JP6317956B2 - 圧力センサ、及び圧力センサの製造方法 - Google Patents

圧力センサ、及び圧力センサの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、圧力センサ、及び圧力センサの製造方法に関する。
樹脂ケースの中に感圧センサチップを組み込んだ圧力センサが提案されている(例えば、特許文献1)。
特許文献1の圧力センサにおいては、感圧センサチップに被測定圧力が加わると、被測定圧力に相応した電気信号が感圧センサチップからリード端子を通じて外部回路へ取り出される。取り出された電気信号は、外部回路に設けられた信号処理ICによってデータ補正や圧力値への変換がなされる。
特開2001−116639号公報
例えば、特許文献1の圧力センサにおいては、感圧センサチップと信号処理ICとを共に樹脂ケースに組み込んでパッケージ化することで、圧力センサ自身にデータ処理機能を備えさせることが望まれている。しかしながら、感圧センサチップと信号処理ICとを共に樹脂ケース内に組み込むと、圧力センサが大型化してしまうという問題があった。
ところで、例えば、特許文献1の圧力センサにおいては、防水のために感圧センサチップ(圧力センサ素子)及びリード端子(リード部)がゲル状コーティング樹脂(防水ゲル)により覆われている。このような構成においては、リード部と樹脂ケースとの間に隙間が生じ、その隙間から外部の空気が防水ゲル内に入り込み、防水ゲル内に気泡を生じさせる不具合があった。そのため、樹脂ケース内部においてリード部と樹脂ケースとの境界に封止樹脂を形成し、空気が防水ゲル内に入り込むことを抑制する必要があった。
しかし、上述の構成においては、封止樹脂が圧力センサ素子に接触して形成されると圧力センサ素子の特性が変化する不具合が生じ易くなるため、封止樹脂は圧力センサ素子と接触しないように設けられることが好ましい。
本発明は、上記問題点に鑑みて成されたものであって、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込むことによる圧力センサの大型化を抑制し、かつ、封止樹脂が圧力センサ素子に接触して圧力センサ素子の特性が変化する不具合を抑制することができる圧力センサ、及び圧力センサの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の圧力センサの一つの態様は、一方側に開口する収容部を備える支持体と、前記収容部内に露出したリード部を備えるリードフレームと、前記リードフレームの第1面側に設けられ、前記収容部に収容された圧力センサ素子と、前記リードフレームにおける前記第1面と逆側の第2面側に設けられ、前記圧力センサ素子からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する制御素子と、を備え、前記制御素子は、前記支持体に埋設され、前記圧力センサ素子と前記制御素子とは、平面視において重なり、前記リード部は、ボンディングワイヤを介して前記圧力センサ素子と電気的に接続され、前記リードフレームの前記第1面側には、前記リード部と前記支持体との境界を封止する封止樹脂部が設けられ、前記支持体は、前記第1面よりも突出し平面視で前記リード部と前記圧力センサ素子との間に設けられる突出部と、前記圧力センサ素子が載置される載置部と、を備え、前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記リード部の前記第1面のうち前記ボンディングワイヤが接続される部分よりも前記突出部の突出面側に位置することを特徴とする。
本発明の圧力センサの一つの態様によれば、制御素子が支持体に埋設され、圧力センサ素子と制御素子とが、平面視で重なっている。そのため、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込んだとしても、圧力センサの大型化を抑制できる。
また、リードフレームの第1面よりも突出する突出部が、平面視でリード部と圧力センサ素子との間に設けられている。そのため、突出部によって封止樹脂部を形成する封止樹脂が堰き止められ、封止樹脂が圧力センサ素子と接触することを抑制できる。
以上より、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込むことによる圧力センサの大型化を抑制し、かつ、封止樹脂が圧力センサ素子に接触することで圧力センサ素子の特性が変化する不具合を抑制することができる圧力センサが得られる。
前記支持体は、前記圧力センサ素子が載置される載置部を備え、前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面と面一である構成としてもよい。
この構成によれば、段差を1段形成することにより、載置部と突出部とを一括して形成できるため、製造が簡便である。
前記支持体は、前記圧力センサ素子が載置される載置部を備え、前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面よりも前記リードフレーム側に位置する構成としてもよい。
この構成によれば、圧力センサ素子を載置面上に接着するための接着剤が、突出部によって堰き止められ、リード部が設けられている側に濡れ広がることを抑制できる。
前記支持体は、前記圧力センサ素子が載置される載置部を備え、前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面よりも突出した位置に設けられる構成としてもよい。
この構成によれば、封止樹脂が圧力センサ素子と接触することをより抑制できる。
前記制御素子は、前記リードフレームの前記第2面上に設けられ、前記圧力センサ素子は、前記リードフレームの前記第1面上に設けられる構成としてもよい。
この構成によれば、制御素子と圧力センサ素子との距離を近づけることができるため、制御素子による圧力センサ素子の温度の計測等の精度を向上できる。
前記突出部の前記突出面の表面粗さは、前記載置部における前記載置面の表面粗さよりも大きい構成としてもよい。
この構成によれば、突出部による封止樹脂の堰き止め効果を向上させることができる。
前記突出部には、前記突出部の前記リード部側の側面に開口し、前記封止樹脂部を形成する封止樹脂を保持可能な溝部が形成されている構成としてもよい。
この構成によれば、封止樹脂が溝部に保持されるため、封止樹脂が圧力センサ素子と接触することをより抑制できる。
