JP2015227870A - 半導体実装構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体回路チップ加わる負荷を軽減して、精密動作を可能とする半導体実装構造体を提供する。
【解決手段】リードフレームと、前記リードフレームの第１の面に実装された半導体回路チップと、前記半導体回路チップを覆うように供給された液状の材料を硬化させて形成された応力緩和層と、を有し、前記リードフレームの第１の面に、前記半導体回路チップを平面視した時の第１の面における外形に沿ったエッジ部が形成されている半導体実装構造体。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体実装構造体に関する。

従来、携帯用の機器などには、ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical Systems）技術を利用した、半導体実装構造体としての半導体圧力センサ（以下、単に圧力センサという）が用いられている。この種の圧力センサとしては、例えば、圧力センサ素子と、圧力センサ素子からの信号を受ける半導体回路チップ（制御素子）と、これらに電気的に接続されたリードフレームと、半導体回路チップを覆うモールド樹脂を備えたものがある（例えば、特許文献１〜３参照）。

特許第３６２０１８５号公報 特開２０００−３２９６３２号公報 特許第５３５１９４３号公報

このような半導体実装構造体は、半導体回路チップをモールド樹脂により封止することで小型化を実現している。しかしながら、モールドされた半導体回路チップは、モールド樹脂からの応力を受けやすく、モールド樹脂が吸湿や温度変化で変形した場合に、半導体回路チップの動作に悪影響を与える虞があった。
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、半導体回路チップに加わる負荷を軽減して、より正確な動作を可能とする半導体実装構造体を提供することを目的とする。

本発明の半導体実装構造体は、リードフレームと、前記リードフレームの第１の面に実装された半導体回路チップと、前記半導体回路チップを覆うように供給された液状の材料を硬化させて形成された応力緩和層と、を有し、前記リードフレームの第１の面に、前記半導体回路チップを平面視した時の第１の面における外形に沿ったエッジ部が形成されている。

上記半導体実装構造体において、前記エッジ部と前記半導体回路チップの外形を構成する側面との距離が、前記半導体回路チップの厚みの１／２より大きくても良い。

上記半導体実装構造体において、前記エッジ部と前記半導体回路チップの外形を構成する側面との距離が、前記半導体回路チップの外形の角部において他の部分より大きくても良い。

上記半導体実装構造体において、前記リードフレームの第１の面に、前記半導体回路チップの外形に沿った凹溝が形成され、前記エッジ部は、前記凹溝と前記第１の面との境界に形成されていても良い。

上記半導体実装構造体において、前記リードフレームの第１の面に、前記半導体回路チップの外形に沿って複数の前記凹溝が断続的に形成されていても良い。

上記半導体実装構造体において、断続的に形成された隣り合う前記凹溝同士の距離が、前記凹溝の長さに対して１／３以下であっても良い。

上記半導体実装構造体において、前記リードフレームの第１の面に、前記半導体回路チップを実装する実装領域が、他の領域より高い位置に形成され、前記実装領域と他の領域との間に前記半導体回路チップの外形に沿った段差が形成され、前記エッジ部は、前記段差と前記実装領域との境界に形成されていても良い。

上記半導体実装構造体において、前記リードフレーム、前記半導体回路チップ、並びに前記応力緩和層を埋設する基体を有し、前記応力緩和層のヤング率が、前記基体のヤング率より低くても良い。

上記半導体実装構造体において、前記応力緩和層のヤング率が、前記基体のヤング率に対して、１／１０以下であっても良い。

上記半導体実装構造体において、前記リードフレームの前記第１の面と反対側の第２の面側において、前記半導体回路チップと平面視において少なくとも一部が重なるように、圧力センサチップが配置され、前記半導体回路チップが、前記圧力センサチップからのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力しても良い。

上記半導体実装構造体において、前記リードフレームの前記第１の面と反対側の第２の面に載置部を介して圧力センサチップが配置され、前記載置部は、平面視で前記第１の面の前記エッジ部に囲まれた領域の内側に位置していてもよい。

上記半導体実装構造体において、前記リードフレームの前記第１の面と反対側の第２の面に載置部を介して圧力センサチップが配置され、前記載置部を構成する材料のヤング率は、前記リードフレームを構成する材料のヤング率と同じ又はそれ以上であってもよい。

本発明によれば、半導体回路チップの周囲を応力緩和層が覆っているため、半導体回路チップの周囲の部材に生じた応力を緩和し、半導体回路チップ加わる負荷を抑制できる。
また、供給された硬化前の液状の応力緩和層は、表面張力によりエッジ部で濡れ広がりが抑制される。これを硬化することで、応力緩和層は、意図しない領域に形成されることがなく、また、半導体回路チップを確実に覆うことができる。

第１実施形態の圧力センサの平面図である。 図１のII−II線に沿う第１実施形態の圧力センサの側断面図である。 第１実施形態の圧力センサに用いられるリードフレーム及び半導体回路チップをリードフレームの第１の面から見た平面視として示す図である。 図２の領域Ａの拡大図である。 第１実施形態に採用可能な第１変形例のリードフレーム及び半導体回路チップをリードフレームの第１の面から見た平面視として示す図である。 第１変形例のリードフレームの周縁部と応力緩和層の関係を示す拡大断面図である。 第１実施形態に採用可能な第２変形例のリードフレーム及び半導体回路チップをリードフレームの第１の面から見た平面視として示す図である。 第１実施形態に採用可能な第３変形例のリードフレーム及び半導体回路チップをリードフレームの第１の面から見た平面視として示す図である。 第１実施形態に採用可能な第４変形例のリードフレーム及び半導体回路チップをリードフレームの第１の面から見た平面視として示す図である。 第１実施形態に採用可能な第５変形例のリードフレーム及び半導体回路チップをリードフレームの第１の面から見た平面視として示す図である。 第１実施形態に採用可能な第６変形例のリードフレームの段差と応力緩和層の関係を示す拡大断面図である。 第２実施形態の圧力センサの平面図である。 図１２のXIII−XIII線に沿う第２実施形態の圧力センサの側断面図である。 第３実施形態の圧力センサの側断面図である。 比較形態の圧力センサの側断面図である。

＜第１実施形態＞
以下、図面を参照して、実施形態について説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴部分を強調する目的で、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、同様の目的で、特徴とならない部分を省略して図示している場合がある。

図１は、第１実施形態の半導体実装構造体としての圧力センサ１００の平面図である。また、図２は、図１の圧力センサ１００におけるII−II線に沿う断面図である。
なお、各図にはＸ−Ｙ−Ｚ座標系を示した。以下の説明において、必要に応じて各座標系に基づいて各方向の説明を行う。

図１及び図２に示すように、圧力センサ（半導体実装構造体）１００は、リードフレーム４０と、圧力センサチップ２０と、保護剤６０と、半導体回路チップ３０と、応力緩和層７０と、基体１０と、を有している。

リードフレーム４０は、板形状を有している。このリードフレーム４０の第１の面４１には、半導体回路チップ３０が実装されている。応力緩和層７０は、半導体回路チップ３０を覆うよう液状の材料を供給、硬化されることで形成されている。また、リードフレーム４０の第２の面側には、圧力センサチップ２０が配置されている。圧力センサチップ２０は、保護剤６０により覆われている。
以下、圧力センサ１００を構成する各部について詳細に説明する。

