JP2015503239A - インターポーザデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
互いに電気的に接続されるよう、前記第1の貫通ビアの第1および第2の面上にそれぞれ載置された第1および第2の導電層と、
互いに電気的に接続されるよう、前記第2の貫通ビアの表面にそれぞれ載置された第3および第4の導電層とを備え、前記第1および第3の導電層がバック・ツー・バックダイオードで互いに接続され、該ダイオードが、前記エピタキシャル層の深さ以上の深さをもつダイオードトレンチによって分離される、インターポーザデバイスを提供する。
・前記貫通ビアの前記第1および第2の面の間の平均距離をHとし、前記貫通ビアの平均幅をSとした場合の、前記貫通ビアのH/S比が1以下である。
・前記周囲トレンチが、少なくとも部分的に絶縁材で充填される。
・絶縁材が、熱酸化シリコンおよび/または他の誘電体であることが好ましい。
・酸化物で部分的に充填する場合、トレンチへの充填が、アルファシリコンまたはポリシリコンまたは絶縁材料による共形成膜により行われる。
・前記貫通ビアの前記第1および第2の面の間の平均距離をHとし、前記周囲トレンチの平均厚をeとした場合のH/e比が15以上である。
前記ドープシリコン基板の第1の面から第2の面へと延在する2つの貫通ビア、前記ビア間のダイオード実装帯域、ならびに前記ダイオード実装帯域の第1および第2の領域を区画するダイオードトレンチを区画する工程と、
各ビアならびに前記ダイオード実装帯域の前記第1の領域および前記第2の領域をそれぞれ電気的に絶縁する工程と、
前記第1の貫通ビアの第1および第2の面上に、互いに電気的に接続されるよう、第1および第2の導電層をそれぞれ載置する工程と、
前記第2の貫通ビアの表面上に、互いに電気的に接続されるよう、第3および第4の導電層をそれぞれ載置する工程とを備え、
前記第1および第3の導電層が、前記ダイオード実装帯域の前記ダイオードにより接続される、インターポーザデバイスを形成する方法もまた提供する。
・前記ビア区画工程が、ドープシリコンの容積領域をドープシリコンブリッジによりドープシリコン基板の外側のドープシリコンに機械的および電気的に接続された周囲トレンチにより区画させ、酸化工程中、前記周囲トレンチにより区画された前記ドープシリコンの容積領域が前記ドープシリコン基板の外側のドープシリコンに機械的に接続されるが、電気的に絶縁されるよう、前記ドープシリコンブリッジを酸化させて、不連続な周囲トレンチをエッチングする工程をさらに備え、例えば、前記ブリッジの幅は前記周囲トレンチの平均厚以下である。
・酸化工程の後、アルファシリコンまたは非ドープポリシリコンを周囲トレンチ内に配置する。
・ビア区画工程の間、前記周囲トレンチがドープシリコン基板を完全に貫通してエッチングされる場合、前記トレンチがドープシリコンブリッジを備える。
・ビア区画工程の間、前記周囲トレンチが、酸化工程に先立ち、ドープシリコン基板の厚みの一部のみにわたりエッチングされる。その後、周囲トレンチがドープシリコン基板を貫通して延在するようドープシリコン基板を研削する。
R=pH/A
式中、Rはビアの抵抗であり、pはドープシリコン材料の抵抗率であり、Hは貫通ビアの第1および第2の面の間の平均距離であり、Aは前記貫通ビアの平均断面積である。パラメータpは、ドープシリコン基板1中のドーパントの濃度に応じて適応させることができると、好都合である。パラメータH/Aは、本発明によるインターポーザの作製者によって選択することができ、好都合である。したがって、本発明によるシリコン貫通ビアの電気抵抗は、シリコン貫通ビアの用途に応じて容易に適応させうる。
Claims (16)
- ドープシリコン基板(1)であって、第1の面にエピタキシャル層(24)を有するとともに、前記第1の面から、前記ドープシリコン基板の前記第1の面と反対の第2の面へと延在する2つの貫通ビア(11、12)を有し、各貫通ビアが、前記ドープシリコン基板の前記第1の面から前記第2の面へと延在する周囲トレンチ(7)により区画されたドープシリコン基板の容積領域を備え、前記周囲トレンチが、前記トレンチにより囲まれた前記ドープシリコン基板を電気的に絶縁するよう配置される、ドープシリコン基板と、
互いに電気的に接続されるよう、前記第1の貫通ビアの第1および第2の面上にそれぞれ載置された第1および第2の導電層(121、122)と、
