JP2015169482A - 圧力センサ、及び圧力センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込むことによる圧力センサの大型化を抑制し、かつ、封止樹脂が圧力センサ素子に接触して圧力センサ素子の特性が変化する不具合を抑制することができる圧力センサ、及び圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサの一つの態様は、支持体と、リード部を備えるリードフレームと、圧力センサ素子と、制御素子と、を備え、制御素子は、支持体に埋設され、圧力センサ素子と制御素子とは、平面視において重なり、リード部は、センサ素子と電気的に接続され、リードフレームの第１面側には、リード部と支持体との境界を封止する封止樹脂部が設けられ、支持体は、第１面よりも突出し平面視でリード部と圧力センサ素子との間に設けられる突出部を備えることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、圧力センサ、及び圧力センサの製造方法に関する。

樹脂ケースの中に感圧センサチップを組み込んだ圧力センサが提案されている（例えば、特許文献１）。
特許文献１の圧力センサにおいては、感圧センサチップに被測定圧力が加わると、被測定圧力に相応した電気信号が感圧センサチップからリード端子を通じて外部回路へ取り出される。取り出された電気信号は、外部回路に設けられた信号処理ＩＣによってデータ補正や圧力値への変換がなされる。

特開２００１−１１６６３９号公報

例えば、特許文献１の圧力センサにおいては、感圧センサチップと信号処理ＩＣとを共に樹脂ケースに組み込んでパッケージ化することで、圧力センサ自身にデータ処理機能を備えさせることが望まれている。しかしながら、感圧センサチップと信号処理ＩＣとを共に樹脂ケース内に組み込むと、圧力センサが大型化してしまうという問題があった。

ところで、例えば、特許文献１の圧力センサにおいては、防水のために感圧センサチップ（圧力センサ素子）及びリード端子（リード部）がゲル状コーティング樹脂（防水ゲル）により覆われている。このような構成においては、リード部と樹脂ケースとの間に隙間が生じ、その隙間から外部の空気が防水ゲル内に入り込み、防水ゲル内に気泡を生じさせる不具合があった。そのため、樹脂ケース内部においてリード部と樹脂ケースとの境界に封止樹脂を形成し、空気が防水ゲル内に入り込むことを抑制する必要があった。

しかし、上述の構成においては、封止樹脂が圧力センサ素子に接触して形成されると圧力センサ素子の特性が変化する不具合が生じ易くなるため、封止樹脂は圧力センサ素子と接触しないように設けられることが好ましい。

本発明は、上記問題点に鑑みて成されたものであって、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込むことによる圧力センサの大型化を抑制し、かつ、封止樹脂が圧力センサ素子に接触して圧力センサ素子の特性が変化する不具合を抑制することができる圧力センサ、及び圧力センサの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の圧力センサの一つの態様は、一方側に開口する収容部を備える支持体と、前記収容部内に露出したリード部を備えるリードフレームと、前記リードフレームの第１面側に設けられ、前記収容部に収容された圧力センサ素子と、前記リードフレームにおける前記第１面と逆側の第２面側に設けられ、前記圧力センサ素子からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する制御素子と、を備え、前記制御素子は、前記支持体に埋設され、前記圧力センサ素子と前記制御素子とは、平面視において重なり、前記リード部は、ボンディングワイヤを介して前記圧力センサ素子と電気的に接続され、前記リードフレームの前記第１面側には、前記リード部と前記支持体との境界を封止する封止樹脂部が設けられ、
前記支持体は、前記第１面よりも突出し平面視で前記リード部と前記圧力センサ素子との間に設けられる突出部を備えることを特徴とする。

本発明の圧力センサの一つの態様によれば、制御素子が支持体に埋設され、圧力センサ素子と制御素子とが、平面視で重なっている。そのため、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込んだとしても、圧力センサの大型化を抑制できる。

また、リードフレームの第１面よりも突出する突出部が、平面視でリード部と圧力センサ素子との間に設けられている。そのため、突出部によって封止樹脂部を形成する封止樹脂が堰き止められ、封止樹脂が圧力センサ素子と接触することを抑制できる。

以上より、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込むことによる圧力センサの大型化を抑制し、かつ、封止樹脂が圧力センサ素子に接触することで圧力センサ素子の特性が変化する不具合を抑制することができる圧力センサが得られる。

前記支持体は、前記圧力センサ素子が載置される載置部を備え、前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面と面一である構成としてもよい。
この構成によれば、段差を１段形成することにより、載置部と突出部とを一括して形成できるため、製造が簡便である。

前記支持体は、前記圧力センサ素子が載置される載置部を備え、前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面よりも前記リードフレーム側に位置する構成としてもよい。
この構成によれば、圧力センサ素子を載置面上に接着するための接着剤が、突出部によって堰き止められ、リード部が設けられている側に濡れ広がることを抑制できる。

前記支持体は、前記圧力センサ素子が載置される載置部を備え、前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面よりも突出した位置に設けられる構成としてもよい。
この構成によれば、封止樹脂が圧力センサ素子と接触することをより抑制できる。

前記制御素子は、前記リードフレームの前記第２面上に設けられ、前記圧力センサ素子は、前記リードフレームの前記第１面上に設けられる構成としてもよい。
この構成によれば、制御素子と圧力センサ素子との距離を近づけることができるため、制御素子による圧力センサ素子の温度の計測等の精度を向上できる。

前記突出部の前記突出面の表面粗さは、前記載置部における前記載置面の表面粗さよりも大きい構成としてもよい。
この構成によれば、突出部による封止樹脂の堰き止め効果を向上させることができる。

前記突出部には、前記突出部の前記リード部側の側面に開口し、前記封止樹脂部を形成する封止樹脂を保持可能な溝部が形成されている構成としてもよい。
この構成によれば、封止樹脂が溝部に保持されるため、封止樹脂が圧力センサ素子と接触することをより抑制できる。

本発明の圧力センサの製造方法の一つの態様は、一方側に開口する収容部を備える支持体と、前記収容部内に露出したリード部を備えるリードフレームと、前記リードフレームの第１面側に設けられた圧力センサ素子と、前記圧力センサ素子からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する制御素子と、を備えた圧力センサの製造方法であって、前記リードフレームの前記第１面と逆側の第２面側に前記制御素子を設ける工程と、前記制御素子が埋設するように前記支持体を形成する工程と、平面視において前記制御素子と重なるように前記圧力センサ素子を前記収容部に収容し、前記リード部と前記圧力センサ素子とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程と、前記リードフレームの前記第１面側に、前記リード部と前記支持体との境界を封止する封止樹脂部を形成する工程と、を有し、前記支持体を形成する工程において、前記支持体は、前記第１面よりも突出し平面視で前記リード部と前記圧力センサ素子との間に設けられる突出部を備えるように形成されることを特徴とする。

