JP2015201658A - フレキシブルプリント基板の製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理したポリイミドフィルム、または490℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、フレキシブルプリント基板を製造する。
【選択図】 なし
Description
(1) 両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を製造する方法において、
用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、1回のめっきでポリイミドフィルムの両面に各厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱した積層フィルムであることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。
(2) 両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、1回のめっきでポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成した後、80〜150℃の範囲で加熱した積層フィルムであることを特徴とする上記(1)に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(3) ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成する前に、アルカリ金属水酸化物又はこれらの水溶液によるポリイミドフィルムの表面処理を行うことを特徴とする上記(1)または(2)に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(4) 配線加工により得られたフレキシブルプリント基板を80〜250℃の範囲で加熱する工程をさらに有することを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した積層フィルムであることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。
(6) 両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板を製造する方法において、
用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、490℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した積層フィルムであることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。
(7) ポリイミドフィルムの両面に形成される無電解ニッケルめっき層の厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満であることを特徴とする上記(5)または(6)に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(8) ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成する前に、アルカリ金属水酸化物又はこれらの水溶液によるポリイミドフィルムの表面処理を行うことを特徴とする上記(5)〜(7)のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(9) 製造されるフレキシブルプリント基板が、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は全面に金属めっき層を有するものであることを特徴とする上記(5)〜(8)のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(11) 配線加工は、セミアディティブ法による配線加工であり、下記(i)〜(iii)のいずれかの方法でめっきレジスト層を形成する工程を有することを特徴とする上記(10)に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(i)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層と電解銅めっき層を順次形成後、めっきレジスト層を形成する方法。
(ii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成後、めっきレジスト層を形成する方法。
(iii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に、直接、めっきレジスト層を形成する方法。
1回のめっきでポリイミドフィルムの両面に各厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により製造されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
(13) ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板であり、
イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により製造されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
(14) ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板であり、
490℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により製造されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