本発明の圧力センサの製造方法の一つの態様は、一方側に開口する収容部を備える支持体と、前記収容部内に露出したリード部を備えるリードフレームと、前記リードフレームの第1面側に設けられた圧力センサ素子と、前記圧力センサ素子からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する制御素子と、を備えた圧力センサの製造方法であって、前記リードフレームの前記第1面と逆側の第2面側に前記制御素子を設ける工程と、前記制御素子が埋設するように前記支持体を形成する工程と、平面視において前記制御素子と重なるように前記圧力センサ素子を前記収容部に収容し、前記リード部と前記圧力センサ素子とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記リードフレームの前記第1面側に、前記リード部と前記支持体との境界を封止する封止樹脂部を形成する工程と、を有し、前記支持体を形成する工程において、前記支持体は、前記第1面よりも突出し平面視で前記リード部と前記圧力センサ素子との間に設けられる突出部と、前記圧力センサ素子が載置される載置部と、を備えるように形成され、前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記リード部の前記第1面のうち前記ボンディングワイヤが接続される部分よりも前記突出部の突出面側に位置することを特徴とする。
本発明の圧力センサの製造方法の一つの態様によれば、上記と同様にして、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込むことによる圧力センサの大型化を抑制し、かつ、封止樹脂が圧力センサ素子に接触することで圧力センサ素子の特性が変化する不具合を抑制することができる圧力センサが得られる。
本発明によれば、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込むことによる圧力センサの大型化を抑制し、かつ、封止樹脂が圧力センサ素子に接触して圧力センサ素子の特性が変化する不具合を抑制することができる圧力センサ、及び圧力センサの製造方法が提供される。
第1実施形態の圧力センサを示す平面図である。 第1実施形態の圧力センサを示す断面図である。 第1実施形態の圧力センサの製造方法の手順を示す断面図である。 第1実施形態のリードフレームウエハを示す平面図である。 第1実施形態の圧力センサの効果を示す断面図である。 第1実施形態の圧力センサの他の一例を示す断面図である。 第2実施形態の圧力センサを示す平面図である。 第3実施形態の圧力センサを示す断面図である。 第4実施形態の圧力センサを示す断面図である。 第5実施形態の圧力センサを示す断面図である。
以下、図を参照しながら、本発明の実施形態に係る圧力センサについて説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
(第1実施形態)
[圧力センサ]
図1及び図2は、本実施形態の圧力センサ10を示す図である。図1は、平面図である。図2は、図1におけるII−II断面図である。図1においては、防水ゲル部70の図示を省略している。
なお、以下の説明においてはXYZ座標系を設定し、このXYZ座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。この際、リードフレーム20の主面に垂直な方向をZ軸方向(図2参照)、平面視におけるリード部21a〜21dの長さ方向をX軸方向(図1参照)、平面視におけるリード部21a〜21dの幅方向をY軸方向とする。
本実施形態の圧力センサ10は、図1及び図2に示すように、パッケージ(支持体)30と、リードフレーム20と、信号処理IC(制御素子)40と、圧力センサ素子50と、封止樹脂部60と、防水ゲル部70とを備える。
パッケージ30は、リードフレーム20を支持する部材である。パッケージ30の形成材料は、特に限定されず、本実施形態においては、例えば、樹脂である。
パッケージ30の平面視(XY面視)形状は、特に限定されず、本実施形態においては、図1に示すように、例えば、円形状である。パッケージ30は、本体部34と、壁部33と、突出部31と、載置部32と、収容部35とを備える。
本体部34の内部には、図2に示すように、信号処理IC40が埋設されている。
壁部33は、本体部34の上面34aから圧力センサ素子50が設けられている側(+Z側)に突出して設けられた筒状の壁部である。壁部33の形状は、筒状である範囲内において、特に限定されず、四角筒状であっても、多角筒状であってもよい。本実施形態においては、壁部33の形状は、図1及び図2に示すように、例えば、円筒状である。
突出部31は、平面視(XY面視)で、リードフレーム20における後述するリード部21a〜21dと、圧力センサ素子50との間に、本体部34の上面34aから、壁部33と同じ側(+Z側)に突出して設けられている。突出部31の突出面31aは、後述するリード部21a〜21dの表面(第1面)22a〜22dよりも突出して設けられている。突出部31の突出面31aと、本体部34の上面34aとを接続する段差面(側面)31bは、本実施形態においては、突出面31a及び上面34aと垂直になるように形成されている。
突出部31の突出高さW(Z軸方向長さ)は、壁部33よりも小さい。突出部31の突出高さWは、例えば、200μm以上、450μm以下である。この場合において、リード部21a〜21dの厚み(Z軸方向長さ)が、例えば、150μmである場合には、リード部21a〜21dの表面22a〜22dから、突出部31の突出面31aまでの高さ(Z軸方向長さ)は、50μm以上、300μm以下である。突出部31の突出高さWをこのように設定することにより、好適に封止樹脂を堰き止めることができる。
載置部32は、圧力センサ素子50が載置される部分である。載置部32は、本実施形態においては、図2に示すように、本体部34の上面34aから突出して設けられている。載置部32における圧力センサ素子50が載置される載置面32aは、突出部31の突出面31aと面一に設けられている。本実施形態において、突出部31と載置部32とは、本体部34の上面34aに対して1段の段差を一体的に形成している。言い換えると、本実施形態においては、本体部34の上面34aに形成されている段差のうち、平面視においてリード部21a〜21dと圧力センサ素子50との間に設けられている部分が、突出部31であり、それ以外の部分が載置部32である。図1においては、突出部31と載置部32との境界を2点鎖線で示している。
載置部32の平面視(XY面視)形状は、特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。本実施形態においては、例えば、図1に示すように、載置部32の平面視形状は、円形の一部が直線(図1に示す2点鎖線)でカットされた形状である。
本実施形態においては、図2に示すように、突出部31と載置部32とによって段差が形成されていることにより、相対的に本体部34の上面34aを底面とする凹部36が形成されている。
なお、本明細書において「面一」とは、面と面とが段差なく設けられていることを意味する。
また、本明細書において「突出部」とは、圧力センサ素子50とリード部21a〜21dとの間に設けられ、リード部21a〜21dの表面22a〜22dよりも突出した部分を意味する。
