JP2015197474A5 - - Google Patents
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Description
光源装置１０は、発光素子１，１Ａと、回転軸Ｊ１１を含むモータ１１と、回転軸Ｊ１１Ａを含むモータ１１Ａと、励起光ＥＬを発する光源部１２と、レンズ１３〜１６と、ダイクロイックミラー１７と、反射ミラー１８とを有する。発光素子１は回転軸Ｊ１１により回転可能に支持されており、発光素子１Ａは回転軸Ｊ１１Ａにより回転可能に支持されている。光源部１２は、第１のレーザ群１２Ａと第２のレーザ群１２Ｂとを有する。第１および第２のレーザ群１２Ａ，１２Ｂは、いずれも、励起光として青色レーザ光を発振する半導体レーザ素子１２１が複数配列されたものである。ここでは便宜上、第１のレーザ群１２Ａから発振される励起光をＥＬ１とし、第２のレーザ群１２Ｂから発振される励起光をＥＬ２とする。
発光素子１は、第１のレーザ群１２Ａからレンズ１３と、ダイクロイックミラー１７と、レンズ１４とを順に透過した励起光ＥＬ１が蛍光体層４（図３および図４では図示せず。）に入射されるように配置されている。発光素子１からの蛍光ＦＬ１はダイクロイックミラー１７で反射されたのち、レンズ１５を透過して外部、すなわち照明光学系２０（後出）へ向かうようになっている。一方、発光素子１Ａは、第２のレーザ群１２Ｂから反射ミラー１８を経由した励起光ＥＬ２が基材２を透過して蛍光体層４（図３および図４では図示せず。）に入射されるように配置されている。発光素子１Ａからの蛍光ＦＬ２はダイクロイックミラー１７を透過したのち、レンズ１５を透過して外部、すなわち照明光学系２０（後出）へ向かうようになっている。なお、光源装置１０の動作時において、発光素子１，１Ａは、それぞれ回転軸Ｊ１１，Ｊ１１Ａを回転中心として回転するようになっている。発光素子１，１Ａの直径は例えば５０ｍｍ〜７０ｍｍ程度であり、モータ１１，１１Ａにより例えば４８００ｒｐｍ〜１０８００ｒｐｍの回転数で回転する。このように発光素子１，１Ａを回転させるのは、励起光ＥＬ１，ＥＬ２の照射に伴う局所的な温度上昇を抑制し、構造安定性を維持すると共に変換効率の低下を防ぐためである。また、励起光ＥＬ１，ＥＬ２の照射に伴う蛍光体層４の発熱を冷却するため、冷却ファンを設けることが望ましい。
フライアイレンズ２１（２１Ａ，２１Ｂ）は、光源装置１０のレンズ１５からの白色光の照度分布の均質化を図るものである。偏光変換素子２２は、入射光の偏光軸を所定方向に揃えるように機能するものである。例えば、Ｐ偏光以外の光をＰ偏光に変換する。レンズ２３は、偏光変換素子２２からの光をダイクロイックミラー２４Ａ，２４Ｂへ向けて集光する。ダイクロイックミラー２４Ａ，２４Ｂは、所定の波長域の光を選択的に反射し、それ以外の波長域の光を選択的に透過させるものである。例えばダイクロイックミラー２４Ａは、主に赤色光を反射ミラー２５Ａの方向へ反射させる。また、ダイクロイックミラー２４Ｂは、主に青色光を反射ミラー２５Ｂの方向へ反射させる。したがって、主に緑色光がダイクロイックミラー２４Ａ，２４Ｂの双方を透過し、画像形成部３０の反射型偏光板３１Ｃ（後出）へ向かうこととなる。反射ミラー２５Ａは、ダイクロイックミラー２４Ａからの光（主に赤色光）をレンズ２６Ａに向けて反射し、反射ミラー２５Ｂは、ダイクロイックミラー２４Ｂからの光（主に青色光）をレンズ２６Ｂに向けて反射する。レンズ２６Ａは、反射ミラー２５Ａからの光（主に赤色光）を透過し、ダイクロイックミラー２７へ集光させる。レンズ２６Ｂは、反射ミラー２５Ｂからの光（主に青色光）を透過し、ダイクロイックミラー２７へ集光させる。ダイクロイックミラー２７は、緑色光を選択的に反射すると共にそれ以外の波長域の光を選択的に透過するものである。ここでは、レンズ２６Ａからの光のうち赤色光成分を透過する。レンズ２６Ａからの光に緑色光成分が含まれる場合、その緑色光成分を偏光板２８Ｃへ向けて反射する。偏光板２８Ａ〜２８Ｃは、所定方向の偏光軸を有する偏光子を含んでいる。例えば、偏光変換素子２２においてＰ偏光に変換されている場合、偏光板２８Ａ〜２８ＣはＰ偏光の光を透過し、Ｓ偏光の光を反射する。