＜基体＞
基体１０は、例えば、エポキシ、PPS（ポリフェニレンサルファイド樹脂）、PBT（ポリブチレンテレフタレート）等のエンジニアリングプラスチックなどの樹脂からなる。基体１０は、リードフレーム４０、半導体回路チップ３０、ボンディングワイヤ５１及び応力緩和層７０を基体１０の樹脂で埋設させ一体とする。これにより、リードフレーム４０、半導体回路チップ３０、ボンディングワイヤ５１及び応力緩和層７０を外気や水分から遮断し、これらを保護することができる。
基体１０の構成樹脂は、例えばエポキシ系樹脂であり、そのヤング率は例えば１ＧＰａ〜５０ＧＰａ（好ましくは１０ＧＰａ〜３０ＧＰａ）である。

基体１０は、リードフレーム４０の第１の面４１側（−Ｚ側）に形成される本体部（半導体回路チップ側基体）１６と、本体部１６から、＋Ｚ側に環状に突出する環状壁部１２と、この環状壁部１２の外周に形成される鍔部１３とを有する。
環状壁部１２及び鍔部１３は、本体部１６と一体に形成されている。
なお、本実施形態の基体１０の本体部１６、環状壁部１２並びに鍔部１３は、平面視円形である。しかしながら、これらの平面視形状は円形に限らず、矩形その他の多角形など、任意の形状とすることができる。

環状壁部１２は円筒状に形成され、その内部空間には、圧力センサチップ２０が収容される収容部１９が構成される。収容部１９は、圧力センサチップ２０を保護する保護剤６０が満たされている。

収容部１９の底面の一部には、基体１０の一部として延出する載置部１７が形成されている。載置部１７は、リードフレーム４０の第２の面４２側に形成され、圧力センサチップ２０が設置される。
収容部１９の底面であって、載置部１７が形成されない部分は、リードフレーム４０の一部（センサリード部４４）が露出している。圧力センサチップ２０は、ボンディングワイヤ５０によって、露出したリードフレーム４０と電気的に接続される。

載置部１７は、基体１０と別体の部材としても良い。その場合には、載置部１７を構成する材料として、例えば基体１０を構成する樹脂材料より硬度が低いものを選択することができる。これにより、基体１０の吸湿や熱膨張等により圧力センサチップ２０に加えられる応力を軽減し、圧力センサ１００の測定精度を高めることができる。また、前述の載置部１７は、厚く形成するほどにこの種の応力の影響を軽減でき、より測定精度を高める事ができる。

鍔部１３は、基体１０の外周に突出して設けられている。鍔部１３の＋Ｚ側に形成された面１３ａは、平坦に形成されている。圧力センサ１００を携帯用機器に搭載する場合は、鍔部１３の面１３ａと携帯用機器の蓋体との間にガスケットを押圧することで、鍔部１３より−Ｚ側の防水を実現させる。

＜リードフレーム＞
リードフレーム４０は、導電体からなる板状体である。
リードフレーム４０の第１の面４１には、半導体回路チップ３０が設置されている。また、リードフレーム４０の第１の面４１とは、反対側の第２の面４２側には、載置部１７を介し圧力センサチップ２０が配置されている。

リードフレーム４０は、熱伝導性に優れた材料からなることが好ましい。これにより、圧力センサチップ２０および半導体回路チップ３０の過熱または過冷却を防ぐことができる。したがって圧力センサチップ２０および半導体回路チップ３０の動作を安定化させるうえで有利となる。
このような材料として、リードフレーム４０は、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）等の金属から形成することが好ましい。

図３に、リードフレーム４０の第１の面４１側（−Ｚ側）からの平面視を示す。なお、図３に示すリードフレーム４０は、圧力センサ１００の内部で折曲されている部分（折曲部４５ａ）を展開した状態で示す。
リードフレーム４０は半導体回路チップ３０が実装される台座部４６と、４つのターミナル端子４５と、４つのセンサリード部４４とから構成されている。
なお、ターミナル端子４５及びセンサリード部４４の数は、これに限定されるものではない。

台座部４６には、半導体回路チップ３０が実装され、さらにこの半導体回路チップ３０を覆う応力緩和層７０が形成されている。
台座部４６において、第１の面４１には、四辺形を描くように凹溝４３が形成されている。この凹溝４３の内側は、半導体回路チップ３０を実装する実装領域４６ａが形成される。凹溝４３により区画された実装領域４６ａは、半導体回路チップ３０の外形に沿った形状を有している。即ち、凹溝４３は、半導体回路チップ３０の外形に沿って形成されている。
凹溝４３は、硬化前の応力緩和層７０が、凹溝４３の外側に濡れ広がることを抑制する。

図４は、図２の領域Ａの拡大図であり、凹溝４３とこの凹溝４３によって濡れ広がりが抑制される応力緩和層７０の様子を示す図である。
本実施形態の凹溝４３は、Ｖ字状またはＵ字状に形成されており、深さ方向に傾斜する二つの斜面４３ｂを有する。この斜面４３ｂと実装領域４６ａとの縁部には、エッジ部４３ａが形成されている。即ち、実装領域４６ａは、凹溝４３の特にエッジ部４３ａによって区画されている。

硬化前の液状の応力緩和層７０は、実装領域４６ａに供給されることで濡れ広がり、実装領域４６ａを覆う。さらに、実装領域４６ａの周縁であるエッジ部４３ａに達すると、表面張力により濡れ広がりが止まり、硬化前の応力緩和層７０が濡れ広がることを抑制できる。この状態で、未硬化の材料を硬化させることで、実装領域４６ａの内部にのみ応力緩和層７０を形成することができる。

本実施形態の凹溝４３は、その実装領域４６ａ側に形成されたエッジ部４３ａが半導体回路チップ３０の側面３４と距離Ｗとなるように形成されている。距離Ｗは、半導体回路チップ３０の厚みＨの１／２より大きくとることが好ましく、Ｈより大きい事がより好ましい。
実装領域４６ａに形成される応力緩和層７０は、表面張力によりその外面７２ａが湾曲凸面となるドーム状に形成される。即ち、応力緩和層７０は、エッジ部４３ａの近傍でもっと薄く、中央に近づくにつれ徐々に厚く形成される。これに対して、半導体回路チップ３０は、側面３４と下面３１との間で直角な角部３５を有する。したがって、半導体回路チップ３０は、側面３４と下面３１との間の角部３５が、応力緩和層７０から露出されやすい。
距離Ｗを半導体回路チップ３０の厚みＨの１／２より大きくすることにより、応力緩和層７０は、半導体回路チップ３０の角部３５を含む全体を確実に覆うことができる。

一例として、半導体回路チップ３０の厚みＨが３００μｍの場合は、エッジ部４３ａと半導体回路チップ３０の側面３４との距離Ｗを１５０μｍ以上とすることが好ましい。
また、応力緩和層７０は、半導体回路チップ３０とリードフレーム４０との間に介在部７１を形成する場合がある（図４参照）。この介在部７１の厚みが、半導体回路チップ３０の厚みＨに対して無視できない場合には、距離Ｗは、介在部７１の厚みと半導体回路チップ３０の厚みＨとの和の１／２より大きくすることが好ましい。

エッジ部４３ａと半導体回路チップ３０の側面３４との距離Ｗは、必ずしも一定である必要はない。例えば、凹溝４３が蛇行して形成され、距離Ｗが半導体回路チップ３０の厚みＨの１／２より大きい範囲で、距離Ｗが変わっていても良い。