収容部35は、図2に示すように、壁部33の内壁33aと、載置部32の載置面32aと、突出部31の突出面31aと、本体部34の上面34aとによって囲まれた領域であり、一方側(+Z側)に開口されている。収容部35には、圧力センサ素子50と封止樹脂部60とが収容されている。収容部35の内部には、収容部35に収容された部材が封止されるようにして、防水ゲル部70が設けられている。
リードフレーム20は、例えば、金属等の導電材料で形成された平板部材である。リードフレーム20の形成材料が金属の場合、例えば、リードフレーム20の形成材料として、銅(Cu)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、金(Au)、パラジウム(Pd)等を選択できる。
リードフレーム20は、台座部24と、リード部21a,21b,21c,21dと、図示しない外部接続部とを備える。
台座部24は、信号処理IC40が設置される部分である。台座部24の裏面(第2面)24bには、図2に示すように、信号処理IC40が設置されている。台座部24の平面視(XY面視)形状は、特に限定されず、本実施形態においては、例えば、矩形の一方側の端部、すなわち、リード部21a〜21dとは逆側(−X側)の端部がパッケージ30の平面視外形に沿ってカットされた形状である(図示せず)。本実施形態においては、台座部24は、パッケージ30に埋設されている。
リード部21a〜21dは、圧力センサ素子50と信号処理IC40との電気的接続を中継する部分である。リード部21a〜21dと圧力センサ素子50及び信号処理IC40とは、ボンディングワイヤを介して接続されている。リード部21a〜21dの平面視(XY面視)形状は、特に限定されず、本実施形態においては、図1に示すように、例えば、短冊形の一方側の端部、すなわち、台座部24とは逆側(+X側)の端部がパッケージ30の平面視外形に沿ってカットされた形状である。リード部21a〜21dの表面22a,22b,22c,22dは、収容部35内に露出し、リード部21a〜21dの一端(+X側の端部)は、パッケージ30に埋設されている。
リード部21a〜21dは、圧力センサ素子50に対して同じ側(+X側)に、幅方向(Y軸方向)に並んで設けられている。言い換えると、リード部21a〜21dは、突出部31を挟んで、圧力センサ素子50と反対側(+X側)に設けられている。リード部21cは、図2に示すように、台座部24と同一の高さ(Z軸方向位置)に設けられている。リード部21a〜21dは、封止樹脂部60によって覆われている。
リード部21a〜21dの表面22a,22b,22c,22dには、図1に示すように、ボンディングワイヤ52a,52b,52c,52dの一端が接続されている。ボンディングワイヤ52a〜52dの他端は、後述する圧力センサ素子50の接続端子51a,51b,51c,51dと接続されている。すなわち、リード部21a〜21dは、ボンディングワイヤ52a〜52dを介して、圧力センサ素子50と電気的に接続されている。ボンディングワイヤ52a〜52dの形成材料は、例えば、金(Au)である。
リード部21cの裏面(第2面)23cには、図2に示すように、ボンディングワイヤ42cの一端が接続されている。ボンディングワイヤ42cの他端は、後述する信号処理IC40の接続端子41cと接続されている。すなわち、リード部21cは、ボンディングワイヤ42cを介して、信号処理IC40と電気的に接続されている。ボンディングワイヤ42cの形成材料は、ボンディングワイヤ52a〜52dと同様である。
これにより、圧力センサ素子50と、信号処理IC40とは、リード部21a〜21dを介して、電気的に接続されている。
なお、図2においては、リード部21cについてのみ図示しているが、リード部21a,21b,21dについても同様である。リード部21a〜21dについては同様の構成であるため、以下の説明においては、代表してリード部21cについてのみ説明する場合がある。
外部接続部は、信号処理IC40から出力される信号を外部に取り出すための部分である。外部接続部は、ボンディングワイヤ等を介して、信号処理IC40と電気的に接続されている。外部接続部の少なくとも一部は、パッケージ30の外部に露出されている。
信号処理IC40は、圧力センサ素子50からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する。信号処理IC40は、リードフレーム20の台座部24の裏面24b上に設置されている。信号処理IC40には、圧力センサ素子50からのセンサ信号が、ボンディングワイヤ52c、リード部21c、ボンディングワイヤ42cを介して入力される。信号処理IC40は、例えば、圧力センサ素子50からのセンサ信号の増幅、圧力センサ素子50のON/OFF制御、内蔵する温度センサによる検出値の補正、検出データのA/D変換、リニアリティの補正、信号波形の整形等の機能を有する。
信号処理IC40は、例えば、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)プロセス等によって製造できる。
圧力センサ素子50は、例えば、ケイ素(Si)等からなる半導体基板の一面側に、ダイヤフラム部と、基準圧力室としての密閉空間と、圧力によるダイヤフラム部の歪抵抗の変化を測定するための複数の歪ゲージとを備える構成を採用できる。基準圧力室としての密閉空間は、例えば、ガラスを陽極接合する方法や、SOI(Silicon On Insulator)技術を用いた方法等により作成できる。
上記のような構成を採用した場合においては、圧力センサ素子50のダイヤフラム部が圧力を受けて撓むと、各歪ゲージにダイヤフラム部の歪み量に応じた応力が発生する。そして、この応力に応じて歪ゲージの抵抗値がピエゾ抵抗効果によって変化し、この抵抗値変化に応じたセンサ信号が出力される。これにより、圧力を計測することができる。このような構成の圧力センサ素子50は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を利用した圧力センサチップである。
なお、圧力センサ素子50は、上記構成ではピエゾ抵抗効果を用いたピエゾ抵抗式の圧力センサ素子としたが、これに限られず、例えば、静電容量式等、その他の方式の圧力センサ素子であってもよい。
圧力センサ素子50は、ダイボンド樹脂53を介して、載置部32の載置面32a上に設置されている。
ダイボンド樹脂53としては、例えば、エポキシ樹脂や、シリコーン等を選択できる。ダイボンド樹脂53としては、ヤング率の小さい樹脂を選択することが好ましい。パッケージ30からダイボンド樹脂53を介して圧力センサ素子50に加えられる応力を低減できるためである。ダイボンド樹脂53の厚み(Z軸方向長さ)は、圧力センサ素子50のセンサ特性に応じて設計され、例えば、30μm程度である。