本発明の第1のフレキシブルプリント基板の製法においては、上記の通り、1回の無電解ニッケルめっきで、ポリイミドフィルムの両面に各厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いる。
単層のポリイミドフィルムは、
(1)ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(2)ポリイミド溶液を支持体に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
などにより得ることができ、
2層以上のポリイミドフィルムは、
(3)ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに2層目以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を逐次、前に支持体に流延又は塗布したポリアミック酸層の上面に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(4)2層以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(5)ポリイミド溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに2層目以上のポリイミド溶液を逐次、前に支持体に流延又は塗布したポリイミド層の上面に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
(6)2層以上のポリイミド溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
(7)上記(1)から(6)で得られた2枚以上のポリイミドフィルムを直接、又は接着剤を介して積層する方法、などにより得ることができる。
1)アルカリ溶液で処理する工程では、ポリイミドフィルムの表面をアルカリ溶液、例えば水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどを含むアルカリ溶液に噴きつけや浸漬などの方法で接触させて、ポリイミドフィルムの表面を処理する。例えば、水酸化カリウムや水酸化ナトリウム10〜200g/Lの水溶液で25〜80℃、10秒〜10分間浸漬処理する方法で行うことができる。
2)触媒を付与する工程では、ポリイミドフィルムの表面に無電解下地金属析出の核を形成するために、ポリイミドフィルムの変性した表面の一部又は全部に触媒を吸着などの方法で付与する。例えば、イオン性パラジウム触媒溶液で30〜60℃、1〜10分間浸漬してポリイミドフィルムの表面にパラジウムイオンを吸着させ、その後、還元溶液に浸漬して、パラジウムイオンを金属パラジウムに還元させることにより行うことができる。
3)ニッケルめっき層を形成する工程では、ニッケルを無電解めっき法により析出させ、無電解下地ニッケル層を形成する。例えば、市販の無電解ニッケルめっき浴で、25〜45℃で2分〜20分間浸漬することにより行うことができる。
4)加熱する工程では、無電解ニッケルめっき層を両面に形成したポリイミドフィルムを加熱する。好ましくは、80℃〜150℃で1分〜24時間加熱することにより、行うことができる。
1)界面活性剤を含む酸またはアルカリ性の脱脂液で洗浄する工程では、ポリイミドフィルムの表面の油脂成分などを除去するために、洗浄効果を有する脱脂液でポリイミドフィルムの表面を処理する。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルやジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどの界面活性剤と水酸化ナトリウムやモノエタノールアミンなどを含むアルカリ溶液で30〜60℃、1〜10分間浸漬して油脂成分などの汚れを除去し、ポリイミドフィルムを洗浄する。
2)アルカリ溶液で処理する工程では、ポリイミドフィルムの表面をアルカリ溶液、例えば水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどを含むアルカリ溶液に噴きつけや浸漬などの方法で接触させて、ポリイミドフィルムの表面を処理する。例えば、水酸化カリウムや水酸化ナトリウム10〜200g/Lの水溶液で25〜80℃、10秒〜10分間浸漬処理する方法で行うことができる。
3)塩基性アミノ酸溶液で処理する工程では、ポリイミドフィルムの表面を、アミノ酸を含む塩基性溶液に噴きつけや浸漬などの方法で接触させる。例えば、水酸化カリウムでpHを6に調整したリシン塩酸塩やアルギニン塩酸塩30〜300g/L水溶液で30〜60℃、10秒〜10分間浸漬処理する方法で行うことができる。
4)触媒を付与する工程では、ポリイミドフィルムの表面に無電解下地金属析出の核を形成するために、ポリイミドフィルムの表面の一部又は全部に触媒を吸着などの方法で付与する。例えば、イオン性パラジウム触媒溶液で30〜60℃、1〜10分間浸漬してポリイミドフィルムの表面にパラジウムイオンを吸着させ、その後、還元溶液に浸漬して、パラジウムイオンを金属パラジウムに還元させることにより行うことができる。
5)ニッケルめっき層を形成する工程では、ニッケルを無電解めっき法により析出させ、無電解下地ニッケル層を形成する。例えば、市販の無電解ニッケルめっき浴で、25〜45℃で2分〜20分間浸漬することにより行うことができる。
6)加熱する工程では、無電解ニッケルめっき層を両面に形成したポリイミドフィルムを加熱する。好ましくは、80℃〜150℃で1分〜24時間加熱することにより、行うことができる。
(1)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により配線加工を行い、フレキシブルプリント基板を製造する方法。
(2)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、サブトラクティブ法により配線加工を行い、フレキシブルプリント基板を製造する方法。