本発明の圧力センサの製造方法の一つの態様によれば、上記と同様にして、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込むことによる圧力センサの大型化を抑制し、かつ、封止樹脂が圧力センサ素子に接触することで圧力センサ素子の特性が変化する不具合を抑制することができる圧力センサが得られる。

本発明によれば、圧力センサ素子と制御素子とを共に組み込むことによる圧力センサの大型化を抑制し、かつ、封止樹脂が圧力センサ素子に接触して圧力センサ素子の特性が変化する不具合を抑制することができる圧力センサ、及び圧力センサの製造方法が提供される。

第１実施形態の圧力センサを示す平面図である。 第１実施形態の圧力センサを示す断面図である。 第１実施形態の圧力センサの製造方法の手順を示す断面図である。 第１実施形態のリードフレームウエハを示す平面図である。 第１実施形態の圧力センサの効果を示す断面図である。 第１実施形態の圧力センサの他の一例を示す断面図である。 第２実施形態の圧力センサを示す平面図である。 第３実施形態の圧力センサを示す断面図である。 第４実施形態の圧力センサを示す断面図である。 第５実施形態の圧力センサを示す断面図である。

以下、図を参照しながら、本発明の実施形態に係る圧力センサについて説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。

（第１実施形態）
［圧力センサ］
図１及び図２は、本実施形態の圧力センサ１０を示す図である。図１は、平面図である。図２は、図１におけるII−II断面図である。図１においては、防水ゲル部７０の図示を省略している。

なお、以下の説明においてはＸＹＺ座標系を設定し、このＸＹＺ座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。この際、リードフレーム２０の主面に垂直な方向をＺ軸方向（図２参照）、平面視におけるリード部２１ａ〜２１ｄの長さ方向をＸ軸方向（図１参照）、平面視におけるリード部２１ａ〜２１ｄの幅方向をＹ軸方向とする。

本実施形態の圧力センサ１０は、図１及び図２に示すように、パッケージ（支持体）３０と、リードフレーム２０と、信号処理ＩＣ（制御素子）４０と、圧力センサ素子５０と、封止樹脂部６０と、防水ゲル部７０とを備える。

パッケージ３０は、リードフレーム２０を支持する部材である。パッケージ３０の形成材料は、特に限定されず、本実施形態においては、例えば、樹脂である。
パッケージ３０の平面視（ＸＹ面視）形状は、特に限定されず、本実施形態においては、図１に示すように、例えば、円形状である。パッケージ３０は、本体部３４と、壁部３３と、突出部３１と、載置部３２と、収容部３５とを備える。

本体部３４の内部には、図２に示すように、信号処理ＩＣ４０が埋設されている。
壁部３３は、本体部３４の上面３４ａから圧力センサ素子５０が設けられている側（＋Ｚ側）に突出して設けられた筒状の壁部である。壁部３３の形状は、筒状である範囲内において、特に限定されず、四角筒状であっても、多角筒状であってもよい。本実施形態においては、壁部３３の形状は、図１及び図２に示すように、例えば、円筒状である。

突出部３１は、平面視（ＸＹ面視）で、リードフレーム２０における後述するリード部２１ａ〜２１ｄと、圧力センサ素子５０との間に、本体部３４の上面３４ａから、壁部３３と同じ側（＋Ｚ側）に突出して設けられている。突出部３１の突出面３１ａは、後述するリード部２１ａ〜２１ｄの表面（第１面）２２ａ〜２２ｄよりも突出して設けられている。突出部３１の突出面３１ａと、本体部３４の上面３４ａとを接続する段差面（側面）３１ｂは、本実施形態においては、突出面３１ａ及び上面３４ａと垂直になるように形成されている。

突出部３１の突出高さＷ（Ｚ軸方向長さ）は、壁部３３よりも小さい。突出部３１の突出高さＷは、例えば、２００μｍ以上、４５０μｍ以下である。この場合において、リード部２１ａ〜２１ｄの厚み（Ｚ軸方向長さ）が、例えば、１５０μｍである場合には、リード部２１ａ〜２１ｄの表面２２ａ〜２２ｄから、突出部３１の突出面３１ａまでの高さ（Ｚ軸方向長さ）は、５０μｍ以上、３００μｍ以下である。突出部３１の突出高さＷをこのように設定することにより、好適に封止樹脂を堰き止めることができる。

載置部３２は、圧力センサ素子５０が載置される部分である。載置部３２は、本実施形態においては、図２に示すように、本体部３４の上面３４ａから突出して設けられている。載置部３２における圧力センサ素子５０が載置される載置面３２ａは、突出部３１の突出面３１ａと面一に設けられている。本実施形態において、突出部３１と載置部３２とは、本体部３４の上面３４ａに対して１段の段差を一体的に形成している。言い換えると、本実施形態においては、本体部３４の上面３４ａに形成されている段差のうち、平面視においてリード部２１ａ〜２１ｄと圧力センサ素子５０との間に設けられている部分が、突出部３１であり、それ以外の部分が載置部３２である。図１においては、突出部３１と載置部３２との境界を２点鎖線で示している。

載置部３２の平面視（ＸＹ面視）形状は、特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。本実施形態においては、例えば、図１に示すように、載置部３２の平面視形状は、円形の一部が直線（図１に示す２点鎖線）でカットされた形状である。

本実施形態においては、図２に示すように、突出部３１と載置部３２とによって段差が形成されていることにより、相対的に本体部３４の上面３４ａを底面とする凹部３６が形成されている。

なお、本明細書において「面一」とは、面と面とが段差なく設けられていることを意味する。
また、本明細書において「突出部」とは、圧力センサ素子５０とリード部２１ａ〜２１ｄとの間に設けられ、リード部２１ａ〜２１ｄの表面２２ａ〜２２ｄよりも突出した部分を意味する。

収容部３５は、図２に示すように、壁部３３の内壁３３ａと、載置部３２の載置面３２ａと、突出部３１の突出面３１ａと、本体部３４の上面３４ａとによって囲まれた領域であり、一方側（＋Ｚ側）に開口されている。収容部３５には、圧力センサ素子５０と封止樹脂部６０とが収容されている。収容部３５の内部には、収容部３５に収容された部材が封止されるようにして、防水ゲル部７０が設けられている。

リードフレーム２０は、例えば、金属等の導電材料で形成された平板部材である。リードフレーム２０の形成材料が金属の場合、例えば、リードフレーム２０の形成材料として、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等を選択できる。
リードフレーム２０は、台座部２４と、リード部２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、図示しない外部接続部とを備える。