凹溝４３の深さＤ１は、１０μｍ以上とすることが好ましい。深さＤ１を１０μｍ以上とすることで、表面応力により硬化前の応力緩和層７０の濡れ広がりを確実に抑制できる。
また、凹溝４３の深さＤ１は、リードフレーム４０の厚さに対して２／３以下とすることが好ましく、１／２以下とすることがより好ましい。これにより、リードフレーム４０の強度を確保し、組み立て工程における破損を防ぐことができる。

凹溝４３は、エッチングにより形成することができる。これにより、鋭利なエッジ部４３ａを形成し、表面張力により確実に応力緩和層７０の濡れ広がりを抑制できる。
また、凹溝４３の形成方法は、フォトリソグラフィにより形成しても良く、また、機械加工により形成することもできる。

ターミナル端子４５は、半導体回路チップ３０からボンディングワイヤ５１により電気的に接続される。
ターミナル端子４５は、圧力センサ１００と外部との信号及び電源のやり取りに用いられる端子であり、例えば、電源端子、接地端子、信号入力端子、信号出力端子等に対応して設けられる。
ターミナル端子４５は、ボンディングワイヤ５１が接続される接続部４５ｂと、溝部４５ｃと折曲部４５ａとを有する。
溝部４５ｃは、第１の面４１側に形成された溝である。溝部４５ｃは、エッチングなどにより形成することができる。ターミナル端子４５は、溝部４５ｃを谷として、接続部４５ｂに対し折曲部４５ａを立ち上げて折り曲げられる。ターミナル端子４５は、折曲部４５ａが立ち上がるように成形されることで、折曲部４５ａの一面が基体１０の周面等において十分な面積で露出し、外部との接点を確保する（図示略）。

図２に示すように、センサリード部４４は、第１の面４１において、半導体回路チップ３０とボンディングワイヤ５１により電気的に接続される。また、センサリード部４４は、第２の面４２において、圧力センサチップ２０とボンディングワイヤ５０により電気的に接続される。
センサリード部４４は、半導体回路チップ３０と圧力センサチップ２０の間の信号のやり取りを行う中継端子として設けられている。

図２において、センサリード部４４及び台座部４６の周縁に破線で除去部４７を示した。これらの除去部４７は、基体１０によって、リードフレーム４０をインサート成形する際に、金型によって把持するために設けられている。除去部４７は、基体１０を形成した後に、切断され除去される。

＜圧力センサチップ＞
圧力センサチップ２０としては、例えば、シリコン等からなる半導体基板の一面側に、ダイアフラム部と、基準圧力室としての密閉空間と、圧力によるダイアフラム部の歪抵抗の変化を測定するための複数の歪ゲージとを備えたものである。各歪ゲージは、ボンディングワイヤ５０を介し異なるセンサリード部４４にそれぞれ電気的に接続されている。

圧力センサチップ２０は、ダイアフラム部が圧力を受けて撓むと、各歪ゲージにダイアフラム部の歪み量に応じた応力が発生し、この応力に応じて歪ゲージの抵抗値が変化し、この抵抗値変化に応じたセンサ信号が出力される。
この圧力センサチップ２０は、ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical Systems）技術を利用した圧力センサチップである。

圧力センサチップ２０は、収容部１９内に収容され載置部１７上に固定される。
圧力センサチップ２０は、リードフレーム４０の第２の面４２側に設けられている。また、圧力センサチップ２０は、平面視において、一部領域または全部領域がリードフレーム４０から外れた位置に配置されていても良い。

圧力センサチップ２０は、載置部１７と反対側の上面２１を回路が形成された面として配置されている。圧力センサチップ２０の回路は、上面２１に接続されたボンディングワイヤ５０を介して、リードフレーム４０のセンサリード部４４に接続されている。

＜保護剤＞
保護剤６０は、収容部１９内に充填されて圧力センサチップ２０を覆っている。
保護剤６０は、水や外気の浸入を防ぎ、圧力センサチップ２０をこれらから保護する。
保護剤６０としては、例えば、シリコーン樹脂やフッ素系の樹脂が使用できる。保護剤６０は液状やゲル状とすることができる。保護剤６０は高い粘性を持つことが好ましい。
保護剤６０としては、例えば、硬度約０（ショアＡ硬度。ＪＩＳ Ｋ ６２５３に準拠）の柔らかいゲル剤を用いることが望ましい。これによって、測定対象から加えられる圧力をそのまま圧力センサチップ２０に伝達できるため、圧力センサチップ２０による圧力検出の精度を低下させることはない。
保護剤６０によって、水や外気の浸入を防ぎ、圧力センサチップ２０への悪影響を防ぐことができる。

保護剤６０は、光透過性が低く、可視光や紫外線を遮断するものであることが好ましい。これにより、圧力センサチップ２０の劣化を防ぐことができる。保護剤６０に顔料等を含有させて光透過性を低くしても良い。

＜半導体回路チップ＞
半導体回路チップ３０は、例えば集積回路（integrated circuit、IC）である。
半導体回路チップ３０は、平面視で矩形状を有し、矩形状の底面３３と、その４つ周縁部にそれぞれ形成された側面３４と、底面３３と反対側の下面３１とを有する直方体形状を有する。

半導体回路チップ３０は、リードフレーム４０の第１の面４１であって、台座部４６の実装領域４６ａに配置される。上述したように、実装領域４６ａは、凹溝４３のエッジ部４３ａによって区画される領域である。半導体回路チップ３０は、その側面３４がエッジ部４３ａから一定の距離Ｗとなるように配置されている。

半導体回路チップ３０は、少なくとも一部が、平面視において圧力センサチップ２０に重なる位置にある。このように半導体回路チップ３０と圧力センサチップ２０とが平面視で重なるように配置されることで、圧力センサ１００を小型化することができる。

半導体回路チップ３０は、圧力センサチップ２０からのセンサ信号が、入力されるとこれを処理して圧力検出信号として出力する。圧力センサチップ２０からのセンサ信号は、ボンディングワイヤ５０、センサリード部４４、ボンディングワイヤ５１を介して、半導体回路チップ３０に入力される。

半導体回路チップ３０は、外部温度を測定する温度センサ３２と、温度センサ３２からの信号をＡ／Ｄ変換して温度信号として出力するＡ／Ｄ変換器（図示略）と、前記温度信号が入力される演算処理部（図示略）とを有する。
前記演算処理部では、前記温度信号に基づいて、圧力センサチップ２０からのセンサ信号に補正処理を行うことができる。
温度センサ３２としては、抵抗式（ブリッジ抵抗式）、ダイオード式、熱電対式、赤外線式等を採用できる。温度センサ３２を内蔵することで、半導体回路チップ３０は、系内の温度に応じて圧力検出信号を補正することができる。このため、精度の高い圧力測定が可能となる。
温度センサ３２は、半導体回路チップ３０内部において下面３１に近接した位置に設けて、温度測定の精度を高めることが望ましい。

半導体回路チップ３０は、リードフレーム４０の第１の面４１側に底面３３が対向するように設けられている。半導体回路チップ３０は、平面視において、全部領域がリードフレーム４０の台座部４６に収まるように配置されていることが好ましい。

半導体回路チップ３０は、リードフレーム４０と反対側の下面３１を回路が形成された面として配置されている。半導体回路チップ３０の回路は、下面３１に接続されたボンディングワイヤ５１を介して、リードフレーム４０のセンサリード部４４及びターミナル端子４５に接続されている。