(i)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層と電解銅めっき層を順次形成後、めっきレジスト層を形成する配線加工によりフレキシブルプリント基板を製造する方法。
(ii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成後、めっきレジスト層を形成する配線加工によりフレキシブルプリント基板を製造する方法。
(iii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に、めっきレジスト層を形成する配線加工によりフレキシブルプリント基板を製造する方法。
少なくとも、
i−1)無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形成工程、
i−2)無電解銅めっき層に電解銅めっき層を形成する電解銅めっき層形成工程、
i−3)電解銅めっき層にめっきレジスト層を設けるめっきレジスト層形成工程、
i−4)配線パターンのフォトマスクを介して露光する露光工程、
i−5)めっきレジスト層の配線パターンとなる部位を現像除去する現像工程、
i−6)めっきレジスト層を除去して露出された電解銅めっき層上にさらに電解銅めっきを行い、電解銅パターンめっき層を形成するパターンめっき工程、
i−7)めっきレジスト層を剥離により除去するめっきレジスト層除去工程、
i−8)レジスト層の剥離によって露出した電解銅めっき層と無電解銅めっき層と無電解ニッケルめっき層を除去してポリイミドフィルム表面があらわれるようにして、フィルム表面に配線パターンを形成するフラッシュエッチング工程、
などをこの順序で行うことができる。
少なくとも、
ii−1)無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形成工程、
ii−2)無電解銅めっき層の上面にめっきレジスト層を設けるめっきレジスト層の形成工程、
ii−3)配線パターンのフォトマスクを介して露光する露光工程、
ii−4)めっきレジスト層の配線パターンとなる部位を現像除去する現像工程、
ii−5)めっきレジスト層を除去して露出された無電解銅めっき層上にさらに電解銅めっきを行い、電解銅パターンめっき層を形成するパターンめっき工程、
ii−6)めっきレジスト層を剥離により除去するめっきレジスト層除去工程、
ii−7)レジスト層の剥離によって露出した無電解銅めっき層と無電解ニッケルめっき層を除去してポリイミドフィルム表面があらわれるようにして、フィルム表面に配線パターンを形成するフラッシュエッチング工程、
などをこの順序で行うことができる。
少なくとも、
iii−1)無電解ニッケルめっき層の上面にめっきレジスト層を設けるめっきレジスト層の形成工程、
iii−2)配線パターンのフォトマスクを介して露光する露光工程、
iii−3)めっきレジスト層の配線パターンとなる部位を現像除去する現像工程、
iii−4)めっきレジスト層を除去して露出された無電解ニッケルめっき層上に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形成工程、
iii−5)無電解銅めっき層上にさらに電解銅めっきを行い、電解銅パターンめっき層を形成するパターンめっき工程、
iii−6)めっきレジスト層を剥離により除去するめっきレジスト層除去工程、
iii−7)レジスト層の剥離によって露出した無電解ニッケルめっき層を除去してポリイミドフィルム表面があらわれるようにして、フィルム表面に配線パターンを形成するフラッシュエッチング工程、
などをこの順序で行うことができる。
少なくとも、
2−1)無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成する無電解銅めっき層形成工程、
2−2)無電解銅めっき層に電解銅めっき層を形成する電解銅めっき層形成工程、
2−3)電解銅めっき層にエッチングレジスト層を設けるエッチングレジスト層形成工程、
2−4)配線パターンのフォトマスクを介して露光する露光工程、
2−5)エッチングレジスト層の配線パターンとなる部位を現像除去する現像工程、
2−6)エッチングレジスト層で保護されていない部位をエッチング除去するエッチング工程、
2−7)配線パターン部位上のエッチングレジスト層を剥離により除去するエッチングレジスト層の除去工程、
などをこの順序で行うことができる。
本発明の第2のフレキシブルプリント基板の製法においては、上記の通り、1回の無電解ニッケルめっきで、イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理して得られたポリイミドフィルム、または、イミド化(最高加熱温度は530℃以上であっても、530℃未満であってもよい。)により得られたポリイミドフィルムを490℃以上で、好ましくは1分以上熱処理したポリイミドフィルムの両面に、好ましくは厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いる。ポリイミドフィルムを490℃以上で熱処理する場合、その熱処理時間は、例えば1〜5分間である。
単層のポリイミドフィルムは、
(1)ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(2)ポリイミド溶液を支持体に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
などにより得ることができる。
2層以上のポリイミドフィルムは、
(3)ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに2層目以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を逐次、前に支持体に流延又は塗布したポリアミック酸層の上面に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(4)2層以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