圧力センサ素子50の上面50aには、図1に示すように、接続端子51a,51b,51c,51dが形成されている。接続端子51a,51b,51c,51dは、それぞれ、ボンディングワイヤ52a,52b,52c,52dを介して、リード部21a,21b,21c,21dと接続されている。接続端子51cは、図2に示すように、リード部21cの表面22cよりも突出部31の突出面31a側(+Z側)に突出した位置に設けられている。図示は省略するが、接続端子51a,51b,51dについても同様である。
圧力センサ素子50と信号処理IC40とは、平面視(XY面視)において、少なくとも一部が重なるように設けられている。本実施形態においては、圧力センサ素子50の全体が、平面視において信号処理IC40と重なっている。
封止樹脂部60は、リード部21a〜21dと、パッケージ30との境界を封止する。封止樹脂部60は、図1及び図2に示すように、凹部36に設けられ、リード部21a〜21dと、ボンディングワイヤ52a〜52dの一部とを覆っている。封止樹脂部60の形成材料、すなわち、封止樹脂としては、リード部21a〜21dと、パッケージ30との境界を封止できる範囲内において、特に限定されず、例えば、フルオロシリコーンゲルや、フッ素ゲル、シリコーン、エポキシ樹脂等を選択できる。
リード部21a〜21dとパッケージ30との境界には、隙間が生じる場合があり、そのような場合においては、外部の空気がその隙間を介して防水ゲル部70の内部に入り込み、防水ゲル部70内に気泡を生じさせる場合がある。このような場合においては、気泡によって圧力センサ素子に伝わる圧力値が変わり、計測精度が低下するといった問題がある。
これらの問題に対して、封止樹脂部60を設けることにより、リード部21a〜21dとパッケージ30との境界を封止できるため、リード部21a〜21dとパッケージ30との境界に隙間が生じるような場合であっても、防水ゲル部70の内部に気泡が生じることを抑制できる。
防水ゲル部70は、収容部35内に収容された部材を封止するゲル状部である。防水ゲル部70は、収容部35内に防水ゲルが充填されて形成されている。防水ゲル部70は、圧力センサ10の防水性を向上させる。すなわち、防水ゲル部70によって、外部の水や空気から圧力センサ素子50へ与えられる影響を低減することができる。
防水ゲル部70の形成材料、すなわち、防水ゲルとしては、例えば、ケイ素(Si)系の樹脂や、フッ素系の樹脂等を選択できる。防水ゲルとしては、例えば、硬度約0(ショアA硬度。JIS K 6253に準拠)の柔らかいゲル剤を用いることが好ましい。防水ゲル部70は、高い粘性を持つことが好ましい。
防水ゲル部70は、光透過性が低いことが好ましい。可視光や紫外線を遮断することができ、圧力センサ素子50の出力特性の変化を抑制できるためである。例えば、防水ゲル部70の形成材料に黒色の顔料等を含有させることによって、防水ゲル部70の光透過性を低くすることができる。
防水ゲル部70は、測定対象から加えられる圧力をそのまま圧力センサ素子50に伝達できる。そのため、防水ゲル部70によって圧力センサ素子50が覆われることによる、圧力センサ素子50の圧力検出精度の低下を抑制できる。
[圧力センサの製造方法]
図3(A)〜(E)は、圧力センサ10の製造方法の手順を示す断面図である。
本実施形態の圧力センサ10の製造方法は、リードフレーム基板準備工程と、信号処理IC実装工程と、パッケージ形成工程と、個片化工程と、圧力センサ素子実装工程と、封止樹脂塗布工程と、防水ゲル充填工程とを有する。
まず、リードフレーム基板準備工程は、リードフレーム基板を準備する工程である。
図4は、本実施形態のリードフレーム基板80を示す平面図である。
リードフレーム基板80は、図4に示すように、開口パターン81が形成された平板部材である。開口パターン81は、Y軸方向に延在する接続枠部84を挟んで複数形成されている。リードフレーム基板80の形成材料は、上述したリードフレーム20と同様である。
開口パターン81によって、リードフレーム基板80には、台座部用延出部82と、リード部用延出部83a,83b,83c,83dとが形成されている。台座部用延出部82は、後工程において台座部24を形成する部分である。台座部用延出部82は、接続枠部84から+X側に延出して設けられている。リード部用延出部83a〜83dは、後工程においてリード部21a〜21dを形成する部分である。リード部用延出部83a〜83dは、それぞれ台座部用延出部82と対向して、接続枠部84から−X側に延出して設けられている。リード部用延出部83a〜83dは、それぞれ幅方向(Y軸方向)に並んで設けられている。
次に、信号処理IC実装工程は、図3(A)に示すように、信号処理IC40をリードフレーム基板80に実装する工程である。
信号処理IC40を台座部用延出部82における、リードフレーム基板80の裏面(第2面)80bに設置する。信号処理IC40を設置する方法は、特に限定されず、例えば、エポキシやシリコーン等を形成材料とするダイボンド樹脂(図示せず)を用いて接着する方法を選択できる。
そして、図4に示すように、台座部用延出部82に設置された信号処理IC40と、リード部用延出部83a〜83dとを、ボンディングワイヤ42a,42b,42c,42dを用いて、ワイヤボンディングによって接続する。
本実施形態のワイヤボンディングにおいては、まず、ボンディングワイヤ42a〜42dの一端をそれぞれ信号処理IC40の接続端子41a,41b,41c,41dにボールボンディングする。ボールボンディングとは、ボンディングワイヤの先端を溶融させ金属ボールを形成した後、その金属ボールを接続箇所に接触させて接合する方法である。
次に、ボンディングワイヤ42a〜42dの他端を、裏面80bにおけるリード部用延出部83a〜83dに打ちおろし、ウェッジボンディングによって接合する。ウェッジボンディングとは、金属ボールを形成せずに、熱等によってボンディングワイヤを電極と直接接続する方法である。
ボールボンディングは、ウェッジボンディングに比べて接続箇所を小さくできるため、リード部用延出部83a〜83dに比べて接続箇所の小さい信号処理IC40の接続端子41a〜41dとの接合に用いることが好ましい。
また、ウェッジボンディングは、ボンディングワイヤを打ち下ろして接合する方法であるため、被接合部材に衝撃が加わりやすい。そのため、ウェッジボンディングは、精密機器である信号処理IC40との接合方法としては、好ましくない。
一方で、ボールボンディングは、接続端を溶融させて金属ボールを形成する必要があるため、ウェッジボンディングに比べて手間がかかる。そのため、接続箇所の範囲が広く、ある程度の衝撃が加えられても問題がないリード部用延出部83a〜83dとの接合方法としては、ウェッジボンディングの方が好ましい。
この工程により、信号処理IC40とリード部用延出部83a〜83dとが、ボンディングワイヤ42a〜42dを介して電気的に接続され、信号処理IC40が実装される。信号処理IC40は、台座部用延出部82の数、すなわち、開口パターン81の数だけ実装される。