台座部２４は、信号処理ＩＣ４０が設置される部分である。台座部２４の裏面（第２面）２４ｂには、図２に示すように、信号処理ＩＣ４０が設置されている。台座部２４の平面視（ＸＹ面視）形状は、特に限定されず、本実施形態においては、例えば、矩形の一方側の端部、すなわち、リード部２１ａ〜２１ｄとは逆側（−Ｘ側）の端部がパッケージ３０の平面視外形に沿ってカットされた形状である（図示せず）。本実施形態においては、台座部２４は、パッケージ３０に埋設されている。

リード部２１ａ〜２１ｄは、圧力センサ素子５０と信号処理ＩＣ４０との電気的接続を中継する部分である。リード部２１ａ〜２１ｄと圧力センサ素子５０及び信号処理ＩＣ４０とは、ボンディングワイヤを介して接続されている。リード部２１ａ〜２１ｄの平面視（ＸＹ面視）形状は、特に限定されず、本実施形態においては、図１に示すように、例えば、短冊形の一方側の端部、すなわち、台座部２４とは逆側（＋Ｘ側）の端部がパッケージ３０の平面視外形に沿ってカットされた形状である。リード部２１ａ〜２１ｄの表面２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄは、収容部３５内に露出し、リード部２１ａ〜２１ｄの一端（＋Ｘ側の端部）は、パッケージ３０に埋設されている。

リード部２１ａ〜２１ｄは、圧力センサ素子５０に対して同じ側（＋Ｘ側）に、幅方向（Ｙ軸方向）に並んで設けられている。言い換えると、リード部２１ａ〜２１ｄは、突出部３１を挟んで、圧力センサ素子５０と反対側（＋Ｘ側）に設けられている。リード部２１ｃは、図２に示すように、台座部２４と同一の高さ（Ｚ軸方向位置）に設けられている。リード部２１ａ〜２１ｄは、封止樹脂部６０によって覆われている。

リード部２１ａ〜２１ｄの表面２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄには、図１に示すように、ボンディングワイヤ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄの一端が接続されている。ボンディングワイヤ５２ａ〜５２ｄの他端は、後述する圧力センサ素子５０の接続端子５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと接続されている。すなわち、リード部２１ａ〜２１ｄは、ボンディングワイヤ５２ａ〜５２ｄを介して、圧力センサ素子５０と電気的に接続されている。ボンディングワイヤ５２ａ〜５２ｄの形成材料は、例えば、金（Ａｕ）である。

リード部２１ｃの裏面（第２面）２３ｃには、図２に示すように、ボンディングワイヤ４２ｃの一端が接続されている。ボンディングワイヤ４２ｃの他端は、後述する信号処理ＩＣ４０の接続端子４１ｃと接続されている。すなわち、リード部２１ｃは、ボンディングワイヤ４２ｃを介して、信号処理ＩＣ４０と電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４２ｃの形成材料は、ボンディングワイヤ５２ａ〜５２ｄと同様である。
これにより、圧力センサ素子５０と、信号処理ＩＣ４０とは、リード部２１ａ〜２１ｄを介して、電気的に接続されている。

なお、図２においては、リード部２１ｃについてのみ図示しているが、リード部２１ａ，２１ｂ，２１ｄについても同様である。リード部２１ａ〜２１ｄについては同様の構成であるため、以下の説明においては、代表してリード部２１ｃについてのみ説明する場合がある。

外部接続部は、信号処理ＩＣ４０から出力される信号を外部に取り出すための部分である。外部接続部は、ボンディングワイヤ等を介して、信号処理ＩＣ４０と電気的に接続されている。外部接続部の少なくとも一部は、パッケージ３０の外部に露出されている。

信号処理ＩＣ４０は、圧力センサ素子５０からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する。信号処理ＩＣ４０は、リードフレーム２０の台座部２４の裏面２４ｂ上に設置されている。信号処理ＩＣ４０には、圧力センサ素子５０からのセンサ信号が、ボンディングワイヤ５２ｃ、リード部２１ｃ、ボンディングワイヤ４２ｃを介して入力される。信号処理ＩＣ４０は、例えば、圧力センサ素子５０からのセンサ信号の増幅、圧力センサ素子５０のＯＮ／ＯＦＦ制御、内蔵する温度センサによる検出値の補正、検出データのＡ／Ｄ変換、リニアリティの補正、信号波形の整形等の機能を有する。
信号処理ＩＣ４０は、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）プロセス等によって製造できる。

圧力センサ素子５０は、例えば、ケイ素（Ｓｉ）等からなる半導体基板の一面側に、ダイヤフラム部と、基準圧力室としての密閉空間と、圧力によるダイヤフラム部の歪抵抗の変化を測定するための複数の歪ゲージとを備える構成を採用できる。基準圧力室としての密閉空間は、例えば、ガラスを陽極接合する方法や、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術を用いた方法等により作成できる。

上記のような構成を採用した場合においては、圧力センサ素子５０のダイヤフラム部が圧力を受けて撓むと、各歪ゲージにダイヤフラム部の歪み量に応じた応力が発生する。そして、この応力に応じて歪ゲージの抵抗値がピエゾ抵抗効果によって変化し、この抵抗値変化に応じたセンサ信号が出力される。これにより、圧力を計測することができる。このような構成の圧力センサ素子５０は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を利用した圧力センサチップである。

なお、圧力センサ素子５０は、上記構成ではピエゾ抵抗効果を用いたピエゾ抵抗式の圧力センサ素子としたが、これに限られず、例えば、静電容量式等、その他の方式の圧力センサ素子であってもよい。

圧力センサ素子５０は、ダイボンド樹脂５３を介して、載置部３２の載置面３２ａ上に設置されている。
ダイボンド樹脂５３としては、例えば、エポキシ樹脂や、シリコーン等を選択できる。ダイボンド樹脂５３としては、ヤング率の小さい樹脂を選択することが好ましい。パッケージ３０からダイボンド樹脂５３を介して圧力センサ素子５０に加えられる応力を低減できるためである。ダイボンド樹脂５３の厚み（Ｚ軸方向長さ）は、圧力センサ素子５０のセンサ特性に応じて設計され、例えば、３０μｍ程度である。

圧力センサ素子５０の上面５０ａには、図１に示すように、接続端子５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄが形成されている。接続端子５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄは、それぞれ、ボンディングワイヤ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを介して、リード部２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと接続されている。接続端子５１ｃは、図２に示すように、リード部２１ｃの表面２２ｃよりも突出部３１の突出面３１ａ側（＋Ｚ側）に突出した位置に設けられている。図示は省略するが、接続端子５１ａ，５１ｂ，５１ｄについても同様である。

