JP2015204314A - 積層基板の加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 被加工物によらず第一基板の剥離によるチップ不良を低減可能な積層基板の加工方法を提供することである。【解決手段】 第一基板上に接着層を介して第二基板が貼着され、所定の幅を有するストリートが複数設定された積層基板の加工方法であって、該積層基板に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該ストリートに沿って該第二基板側から照射して、該ストリートの幅内の両側にそれぞれ該第一基板に達する一対のレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、該レーザー加工溝形成ステップを実施した後、該ストリート内で該一対のレーザー加工溝に挟まれた領域を、該一対のレーザー加工溝からはみ出さない幅の切削ブレードで切削する切削ステップと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図5

Description

本発明は、第一基板上に接着層を介して第二基板が貼着された積層ウエーハを個々のチップに分割する積層基板の加工方法に関する。
例えば、加速度センサや圧力センサ等のMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスの製造プロセスでは、ウエーハ上に形成された複数のストリート(分割予定ライン)で区画された各領域にMEMSデバイスを配設したデバイスウエーハ(第一基板)が形成される。その後、デバイスウエーハをストリートに沿って例えば特開2008−307646号公報に開示される切削装置で切削して分割することで、個々のMEMSデバイスを製造する。
多くのMEMSデバイスには、MEMS構造を保護するキャップと呼ばれる保護カバーが配設されている。このような保護カバーが配設されたMEMSデバイスは、デバイスウエーハ(第一基板)とカバープレート(第二基板)を貼り合わせ積層ウエーハ(積層基板)を形成した後、積層ウエーハをストリートに沿って分割することにより製造される。
第一基板上に接着層を介して第二基板が貼着された積層基板を切削ブレードで分割する場合、積層基板の第一基板にダイシングテープを貼着し、切削装置のチャックテーブルでダイシングテープを介して積層基板を吸引保持し、第二基板側から切削ブレードを切り込ませて積層基板を個々のチップに分割していた(例えば、特開2006−228816号公報参照)。
特開2008−307646号公報 特開2006−228816号公報
しかし、積層基板を切削ブレードで切削して個々のチップに分割する場合、接着層の接着力が十分でないと、接着層から第一基板が剥離してしまうという問題がある。切削除去すべきストリート以外の領域で第一基板が剥離してしまうと、その領域のチップは不良となってしまうため、改善が要望されている。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物によらず第一基板の剥離によるチップ不良を低減可能な積層基板の加工方法を提供することである。
本発明によると、第一基板上に接着層を介して第二基板が貼着され、所定の幅を有するストリートが複数設定された積層基板の加工方法であって、該積層基板に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該ストリートに沿って該第二基板側から照射して、該ストリートの幅内の両側にそれぞれ該第一基板に達する一対のレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、該レーザー加工溝形成ステップを実施した後、該ストリート内で該一対のレーザー加工溝に挟まれた領域を、該一対のレーザー加工溝からはみ出さない幅の切削ブレードで切削する切削ステップと、を備えたことを特徴とする積層基板の加工方法が提供される。
本発明のレーザー加工溝ステップでは、レーザービームの照射によって第一基板に達するレーザー加工溝を形成するため、積層基板には物理的負荷がかかることがない。従って、接着層の接着力が十分でない積層基板でも剥離が生じることはない。
一方、レーザービームの照射によって形成できるレーザー加工溝の深さには限界があり、積層基板が厚い場合には複数パスのレーザービームの照射が必要となり、レーザー加工のみで積層基板を完全に切断しようとすると生産性が非常に悪い。
本願発明では、ストリート内の両側に一対のレーザー加工溝を形成し、一対のレーザー加工溝間の領域を切削ブレードで切削して積層基板を完全切断してチップに分割するか、或いは不完全切断した後、チップに分割する。よって、生産性を落とすことなく、ストリート以外の領域で第一基板の剥離が生じることなく加工でき、第一基板の剥離によるチップ不良を低減し得る。
