JP2015177061A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】バリの発生を抑制する。
【解決手段】配線基板の第1の面側に半導体チップが位置するように、配線基板の第1の面上に対し、金属板と金属板の一部の上に積層された半導体チップとを備える積層体を搭載し、積層体を封止する封止樹脂層を形成し、第1のダイシングブレードを用いて金属板および配線基板の一方を切断しつつ封止樹脂層に到達する第1の切れ込みを、積層体を囲むように形成し、第2のダイシングブレードを用いて金属板および配線基板の他方を切断しつつ第1の切れ込みに到達する第2の切れ込みを、積層体を囲むように形成することにより、積層体に応じて配線基板を分離する。
【選択図】図1
【解決手段】配線基板の第1の面側に半導体チップが位置するように、配線基板の第1の面上に対し、金属板と金属板の一部の上に積層された半導体チップとを備える積層体を搭載し、積層体を封止する封止樹脂層を形成し、第1のダイシングブレードを用いて金属板および配線基板の一方を切断しつつ封止樹脂層に到達する第1の切れ込みを、積層体を囲むように形成し、第2のダイシングブレードを用いて金属板および配線基板の他方を切断しつつ第1の切れ込みに到達する第2の切れ込みを、積層体を囲むように形成することにより、積層体に応じて配線基板を分離する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
近年、通信技術や情報処理技術の発達に伴い、半導体装置の小型化および高速化の要求が高まっている。これに対応するため、半導体装置において、複数の半導体チップを積層させた3次元実装により、部品間の配線の長さを短くして動作周波数の増大に対応させ、かつ実装面積効率を高めることを目的とした半導体パッケージの開発が進められている。
例えば、NAND型フラッシュメモリ等の半導体装置において、小型化および高速化の観点から同一の配線基板にメモリコントローラとメモリチップとを積層させる3次元実装構造が提案されている。3次元実装構造としては、例えば、TSV(Through Silicon Via)方式による積層構造が検討されている。
TSV方式による積層構造の半導体装置の製造では、金属板上に複数の半導体チップを積層し、半導体チップを貫通する貫通電極を用いて半導体チップ間の電気的接続を行うことにより積層体を形成する。その後、該金属板上の積層体を配線基板と貼り合わせる。さらに、半導体チップと配線基板との間に封止樹脂を充填することにより積層体を封止し、外部接続端子を配線基板に形成した後、ダイシングを行い積層体に応じて配線基板を分離する。
ダイシング工程では、例えばダイシングブレードを用いて配線基板を切断するが、このとき、バリと呼ばれる突起が発生する。バリは、切断対象物を切削する際に生じるものであり、パッケージの厚膜化やショート等を引き起こす可能性がある。このため、ダイシング工程において、バリの発生はできるだけ少ない方が好ましい。
実施形態の発明が解決しようとする課題は、バリの発生を抑制することである。
実施形態の半導体装置の製造方法は、配線基板の第1の面側に半導体チップが位置するように、配線基板の第1の面上に対し、金属板と該金属板の一部の上に積層された半導体チップとを備える積層体を搭載し、配線基板の第1の面上に積層体を封止する封止樹脂層を形成し、第1のダイシングブレードを用いて金属板および配線基板の一方を切断しつつ封止樹脂層に到達する第1の切れ込みを、積層体を囲むように形成し、第2のダイシングブレードを用いて金属板および配線基板の他方を切断しつつ第1の切れ込みに到達する第2の切れ込みを、積層体を囲むように形成することにより、積層体に応じて配線基板を分離するものである。
以下、実施形態について、図面を参照して説明する。なお、図面は模式的なものであり、例えば厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率等は現実のものとは異なる場合がある。また、実施形態において、実質的に同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
(第1の実施形態)
図1は、半導体装置の製造方法例を示すフローチャートである。図1に示す半導体装置の製造方法例は、準備工程(S1−1)と、搭載工程(S1−2)と、封止工程(S1−3)と、端子形成工程(S1−4)と、第1の切込工程(S1−5)と、第2の切込工程(S1−6)と、を少なくとも具備する。なお、本実施形態における半導体装置の製造方法例の工程内容および工程順は、必ずしも図1に示す工程に限定されない。