圧力センサ素子５０と信号処理ＩＣ４０とは、平面視（ＸＹ面視）において、少なくとも一部が重なるように設けられている。本実施形態においては、圧力センサ素子５０の全体が、平面視において信号処理ＩＣ４０と重なっている。

封止樹脂部６０は、リード部２１ａ〜２１ｄと、パッケージ３０との境界を封止する。封止樹脂部６０は、図１及び図２に示すように、凹部３６に設けられ、リード部２１ａ〜２１ｄと、ボンディングワイヤ５２ａ〜５２ｄの一部とを覆っている。封止樹脂部６０の形成材料、すなわち、封止樹脂としては、リード部２１ａ〜２１ｄと、パッケージ３０との境界を封止できる範囲内において、特に限定されず、例えば、フルオロシリコーンゲルや、フッ素ゲル、シリコーン、エポキシ樹脂等を選択できる。

リード部２１ａ〜２１ｄとパッケージ３０との境界には、隙間が生じる場合があり、そのような場合においては、外部の空気がその隙間を介して防水ゲル部７０の内部に入り込み、防水ゲル部７０内に気泡を生じさせる場合がある。このような場合においては、気泡によって圧力センサ素子に伝わる圧力値が変わり、計測精度が低下するといった問題がある。

これらの問題に対して、封止樹脂部６０を設けることにより、リード部２１ａ〜２１ｄとパッケージ３０との境界を封止できるため、リード部２１ａ〜２１ｄとパッケージ３０との境界に隙間が生じるような場合であっても、防水ゲル部７０の内部に気泡が生じることを抑制できる。

防水ゲル部７０は、収容部３５内に収容された部材を封止するゲル状部である。防水ゲル部７０は、収容部３５内に防水ゲルが充填されて形成されている。防水ゲル部７０は、圧力センサ１０の防水性を向上させる。すなわち、防水ゲル部７０によって、外部の水や空気から圧力センサ素子５０へ与えられる影響を低減することができる。

防水ゲル部７０の形成材料、すなわち、防水ゲルとしては、例えば、ケイ素（Ｓｉ）系の樹脂や、フッ素系の樹脂等を選択できる。防水ゲルとしては、例えば、硬度約０（ショアＡ硬度。ＪＩＳ Ｋ ６２５３に準拠）の柔らかいゲル剤を用いることが好ましい。防水ゲル部７０は、高い粘性を持つことが好ましい。

防水ゲル部７０は、光透過性が低いことが好ましい。可視光や紫外線を遮断することができ、圧力センサ素子５０の出力特性の変化を抑制できるためである。例えば、防水ゲル部７０の形成材料に黒色の顔料等を含有させることによって、防水ゲル部７０の光透過性を低くすることができる。

防水ゲル部７０は、測定対象から加えられる圧力をそのまま圧力センサ素子５０に伝達できる。そのため、防水ゲル部７０によって圧力センサ素子５０が覆われることによる、圧力センサ素子５０の圧力検出精度の低下を抑制できる。

［圧力センサの製造方法］
図３（Ａ）〜（Ｅ）は、圧力センサ１０の製造方法の手順を示す断面図である。
本実施形態の圧力センサ１０の製造方法は、リードフレーム基板準備工程と、信号処理ＩＣ実装工程と、パッケージ形成工程と、個片化工程と、圧力センサ素子実装工程と、封止樹脂塗布工程と、防水ゲル充填工程とを有する。

まず、リードフレーム基板準備工程は、リードフレーム基板を準備する工程である。
図４は、本実施形態のリードフレーム基板８０を示す平面図である。
リードフレーム基板８０は、図４に示すように、開口パターン８１が形成された平板部材である。開口パターン８１は、Ｙ軸方向に延在する接続枠部８４を挟んで複数形成されている。リードフレーム基板８０の形成材料は、上述したリードフレーム２０と同様である。

開口パターン８１によって、リードフレーム基板８０には、台座部用延出部８２と、リード部用延出部８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄとが形成されている。台座部用延出部８２は、後工程において台座部２４を形成する部分である。台座部用延出部８２は、接続枠部８４から＋Ｘ側に延出して設けられている。リード部用延出部８３ａ〜８３ｄは、後工程においてリード部２１ａ〜２１ｄを形成する部分である。リード部用延出部８３ａ〜８３ｄは、それぞれ台座部用延出部８２と対向して、接続枠部８４から−Ｘ側に延出して設けられている。リード部用延出部８３ａ〜８３ｄは、それぞれ幅方向（Ｙ軸方向）に並んで設けられている。

次に、信号処理ＩＣ実装工程は、図３（Ａ）に示すように、信号処理ＩＣ４０をリードフレーム基板８０に実装する工程である。
信号処理ＩＣ４０を台座部用延出部８２における、リードフレーム基板８０の裏面（第２面）８０ｂに設置する。信号処理ＩＣ４０を設置する方法は、特に限定されず、例えば、エポキシやシリコーン等を形成材料とするダイボンド樹脂（図示せず）を用いて接着する方法を選択できる。

そして、図４に示すように、台座部用延出部８２に設置された信号処理ＩＣ４０と、リード部用延出部８３ａ〜８３ｄとを、ボンディングワイヤ４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを用いて、ワイヤボンディングによって接続する。

本実施形態のワイヤボンディングにおいては、まず、ボンディングワイヤ４２ａ〜４２ｄの一端をそれぞれ信号処理ＩＣ４０の接続端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄにボールボンディングする。ボールボンディングとは、ボンディングワイヤの先端を溶融させ金属ボールを形成した後、その金属ボールを接続箇所に接触させて接合する方法である。

次に、ボンディングワイヤ４２ａ〜４２ｄの他端を、裏面８０ｂにおけるリード部用延出部８３ａ〜８３ｄに打ちおろし、ウェッジボンディングによって接合する。ウェッジボンディングとは、金属ボールを形成せずに、熱等によってボンディングワイヤを電極と直接接続する方法である。

ボールボンディングは、ウェッジボンディングに比べて接続箇所を小さくできるため、リード部用延出部８３ａ〜８３ｄに比べて接続箇所の小さい信号処理ＩＣ４０の接続端子４１ａ〜４１ｄとの接合に用いることが好ましい。
また、ウェッジボンディングは、ボンディングワイヤを打ち下ろして接合する方法であるため、被接合部材に衝撃が加わりやすい。そのため、ウェッジボンディングは、精密機器である信号処理ＩＣ４０との接合方法としては、好ましくない。

一方で、ボールボンディングは、接続端を溶融させて金属ボールを形成する必要があるため、ウェッジボンディングに比べて手間がかかる。そのため、接続箇所の範囲が広く、ある程度の衝撃が加えられても問題がないリード部用延出部８３ａ〜８３ｄとの接合方法としては、ウェッジボンディングの方が好ましい。