半導体回路チップ３０と圧力センサチップ２０は、リードフレーム４０に対して、互いに反対側に平面視で重なるように配置されている。これにより、配線長を短くするとともに、ノイズの影響を低減できる。
また、半導体回路チップ３０と圧力センサチップ２０とが、リードフレーム４０を介して近接した位置に配置されていることにより、両者の温度差を小さくできる。これにより、半導体回路チップ３０の温度センサ３２において正確な温度測定を行い、圧力検出値を高精度で補正して検出精度を高めることができる。

＜応力緩和層＞
応力緩和層７０は、半導体回路チップ３０の底面３３、４つ側面３４、並びに下面３１と覆っている。応力緩和層７０は、未硬化の状態で、供給し硬化させることで形成される。
応力緩和層７０は、基体１０を構成する材料、及びリードフレーム４０を構成する材料よりも低いヤング率を有し、半導体回路チップ３０に加わる応力を緩和する機能を果たす。

応力緩和層７０は、半導体回路チップ３０の底面３３側に設けられた介在部７１と、半導体回路チップ３０の側面３４及び下面３１側に設けられた被覆部７２とを有する。本実施形態の応力緩和層７０は、介在部７１と被覆部７２とが、別工程で形成される。

介在部７１は、半導体回路チップ３０の底面３３の全域を覆っている。また、介在部７１は、底面３３とリードフレーム４０の第１の面４１との間に介在して形成されている。したがって、半導体回路チップ３０の底面３３は、リードフレーム４０から離隔している。

介在部７１を設けることにより、基体１０、リードフレーム４０及び半導体回路チップ３０の熱膨張率の差、並びに基体１０の吸湿に起因する応力が、半導体回路チップ３０に加わることを抑制できる。

介在部７１は、一定の厚みを有することが好ましい。介在部７１の厚みは、例えば、５〜１００μｍ（好ましくは１０〜５０μｍ）とすることができる。介在部７１の厚みを５μｍ以上とすることで高い応力緩和効果が得られる。また、厚みを１００μｍ以下とすることで、全体の厚さ寸法を抑制できる。

介在部７１は、リードフレーム４０に半導体回路チップ３０を実装する前に底面３３に形成できる。
この場合、介在部７１は、実装前の半導体回路チップ３０の底面３３に未硬化（液状）の材料をディスペンサ等により供給し、これを加熱等により硬化させて形成し、その後、リードフレーム４０に実装することで形成することができる。

また、介在部７１は、半導体回路チップ３０を実装する前に、リードフレーム４０の台座部４６の第１の面４１に未硬化の材料を供給、硬化させて形成しても良い。
この場合は、まず、リードフレーム４０の第１の面４１を上に向けた状態とする（図２において、上下逆転させた状態）。次に、台座部４６の実装領域４６ａ（凹溝４３の内側）に上方から未硬化（液状）の材料をディスペンサ等により供給する。次に、半導体回路チップ３０を供給された未硬化の材料の上に実装し、未硬化の材料を加熱等により硬化させることで、介在部７１が形成される。
また、実装領域４６ａに未硬化の材料を供給、硬化を繰り返し厚塗りの介在部７１を形成しても良い。

その他に、介在部７１は、低ヤング率材料からなるシート体を、半導体回路チップ３０、又はードフレーム４０台座部４６の第１の面４１に貼り付けることで形成しても良い。

被覆部７２は、半導体回路チップ３０の全体を覆うようにドーム状に形成されている。
被覆部７２は、半導体回路チップ３０の４つの側面３４と下面３１の全域を覆って固着している。また、被覆部７２は、リードフレーム４０の台座部４６において、半導体回路チップ３０が実装される周縁の領域を覆って固着している。

被覆部７２を設けることにより、基体１０、リードフレーム４０及び半導体回路チップ３０の熱膨張率の差、並びに基体１０の吸湿に起因する応力が、半導体回路チップ３０に加わることを抑制できる。
また、基体１０は、半導体回路チップ３０をリードフレーム４０に実装した後に、これらの周囲に樹脂を回り込ませてインサート成形する。したがって、基体１０を構成する樹脂材料が硬化した際に応力が残留し、半導体回路チップ３０に負荷が加わる虞がある。被覆部７２を設けることにより、基体１０からの応力を緩和して、半導体回路チップ３０に加わる負荷を軽減できる。
さらに、被覆部７２を設けることによって、基体１０が外力や吸湿等によって変形した場合であっても、これに起因する応力が半導体回路チップ３０に加わることを抑制できる。
これにより、半導体回路チップ３０の測定機能を正常に維持できる。

被覆部７２の外面７２ａは、湾曲凸面をなす。即ち、被覆部７２は、その中央部分が最も厚く、周縁に近いほど薄くなっている。被覆部７２の外面７２ａを湾曲凸面とすることで、応力集中が起こりにくくなる。これにより、基体１０が外力や吸湿、熱応力等により変形した場合であっても、その影響を半導体回路チップ３０に及ぶのを抑制する効果を高めることができる。
また、被覆部７２の外面７２ａを湾曲凸面とすることによって、インサート成形で基体１０を形成する場合に、基体１０を構成する樹脂材料が金型内でスムーズに流れ、基体１０中にボイド等の欠陥が形成されることを抑制できる。

被覆部７２は、半導体回路チップ３０をリードフレーム４０に実装し、ボンディングワイヤ５１によりこれらを電気的に接続した後に形成する。
被覆部７２の形成方法の一例を説明する。まず、リードフレーム４０の第１の面４１を上に向けた状態（図２において、上下逆転させた状態）で半導体回路チップ３０の上方から未硬化（液状）の材料をディスペンサ等により供給する。供給された未硬化の材料は、表面張力によりドーム形状を形成し、半導体回路チップ３０を覆う。また、未硬化の材料は、実装領域４６ａを覆うように濡れ広がる。未硬化の材料は、凹溝４３に達すると自身の表面張力により濡れ広がりが抑制され、凹溝４３の外側には広がらない。
この状態で、未硬化の材料を加熱等により硬化させることで、被覆部７２が形成される。
このように形成された被覆部７２は、介在部７１と一体化し、半導体回路チップ３０の全面（底面３３、側面３４、下面３１）を覆う応力緩和層７０を形成する。

応力緩和層７０を構成する材料として、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂などが使用できる。具体的に応力緩和層７０は、例えばシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂等からなる。また、これらの材料のうち、２つ以上を併用して用いても良い。これらのうちで、シリコーン樹脂は、吸湿しにくいため、高温・高湿環境でも物性が変化しにくいため、最も好ましい。

応力緩和層７０のヤング率は、例えば１ＭＰａ〜５００ＭＰａ（好ましくは１ＭＰａ〜１００ＭＰａ）であることが好ましい。
応力緩和層７０のヤング率は、基体１０の構成材料のヤング率に対して１／１０以下（好ましくは１／１００以下）であることが好ましい。なお、ヤング率は、ＪＩＳ Ｋ ７１６１、ＪＩＳ Ｋ ７２４４の方法によって測定することができる。

また、応力緩和層７０は、チクソトロピー性（チクソ性）が低い樹脂材料とすることが好ましい。樹脂材料として、チクソトロピック剤が添加されたものは、高いチクソトロピー性を示すため、応力緩和層７０として、チクソトロピック剤が添加されていないものを用いることが好ましい。応力緩和層７０の樹脂材料として、チクソトロピック剤に代えて、水溶性高分子（セルロース系やポリカルボン酸系）や無機粒子（シリカ、層状ケイ酸塩などの粘土鉱物）を添加して特性を聴視したものを用いることができる。