Claims (20)
- 粗面を有する基材と、
前記基材の粗面上に直接的にまたは間接的に形成され、バインダにより互いに結合された複数の蛍光体粒子を含む蛍光体層と
を有する発光素子。 - 前記基材の粗面は、３００ｎｍ以下の表面粗さＲａ値を有する
請求項１記載の発光素子。 - 前記基材の粗面は、１０ｎｍ以上の表面粗さＲａ値を有する
請求項２記載の発光素子。 - 前記蛍光体層は、３０μｍ以上１２０μｍ以下の厚さを有する
請求項３記載の発光素子。 - 前記基材の線膨張係数と前記バインダの線膨張係数との差が７．６ｐｐｍ／Ｋ以下である
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の発光素子。 - 前記基材は、構成元素としてＭｏ（モリブデン），Ｓｉ（ケイ素）およびＷ（タングステン）のうちの少なくとも１種を有する
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の発光素子。 - 前記バインダは、無機材料の架橋体を含む
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の発光素子。 - 前記無機材料の架橋体は、珪酸化合物からなる
請求項７記載の発光素子。 - 前記基材の粗面と前記蛍光体層との間に形成された反射層をさらに有する
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の発光素子。 - 表面を有する基材と、
前記基材の表面上に直接的にまたは間接的に形成され、バインダにより互いに結合された複数の蛍光体粒子を含む蛍光体層と
を有し、
前記基材の線膨張係数と前記バインダの線膨張係数との差が７．６ｐｐｍ／Ｋ以下である
発光素子。 - 光源部と、
前記光源部からの光により励起されて蛍光を発する発光素子と
を備え、
前記発光素子は、
粗面を有する基材と、
前記基材の粗面上に形成され、バインダにより互いに結合された複数の蛍光体粒子を含む蛍光体層と
を有する
光源装置。 - 前記基材の粗面は、３００ｎｍ以下の表面粗さＲａ値を有する
請求項１１記載の光源装置。 - 前記基材の粗面は、１０ｎｍ以上の表面粗さＲａ値を有する
請求項１２記載の光源装置。 - 前記蛍光体層は、３０μｍ以上１２０μｍ以下の厚さを有する
請求項１３記載の光源装置。 - 前記基材の線膨張係数と前記バインダの線膨張係数との差が７．６ｐｐｍ／Ｋ以下である
請求項１１から請求項１４のいずれか１項に記載の光源装置。 - 前記基材は、構成元素としてＭｏ（モリブデン），Ｓｉ（ケイ素）およびＷ（タングステン）のうちの少なくとも１種を有する
請求項１１から請求項１５のいずれか１項に記載の光源装置。 - 前記バインダは、無機材料の架橋体を含む
請求項１１から請求項１６のいずれか１項に記載の光源装置。 - 前記無機材料の架橋体は、珪酸化合物からなる
請求項１７記載の光源装置。 - 前記基材の粗面と前記蛍光体層との間に形成された反射層をさらに有する
請求項１１から請求項１８のいずれか１項に記載の光源装置。 - 発光素子を有する光源装置と、
前記光源装置から射出される光を変調する光変調素子と、
前記光変調素子からの光を投影する投影光学系と
を備え、
前記発光素子は、
粗面を有する基材と、
前記基材の粗面上に形成され、バインダにより互いに結合された複数の蛍光体粒子を含む蛍光体層と
を有する
プロジェクタ。
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