図1は、半導体装置の製造方法例を示すフローチャートである。図1に示す半導体装置の製造方法例は、準備工程(S1−1)と、搭載工程(S1−2)と、封止工程(S1−3)と、端子形成工程(S1−4)と、第1の切込工程(S1−5)と、第2の切込工程(S1−6)と、を少なくとも具備する。なお、本実施形態における半導体装置の製造方法例の工程内容および工程順は、必ずしも図1に示す工程に限定されない。
準備工程(S1−1)は、金属板と、金属板の一部の上に設けられた半導体チップと、を具備する積層体を準備する工程である。積層体は、例えばTSV方式の積層構造を有し、例えば金属板上に、複数の半導体チップを積層し、半導体チップを貫通する貫通電極により半導体チップ間を電気的に接続することにより形成される。
搭載工程(S1−2)は、上記積層体を配線基板に搭載する工程である。このとき、例えば積層体の上面に設けられたバンプ電極により配線基板と電気的に接続する。
封止工程(S1−3)は、上記積層体を封止する封止樹脂層を配線基板上に形成する工程である。例えば、トランスファモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法等のモールド法を用いて封止樹脂層を形成することができる。
端子形成工程(S1−4)は、外部接続端子を形成する工程である。例えば、配線基板に半田ボールを形成して外部接続端子を形成することができる。なお、ボンディングワイヤ等で上記半導体装置と他の電子部品とを電気的に接続する場合には必ずしも端子形成工程を設けなくてもよい。
第1の切込工程(S1−5)は、第1のダイシングブレードを用いて第1の切れ込みを形成する工程である。本工程では封止樹脂層の途中まで第1の切れ込みを形成し、配線基板を分離させない。
第2の切込工程(S1−6)は、第2のダイシングブレードを用いて第2の切れ込みを形成する工程である。本工程により、配線基板を分離する。なお、第1の切込工程(S1−5)と第2の切込工程(S1−6)とを合わせてダイシング工程としてもよい。
なお、上記工程に加え、製品名等の製品情報を刻印するマーキング工程や、熱処理工程、マーキングした半導体装置において、少なくとも封止樹脂層を覆うようにシールド層を形成するシールド層形成工程等を設けてもよい。
さらに、各工程について、図面を参照して説明する。準備工程(S1−1)で準備する積層体11の製造方法例について図2を参照して説明する。図2は、積層体11の製造方法例を説明するための断面図である。
まず、図2(A)に示すように、金属板12の一部の上に接着層21を介して半導体チップ22aを貼り合わせる。金属板12は、例えば半導体装置内部の熱を外部に逃がすための放熱板としての機能を有する。金属板12としては、例えば銅、鉄、ニッケル等の金属またはこれらの合金等の金属板を用いることができる。例えば、銅板は、熱伝導性が高いため好ましい。接着層21としては、例えばポリイミドやエポキシ等の樹脂フィルムを用いることができる。
次に、図2(B)に示すように、半導体チップ22bを積層させる。さらに、最上層の半導体チップ22b上に配線層26を形成する。さらに、配線層26上に電極パッド28を形成する。ここでは、一例として7段の半導体チップ22bの積層を形成する。
半導体チップ22bは、貫通電極25を有する。複数の半導体チップ22bは、接着層24を介して互いに貼り合わされ、バンプ電極23および貫通電極25により、互いに電気的に接続される。さらに、最下層の半導体チップ22bは、接着層24を介して半導体チップ22aに貼り合わされ、バンプ電極23および貫通電極25により、半導体チップ22aに電気的に接続される。半導体チップ22aおよび半導体チップ22bとしては、例えばメモリチップ等を用いることができる。メモリチップとしては、例えばNAND型フラッシュメモリ等の記憶素子を用いることができる。なお、メモリチップにデコーダ等の回路が設けられていてもよい。なお、半導体チップ22aに貫通電極を設け、貫通電極により半導体チップ22bと電気的に接続させてもよい。
バンプ電極23としては、例えば金バンプ、またははんだバンプを用いることができ、はんだバンプとしては、錫−銀系、錫−銀−銅系の鉛フリーはんだを用いることができる。
配線層26の具体例としては、半導体チップ22bにおける電極パッドを再配置する再配線層が挙げられる。配線層26は、半導体チップ22b上に設けられた再配線層であり、接続配線27を有する。接続配線27は、最上層の半導体チップ22bの貫通電極25に電気的に接続される。
接続配線27および電極パッド28としては、例えば銅、チタン、窒化チタン、クロム、ニッケル、金、又はパラジウム等の層を用いることができる。
次に、図2(C)に示すように、配線層26上に半導体チップ29を配置する。さらに、半導体チップ22b間の隙間にアンダーフィル法等を用いて封止樹脂30を充填する。以上により積層体11が形成される。