この工程により、信号処理ＩＣ４０とリード部用延出部８３ａ〜８３ｄとが、ボンディングワイヤ４２ａ〜４２ｄを介して電気的に接続され、信号処理ＩＣ４０が実装される。信号処理ＩＣ４０は、台座部用延出部８２の数、すなわち、開口パターン８１の数だけ実装される。

次に、パッケージ形成工程は、図３（Ｂ）に示すように、パッケージ３０を形成する工程である。
パッケージ３０を形成する方法としては、本実施形態においては、例えば、モールド成形法を用いる。モールド成形法に用いるモールドとしては、例えば、図示しない上部モールド及び下部モールドを用いる。上部モールドは、加工面に壁部３３、突出部３１及び載置部３２の形状を反転させた凹凸形状が形成された母型である。下部モールドは、加工面に本体部３４の形状を反転させた凹凸形状が形成された母型である。

上部モールドの加工面がリードフレーム基板８０の表面（第１面）８０ａ側、下部モールドの加工面がリードフレーム基板８０の裏面８０ｂ側となるようにして、上部モールド及び下部モールドでリードフレーム基板８０の開口パターン８１に対応した位置を挟む。そして、上部モールドと下部モールドとの加工面の間にパッケージ３０の形成材料、本実施形態においては樹脂、を射出し、パッケージ３０を形成する。

この工程により、図４の２点鎖線で示すように、平面視（ＸＹ面視）において、リードフレーム基板８０における台座部用延出部８２と、リード部用延出部８３ａ〜８３ｄとにまたがるようにして、パッケージ３０が開口パターン８１毎に形成される。台座部用延出部８２の一部と、リード部用延出部８３ａ〜８３ｄの一部とは、図３（Ｂ）に示すように、パッケージ３０に埋設して形成されている。

次に、個片化工程は、図３（Ｃ）に示すように、リードフレーム基板８０をカットして、リードフレームが内部に埋設されたパッケージ３０を個片化する工程である。
図４において２点鎖線で示すパッケージ３０の外形に沿って、台座部用延出部８２と、リード部用延出部８３ａ〜８３ｄとをカットする。台座部用延出部８２と、リード部用延出部８３ａ〜８３ｄとをカットする方法としては、特に限定されず、例えば、スタンピング加工や、ダイシング加工、レーザーを用いたレーザー切断加工等を選択できる。

この工程により、開口パターン８１毎に形成されたパッケージ３０が個片化される。また、台座部用延出部８２と、リード部用延出部８３ａ〜８３ｄとがカットされることにより、台座部２４と、リード部２１ａ〜２１ｄとが形成される。すなわち、リードフレーム２０が形成される。
なお、図示は省略するが、この工程においてリードフレーム２０における外部接続部も形成される。

次に、圧力センサ素子実装工程は、図３（Ｄ）に示すように、圧力センサ素子５０を実装する工程である。
圧力センサ素子５０を、エポキシやシリコーン等を形成材料とするダイボンド樹脂５３を介して、載置部３２の載置面３２ａ上に接着する。すなわち、圧力センサ素子５０を収容部３５内に収容する。そして、圧力センサ素子５０の接続端子５１ｃと、リード部２１ｃとを、ボンディングワイヤ５２ｃを用いて、ワイヤボンディングによって接続する。ワイヤボンディングにおいては、信号処理ＩＣ４０と同様に、まず、ボンディングワイヤ５２ｃの一端をボールボンディングによって圧力センサ素子５０の接続端子５１ｃと接合させる。そして、次に、ボンディングワイヤ５２ｃの他端をウェッジボンディングによってリード部２１ｃと接合させる。図示は省略するが、図１に示す他の接続端子５１ａ，５１ｂ，５１ｄについても同様である。

この工程により、圧力センサ素子５０が実装され、リード部２１ｃを介して、圧力センサ素子５０と信号処理ＩＣ４０とが電気的に接続される。

次に、封止樹脂塗布工程は、図３（Ｅ）に示すように、封止樹脂を塗布して封止樹脂部６０を形成する工程である。
リード部２１ｃと壁部３３との境界を封止するように、封止樹脂部６０の形成材料となる樹脂を塗布する。本実施形態においては、突出部３１及び載置部３２が形成されていることにより相対的に形成された凹部３６内に封止樹脂を塗布する。これにより、リード部２１ｃと壁部３３との境界を封止することができる。封止樹脂を塗布する方法は、特に限定されず、例えば、ディスペンサーを用いた塗布方法等を選択できる。

本実施形態においては、リード部２１ａ〜２１ｄはすべて圧力センサ素子５０に対して同じ側（＋Ｘ側）に設けられているため、封止樹脂部６０の形成材料を一箇所、すなわち、凹部３６に塗布することによって各リード部２１ａ〜２１ｄと壁部３３との境界をまとめて封止することができる。

封止樹脂を塗布した後に、例えば、封止樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、封止樹脂を加熱することにより、封止樹脂を硬化させる。
この工程により、封止樹脂部６０が形成される。

次に、防水ゲル充填工程は、収容部３５に防水ゲル部７０の形成材料である防水ゲルを充填させる工程である。
図２に示すように、圧力センサ素子５０及びボンディングワイヤ５２ｃの全体が封止されるように、防水ゲル部７０の形成材料を収容部３５内に注入する。収容部３５を注入する方法は、特に限定されず、例えば、ディスペンサーを用いた方法等を選択できる。
ここで、収容部３５に注入した防水ゲル部７０の形成材料の内部に気泡が生じるような場合には、パッケージ３０を減圧雰囲気下に配置し、減圧脱泡によって内部の気泡を除去してもよい。
この工程により、防水ゲル部７０が形成される。

以上の工程により、本実施形態の圧力センサ１０の製造工程は終了し、図２に示す本実施形態の圧力センサ１０が製造される。

本実施形態によれば、信号処理ＩＣ４０がパッケージ３０に埋設され、信号処理ＩＣ４０と圧力センサ素子５０とが、平面視において少なくとも一部が重なるように設けられている。そのため、信号処理ＩＣと圧力センサ素子とを平面視において並べて配置するような場合に比べて、圧力センサ全体の平面視面積を小さくできる。したがって、本実施形態によれば、圧力センサ素子５０と信号処理ＩＣ４０とを備え、大型化することを抑制できる圧力センサが得られる。

また、本実施形態によれば、圧力センサ素子５０とリード部２１ａ〜２１ｄとの間に、突出部３１が設けられているため、封止樹脂部６０が圧力センサ素子５０と接触することを抑制できる。以下、詳細に説明する。