次に、パッケージ形成工程は、図3(B)に示すように、パッケージ30を形成する工程である。
パッケージ30を形成する方法としては、本実施形態においては、例えば、モールド成形法を用いる。モールド成形法に用いるモールドとしては、例えば、図示しない上部モールド及び下部モールドを用いる。上部モールドは、加工面に壁部33、突出部31及び載置部32の形状を反転させた凹凸形状が形成された母型である。下部モールドは、加工面に本体部34の形状を反転させた凹凸形状が形成された母型である。
上部モールドの加工面がリードフレーム基板80の表面(第1面)80a側、下部モールドの加工面がリードフレーム基板80の裏面80b側となるようにして、上部モールド及び下部モールドでリードフレーム基板80の開口パターン81に対応した位置を挟む。そして、上部モールドと下部モールドとの加工面の間にパッケージ30の形成材料、本実施形態においては樹脂、を射出し、パッケージ30を形成する。
この工程により、図4の2点鎖線で示すように、平面視(XY面視)において、リードフレーム基板80における台座部用延出部82と、リード部用延出部83a〜83dとにまたがるようにして、パッケージ30が開口パターン81毎に形成される。台座部用延出部82の一部と、リード部用延出部83a〜83dの一部とは、図3(B)に示すように、パッケージ30に埋設して形成されている。
次に、個片化工程は、図3(C)に示すように、リードフレーム基板80をカットして、リードフレームが内部に埋設されたパッケージ30を個片化する工程である。
図4において2点鎖線で示すパッケージ30の外形に沿って、台座部用延出部82と、リード部用延出部83a〜83dとをカットする。台座部用延出部82と、リード部用延出部83a〜83dとをカットする方法としては、特に限定されず、例えば、スタンピング加工や、ダイシング加工、レーザーを用いたレーザー切断加工等を選択できる。
この工程により、開口パターン81毎に形成されたパッケージ30が個片化される。また、台座部用延出部82と、リード部用延出部83a〜83dとがカットされることにより、台座部24と、リード部21a〜21dとが形成される。すなわち、リードフレーム20が形成される。
なお、図示は省略するが、この工程においてリードフレーム20における外部接続部も形成される。
次に、圧力センサ素子実装工程は、図3(D)に示すように、圧力センサ素子50を実装する工程である。
圧力センサ素子50を、エポキシやシリコーン等を形成材料とするダイボンド樹脂53を介して、載置部32の載置面32a上に接着する。すなわち、圧力センサ素子50を収容部35内に収容する。そして、圧力センサ素子50の接続端子51cと、リード部21cとを、ボンディングワイヤ52cを用いて、ワイヤボンディングによって接続する。ワイヤボンディングにおいては、信号処理IC40と同様に、まず、ボンディングワイヤ52cの一端をボールボンディングによって圧力センサ素子50の接続端子51cと接合させる。そして、次に、ボンディングワイヤ52cの他端をウェッジボンディングによってリード部21cと接合させる。図示は省略するが、図1に示す他の接続端子51a,51b,51dについても同様である。
この工程により、圧力センサ素子50が実装され、リード部21cを介して、圧力センサ素子50と信号処理IC40とが電気的に接続される。
次に、封止樹脂塗布工程は、図3(E)に示すように、封止樹脂を塗布して封止樹脂部60を形成する工程である。
リード部21cと壁部33との境界を封止するように、封止樹脂部60の形成材料となる樹脂を塗布する。本実施形態においては、突出部31及び載置部32が形成されていることにより相対的に形成された凹部36内に封止樹脂を塗布する。これにより、リード部21cと壁部33との境界を封止することができる。封止樹脂を塗布する方法は、特に限定されず、例えば、ディスペンサーを用いた塗布方法等を選択できる。
本実施形態においては、リード部21a〜21dはすべて圧力センサ素子50に対して同じ側(+X側)に設けられているため、封止樹脂部60の形成材料を一箇所、すなわち、凹部36に塗布することによって各リード部21a〜21dと壁部33との境界をまとめて封止することができる。
封止樹脂を塗布した後に、例えば、封止樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、封止樹脂を加熱することにより、封止樹脂を硬化させる。
この工程により、封止樹脂部60が形成される。
次に、防水ゲル充填工程は、収容部35に防水ゲル部70の形成材料である防水ゲルを充填させる工程である。
図2に示すように、圧力センサ素子50及びボンディングワイヤ52cの全体が封止されるように、防水ゲル部70の形成材料を収容部35内に注入する。収容部35を注入する方法は、特に限定されず、例えば、ディスペンサーを用いた方法等を選択できる。
ここで、収容部35に注入した防水ゲル部70の形成材料の内部に気泡が生じるような場合には、パッケージ30を減圧雰囲気下に配置し、減圧脱泡によって内部の気泡を除去してもよい。
この工程により、防水ゲル部70が形成される。
以上の工程により、本実施形態の圧力センサ10の製造工程は終了し、図2に示す本実施形態の圧力センサ10が製造される。
本実施形態によれば、信号処理IC40がパッケージ30に埋設され、信号処理IC40と圧力センサ素子50とが、平面視において少なくとも一部が重なるように設けられている。そのため、信号処理ICと圧力センサ素子とを平面視において並べて配置するような場合に比べて、圧力センサ全体の平面視面積を小さくできる。したがって、本実施形態によれば、圧力センサ素子50と信号処理IC40とを備え、大型化することを抑制できる圧力センサが得られる。
また、本実施形態によれば、圧力センサ素子50とリード部21a〜21dとの間に、突出部31が設けられているため、封止樹脂部60が圧力センサ素子50と接触することを抑制できる。以下、詳細に説明する。
封止樹脂を塗布する際には、樹脂が濡れ広がり、圧力センサ素子と接触してしまう虞があった。また、封止樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合においては、封止樹脂を加熱して硬化する際においても、硬化より先に封止樹脂の粘度が低下し、封止樹脂が濡れ広がり、圧力センサ素子と接触してしまう虞があった。封止樹脂が圧力センサ素子と接触した状態で硬化され、封止樹脂部が形成されると、封止樹脂部によって圧力センサ素子に応力がかかり、圧力センサ素子のセンサ特性が変化してしまう場合があった。
この問題に対して、本実施形態によれば、突出部31は、リード部21a〜21dが設けられているパッケージ30の本体部34の上面34aよりも突出して設けられている。そのため、封止樹脂が濡れ広がった場合であっても、封止樹脂が突出部31、より詳細には、突出部31の段差面31bによって堰き止められ、封止樹脂が圧力センサ素子50と接触することを抑制できる。これにより、本実施形態によれば、圧力センサ素子50が封止樹脂部60と接触し、センサ特性が変化してしまうことを抑制できる。