一例として、応力緩和層７０の樹脂材料は、ＪＩＳ Ｋ ７１１７に記載の回転粘度計において、毎分回転数２０ｒｐｍにおける粘度に対する毎分回転数２ｒｐｍにおける粘度の比（２ｒｐｍ時の粘度／２０ｒｐｍの粘度）として求められるチクソトロピー指数が１．７の樹脂材料を応力緩和層７０として採用することができる。

応力緩和層７０として、チクソトロピー性の低い材料を用いることで、硬化前の応力緩和層７０の材料をディスペンサ等で供給した際に、この材料が塗布面に濡れ広がることができる。したがって、応力緩和層７０の高さＪ（図２参照）が大きくなりすぎない。これに対して、チクソトロピー性の高い材料を用いる場合には、応力緩和層７０の高さＪが大きくなり、応力緩和層７０を覆う基体１０に薄い部分が形成される虞がある。

一方で、チクソトロピー性の低い材料を用いると、未硬化の材料が意図しない領域にまで濡れ広がって応力緩和層７０を形成する虞がある。本実施形態の圧力センサ１００では、応力緩和層７０が形成される領域をリードフレーム４０の実装領域４６ａに留めるために、実装領域４６ａが凹溝４３により区画されている。凹溝４３を形成することで、未硬化の応力緩和層７０が、実装領域４６ａの外側に広がることを抑制できる。

＜比較形態＞
図１５に比較形態として、リードフレーム７４０に凹溝４３を備えていない圧力センサ７００を示す。なお、第１実施形態と同様の構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
圧力センサ７００の応力緩和層７７０は、リードフレーム７４０の第１の面７４１において、台座部７４６の全体に形成されている。これは、未硬化の応力緩和層７７０を台座部７４６に供給することで、台座部７４６の全体に広がってしまうことによる。これにより、リードフレーム７４０の台座部７４６が外部に露出している部分の近傍等で、基体７１０に肉薄部７１０ａが形成され、所望の強度を得ることができない虞がある。さらに、応力緩和層７７０と基体７１０の界面が、圧力センサ７００の外周面に露出し、露出した界面から亀裂が生じる虞がある。
また、応力緩和層７７０が濡れ広がることで、半導体回路チップ３０を完全に被覆するために、未硬化の応力緩和層７７０を大量に供給する必要が生じる。これにより、応力緩和層７７０の供給時間が長くなり、生産コストを高めることになる。

第１実施形態の圧力センサ１００は、リードフレーム４０に凹溝４３を形成し実装領域４６ａを区画することで、比較形態の圧力センサ７００における上述の課題を解決するものである。

＜製造方法＞
圧力センサ１００を製造する方法の一例を説明する。
半導体回路チップ３０の底面３３、又はリードフレーム４０の実装領域４６ａに、未硬化状態の応力緩和層７０を供給、硬化させて応力緩和層７０の介在部７１とする。
次いで、半導体回路チップ３０をリードフレーム４０に設置し、ボンディングワイヤ５１によって、半導体回路チップ３０とリードフレーム４０とを接続する。
次いで、半導体回路チップ３０を覆うように未硬化状態の応力緩和層７０を供給、硬化させて、効力緩和層の被覆部７２とする。
次いで、これまでの工程で形成された半組品を金型内に設置し、樹脂成型により基体１０を形成する。
次いで、基体１０の載置部１７上に圧力センサチップ２０を設置し、ボンディングワイヤ５０によって圧力センサチップ２０とセンサリード部４４とを接続する。
次いで、収容部１９内に保護剤６０を充填して、圧力センサチップ２０を覆う。
以上の工程を経て、圧力センサ１００を形成できる。

本実施形態の圧力センサ１００は、半導体回路チップ３０の周囲を応力緩和層７０が覆っている。このため、半導体回路チップ３０の周囲の部品（基体１０、リードフレーム４０）に生じた応力を緩和し、半導体回路チップ３０加わる負荷を抑制できる。これによって、半導体回路チップ３０の例えば温度センサ３２の出力誤差が大きくなることを回避できる。

基体１０は、樹脂の硬化時に生じる応力や、硬化温度と室温との温度差により生じる熱応力などがかかった状態となっている。この状態で、外部環境により温度ストレスや湿度ストレスが加えられると、基体１０等は変形しやすくなる。また、基体１０等の変形に伴ってリードフレーム４０にも変形が及ぶ可能性がある。特に、高温、高湿環境下では、基体１０が吸湿しやすくなるため、このような変形が起こりやすくなる。

圧力センサ１００は、半導体回路チップ３０が低ヤング率材料からなる応力緩和層７０に接しているため、基体１０及びリードフレーム４０の変形に起因する圧力が半導体回路チップ３０に及ぶのを抑制できる。
このため、外部環境の変化によって、基体１０等に温度ストレスや湿度ストレスが加えられた場合でも、半導体回路チップ３０の温度センサ３２の測定機能を正常に維持し、温度センサ３２の出力に誤差が生じるのを抑制することができる。

なお、本実施形態では、応力緩和層７０は、半導体回路チップ３０とリードフレーム４０との間に形成される介在部７１と、半導体回路チップ３０の側面３４及び下面３１を覆う被覆部７２とを有する。しかしながら、応力緩和層７０は、介在部７１と被覆部７２のいずれか一方を有する形態であっても、一定の効果を奏することができる。

＜第１変形例＞
次に、上述の第１実施形態に採用可能な第１変形例のリードフレーム１４０について、図５、図６を基に説明を行う。なお、第１実施形態と同一の構成要素については、その説明を省略する。

図５は、リードフレーム１４０の第１の面１４１側（−Ｚ側）からの平面視である。図５は、第１実施形態のリードフレーム４０を示す図３に対応する。
リードフレーム１４０は半導体回路チップ１３０が実装される台座部１４６と、４つのターミナル端子１４５と、４つのセンサリード部１４４とから構成されている。

台座部１４６には、半導体回路チップ１３０が実装され、さらにこの半導体回路チップ１３０を覆う応力緩和層１７０が形成されている。
台座部１４６には、凹溝１４３と台座部１４６の周縁部１４６ｂとで、区画される矩形状の実装領域１４６ａが形成されている。この実装領域１４６ａは、半導体回路チップ１３０の外形に沿った形状を有している。
凹溝１４３と周縁部１４６ｂとは、硬化前の応力緩和層１７０が、実装領域１４６ａの外側に濡れ広がることを抑制する。

凹溝１４３が、硬化前の応力緩和層１７０の濡れ広がりを抑制する原理は、上述の第１実施形態と同様である。台座部１４６の周縁部１４６ｂが、硬化前の応力緩和層１７０の濡れ広がりを抑制する原理について、図６を基に説明を行う。

図６に、台座部１４６の周縁部１４６ｂと、この周縁部１４６ｂによって濡れ広がりが抑制される応力緩和層１７０の拡大断面図を示す。
周縁部１４６ｂは、台座部１４６の第１の面１４１に形成された実装領域１４６ａに対して、略直角に形成されている。したがって、周縁部１４６ｂと実装領域１４６ａとの境界には、エッジ部１４６ｄが形成されている。
実装領域１４６ａは、台座部１４６の周縁部１４６ｂによるエッジ部１４６ｄと、凹溝１４３によりエッジ部（図４におけるエッジ部４３ａに相当）とで囲まれている。