封止樹脂を塗布する際には、樹脂が濡れ広がり、圧力センサ素子と接触してしまう虞があった。また、封止樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合においては、封止樹脂を加熱して硬化する際においても、硬化より先に封止樹脂の粘度が低下し、封止樹脂が濡れ広がり、圧力センサ素子と接触してしまう虞があった。封止樹脂が圧力センサ素子と接触した状態で硬化され、封止樹脂部が形成されると、封止樹脂部によって圧力センサ素子に応力がかかり、圧力センサ素子のセンサ特性が変化してしまう場合があった。

この問題に対して、本実施形態によれば、突出部３１は、リード部２１ａ〜２１ｄが設けられているパッケージ３０の本体部３４の上面３４ａよりも突出して設けられている。そのため、封止樹脂が濡れ広がった場合であっても、封止樹脂が突出部３１、より詳細には、突出部３１の段差面３１ｂによって堰き止められ、封止樹脂が圧力センサ素子５０と接触することを抑制できる。これにより、本実施形態によれば、圧力センサ素子５０が封止樹脂部６０と接触し、センサ特性が変化してしまうことを抑制できる。

また、同様にして、本実施形態によれば、ダイボンド樹脂５３と、封止樹脂部６０とが接触することも抑制できる。
ダイボンド樹脂５３は、圧力センサ素子５０のセンサ特性に応じて厚みや材質が設計されているため、ダイボンド樹脂５３と封止樹脂部６０とが接触しているような場合には、ダイボンド樹脂５３に封止樹脂部６０から応力がかかり、結果として圧力センサ素子５０のセンサ特性を変化させてしまう場合がある。
したがって、本実施形態によれば、ダイボンド樹脂５３と封止樹脂部６０とが接触することによる圧力センサ素子５０のセンサ特性の変化を抑制できる。

また、本実施形態によれば、リード部２１ａ〜２１ｄがすべて、圧力センサ素子５０に対して、同じ側に設けられている。そのため、本実施形態によれば、封止樹脂を一箇所に塗布することにより、リード部２１ａ〜２１ｄと壁部３３との境界をまとめて封止することができるため、圧力センサ１０を製造することが簡便である。

また、本実施形態によれば、圧力センサ素子５０の接続端子５１ａ〜５１ｄは、リード部２１ａ〜２１ｄの表面２２ａ〜２２ｄよりも突出部３１の突出面３１ａ側に位置するように設けられているため、ボンディングワイヤ５２ａ〜５２ｄのループ高さを低くすることができ、圧力センサ１０の全体の厚み（Ｚ軸方向長さ）を小さくすることができる。以下、詳細に説明する。

図５（Ａ），（Ｂ）は、本実施形態の効果を説明するための図である。図５（Ａ）は、本実施形態の圧力センサ１０の一部を示す断面図である。図５（Ｂ）は、圧力センサ素子５０の接続端子５１ｃとリード部２１ｃとの高さが同一である圧力センサ６１０の一部を示す断面図である。

上述したような一端をボールボンディングによって接合した後に、他端をウェッジボンディングによって接合するようなワイヤボンディングにおいては、一端をボールボンディングした後に、ボンディングワイヤを立ち上げて、ボンディングワイヤの他端を接合させる部材へと打ち下ろすようにして、ウェッジボンディングを行う。そのため、図５（Ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ５２ｃのループ高さＷ２は、ある程度の高さとなるように形成される。

これに対して、図５（Ａ）に示すように、ウェッジボンディングによって接合するリード部２１ｃが、ボールボンディングによって接合された圧力センサ素子５０の接続端子５１ｃよりも低い位置に設けられていると、ボンディングワイヤ５２ｃが打ち下ろされることで、ボンディングワイヤ５２ｃのループ高さＷ１を小さくすることができる。その結果、本実施形態によれば、圧力センサ１０全体の厚みを小さくすることができる。

また、本実施形態によれば、突出部３１の突出面３１ａと、載置部３２の載置面３２ａとが面一であるため、一段の段差を形成することにより、突出部３１と載置部３２とを一括して形成することができる。これにより、本実施形態によれば、パッケージ３０の製造が簡便である。

なお、本実施形態においては、以下の構成及び製造方法を採用することもできる。

本実施形態においては、信号処理ＩＣ４０は、リードフレーム２０の台座部２４の裏面２４ｂ上に設置されていなくてもよい。本実施形態においては、例えば、信号処理ＩＣ４０は、台座部２４から−Ｚ側に離間して設けられていてもよいし、平面視（ＸＹ面視）において少なくとも一部が圧力センサ素子５０と重なる範囲内であれば、リードフレーム２０の台座部２４と平面視で重ならないように設けられていてもよい。

また、本実施形態においては、圧力センサ素子５０は、平面視（ＸＹ面視）において少なくとも一部が信号処理ＩＣ４０と重なる範囲内であれば、リードフレーム２０の台座部２４と平面視で重ならないように設けられていてもよい。

また、本実施形態においては、例えば、リード部がパッケージに埋設しているような構成であってもよい。
図６は、リード部２１ｃがパッケージ（支持体）１３０に埋設されている圧力センサ１１０を示す断面図である。
圧力センサ１１０は、図６に示すように、パッケージ１３０における本体部１３４の上面１３４ａは、リード部２１ｃの表面２２ｃと面一となるように設けられている。この場合においても、リード部２１ｃの表面２２ｃは、収容部３５内に露出している。

また、本実施形態においては、突出部３１の表面、すなわち、突出面３１ａ及び段差面３１ｂの表面粗さが、載置部３２の載置面３２ａの表面粗さよりも大きいような構成としてもよい。この構成によれば、突出部３１に接触した封止樹脂を堰き止める効果をより向上できる。また、このような構成は、上述した上部モールドの加工面の形状を変化させることによって形成することができるため、工程数を増加させずに実現することができる。

また、本実施形態においては、突出部３１の表面、すなわち、突出面３１ａ及び段差面３１ｂに撥液性の材料を塗布した構成としてもよい。この構成によれば、封止樹脂が撥液性の材料によってはじかれるため、封止樹脂が濡れ広がることをより抑制できる。

また、上記説明した実施形態においては、段差面３１ｂは、突出面３１ａ及び本体部３４の上面３４ａと垂直な構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、段差面３１ｂは、突出面３１ａ及び本体部３４の上面３４ａと交差するような構成であってもよい。

また、上記説明した実施形態においては、突出面３１ａは、本体部３４の上面３４ａと平行な構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、突出面３１ａは、例えば、上面３４ａに対して傾斜しているような構成であってもよい。

また、本実施形態においては、載置部３２の載置面３２ａは、複数の凹部が形成された載置面３２ａであってもよい。

また、本実施形態においては、載置部３２は、図２等に示す載置面３２ａから突出する複数の凸部を備えていてもよい。この場合には、圧力センサ素子５０は、複数の凸部の突出面にまたがって載置される。