(5)ポリイミド溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに2層目以上のポリイミド溶液を逐次、前に支持体に流延又は塗布したポリイミド層の上面に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
(6)2層以上のポリイミド溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
(7)上記(1)から(6)で得られた2枚以上のポリイミドフィルムを直接、又は接着剤を介して積層する方法、などにより得ることができる。
(1)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により配線加工を行い、フレキシブルプリント基板を製造する方法。
(2)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、サブトラクティブ法により配線加工を行い、フレキシブルプリント基板を製造する方法。
無電解ニッケルめっき層の厚みは、次のようにして求めた。すなわち、無電解ニッケルめっき層を形成したポリイミドフィルムに、ドライフィルムレジストUFG−072(旭化成イーマテリアルズ社製)を熱ラミネートにてラミネートした後、その一部を露光装置UFX−2023B−AJM01(ウシオ電機社製)にて露光量140mJ/cm2で露光した。つづいて、1%炭酸ナトリウム水溶液を用いて露光されていないドライフィルムレジストを除去した後、塩化第二鉄水溶液を用いてドライフィルムが除去されて露出した無電解ニッケルめっき層を除去した。つづいて、2%水酸化ナトリウム水溶液を用いてドライフィルムレジストを除去して、無電解ニッケルめっき層のある部位とない部位の段差を形成した。その段差を原子間力顕微鏡(デジタルインスツルメンツ社製、NANOSCOPE IIIa)により直接厚みを測定した。そして、この測定をそれぞれ任意の10点の位置で行い、その平均値を採用した。
配線加工により形成した幅10mmのライン幅を有するフレキシブルプリント配線板から幅10mmのラインを含み帯状に切り取ったものに対して、引張試験機(荏原製作所社製)を用い、銅めっき層の引き剥がしにて90°ピール強度測定を初期と、高温短時間の熱負荷後と、長期の熱負荷後とで行った。ここで、初期とは、配線加工後に150℃で1時間の熱処理を行ったものであり、高温短時間の熱負荷後とは、初期状態からさらに、回路形成面が半田に接するように260℃のはんだ槽に10秒間接液したものであり、長期の熱負荷後とは、初期状態からさらに、150℃×168時間のオーブン加熱を行ったものである。
〔脱脂処理およびアルカリ金属水酸化物水溶液による表面処理〕
まず、10cm×10cmのポリイミドフィルム(宇部興産社製、ユーピレックス25SGA)を、エルフシードプロセス クリーナー ES−100(荏原ユージライト社製)を用いて、上記ポリイミドフィルムの両面を50℃で2分間処理することにより脱脂処理を行った後、エルフシードプロセス モディファイヤー ES−200(荏原ユージライト社製)を用いて、50℃で30秒処理することによりアルカリ金属水酸化物水溶液による表面処理を行った。
上記改質処理したポリイミドフィルムの両面を、エルフシードプロセス アクチベーター ES−300(荏原ユージライト社製)にて50℃で2分間処理することにより触媒付与を行った後、エルフシードプロセス アクセレレータ ES−400(荏原ユージライト社製)にて35℃で2分間処理することにより還元処理を行った。
つづいて、無電解ニッケルめっき ES−500(荏原ユージライト社製)にて35℃で表2に示す時間で無電解ニッケルめっきを行い、ポリイミドフィルムの両面に、表2に示す厚みの無電解ニッケルめっき層を形成した。
無電解ニッケルめっき層を形成した後、乾燥オーブンにて、表2に示す加熱処理の時間と温度で熱処理を行った後、乾燥オーブンから取り出した。
電解銅めっきに先だって、置換タイプの無電解銅めっきであるエルフシードプロセスES−PDCにて25℃で1分間処理することにより無電解ニッケルめっき皮膜の活性化、導電性の向上処理を行った後、硫酸銅めっき浴にて電流密度2A/dm2で22分間電解銅めっきを行った。電解銅めっき厚みは10μmであった。
上記方法(2)で記載したサブトラクティブ法を用いた配線加工により、ポリイミドフィルムの一方の面(A)には10mm配線幅を有し、他方の面(B)は全面にポリイミドフィルムが露出するフレキシブルプリント基板を作製した。
電解銅めっき層を両面に形成したポリイミドフィルムを、2%水酸化ナトリウム水溶液、5%硫酸水溶液により基板洗浄を行った。続いて、ドライフィルムレジストUFG−072(旭化成イーマテリアルズ社製)を熱ラミネートにてラミネートした後、その一部を露光装置UFX−2023B−AJM01(ウシオ電機社製)にて露光量140mJ/cm2で10mm幅のラインが形成できるマスクを介して露光した。つづいて、1%炭酸ナトリウム水溶液にて露光されていないドライフィルムレジストを除去した後、塩化第二鉄水溶液にてドライフィルムが除去されて露出した電解銅めっき層、無電解銅めっき層、及び無電解ニッケルめっき層を同時に除去した。つづいて、2%水酸化ナトリウム水溶液にてドライフィルムレジストを除去して、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は10mmライン幅を有し、他方の面(B)は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を作製した。
〔ポリイミドフィルムの製造〕