硬化前の応力緩和層１７０は、実装領域１４６ａに供給されることで濡れ広がり、実装領域１４６ａを覆う。さらに、実装領域１４６ａの周縁であるエッジ部に達すると、表面張力により濡れ広がりが止まる。これにより、応力緩和層１７０が実装領域１４６ａの外側に形成されることを抑制できる。

台座部１４６の周縁部１４６ｂは、エッジ部１４６ｄが半導体回路チップ１３０の側面１３４と距離Ｗとなるように形成されている。距離Ｗは、半導体回路チップ１３０の厚みＨの１／２より大きくとることが好ましい。距離Ｗを半導体回路チップ１３０の厚みＨの１／２より大きくすることにより、応力緩和層１７０は、半導体回路チップ１３０を確実に覆うことができる。

＜第２変形例＞
次に、上述の第１実施形態に採用可能な第２変形例のリードフレーム２４０について、図７を基に説明を行う。図７は、第１実施形態のリードフレーム４０を示す図３に対応し、同一の構成要素については、その説明を省略する。

図７は、リードフレーム２４０の第１の面２４１側（−Ｚ側）からの平面視である。
リードフレーム２４０は半導体回路チップ２３０が実装される台座部１４６と、４つのターミナル端子２４５と、４つのセンサリード部２４４とから構成されている。

台座部２４６には、半導体回路チップ２３０が実装され、さらにこの半導体回路チップ２３０を覆う応力緩和層２７０が形成されている。
台座部２４６には、断続的に形成される複数の凹溝２４３と台座部２４６の周縁部２４６ｂとで、区画される矩形状の実装領域２４６ａが形成されている。この実装領域２４６ａは、半導体回路チップ２３０の外形に沿った形状を有している。
凹溝２４３と周縁部２４６ｂとは、硬化前の応力緩和層２７０が、実装領域２４６ａの外側に濡れ広がることを抑制する。

第２変形例のリードフレーム２４０は、第１変形例のリードフレーム１４０（図６参照）と比較して、複数の凹溝２４３が断続的に形成されている点が異なる。
隣り合う凹溝２４３同士の間である溝間部２４３ａは、第１の面２４１に連続する平坦な面である。したがって、リードフレーム２４０は、半導体回路チップ２３０の側面２３４に沿うように、凹溝２４３と溝間部２４３ａとが順番に並んで形成されている。

このように、断続的な凹溝２４３を形成し、隣り合う凹溝２４３同士の間に溝間部２４３ａを形成することで、リードフレーム１４０の強度を高めることができる。したがって、組み立て工程におけるリードフレーム１４０ハンドリング性が高まり、組み立て工程の簡易性を増すことができる。

第２変形例のリードフレーム２４０は、凹溝２４３と実装領域２４６ａとの境界に形成されるエッジ部（図４におけるエッジ部４３ａに相当）によって、硬化前の液状の応力緩和層２７０が濡れ広がることを抑制できる。また、溝間部２４３ａは平坦面であるが、凹溝２４３で生じる表面張力によって硬化前の応力緩和層２７０は、溝間部２４３ａから濡れ広がることはない。
隣り合う凹溝２４３同士の距離（即ち溝間部２４３ａの長さ）は、凹溝２４３の長さに対して、１／３以下とすることが好ましい。この範囲であれば、溝間部２４３ａからの濡れ広がりを凹溝２４３で生じる表面張力によって十分に抑制できる。

＜第３変形例＞
次に、上述の第１実施形態に採用可能な第３変形例のリードフレーム３４０について、図８を基に説明を行う。図８は、第１実施形態のリードフレーム４０を示す図３に対応し、同一の構成要素については、その説明を省略する。

図８は、リードフレーム３４０の第１の面３４１側（−Ｚ側）からの平面視である。
リードフレーム３４０は半導体回路チップ３３０が実装される台座部３４６と、４つのターミナル端子３４５と、４つのセンサリード部３４４とから構成されている。

台座部３４６には、半導体回路チップ３３０が実装され、さらにこの半導体回路チップ３３０を覆う応力緩和層３７０が形成されている。
台座部３４６には、台座部３４６の周縁部３４６ｂと凹溝３４３とにより囲まれた矩形状の実装領域３４６ａが形成されている。この実装領域３４６ａは、半導体回路チップ３３０の外形の側面３３４に沿った形状を有している。

周縁部３４６ｂは、台座部３４６の第１の面３４１に形成された実装領域３４６ａに対して、略直角に形成されているため、周縁部３４６ｂと実装領域３４６ａとの縁部には、エッジ部（図６のエッジ部１４６ｄに相当）が形成されている。また、実装領域３４６ａと、ターミナル端子３４５の一つの間には、凹溝３４３によりエッジ部（図４におけるエッジ部４３ａに相当）が形成されている。これらのエッジ部により、硬化前の応力緩和層３７０は、濡れ広がりが抑制される。これにより、応力緩和層３７０が実装領域３４６ａの外側に形成されることを抑制できる。

＜第４変形例＞
次に、上述の第１実施形態に採用可能な第４変形例のリードフレーム４４０について、図９を基に説明を行う。図９は、第１実施形態のリードフレーム４０を示す図３に対応し、同一の構成要素については、その説明を省略する。

図９は、リードフレーム４４０の第１の面４４１側（−Ｚ側）からの平面視である。
リードフレーム４４０は半導体回路チップ４３０が実装される台座部４４６と、４つのターミナル端子４４５と、４つのセンサリード部４４４とから構成されている。

台座部４４６には、半導体回路チップ４３０が実装され、さらにこの半導体回路チップ４３０を覆う応力緩和層４７０が形成されている。
台座部４４６には、凹溝４４３と台座部４４６の周縁部４４６ｂとで囲まれる実装領域４４６ａが形成されている。

応力緩和層４７０は、ドーム状に形成される。また、半導体回路チップ４３０は、矩形状に形成されているため、外形の角部４３６で最も応力緩和層４７０から露出しやすい。
第４変形例のリードフレーム４４０において、台座部４４６に形成される実装領域４４６ａは、半導体回路チップ４３０の外形の角部４３６の近傍において、他の部分より広く形成されている。
半導体回路チップ４３０の角部４３６の近傍以外では、凹溝４４３は、半導体回路チップ４３０の側面４３４と距離Ｗの位置に形成されている。半導体回路チップ４３０の角部４３６の近傍では、凹溝４４３又は台座部４４６の周縁部４４６ｂは、半導体回路チップ４３０の側面４３４と距離ＣＷの位置に形成されている。角部４３６近傍における距離ＣＷは、角部４３６以外の部分の距離Ｗに対して大きく形成されている。距離ＣＷは、距離Ｗの１．４倍以上とすることが好ましい。
これによって、半導体回路チップ４３０の角部４３６近傍で、応力緩和層４７０が、半導体回路チップ４３０の外側に広く濡れ広がり、角部４３６が露出することを抑制できる。

＜第５変形例＞
次に、上述の第１実施形態に採用可能な第５変形例のリードフレーム５４０について、図１０を基に説明を行う。図１０は、第１実施形態のリードフレーム４０を示す図３に対応し、同一の構成要素については、その説明を省略する。

図１０は、リードフレーム５４０の第１の面５４１側（−Ｚ側）からの平面視である。
リードフレーム５４０は半導体回路チップ５３０が実装される台座部５４６と、４つのターミナル端子５４５と、４つのセンサリード部５４４とから構成されている。