また、同様にして、本実施形態によれば、ダイボンド樹脂53と、封止樹脂部60とが接触することも抑制できる。
ダイボンド樹脂53は、圧力センサ素子50のセンサ特性に応じて厚みや材質が設計されているため、ダイボンド樹脂53と封止樹脂部60とが接触しているような場合には、ダイボンド樹脂53に封止樹脂部60から応力がかかり、結果として圧力センサ素子50のセンサ特性を変化させてしまう場合がある。
したがって、本実施形態によれば、ダイボンド樹脂53と封止樹脂部60とが接触することによる圧力センサ素子50のセンサ特性の変化を抑制できる。
また、本実施形態によれば、リード部21a〜21dがすべて、圧力センサ素子50に対して、同じ側に設けられている。そのため、本実施形態によれば、封止樹脂を一箇所に塗布することにより、リード部21a〜21dと壁部33との境界をまとめて封止することができるため、圧力センサ10を製造することが簡便である。
また、本実施形態によれば、圧力センサ素子50の接続端子51a〜51dは、リード部21a〜21dの表面22a〜22dよりも突出部31の突出面31a側に位置するように設けられているため、ボンディングワイヤ52a〜52dのループ高さを低くすることができ、圧力センサ10の全体の厚み(Z軸方向長さ)を小さくすることができる。以下、詳細に説明する。
図5(A),(B)は、本実施形態の効果を説明するための図である。図5(A)は、本実施形態の圧力センサ10の一部を示す断面図である。図5(B)は、圧力センサ素子50の接続端子51cとリード部21cとの高さが同一である圧力センサ610の一部を示す断面図である。
上述したような一端をボールボンディングによって接合した後に、他端をウェッジボンディングによって接合するようなワイヤボンディングにおいては、一端をボールボンディングした後に、ボンディングワイヤを立ち上げて、ボンディングワイヤの他端を接合させる部材へと打ち下ろすようにして、ウェッジボンディングを行う。そのため、図5(B)に示すように、ボンディングワイヤ52cのループ高さW2は、ある程度の高さとなるように形成される。
これに対して、図5(A)に示すように、ウェッジボンディングによって接合するリード部21cが、ボールボンディングによって接合された圧力センサ素子50の接続端子51cよりも低い位置に設けられていると、ボンディングワイヤ52cが打ち下ろされることで、ボンディングワイヤ52cのループ高さW1を小さくすることができる。その結果、本実施形態によれば、圧力センサ10全体の厚みを小さくすることができる。
また、本実施形態によれば、突出部31の突出面31aと、載置部32の載置面32aとが面一であるため、一段の段差を形成することにより、突出部31と載置部32とを一括して形成することができる。これにより、本実施形態によれば、パッケージ30の製造が簡便である。
なお、本実施形態においては、以下の構成及び製造方法を採用することもできる。
本実施形態においては、信号処理IC40は、リードフレーム20の台座部24の裏面24b上に設置されていなくてもよい。本実施形態においては、例えば、信号処理IC40は、台座部24から−Z側に離間して設けられていてもよいし、平面視(XY面視)において少なくとも一部が圧力センサ素子50と重なる範囲内であれば、リードフレーム20の台座部24と平面視で重ならないように設けられていてもよい。
また、本実施形態においては、圧力センサ素子50は、平面視(XY面視)において少なくとも一部が信号処理IC40と重なる範囲内であれば、リードフレーム20の台座部24と平面視で重ならないように設けられていてもよい。
また、本実施形態においては、例えば、リード部がパッケージに埋設しているような構成であってもよい。
図6は、リード部21cがパッケージ(支持体)130に埋設されている圧力センサ110を示す断面図である。
圧力センサ110は、図6に示すように、パッケージ130における本体部134の上面134aは、リード部21cの表面22cと面一となるように設けられている。この場合においても、リード部21cの表面22cは、収容部35内に露出している。
また、本実施形態においては、突出部31の表面、すなわち、突出面31a及び段差面31bの表面粗さが、載置部32の載置面32aの表面粗さよりも大きいような構成としてもよい。この構成によれば、突出部31に接触した封止樹脂を堰き止める効果をより向上できる。また、このような構成は、上述した上部モールドの加工面の形状を変化させることによって形成することができるため、工程数を増加させずに実現することができる。
また、本実施形態においては、突出部31の表面、すなわち、突出面31a及び段差面31bに撥液性の材料を塗布した構成としてもよい。この構成によれば、封止樹脂が撥液性の材料によってはじかれるため、封止樹脂が濡れ広がることをより抑制できる。
また、上記説明した実施形態においては、段差面31bは、突出面31a及び本体部34の上面34aと垂直な構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、段差面31bは、突出面31a及び本体部34の上面34aと交差するような構成であってもよい。
また、上記説明した実施形態においては、突出面31aは、本体部34の上面34aと平行な構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、突出面31aは、例えば、上面34aに対して傾斜しているような構成であってもよい。
また、本実施形態においては、載置部32の載置面32aは、複数の凹部が形成された載置面32aであってもよい。
また、本実施形態においては、載置部32は、図2等に示す載置面32aから突出する複数の凸部を備えていてもよい。この場合には、圧力センサ素子50は、複数の凸部の突出面にまたがって載置される。
また、上記説明した実施形態においては、パッケージ30を形成した後に、リードフレーム基板80をカットする個片化工程を設けたが、これに限られない。本実施形態においては、パッケージ形成工程よりも後であれば、どの位置にリードフレームカット工程が設けられていてもよい。
(第2実施形態)
第2実施形態は、第1実施形態に対して、突出部に溝部が形成されている点において異なる。
図7は、本実施形態の圧力センサ210を示す平面図である。図7においては、防水ゲル部70の図示を省略している。なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
本実施形態の圧力センサ210は、図7に示すように、パッケージ(支持体)230を備えている。パッケージ230は、本体部34と、壁部33と、突出部231と、載置部232とを備えている。突出部231と載置部232とは、第1実施形態と同様に、1段の段差を一体的に形成している。図7においては、突出部231と載置部232との境界を2点鎖線で示している。
