JP2015224300A5 - - Google Patents

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これらベベル部Ｂ、トップエッジ部Ｅ１、およびボトムエッジ部Ｅ２を、総称して周縁部と称する。周縁部は、デバイスが形成された領域を含むこともある。以下の説明において、ウェハＷの周縁部の外周側面とはベベル部Ｂの表面をいい、ウェハＷの周縁部の上面はトップエッジ部Ｅ１の表面をいい、ウェハＷの周縁部の下面はボトムエッジ部Ｅ２の表面をいう。
基板保持部１は、図２（ｂ）に示すように、真空吸引力によりウェハＷを基板ステージ２に保持する前に、ウェハＷをセンタリングするセンタリング機構６を有している。センタリング機構６は、ウェハＷの周方向に沿って等間隔に配置された複数の（図示した例では３つの）センタリングフィンガー１２から構成される。センタリングフィンガー１２は、その先端部にウェハＷの周縁部に接触可能な２本の突出部（フィンガー部）１３を有している。また、センタリングフィンガー１２は、図示しない移動機構（例えば、エアシリンダ）により、ウェハＷの中心に向かって前進およびウェハＷから後退できるように構成されている。センタリングフィンガー１２がウェハＷの中心に向かって前進すると、突出部１３がウェハＷの周縁部に接触し、この突出部１３によって、ウェハＷは、当該ウェハＷの中心に向かって押圧される。３つのセンタリングフィンガー１２をウェハＷの中心に向けて同時に移動させると、ウェハＷの周縁部が３方向から同時にウェハＷの中心に向けて押圧される。これにより、ウェハＷのセンタリングが行われる。ウェハＷのセンタリングが完了すると、回転軸３の中心とウェハＷの中心とが同軸上に位置することになる。
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