台座部５４６には、半導体回路チップ５３０が実装され、さらにこの半導体回路チップ５３０を覆う応力緩和層５７０が形成されている。
台座部５４６には、凹溝５４３と台座部５４６の周縁部５４６ｂ、５４６ｃとで囲まれる実装領域５４６ａが形成されている。

第５変形例のリードフレーム５４０において、台座部５４６に形成される実装領域５４６ａは、半導体回路チップ５３０の外形の角部５３６の近傍において、他の部分より広く形成されている。
半導体回路チップ５３０の角部５３６の近傍以外では、半導体回路チップ５３０から距離Ｗに、台座部５４６の周縁部５４６ｃが形成されている。また、半導体回路チップ５３０の角部５３６の近傍では、半導体回路チップ５３０から距離ＣＷに、台座部５４６の周縁部５４６ｂが形成されている。角部５３６近傍における距離ＣＷは、角部５３６以外の部分の距離Ｗに対して大きく形成されている。
これによって、半導体回路チップ５３０の角部５３６近傍で、応力緩和層５７０が、半導体回路チップ５３０の外側に広く濡れ広がり、角部５３６が露出することを抑制できる。

＜第６変形例＞
上述の第１実施形態（及びその変形例）においては、リードフレーム４０に半導体回路チップ３０を囲むエッジ部４３ａが形成されている。
第１実施形態のエッジ部４３ａは、凹溝４３と実装領域４６ａの境界として形成されている。また、第１変形例のエッジ部１４６ｄは、台座部１４６の周縁部１４６ｂと実装領域１４６ａの境界として形成されている。第１実施形態、及びその変形例では、これらのエッジ部において、硬化前の応力緩和層に表面張力を生じさせる構成を有している。
しかしながら、エッジ部を形成する構成はこれらに限るものではなく、実装領域の周縁に形成された段差によって、エッジ部が形成されていても良い。
このようなエッジ部を有するリードフレームを、第６変形例のリードフレーム６４０として、図１１を基に説明を行う。

図１１は、リードフレーム６４０の台座部６４６の段差６４３と、この段差６４３によって濡れ広がりが抑制される応力緩和層６７０の拡大断面図である。
リードフレーム６４０の第１の面６４１において、台座部６４６には、半導体回路チップ６３０を実装する実装領域６４６ａが、他の領域（非実装領域６４１ａ）より高い位置に形成されている。実装領域６４６ａと非実装領域６４１ａとの間には、前記半導体回路チップ６３０の外形に沿って高さＤ２の段差６４３が形成されている。

段差６４３は、実装領域６４６ａに対し略直角に形成されている。したがって、段差６４３と実装領域６４６ａとの境界には、エッジ部６４６ｄが形成されている。
硬化前の応力緩和層６７０は、実装領域６４６ａに供給されることで濡れ広がり、実装領域６４６ａを覆う。さらに、実装領域６４６ａの周縁であるエッジ部６４６ｄに達すると、表面張力により濡れ広がりが止まる。

段差６４３は、エッジ部６４６ｄが半導体回路チップ６３０の側面６３４と距離Ｗとなるように形成されている。距離Ｗは、半導体回路チップ６３０の厚みＨの１／２より大きくとることが好ましい。距離Ｗを半導体回路チップ６３０の厚みＨの１／２より大きくすることにより、応力緩和層６７０は、半導体回路チップ６３０を確実に覆うことができる。

このような段差６４３を、例えば第１実施形態の凹溝４３（図３参照）に代えて設けることができる。これによって、実装領域６４６ａの外側に応力緩和層６７０が形成されることを抑制できる。

段差６４３の高さＤ２は、１０μｍ以上とすることが好ましい。深さＤ２を１０μｍ以上とすることで、表面応力により硬化前の応力緩和層６７０の濡れ広がりを確実に抑制できる。

段差６４３は、リードフレーム６４０の第１の面６４１をプレスや切削などの機械加工により形成することができる。また、リードフレーム６４０の第１の面６４１に付着物を均一厚さで積層させて、第１の面６４１に対して高さＤ２の付着層を形成しても良い。この場合は、付着層の表面が実装領域６４６ａとして構成される。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態の圧力センサ（半導体実装構造体）８００について説明する。
図１２は、圧力センサ８００の平面図である。また、図１３は、図１２の圧力センサ８００におけるXIII−XIII線に沿う断面図である。
圧力センサ８００は、第１実施形態の圧力センサ１００と比較して主に載置部８１７の構成が異なる。なお、第１実施形態と同一の構成要素については、その説明を省略する。

図１２及び図１３に示すように、圧力センサ８００は、第１実施形態の圧力センサ１００と同様に、リードフレーム４０と、基体８１０と、圧力センサチップ２０と、保護剤６０と、半導体回路チップ３０と、応力緩和層７０と、を有する。

本実施形態のリードフレーム４０は、第１実施形態と同様に第１の面４１に四辺形を描くように凹溝４３が形成されている。第１の面４１において、凹溝４３の内側の領域には、半導体回路チップ３０が実装されている。

基体８１０は、第１実施形態と同様に樹脂材料からなる。基体８１０は、上側（＋Ｚ側）に開口する円筒状の環状壁部１２を有し、環状壁部１２の内部空間には、圧力センサチップ２０が収容される収容部１９が構成される。収容部１９の底面の一部には、基体８１０の一部として延出する載置部８１７が形成されている。

載置部８１７は、リードフレーム４０の第２の面４２側に形成され、圧力センサチップ２０が搭載される。圧力センサチップ２０は、例えば接着剤２０ａにより載置部８１７に固定されている。図１２に示すように、載置部８１７は、矩形状を有している。載置部８１７の四隅８１７ｂからはそれぞれブリッジ部８１７ａが放射状に延びている。載置部８１７は、ブリッジ部８１７ａを介して環状壁部１２の内周面と接続されている。

載置部８１７は、平面視でリードフレーム４０の凹溝４３に囲まれた領域の内側に位置する。リードフレーム４０は、基体８１０の吸湿による膨潤の応力などを受けて変形する場合がある。リードフレーム４０は、局所的に薄くなった凹溝４３を起点として変形しやすい。載置部８１７は、凹溝４３の内側に配置されていることでリードフレーム４０の変形に影響されにくい。なお、ブリッジ部８１７ａは、平面視で凹溝４３と重なって配置されるが、リードフレーム４０の変形の影響がないほどに十分に細く形成されている。

本実施形態の圧力センサ８００によれば、載置部８１７が、平面視で凹溝４３の内側に位置することで、凹溝を起点とするリードフレーム４０の変形の影響が圧力センサチップ２０に及ぶことを抑制することができる。すなわち、載置部８１７がリードフレーム４０とともに変形することが抑制され、載置部８１７に搭載された圧力センサチップ２０にはリードフレーム４０の変形に起因する応力が加わらず正確な圧力測定が可能となる。また、圧力センサチップ２０に加えて、半導体回路チップ３０に対しても応力が加わりにくくなる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態の圧力センサ（半導体実装構造体）９００について説明する。
図１４は、圧力センサ９００の平面図である。
圧力センサ９００は、第１実施形態の圧力センサ１００と比較して主に載置部９１７の構成が異なる。なお、第１実施形態と同一の構成要素については、その説明を省略する。

圧力センサ９００は、第１実施形態の圧力センサ１００と同様に、第１の面４１に凹溝４３が形成されたリードフレーム４０と、樹脂材料からなる基体９１０と、圧力センサチップ２０と、保護剤６０と、半導体回路チップ３０と、応力緩和層７０と、載置部９１７を有する。本実施形態において、基体９１０と載置部９１７は、別体である。