互いに電気的に接続されるよう、前記第2の貫通ビアの表面にそれぞれ載置された第3および第4の導電層(112、111)とを備え、
前記第1(122)および第3(112)の導電層がバック・ツー・バックダイオード(35)で互いに接続され、該ダイオードが、前記エピタキシャル層(24)の深さ以上の深さをもつダイオードトレンチ(6)によって分離される、インターポーザデバイス。 - 前記貫通ビアの前記第1および第2の面の間の平均距離をHとし、前記貫通ビアの平均幅をSとした場合のH/S比が1以下である、請求項1に記載のインターポーザデバイス。
- 前記周囲トレンチ(7)が少なくとも部分的に絶縁材で充填され、前記絶縁材が、好ましくは熱酸化シリコンおよび/または他の誘電体であり、前記トレンチの充填が、アルファシリコンまたはポリシリコンまたは絶縁材料の共形成膜により行われる、請求項1または2のいずれかに記載のインターポーザデバイス。
- 前記貫通ビア(11)の前記第1および第2の面の間の平均距離をHとし、前記周囲トレンチ(7)の平均厚をeとした場合のH/e比が15以上である、請求項1〜3のいずれか一に記載のインターポーザデバイス。
- 選択的に、前記シリコン基板の第1の表面上の酸化膜の領域間に形成された、アルミニウムの第1の層(31)と、
第1のアルミニウムおよび酸化シリコン層上に形成されたアルミニウム第2の層(32)と、
さらなる酸化シリコン(36)の層とをさらに備え、
前記アルミニウム層が、前記導電層(111、112、121、122)に先立って形成される、請求項1に記載のインターポーザデバイス。 - 前記周囲トレンチが、200〜700μm、好ましくは200〜300μmの深さをもつ、請求項1に記載のインターポーザデバイス。
- 前記ダイオードトレンチが、1〜20μmの深さをもつ、請求項1に記載のインターポーザデバイス。
- 残りのシリコン基板とは異なるドーピングを行ったエピタキシャル層を有するドープシリコン基板(1)を設ける工程と、
前記ドープシリコン基板の第1の面から第2の面へと延在する2つの貫通ビア(11、12)、前記ビア間のダイオード実装帯域、ならびに前記ダイオード実装帯域(25)の第1および第2の領域を区画するダイオードトレンチ(6)を区画する工程と、
各ビアならびに前記ダイオード実装帯域(25)の前記第1の領域および前記第2の領域をそれぞれ電気的に絶縁する工程と、
前記第1の貫通ビアの第1および第2の面上に、互いに電気的に接続されるよう、第1および第2の導電層をそれぞれ載置する工程と、
前記第2の貫通ビアの表面上に、互いに電気的に接続されるよう、第3および第4の導電層をそれぞれ載置する工程とを備え、
前記第1および第3の導電層が、前記ダイオード実装帯域の前記ダイオードにより接続される、請求項1〜7のいずれか一に記載のインターポーザデバイスを形成する方法。 - 前記Si基板の少なくとも1方の面に施される平坦化処理をさらに備え、前記平坦化処理が、
第1の金属層上に誘電体絶縁層を成膜する工程と、
前記誘電体絶縁層内に接続部をパターニングする工程と、
前記誘電体絶縁層上に第1の金属層を成膜する工程と、
前記第1の金属層をパターニングする工程と、
第2の金属層を成膜する工程と、
前記第2の金属層をパターニングする工程とを備える、請求項8に記載の方法。 - バリア層が前記第1および第2の導電層を封止するよう配置され、前記バリア層がチタンを主成分としうる、請求項8または9に記載の方法。
- 前記工程を繰り返して第2および/またはそれ以上の階層の層間接続を構築する、請求項8〜10のいずれか一に記載の方法。
- 前記誘電体絶縁層が0.4〜1.5μmの厚さをもつ、請求項8または9に記載の方法。
- 前記第1および第2の導電層が1〜3μmの厚さをもつ、請求項8または9に記載の方法。
- 前記誘電体絶縁層を貫通して下層の接続部が開口される帯域内に凹部を構成することにより前記第1および第2の導電層を形成する、請求項8または9に記載の方法。
- 前記誘電体絶縁層内に接続部をパターニングする工程が、第1のマスクを用いて実現され、前記第2の金属層をパターニングする工程が、前記第1のマスクの反転である第2のマスクを用いて実現される、請求項8または9に記載の方法。
- 前記第2の金属層を、前記バリア層が露出する深さまでエッチングする、請求項8〜15のいずれか一に記載の方法。
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