突出部231の突出面231a及び載置部232の載置面232aには、突出部231及び載置部232の両方にわたって溝部235a,235b,235c,235dが形成されている。溝部235a〜235dは、突出部231の段差面(側面)231bに開口している。
載置部232の平面視(XY面視)形状は、円形が直線(図7に示す2点鎖線)でカットされた形状から、溝部235a〜235dの平面視形状を除いた形状である。載置部232の平面視(XY面視)形状が、第1実施形態と同様に、特に限定されないことは言うまでもない。
溝部235a〜235dの平面視形状は、特に限定されず、図7の例においては、例えば、矩形状である。また、図7においては、溝部235a〜235dは、4つ形成されているが、これに限られない。溝部は、1つ以上、3つ以下形成されていてもよいし、5つ以上形成されていてもよい。
また、図7の例においては、突出部231と載置部232とにわたって形成されるような構成としたが、これに限られない。例えば、溝部が、突出部231にのみ形成されているような構成であってもよい。
溝部235a〜235dは、その内部において、封止樹脂部60の形成材料である封止樹脂を保持できる。溝部235a〜235dの幅は、濡れ広がった封止樹脂が単に流入するような大きさであってもよいし、溝部235a〜235dの開口部に接した封止樹脂が毛細管現象によって内部に引き込まれるような大きさであってもよい。
本実施形態によれば、封止樹脂部60の形成材料を溝部235a〜235dの内部で保持できるため、塗布する封止樹脂の量が多いような場合であっても、封止樹脂が溢れて、圧力センサ素子50と接触することを抑制できる。
(第3実施形態)
第3実施形態は、第1実施形態に対して、載置部に凹部が形成されている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
図8は、本実施形態の圧力センサ310を示す断面図である。
本実施形態の圧力センサ310は、図8に示すように、リードフレーム20と、パッケージ(支持体)330と、信号処理IC40と、圧力センサ素子50と、封止樹脂部60と、防水ゲル部70とを備える。
パッケージ330は、本体部34と、壁部33と、突出部331と、載置部332とを備える。
突出部331は、本体部34の上面34aよりも突出して設けられている。
載置部332は、上面332aが、突出部331の突出面331aと面一となるように形成されている。載置部332の上面332aには、凹部336が形成されている。
載置部332の平面視(XY面視)形状は、特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。本実施形態においては、載置部332の平面視形状は、例えば、図1に示した載置部32の平面視形状と同じである。
圧力センサ素子50は、凹部336の底面336aに設置されている。すなわち、本実施形態においては、凹部336の底面336aが載置面として機能する。底面336aは、突出部331の突出面331aよりもリードフレーム20側(−Z側)に位置している。
本実施形態によれば、載置部332に凹部336が形成され、凹部336の底面336aに圧力センサ素子50が設置されている。すなわち、圧力センサ素子50が設置される載置面が、突出面331aよりもリードフレーム20側(−Z側)となる位置に設けられている。そのため、ダイボンド樹脂53を塗布した際に、突出部331によってダイボンド樹脂53が堰き止められ、ダイボンド樹脂53が濡れ広がることを抑制できる。これにより、本実施形態によれば、ダイボンド樹脂53と封止樹脂部60とが接触することをより抑制できる。
なお、本実施形態においては、凹部336の底面336aに、圧力センサ素子50側(+Z側)に突出する凸部が形成されており、この凸部によって圧力センサ素子50が支持されていてもよい。凸部は1つであっても、複数であってもよい。
(第4実施形態)
第4実施形態は、第3実施形態に対して、載置部に台座部まで貫通する貫通孔が形成されている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
図9は、本実施形態の圧力センサ410を示す断面図である。
本実施形態の圧力センサ410は、図9に示すように、リードフレーム20と、パッケージ(支持体)430と、信号処理IC40と、圧力センサ素子50と、封止樹脂部60と、防水ゲル部70とを備える。
パッケージ430は、本体部34と、壁部33と、突出部331と、載置部432とを備える。
載置部432には、台座部24まで貫通する貫通孔436が形成されている。
本実施形態において載置部432の平面視(XY面視)形状は、例えば、第1実施形態の載置部32の平面視形状から、貫通孔436の平面視形状を除いた環形状である。
貫通孔436の平面視形状は特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。また、載置部432の平面視外形状も、特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。
圧力センサ素子50は、台座部24の表面(第1面)24a上にダイボンド樹脂53を介して設置されている。
本実施形態によれば、圧力センサ素子50が台座部24の表面24a上に設置されているため、台座部24の裏面24b上に設置されている信号処理IC40との距離を小さくすることができる。
信号処理IC40には、例えば、温度計が内蔵され、圧力センサ10、すなわち、圧力センサ素子50の温度の変化に応じて、圧力センサ素子50から入力される信号の処理の補正を行っている。そのため、圧力センサ素子50と信号処理IC40との距離が小さいことで、信号処理IC40によって圧力センサ素子50の温度をより正確に計測することでき、圧力センサ素子50の温度変化に対応した補正をより正確に行うことができる。
なお、本実施形態においては、以下の構成を採用することもできる。
上記説明した実施形態においては、載置部432に貫通孔436が形成された構成について説明したが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、載置部が設けられていない構成であってもよい。
また、本実施形態においては、載置部432に複数の貫通孔が形成されていてもよい。
(第5実施形態)
第5実施形態は、第1実施形態に対して、載置部の載置面が突出部の突出面よりも突出して設けられている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。
図10は、本実施形態の圧力センサ510を示す断面図である。