また、上記説明した実施形態においては、パッケージ３０を形成した後に、リードフレーム基板８０をカットする個片化工程を設けたが、これに限られない。本実施形態においては、パッケージ形成工程よりも後であれば、どの位置にリードフレームカット工程が設けられていてもよい。

（第２実施形態）
第２実施形態は、第１実施形態に対して、突出部に溝部が形成されている点において異なる。
図７は、本実施形態の圧力センサ２１０を示す平面図である。図７においては、防水ゲル部７０の図示を省略している。なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。

本実施形態の圧力センサ２１０は、図７に示すように、パッケージ（支持体）２３０を備えている。パッケージ２３０は、本体部３４と、壁部３３と、突出部２３１と、載置部２３２とを備えている。突出部２３１と載置部２３２とは、第１実施形態と同様に、１段の段差を一体的に形成している。図７においては、突出部２３１と載置部２３２との境界を２点鎖線で示している。

突出部２３１の突出面２３１ａ及び載置部２３２の載置面２３２ａには、突出部２３１及び載置部２３２の両方にわたって溝部２３５ａ，２３５ｂ，２３５ｃ，２３５ｄが形成されている。溝部２３５ａ〜２３５ｄは、突出部２３１の段差面（側面）２３１ｂに開口している。

載置部２３２の平面視（ＸＹ面視）形状は、円形が直線（図７に示す２点鎖線）でカットされた形状から、溝部２３５ａ〜２３５ｄの平面視形状を除いた形状である。載置部２３２の平面視（ＸＹ面視）形状が、第１実施形態と同様に、特に限定されないことは言うまでもない。

溝部２３５ａ〜２３５ｄの平面視形状は、特に限定されず、図７の例においては、例えば、矩形状である。また、図７においては、溝部２３５ａ〜２３５ｄは、４つ形成されているが、これに限られない。溝部は、１つ以上、３つ以下形成されていてもよいし、５つ以上形成されていてもよい。

また、図７の例においては、突出部２３１と載置部２３２とにわたって形成されるような構成としたが、これに限られない。例えば、溝部が、突出部２３１にのみ形成されているような構成であってもよい。

溝部２３５ａ〜２３５ｄは、その内部において、封止樹脂部６０の形成材料である封止樹脂を保持できる。溝部２３５ａ〜２３５ｄの幅は、濡れ広がった封止樹脂が単に流入するような大きさであってもよいし、溝部２３５ａ〜２３５ｄの開口部に接した封止樹脂が毛細管現象によって内部に引き込まれるような大きさであってもよい。

本実施形態によれば、封止樹脂部６０の形成材料を溝部２３５ａ〜２３５ｄの内部で保持できるため、塗布する封止樹脂の量が多いような場合であっても、封止樹脂が溢れて、圧力センサ素子５０と接触することを抑制できる。

（第３実施形態）
第３実施形態は、第１実施形態に対して、載置部に凹部が形成されている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。

図８は、本実施形態の圧力センサ３１０を示す断面図である。
本実施形態の圧力センサ３１０は、図８に示すように、リードフレーム２０と、パッケージ（支持体）３３０と、信号処理ＩＣ４０と、圧力センサ素子５０と、封止樹脂部６０と、防水ゲル部７０とを備える。

パッケージ３３０は、本体部３４と、壁部３３と、突出部３３１と、載置部３３２とを備える。
突出部３３１は、本体部３４の上面３４ａよりも突出して設けられている。
載置部３３２は、上面３３２ａが、突出部３３１の突出面３３１ａと面一となるように形成されている。載置部３３２の上面３３２ａには、凹部３３６が形成されている。

載置部３３２の平面視（ＸＹ面視）形状は、特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。本実施形態においては、載置部３３２の平面視形状は、例えば、図１に示した載置部３２の平面視形状と同じである。

圧力センサ素子５０は、凹部３３６の底面３３６ａに設置されている。すなわち、本実施形態においては、凹部３３６の底面３３６ａが載置面として機能する。底面３３６ａは、突出部３３１の突出面３３１ａよりもリードフレーム２０側（−Ｚ側）に位置している。

本実施形態によれば、載置部３３２に凹部３３６が形成され、凹部３３６の底面３３６ａに圧力センサ素子５０が設置されている。すなわち、圧力センサ素子５０が設置される載置面が、突出面３３１ａよりもリードフレーム２０側（−Ｚ側）となる位置に設けられている。そのため、ダイボンド樹脂５３を塗布した際に、突出部３３１によってダイボンド樹脂５３が堰き止められ、ダイボンド樹脂５３が濡れ広がることを抑制できる。これにより、本実施形態によれば、ダイボンド樹脂５３と封止樹脂部６０とが接触することをより抑制できる。

なお、本実施形態においては、凹部３３６の底面３３６ａに、圧力センサ素子５０側（＋Ｚ側）に突出する凸部が形成されており、この凸部によって圧力センサ素子５０が支持されていてもよい。凸部は１つであっても、複数であってもよい。

（第４実施形態）
第４実施形態は、第３実施形態に対して、載置部に台座部まで貫通する貫通孔が形成されている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。

図９は、本実施形態の圧力センサ４１０を示す断面図である。
本実施形態の圧力センサ４１０は、図９に示すように、リードフレーム２０と、パッケージ（支持体）４３０と、信号処理ＩＣ４０と、圧力センサ素子５０と、封止樹脂部６０と、防水ゲル部７０とを備える。

パッケージ４３０は、本体部３４と、壁部３３と、突出部３３１と、載置部４３２とを備える。
載置部４３２には、台座部２４まで貫通する貫通孔４３６が形成されている。
本実施形態において載置部４３２の平面視（ＸＹ面視）形状は、例えば、第１実施形態の載置部３２の平面視形状から、貫通孔４３６の平面視形状を除いた環形状である。

貫通孔４３６の平面視形状は特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。また、載置部４３２の平面視外形状も、特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。
圧力センサ素子５０は、台座部２４の表面（第１面）２４ａ上にダイボンド樹脂５３を介して設置されている。

本実施形態によれば、圧力センサ素子５０が台座部２４の表面２４ａ上に設置されているため、台座部２４の裏面２４ｂ上に設置されている信号処理ＩＣ４０との距離を小さくすることができる。
信号処理ＩＣ４０には、例えば、温度計が内蔵され、圧力センサ１０、すなわち、圧力センサ素子５０の温度の変化に応じて、圧力センサ素子５０から入力される信号の処理の補正を行っている。そのため、圧力センサ素子５０と信号処理ＩＣ４０との距離が小さいことで、信号処理ＩＣ４０によって圧力センサ素子５０の温度をより正確に計測することでき、圧力センサ素子５０の温度変化に対応した補正をより正確に行うことができる。

