M11−A(HC Starck)、1.01gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.07gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.52gのSi3N4 M11−A(HC Starck)、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.53gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.18gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、1.09gのSi3N4 M11−A(HC Starck)、1.09gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
7.26gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.42gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、2.42gのSi3N4 M11−A(HC Starck)、1.21gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
8.16gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.72gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、4.08gのSi3N4 M11−A(HC Starck)、1.36gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.08gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.03gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.25gのSi3N4 B7(HC Starck)、1.01gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.07gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.52gのSi3N4 B7(HC Starck)、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.53gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.18gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、1.09gのSi3N4 B7(HC Starck)、1.09gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
7.26gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.42gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、2.42gのSi3N4 B7(HC Starck)、1.21gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
8.16gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.72gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、4.08gのSi3N4 B7(HC Starck)、1.36gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.08gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.03gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.25gのSi3N4 nano70(Aldrich)、1.01gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.07gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.52gのSi3N4 nano70(Aldrich)、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.53gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.18gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、1.09gのSi3N4 nano70(Aldrich)、1.09gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
7.26gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.42gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、2.42gのSi3N4 nano70(Aldrich)、1.21gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
8.16gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、2.72gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、4.08gのSi3N4 nano70(Aldrich)、1.36gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
5.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、0.22gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.22gのSi3N4 B7(HC Starck)、0.87gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
5.33gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、0.44gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.22gのSi3N4 B7(HC Starck)、0.89gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
5.56gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、0.93gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.23gのSi3N4 B7(HC Starck)、0.93gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
5.81gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、1.45gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.24gのSi3N4 B7(HC Starck)、0.97gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.70gの窒化ホウ素BN 110(Henze)、35mlのNMP、3.35gのFluorolink D10H(Solvay)、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS、0.28gのSi3N4 B7(HC Starck)、1.12gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)。
6.53gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び2.18gのPDMSジオール−700(Aldrich CAS:70131−67−8、ポリ(ジメチルシロキサン)、ヒドロキシ終端、Mn約550、鎖長、7個〜8個のSi単位 C14H44O8Si7 mol.wt.:537.09 C16H50O9Si8 mol.wt.:611.25)と、Dispermat中において50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び1.09gのSi3N4 B7(HC Starck)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.09gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディゾルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び2.07gのポリ(エチレングリコール)−ブロック−ポリ(プロピレングリコール)−ブロック−ポリ(エチレングリコール)(Aldrich 435406 CAS[9003−11−6] Mn約1100、HO(C2H4O)m(C3H6O)n(C2H4OmH))と、Dispermat中において50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び0.52gのSi3N4 M11−A(HC Starck)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディゾルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
比較例1:潤滑剤無し、顔料無し、硬質材料無し、界面活性化合物無し(A265)