基体９１０は、上側（＋Ｚ側）に開口する円筒状の環状壁部１２を有し、環状壁部１２の内部空間には、圧力センサチップ２０が収容される収容部１９が構成される。収容部１９の底面において、リードフレーム４０の第２の面４２には、載置部９１７が搭載されている。載置部９１７は、接着剤９１７ａによりリードフレーム４０に固定されている。

載置部９１７は、例えば矩形状を有している。載置部９１７を構成する材料のヤング率は、リードフレーム４０を構成する材料のヤング率と同じ又はそれ以上である。載置部９１７は、例えば、Ｃｕ合金、Ｓｉ、Ｆｅ合金、アルミナから構成することができ、特にヤング率が高いアルミナを用いることが好ましい。
上述したように、リードフレーム４０は、基体９１０の吸湿による膨潤の応力などを受けて変形する場合がある。載置部９１７を構成する材料のヤング率を、上述の構成とすることで、載置部９１７がリードフレーム４０を補強する効果を奏し、リードフレーム４０の変形を抑制できる。
載置部９１７の補強効果は、載置部９１７の厚さとリードフレーム４０の厚さとの比率に応じて変化する。例えば、載置部９１７の厚さがリードフレーム４０の厚さに対して０．５倍以上、３倍以下とすることが好ましい。この範囲であれば、リードフレーム４０の変形を効果的に抑制することができる。

また、載置部９１７は、平面視でリードフレーム４０の凹溝４３に囲まれた領域の内側に位置する。リードフレーム４０は、局所的に薄くなった凹溝４３を起点として変形しやすいため、載置部９１７は、凹溝４３の内側に配置されていることでリードフレーム４０の変形に影響されにくい。

本実施形態の圧力センサ９００によれば、載置部９１７がヤング率の高い材料からなることでリードフレーム４０の変形が抑制される。一方で、載置部９１７は、平面視で凹溝４３に囲まれた領域の内側に配置されていることで、凹溝４３を起点とするリードフレーム４０の変形の影響を受けにくい。これらの作用により、載置部９１７に搭載された圧力チップがリードフレーム４０の変形に影響されにくくなり、圧力センサ９００は、正確な圧力測定が可能となる。また、圧力センサチップ２０に加えて、半導体回路チップ３０に対しても応力が加わりにくくなる。

なお、第２実施形態および第３実施形態においては、リードフレーム４０に凹溝４３が設けられた場合に凹溝４３を起点とする変形を抑制する手段について説明した。一方で、上述の第６変形例（図１１）に示すようにリードフレームに段差６４３が設けられている場合においても、リードフレームには段差６４３を起点とする変形が起こりやすくなる。第２実施形態および第３実施形態の解決手段は、このような場合においても有効である。

以上に、本発明の様々な実施形態を説明したが、各実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、及びその他の変更が可能である。また、本発明は実施形態によって限定されることはない。

１０、８１０、９１０…基体、２０…圧力センサチップ、１７、８１７、９１７…載置部、３０、１３０、２３０、３３０、４３０、５３０、６３０…半導体回路チップ、３４、１３４、２３４、３３４、４３４、６３４…側面、４０、１４０、２４０、３４０、４４０、５４０、６４０…リードフレーム、４１、１４１、２４１、３４１、４４１、５４１、６４１…第１の面、４２…第２の面、４３、１４３、２４３、３４３、４４３、５４３…凹溝、４３ａ、１４６ｄ、６４６ｄ…エッジ部、４４、１４４、２４４、３４４、４４４、５４４…センサリード部、４５、１４５、２４５、３４５、４４５、５４５…ターミナル端子、４６、１４６、２４６、３４６、４４６、５４６、６４６…台座部、４６ａ、１４６ａ、２４６ａ、３４６ａ、４４６ａ、５４６ａ、６４６ａ…実装領域、５０、５１…ボンディングワイヤ、６０…保護剤、７０、１７０、２７０、３７０、４７０、５７０、６７０…応力緩和層、７１…介在部、７２…被覆部、１００、８００、９００…圧力センサ（半導体実装構造体）、１４６ｂ、２４６ｂ、３４６ｂ、４４６ｂ、５４６ｂ、５４６ｃ…周縁部、２４３ａ…溝間部、４３６、５３６…角部、６４１ａ…非実装領域、６４３…段差、ＣＷ、Ｗ…距離、Ｄ１、Ｄ２…高さ、Ｈ…厚み、Ｊ…高さ

Claims (12)

1. リードフレームと、
   前記リードフレームの第１の面に実装された半導体回路チップと、
   前記半導体回路チップを覆うように供給された液状の材料を硬化させて形成された応力緩和層と、を有し、
   前記リードフレームの第１の面に、前記半導体回路チップを平面視した時の第１の面における外形に沿ったエッジ部が形成されている半導体実装構造体。
2. 前記エッジ部と前記半導体回路チップの外形を構成する側面との距離が、前記半導体回路チップの厚みの１／２より大きい請求項１に記載の半導体実装構造体。
3. 前記エッジ部と前記半導体回路チップの外形を構成する側面との距離が、前記半導体回路チップの外形の角部において他の部分より大きい請求項１又は２に記載の半導体実装構造体。
4. 前記リードフレームの第１の面に、前記半導体回路チップの外形に沿った凹溝が形成され、
   前記エッジ部は、前記凹溝と前記第１の面との境界に形成されている請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体実装構造体。
5. 前記リードフレームの第１の面に、前記半導体回路チップの外形に沿って複数の前記凹溝が断続的に形成されている請求項４に記載の半導体実装構造体。
6. 断続的に形成された隣り合う前記凹溝同士の距離が、前記凹溝の長さに対して１／３以下である請求項５に記載の半導体実装構造体。
7. 前記リードフレームの第１の面に、前記半導体回路チップを実装する実装領域が、他の領域より高い位置に形成され、前記実装領域と他の領域との間に前記半導体回路チップの外形に沿った段差が形成され、
   前記エッジ部は、前記段差と前記実装領域との境界に形成されている請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体実装構造体。
8. 前記リードフレーム、前記半導体回路チップ、並びに前記応力緩和層を埋設する基体を有し、
   前記応力緩和層のヤング率が、前記基体のヤング率より低い請求項１〜７の何れか一項に記載の半導体実装構造体。
9. 前記応力緩和層のヤング率が、前記基体のヤング率に対して、１／１０以下である請求項８に記載の半導体実装構造体。
10. 前記リードフレームの前記第１の面と反対側の第２の面側において、前記半導体回路チップと平面視において少なくとも一部が重なるように、圧力センサチップが配置され、
    前記半導体回路チップが、前記圧力センサチップからのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する請求項１〜９の何れか一項に記載の半導体実装構造体。
11. 前記リードフレームの前記第１の面と反対側の第２の面に載置部を介して圧力センサチップが配置され、
    前記載置部は、平面視で前記第１の面の前記エッジ部に囲まれた領域の内側に位置する請求項１〜１０の何れか一項に記載の半導体実装構造体。
12. 前記リードフレームの前記第１の面と反対側の第２の面に載置部を介して圧力センサチップが配置され、
    前記載置部を構成する材料のヤング率は、前記リードフレームを構成する材料のヤング率と同じ又はそれ以上である請求項１〜１１の何れか一項に記載の半導体実装構造体。

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