なお、本実施形態においては、以下の構成を採用することもできる。

上記説明した実施形態においては、載置部４３２に貫通孔４３６が形成された構成について説明したが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、載置部が設けられていない構成であってもよい。

また、本実施形態においては、載置部４３２に複数の貫通孔が形成されていてもよい。

（第５実施形態）
第５実施形態は、第１実施形態に対して、載置部の載置面が突出部の突出面よりも突出して設けられている点において異なる。
なお、上記説明した実施形態と同様の構成については、適宜同一の符号を付すこと等により、説明を省略する場合がある。

図１０は、本実施形態の圧力センサ５１０を示す断面図である。
本実施形態の圧力センサ５１０は、図１０に示すように、リードフレーム２０と、パッケージ（支持体）５３０と、信号処理ＩＣ４０と、圧力センサ素子５０と、封止樹脂部６０と、防水ゲル部７０とを備える。

パッケージ５３０は、本体部３４と、壁部３３と、突出部５３１と、載置部５３２とを備える。
突出部５３１は、本体部３４の上面３４ａよりも突出して設けられている。
載置部５３２は、突出部５３１の突出面５３１ａよりも突出して設けられている。すなわち、載置部５３２の載置面５３２ａは、突出面５３１ａよりも突出して設けられている。

載置部５３２の平面視（ＸＹ面視）形状は、特に限定されず、円形状であっても、矩形状であっても、その他の形状、例えば、多角形状、扇形状、楕円形状等であってもよい。本実施形態においては、載置部５３２の平面視形状は、例えば、図１に示した載置部３２の平面視形状と同じである。

本実施形態によれば、突出部５３１によって段差面（側面）５３１ｂが形成され、載置部５３２によって段差面５３２ｂが形成されている。すなわち、圧力センサ素子５０とリード部２１ｃとの間に段差が２段形成されている。そのため、本実施形態によれば、封止樹脂を塗布する際に、封止樹脂が濡れ広がって圧力センサ素子５０と接触することをより抑制することができる。

また、本実施形態においては、載置部５３２が突出部５３１よりも突出して設けられているため、信号処理ＩＣ４０の圧力がかかる側、すなわち、圧力センサ素子５０側（＋Ｚ側）のパッケージ３０の厚みを大きくできる。これにより、本実施形態によれば、信号処理ＩＣ４０の圧力センサ素子５０側のパッケージ３０の強度を大きくできるため、圧力センサ５１０に高圧力が加えられた場合であっても、信号処理ＩＣ４０が破損することを抑制できる。

なお、本実施形態においては、載置部５３２は、突出面５３１ａよりも突出する複数の凸部の集合体として形成されており、この凸部によって圧力センサ素子５０が支持されていてもよい。

１０，１１０，２１０，３１０，４１０，５１０…圧力センサ、２０…リードフレーム、２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ…リード部、２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２４ａ，８０ａ…表面（第１面）、２３ｃ，２４ｂ，８０ｂ…裏面（第２面）、３０，１３０，２３０，３３０，４３０，５３０…パッケージ（支持体）、３１，２３１，３３１，５３１…突出部、３１ａ，２３１ａ，３３１ａ，５３１ａ…突出面、３１ｂ，２３１ｂ，５３１ｂ…段差面（側面）、３２，２３２，３３２，４３２，５３２…載置部、３２ａ，２３２ａ，５３２ａ…載置面、４０…信号処理ＩＣ（制御素子）、４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ…接続端子、５０…圧力センサ素子、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ…ボンディングワイヤ、６０…封止樹脂部、２３５ａ，２３５ｂ，２３５ｃ，２３５ｄ…溝部

Claims (8)

1. 一方側に開口する収容部を備える支持体と、
   前記収容部内に露出したリード部を備えるリードフレームと、
   前記リードフレームの第１面側に設けられ、前記収容部に収容された圧力センサ素子と、
   前記リードフレームにおける前記第１面と逆側の第２面側に設けられ、前記圧力センサ素子からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する制御素子と、
   を備え、
   前記制御素子は、前記支持体に埋設され、
   前記圧力センサ素子と前記制御素子とは、平面視において重なり、
   前記リード部は、ボンディングワイヤを介して前記圧力センサ素子と電気的に接続され、
   前記リードフレームの前記第１面側には、前記リード部と前記支持体との境界を封止する封止樹脂部が設けられ、
   前記支持体は、前記第１面よりも突出し平面視で前記リード部と前記圧力センサ素子との間に設けられる突出部を備えることを特徴とする圧力センサ。
2. 前記支持体は、前記圧力センサ素子が載置される載置部を備え、
   前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面と面一である、請求項１に記載の圧力センサ。
3. 前記支持体は、前記圧力センサ素子が載置される載置部を備え、
   前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面よりも前記リードフレーム側に位置する、請求項１に記載の圧力センサ。
4. 前記支持体は、前記圧力センサ素子が載置される載置部を備え、
   前記載置部における前記圧力センサ素子が載置される載置面は、前記突出部の突出面よりも突出した位置に設けられる、請求項１に記載の圧力センサ。
5. 前記制御素子は、前記リードフレームの前記第２面上に設けられ、
   前記圧力センサ素子は、前記リードフレームの前記第１面上に設けられる、請求項１に記載の圧力センサ。
6. 前記突出部の前記突出面の表面粗さは、前記載置部における前記載置面の表面粗さよりも大きい、請求項２から４のいずれか一項に記載の圧力センサ。
7. 前記突出部には、前記突出部の前記リード部側の側面に開口し、前記封止樹脂部を形成する封止樹脂を保持可能な溝部が形成されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の圧力センサ。
8. 一方側に開口する収容部を備える支持体と、前記収容部内に露出したリード部を備えるリードフレームと、前記リードフレームの第１面側に設けられた圧力センサ素子と、前記圧力センサ素子からのセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する制御素子と、を備えた圧力センサの製造方法であって、
   前記リードフレームの前記第１面と逆側の第２面側に前記制御素子を設ける工程と、
   前記制御素子が埋設するように前記支持体を形成する工程と、
   平面視において前記制御素子と重なるように前記圧力センサ素子を前記収容部に収容し、前記リード部と前記圧力センサ素子とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程と、
   前記リードフレームの前記第１面側に、前記リード部と前記支持体との境界を封止する封止樹脂部を形成する工程と、
   を有し、
   前記支持体を形成する工程において、前記支持体は、前記第１面よりも突出し平面視で前記リード部と前記圧力センサ素子との間に設けられる突出部を備えるように形成されることを特徴とする圧力センサの製造方法。

Images