3.37gのPMDA及び7.51gのBAPPSを、35mlのNMPと、Dispermat中において50℃及び2000rpmで115分かけて混合させた。ガラスビーズの除去後、褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び2.07gのFluorolink D10H(Solvay)を、35mlのNMPと、Dispermat中において50℃及び2000rpmで115分かけて混合させた。ガラスビーズの除去後、褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び2.07gのFluorolink D10H(Solvay)を、35mlのNMPと、Dispermat中において50℃及び2000rpmで115分かけて混合させた。ガラスビーズの除去後、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディゾルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分かけて混合させた。これにより、淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
3.37gのPMDA及び7.51gのBAPPSを、35mlのNMP及び2.07gのFluorolink D10H(Solvay)と、Dispermat中において50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。続いて、0.52gのSi3N4 M11−A(HC Starck)を添加し、50℃及び2000rpmで更に90分間分散を続けた。ガラスビーズの除去後、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディゾルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分をかけて混合させた。これにより、淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
比較例5:潤滑剤有り、顔料無し、硬質材料無し、界面活性化合物無し(A269)
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMPと、Dispermat中において50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に、3.37gのPMDA及び7.51gのBAPPSを添加し、50℃及び2000rpmで更に90分間分散を続けた。ガラスビーズの除去後、淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMPと、Dispermat中において50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に、3.37gのPMDA及び7.51gのBAPPSを添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディゾルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMPと、Dispermat中において50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び0.52gのSi3N4 M11−A(HC Starck)を添加した後、50℃及び2000rpmで更に90分間分散させた。ガラスビーズの除去後、1.04gのLapis Sunlight T20−04−WNT(Merck)を添加し、得られる混合物全体を、ディゾルバーディスクを用いて25℃及び1000rpmで30分間混合させた。淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
6.22gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び2.07gのFluorolink D10H(Solvay)と、Dispermat中において50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に、3.37gのPMDA及び7.51gのBAPPSを添加し、50℃及び2000rpmで更に90分間分散を続けた。ガラスビーズの除去後、淡褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
6.53gの窒化ホウ素BN 110(Henze)を、35mlのNMP及び2.18gのFluorolink D10H(Solvay)を、Dispermat中において50℃及び2000rpmで15分かけて混合させた。次に、3.37gのPMDA、7.51gのBAPPS及び1.09gのSiC UF10(HC Starck)を添加し、50℃及び2000rpmで更に90分間分散を続けた。ガラスビーズの除去後、暗褐色を有する均質な液体反応性混合物が得られた。
生成される組成物を、ステンレス鋼プレートに塗布し、記載通りに熱硬化させた。膜厚は20μm〜25μmとなった。続いて、サンプルをボールオンディスク型摩擦計における測定にかけた。
ボールオンディスク型摩擦計(DIN 50324)、空気中測定、4mmの直径を有する100Cr6ボール、円半径:16mm、加えられる力:2N、トラック速度:10cm/s、負荷の距離:1km。
表13〜表16は、減摩複合材料の更なる特性、例えば、湿潤挙動、硬質材料粒子含有率の関数としての耐摩耗性、及び、特に小板含有率の関数としての防食効果を示すものである。
図24は塩水噴霧試験の結果を示している。
米国特許第4694038号
米国特許第5789523号
国際公開第2002005293号
米国特許出願公開第20040229759号
米国特許第4898905号
米国特許第3809442号
欧州特許出願公開第1350817号
国際公開第2005010107号
国際公開第2005010107号
欧州特許第1718690号
Claims (16)
- 減摩複合材料を製造するための組成物であって、
a)少なくとも1つの小板型の固体潤滑剤と、
b)少なくとも一種の小板型の無機顔料粒子と、
c)少なくとも1つの親水基と少なくとも1つの疎水基とを有する少なくとも1つの界面活性化合物と、
d)1つ又は複数の官能基を有する少なくとも1つの有機ポリマー若しくはオリゴマー、又はその前駆体を含む硬化性バインダー系と、
を含む、組成物。 - 前記固体潤滑剤が、100nm〜1000nmの厚み及び5より大きいアスペクト比を有することを特徴とする、請求項1に記載の組成物。
- 前記顔料粒子が、0.5μm〜2μmの厚み及び10以上の平均アスペクト比を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の組成物。
- 更なる成分として無機粒子を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記無機粒子が1000MPa〜3500MPaの硬度を有することを特徴とする、請求項4に記載の組成物。
- 前記無機粒子が、Si3N4、SiC、B4C、Al2O3及び/又はSiO2からなることを特徴とする、請求項4又は5に記載の組成物。
- 前記固体潤滑剤が、天然グラファイト、合成グラファイト、グラフェン、六方晶系窒化ホウ素、乱層窒化ホウ素、二硫化モリブデン及び/又は二硫化タングステンを含む群から選択されることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の組成物。
- 付加的に、ペルフルオロポリマー、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)及び/又はポリエチレンを含む群から選択される有機固体潤滑剤が更に添加されることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記顔料粒子の表面が、少なくとも部分的に遷移金属酸化物からなることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記遷移金属酸化物が、TiO2、ZrO2、ZnO及びFeOxを含む群から選択されることを特徴とする、請求項9に記載の組成物。
- 前記界面活性化合物が、アンモニオアルキル化合物、ホスホニオアルキル化合物、スルホニオアルキル化合物、イミダゾリニウム化合物、ピリジニウム化合物、ピロリジニウム化合物、イオン液体、官能基化されたフッ素含有ポリマー、ポリエーテル及び官能基化されたポリシロキサンを含む群から選択されることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記バインダー系が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオール、ブロックされているか若しくはブロックされていないポリイソシアネート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリベンズイミダゾール、ポリエステル、ポリ尿素、ポリウレタン、ポリエポキシド、ポリアミン及び/又はポリアクリレート、又はそれらの前駆体を含む群から選択されることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記バインダー系が、カルボン酸成分として、ジカルボン酸若しくはテトラカルボン酸、それらの無水物、又はそれらの別の誘導体を含み、アミン成分として、ジアミン、トリアミン又はテトラアミンを含み、少なくとも1つの成分が芳香族化合物であることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項に記載の組成物。
- 減摩複合材料を製造する方法であって、
a)請求項1〜13のいずれか一項に記載の組成物を基板に塗布する工程と、
b)前記組成物を熱的及び/又は光化学的に硬化させる工程と、
を含む、方法。 - a1)バインダー系に適する溶媒中で、少なくとも1つの小板型の固体潤滑剤と、界面活性化合物との混合物を調製する工程と、
a2)硬化性バインダー系及び少なくとも一種の小板型の無機顔料粒子を添加する工程と、
a3)得られる混合物を基板に塗布する工程と、
を含む方法で、工程a)に記載の前記組成物を得ることを特徴とする、請求項14に記載の方法。 - 硬化した請求項1〜13のいずれか一項に記載の組成物から構成される減摩複合コーティングを備える基板。
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