重合槽に所定量のN,N−ジメチルアセトアミド、パラフェニレンジアミン(PPD)を加えた後、40℃で撹拌しながら、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)をPPDと略等モルまで添加して反応させ、ポリアミック酸溶液を得た。そして、このポリアミック酸溶液に、ポリアミック酸100質量部に対して0.25質量部の割合でモノステアリルリン酸エステルを添加し、ポリアミック酸溶液組成物を得た。
上記のようにして得られたポリイミドフィルムを10cm×10cmの正方形状に切り取り、エルフシードプロセス クリーナー ES−100(荏原ユージライト社製)を用いて、ポリイミドフィルムの両面を50℃で2分間処理することにより脱脂処理を行った後、エルフシードプロセス モディファイヤー ES−200(荏原ユージライト社製)を用いて、50℃で20秒処理することによりアルカリ金属水酸化物水溶液による表面処理を行った。
上記改質処理したポリイミドフィルムの両面を、エルフシードプロセス アクチベーター ES−300(荏原ユージライト社製)にて50℃で2分間処理することにより触媒付与を行った後、エルフシードプロセス アクセレレータ ES−400(荏原ユージライト社製)にて35℃で2分間処理することにより還元処理を行った。
つづいて、無電解ニッケルめっき ES−500(荏原ユージライト社製)にて35℃で8分間無電解ニッケルめっきを行い、ポリイミドフィルムの両面に厚み0.13μmの無電解ニッケルめっき層を形成した。
無電解ニッケルめっき層を形成した後、乾燥オーブンにて、表3に示す加熱処理の時間と温度で熱処理を行った後、乾燥オーブンから取り出した。
電解銅めっきに先だって、置換タイプの無電解銅めっきであるエルフシードプロセスES−PDCにて25℃で1分間処理することにより無電解ニッケルめっき皮膜の活性化、導電性の向上処理を行った後、硫酸銅めっき浴にて電流密度2A/dm2で22分間電解銅めっきを行い、ポリイミドフィルムの両面に銅めっき層を形成した両面基板を作製した。電解銅めっき厚みは10μmであった。
Claims (9)
- 両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板を製造する方法において、
用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した積層フィルムであることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。 - 両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板を製造する方法において、
用いる両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムは、490℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した積層フィルムであることを特徴とするフレキシブルプリント基板の製法。 - ポリイミドフィルムの両面に形成される無電解ニッケルめっき層の厚みが0.1μmを超えて0.3μm未満であることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
- ポリイミドフィルムの両面に無電解ニッケルめっき層を形成する前に、アルカリ金属水酸化物又はこれらの水溶液によるポリイミドフィルムの表面処理を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
- 製造されるフレキシブルプリント基板が、ポリイミドフィルムの一方の面(A)は配線を有し、他方の面(B)は全面に金属めっき層を有するものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
- 配線加工は、セミアディティブ法又はサブトラクティブ法による配線加工であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
- 配線加工は、セミアディティブ法による配線加工であり、下記(i)〜(iii)のいずれかの方法でめっきレジスト層を形成する工程を有することを特徴とする請求項6に記載のフレキシブルプリント基板の製法。
(i)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層と電解銅めっき層を順次形成後、めっきレジスト層を形成する方法。
(ii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に無電解銅めっき層を形成後、めっきレジスト層を形成する方法。
(iii)両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムの無電解ニッケルめっき層に、直接、めっきレジスト層を形成する方法。 - ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板であり、
イミド化時に最高加熱温度530℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により製造されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント基板。 - ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に配線を有するフレキシブルプリント基板であり、
490℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、1回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、100〜180℃の範囲で2.5時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により製造されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
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