積層基板の断面図である。 レーザー加工溝形成ステップを示す斜視図である。 レーザービーム発生ユニットのブロック図である。 レーザー加工溝形成ステップを示す断面図である。 図5(A)は切削ステップの第1実施形態を示す断面図、図5(B)は切削ステップの第2実施形態を示す断面図である。 図6(A)は第1実施形態の切削ステップにより分割されたチップの断面図、図6(B)は切削時にストリート内の第一基板が飛んだ場合の断面図である。 研削による分割ステップを示す一部断面側面図である。 テープエキスパンドによる分割ステップを示す断面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、積層基板10の断面図が示されている。積層基板10は、第一基板12上に接着層16を介して第二基板14が貼着されて構成されている。積層基板10の一例としては、複数のデバイスが形成されたデバイスウエーハ上にSiからなるカバー基板が貼着されて構成されている。
図2を参照すると、レーザー加工溝形成ステップを示す斜視図が示されている。第一基板12の表面12a上には格子状に形成された複数のストリート(分割予定ライン)13により区画された各領域にデバイス15が形成されている。
レーザー加工装置のレーザービーム照射ユニット18は、ケーシング20中に収容された図3に示すレーザービーム発生ユニット20と、レーザービーム発生ユニット20が発生したレーザービームを集光して積層基板10に照射する集光器22とを含んでいる。
レーザービーム照射ユニット18のケーシング20には撮像ユニット24が取り付けられている。撮像ユニット24は、可視光線によって撮像する通常のCCD等の撮像素子の他に、積層基板10に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子を含んでおり、撮像した画像信号は図示しない制御手段に送信される。
図3に示すように、レーザービーム発生ユニット20は、YAGパルスレーザー又はYVO4パルスレーザー等からなるレーザー発振器26と、繰り返し周波数設定手段28と、パルス幅調整手段30と、パワー調整手段32とを含んでいる。レーザー発振器26で発振されたパルスレーザービームがパワー調整手段32で所定パワーに調整されて、集光器22から積層基板10に照射される。
図2を再び参照すると、積層基板10の第一基板12がレーザー加工装置の図示しないチャックテーブルに吸引保持されている。本発明実施形態の積層基板の加工方法では、レーザー加工溝形成ステップを実施する前に、レーザー加工すべきストリート13を検出するアライメントステップを実施する。
このアライメントステップでは、撮像ユニット24の赤外線撮像素子で第二基板14を透かして第一基板12の表面12aを撮像し、レーザー加工すべきストリート13を集光器22とX軸方向に整列させる。
アライメントステップ実施後、積層基板10に対して吸収性を有する波長のレーザービームをレーザービーム照射ユニット18の集光器22からストリート13に沿って第二基板14側から照射して、図示しないチャックテーブルをX軸方向に加工送りすることにより、図4に示すように、ストリート13の幅W1の内側の両側にそれぞれ第一基板12に達する一対のレーザー加工溝17を形成する(レーザー加工溝形成ステップ)。
積層基板10をY軸方向に割り出し送りしながら、第1の方向に伸長するストリート13の幅内の両側に第一基板12に達する一対のレーザー加工溝17を次々と形成する。第1の方向に伸長する全てのストリート13の幅内の両側に一対のレーザー加工溝17を形成した後、図示しないチャックテーブルを90°回転して、第1の方向に直交する第2の方向に伸長するストリート13の幅内の両側にそれぞれ第一基板12に達する一対のレーザー加工溝17を形成する。
尚、レーザー加工溝形成ステップでのレーザー加工条件は例えば以下のとおりである。
光源 :YAGパルスレーザー
波長 :355nm(YAGパルスレーザーの第三高調波)
平均出力 :3.0W
繰り返し周波数 :20kHz
集光スポット径 :1.0μm
送り速度 :100mm/s
レーザー加工溝形成ステップを実施した後、ストリート13内で一対のレーザー加工溝17に挟まれた領域を、一対のレーザー加工溝17からはみ出さない幅の切削ブレードで切削する切削ステップを実施する。
この切削ステップの第1実施形態では、図5(A)に示すように、スピンドル34の先端に装着された切削ブレード36を高速回転させながら積層基板10に第二基板12側から切り込み、積層基板10を吸収保持した図示しないチャックテーブルをX軸方向に加工送りすることにより、積層基板10を完全切断する(フルカットする)。
切削ステップの第1実施形態では、積層基板10をダイシングテープT1に貼着し、切削ブレード36の先端がダイシングテープT1に達するまでフルカットし、切削溝19を形成する。
第1の方向に伸長する全てのストリート13に沿って同様な切削溝19を形成した後、積層基板10を吸引保持する図示しないチャックテーブルを90°回転してから、第2の方向に伸長するストリート13に沿って積層基板10をフルカットし、同様な切削溝19を形成することにより、積層基板10を個々のチップ21に分割する。
図6(A)を参照すると、このようにして形成されたチップ21の断面図が示されている。切削ステップでは、ストリート13内で一対のレーザー加工溝17に挟まれた領域を切削ブレード36で切削するため、切削時の衝撃により、図6(B)に示すように、往々にしてストリート13内の第一基板12が飛散してチップ21Aが製造される。