本実施形態の圧力センサ510は、図10に示すように、リードフレーム20と、パッケージ(支持体)530と、信号処理IC40と、圧力センサ素子50と、封止樹脂部60と、防水ゲル部70とを備える。
パッケージ530は、本体部34と、壁部33と、突出部531と、載置部532とを備える。
突出部531は、本体部34の上面34aよりも突出して設けられている。
載置部532は、突出部531の突出面531aよりも突出して設けられている。すなわち、載置部532の載置面532aは、突出面531aよりも突出して設けられている。
載置部532の平面視(XY面視)形状は、特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。本実施形態においては、載置部532の平面視形状は、例えば、図1に示した載置部32の平面視形状と同じである。
本実施形態によれば、突出部531によって段差面(側面)531bが形成され、載置部532によって段差面532bが形成されている。すなわち、圧力センサ素子50とリード部21cとの間に段差が2段形成されている。そのため、本実施形態によれば、封止樹脂を塗布する際に、封止樹脂が濡れ広がって圧力センサ素子50と接触することをより抑制することができる。
また、本実施形態においては、載置部532が突出部531よりも突出して設けられているため、信号処理IC40の圧力がかかる側、すなわち、圧力センサ素子50側(+Z側)のパッケージ30の厚みを大きくできる。これにより、本実施形態によれば、信号処理IC40の圧力センサ素子50側のパッケージ30の強度を大きくできるため、圧力センサ510に高圧力が加えられた場合であっても、信号処理IC40が破損することを抑制できる。
なお、本実施形態においては、載置部532は、突出面531aよりも突出する複数の凸部の集合体として形成されており、この凸部によって圧力センサ素子50が支持されていてもよい。
10,110,210,310,410,510…圧力センサ、20…リードフレーム、21a,21b,21c,21d…リード部、22a,22b,22c,22d,24a,80a…表面(第1面)、23c,24b,80b…裏面(第2面)、30,130,230,330,430,530…パッケージ(支持体)、31,231,331,531…突出部、31a,231a,331a,531a…突出面、31b,231b,531b…段差面(側面)、32,232,332,432,532…載置部、32a,232a,532a…載置面、40…信号処理IC(制御素子)、41a,41b,41c,41d,51a,51b,51c,51d…接続端子、50…圧力センサ素子、52a,52b,52c,52d…ボンディングワイヤ、60…封止樹脂部、235a,235b,235c,235d…溝部

Claims (8)

  1. 一方側に開口する収容部を備える支持体と、
    前記収容部内に露出したリード部を備えるリードフレームと、
    前記リードフレームの第1面側に設けられ、前記収容部に収容された圧力センサ素子と、
    前記リードフレームにおける前記第1面と逆側の第2面側に設けられ、前記圧力センサ素子からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する制御素子と、
    を備え、
    前記制御素子は、前記支持体に埋設され、
    前記圧力センサ素子と前記制御素子とは、平面視において重なり、
    前記リード部は、ボンディングワイヤを介して前記圧力センサ素子と電気的に接続され、
    前記リードフレームの前記第1面側には、前記リード部と前記支持体との境界を封止する封止樹脂部が設けられ、
    前記支持体は、
    前記第1面よりも突出し平面視で前記リード部と前記圧力センサ素子との間に設けられる突出部と、
    前記圧力センサ素子が載置される載置部と、
    を備え
    前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記リード部の前記第1面のうち前記ボンディングワイヤが接続される部分よりも前記突出部の突出面側に位置することを特徴とする圧力センサ。
  2. 記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面と面一である、請求項1に記載の圧力センサ。
  3. 記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面よりも前記リードフレーム側に位置する、請求項1に記載の圧力センサ。
  4. 記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面よりも突出した位置に設けられる、請求項1に記載の圧力センサ。
  5. 前記制御素子は、前記リードフレームの前記第2面上に設けられ、
    前記圧力センサ素子は、前記リードフレームの前記第1面上に設けられる、請求項1に記載の圧力センサ。
  6. 前記突出部の前記突出面の表面粗さは、前記載置部における前記載置面の表面粗さよりも大きい、請求項2から4のいずれか一項に記載の圧力センサ。
  7. 前記突出部には、前記突出部の前記リード部側の側面に開口し、前記封止樹脂部を形成する封止樹脂を保持可能な溝部が形成されている、請求項1から6のいずれか一項に記載の圧力センサ。
  8. 一方側に開口する収容部を備える支持体と、前記収容部内に露出したリード部を備えるリードフレームと、前記リードフレームの第1面側に設けられた圧力センサ素子と、前記圧力センサ素子からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する制御素子と、を備えた圧力センサの製造方法であって、
    前記リードフレームの前記第1面と逆側の第2面側に前記制御素子を設ける工程と、
    前記制御素子が埋設するように前記支持体を形成する工程と、
    平面視において前記制御素子と重なるように前記圧力センサ素子を前記収容部に収容し、前記リード部と前記圧力センサ素子とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程と、
    前記リードフレームの前記第1面側に、前記リード部と前記支持体との境界を封止する封止樹脂部を形成する工程と、
    を有し、
    前記支持体を形成する工程において、前記支持体は、前記第1面よりも突出し平面視で前記リード部と前記圧力センサ素子との間に設けられる突出部と、前記圧力センサ素子が載置される載置部と、を備えるように形成され
    前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記リード部の前記第1面のうち前記ボンディングワイヤが接続される部分よりも前記突出部の突出面側に位置することを特徴とする圧力センサの製造方法。
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