図5(B)を参照すると、第2実施形態の切削ステップの断面図が示されている。第2実施形態の切削ステップでは、高速回転する切削ブレード36で積層基板10の第一基板12を完全切断するのではなく、不完全切断(ハーフカット)して、第二基板14側から第一基板12に部分的に切り込む切削溝23を形成する。
第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿って切削溝23を形成した後、積層基板10を吸引保持する図示しないチャックテーブルを90°回転してから、第2の方向に伸長する全てのストリート13に沿って同様な切削溝23を形成する。
第2実施形態の切削ステップを実施した後、積層基板10を個々のチップに分割する分割ステップを実施する。分割ステップの第1実施形態は、図7に示すように、研削により実施する。
図7において、研削ユニット38は、モータにより回転駆動されるスピンドル40と、スピンドル40の先端に固定されたホイールマウント42と、ホイールマウント42に着脱可能に装着された研削ホイール44とを含んでいる。研削ホイール44は、環状のホイール基台46と、ホイール基台46の下端部外周に固着された複数の研削砥石48とから構成される。
研削ステップでは、積層基板10の第二基板14の表面に保護テープT2を貼着し、チャックテーブル50で積層基板10の保護テープT2側を吸引保持し、第一基板12の裏面12bを露出させる。
そして、チャックテーブル50を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール44を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、図示しない切削ユニット送り機構を作動して、研削砥石48を第一基板12の裏面12bに接触させる。
そして、研削ホイール44を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りすると、第一基板12が切削溝23に至るまで研削されて、積層基板10が個々のデバイスチップに分割される。
分割ステップの第2実施形態は、切削溝23が形成された積層基板10に外力を付与することにより、積層基板10を個々のチップに分割する。この第2実施形態の分割ステップでは、図8(A)に示すように、切削溝23が形成された積層基板10の第一基板12側を外周部が環状フレームFに貼着されたエキスパンドテープT3に貼着する。
そして、環状フレームFを、フレーム保持部材58の載置面58a上に載置し、クランプ60によってフレーム保持部材58を固定する。この時、フレーム保持部材58はその載置面58aが拡張ドラム56の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
次いで、エアシリンダ64を駆動してフレーム保持部材58を図8(B)に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材58の載置面58a上に固定されている環状フレームFも下降するため、環状フレームFに貼着されたエキスパンドテープT3は拡張ドラム56の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
その結果、エキスパンドテープT3に貼着されている積層基板10には放射状に引っ張り力が作用する。このように積層基板10に放射状に引っ張り力が作用すると、切削溝23が分割起点となって、積層基板10は切削溝23に沿って破断され個々のチップ21Bに分割される。
上述した実施形態の積層基板の加工方法では、第一基板12の表面に格子状に形成されたストリート13によって区画されて複数のデバイス15が形成されている第一基板12について説明したが、本発明の積層基板の加工方法は、パターンを有する基板に限定されるものではなく、パターンがない被加工物や分割方向が一方向の被加工物も含むものである。
10 積層基板
12 第一基板
13 ストリート
14 第二基板
15 デバイス
16 接着層
17 レーザー加工溝
18 レーザービーム照射ユニット
19,23 切削溝
20 レーザービーム発生ユニット
21,21A,21B チップ
22 集光器
24 撮像ユニット
36 切削ブレード
44 研削ホイール
48 研削砥石
52 分割装置
54 フレーム保持ユニット
56 拡張ドラム

Claims (1)

  1. 第一基板上に接着層を介して第二基板が貼着され、所定の幅を有するストリートが複数設定された積層基板の加工方法であって、
    該積層基板に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該ストリートに沿って該第二基板側から照射して、該ストリートの幅内の両側にそれぞれ該第一基板に達する一対のレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、
    該レーザー加工溝形成ステップを実施した後、該ストリート内で該一対のレーザー加工溝に挟まれた領域を、該一対のレーザー加工溝からはみ出さない幅の切削ブレードで切削する切削ステップと、
    を備えたことを特徴とする積層基板の加工方法。
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