半導体チップ29としては、例えばフリップチップ型の半導体チップを用いることができ、半田ボール等の外部接続端子を介して接続配線27に電気的に接続される。半導体チップ29としては、例えばインターフェースチップやコントローラチップを用いることができる。例えば半導体チップ22bがメモリチップの場合、半導体チップ29にコントローラチップを用い、コントローラチップによりメモリチップに対する書き込みおよび読み出しを制御することができる。なお、半導体チップ29は、半導体チップ22bよりも小さいことが好ましい。すなわち、半導体チップ29は、半導体チップ22bの一部の上に設けられることが好ましい。
図2を参照して説明したように、積層体11は、金属板12と、金属板12の一部の上に設けられた半導体チップ(半導体チップ22aおよび半導体チップ22b)と、半導体チップ22b上に設けられ、接続配線27を有する配線層26と、配線層26上に設けられ、接続配線27を介して半導体チップ22bに電気的に接続された半導体チップ29と、を具備する。半導体チップ22bは、チップを貫通する貫通電極25を有し、貫通電極25によりチップ間が電気的に接続される。このように、TSV方式の積層構造の積層体11を用いることにより、チップ面積を小さくすることができ、接続端子数を多くすることができるため、接続不良等を抑制することができる。なお、1つの金属板12に複数の積層体11を形成し、積層体11毎に金属板12を分離することにより、1つの積層体11を形成してもよい。
次に、搭載工程(S1−2)、封止工程(S1−3)、および端子形成工程(S1−4)について、図3を参照して説明する。図3は、半導体装置の製造方法例を説明するための断面図であり、図3(A)は、搭載工程(S1−2)を説明するための図であり、図3(B)は封止工程(S1−3)を説明するための図であり、図3(C)は端子形成工程(S1−4)を説明するための図である。
搭載工程(S1−2)では、図3(A)に示すように、配線基板10の第1の面側に半導体チップが位置するように、配線基板10の第1の面に積層体11を搭載する。積層体11は、半田材13により配線基板10と電気的に接続される。例えば、積層体11と配線基板10を仮接着した後、リフローにより本接着を行うことにより積層体11を搭載することができる。
配線基板10としては、例えば表面に設けられた配線層を有する、ガラスエポキシ等の樹脂基板等を用いることができる。なお、配線基板10の第1の面は、図3(A)における配線基板10の上面に相当し、第2の面は、図3(A)における配線基板10の下面に相当しており、配線基板10の第1の面および第2の面は、互いに対向している。
封止工程(S1−3)では、図3(B)に示すように、積層体11を封止するように、配線基板10の第1の面上に封止樹脂層14を形成する。例えば、封止樹脂を充填することにより封止樹脂層を形成することができる。封止工程(S1−3)では、金属板12の表面の少なくとも一部を露出させることが好ましい。なお、金属板12上に封止樹脂が充填された場合、研磨等により金属板12を露出させることにより、半導体装置の放熱性を高めることができる。
封止樹脂としては、SiO2等の無機充填材を含有し、例えば無機充填材を絶縁性の有機樹脂材料等と混合したものを用いることができ、例えばエポキシ樹脂と混合したものを用いることができる。無機充填材は、全体の80%〜95%含有され、封止樹脂層の粘度や硬度等を調整する機能を有する。
端子形成工程(S1−4)では、図3(C)に示すように、配線基板10の第2の面に外部接続端子15を形成する。例えば、配線基板10の第2の面上にフラックスを塗布後、半田ボールを搭載し、リフロー炉に入れて半田ボールを溶融させ、配線基板10が有する接続パッドと接合させる。その後、溶剤や純水洗浄によりフラックスを除去することにより外部接続端子15を形成することができる。
次に、第1の切込工程(S1−5)および第2の切込工程(S1−6)について、図4および図5を参照して説明する。ここでは一例として、複数の配線基板10がマトリクス状に連設された構造の集合基板1を分離する場合について説明する。
図4は、第1の切込工程(S1−5)を説明するための図であり、図4(A)は、集合基板1の透視上面図を示し、図4(B)は、図4(A)における線分X−Yの断面図である。第1の切込工程(S1−5)では、積層体11を囲むように、ダイシングブレードB1を用いて切れ込みC1を形成する。ここでは、金属板12を切断しつつ、封止樹脂層14に到達する切れ込みC1を形成する(図4(A)および図4(B)参照)。例えば、ダイシングテープや固定治具等に配線基板10を固定して第1の切込工程(S1−5)を行うことができる。
このとき、切れ込みC1の周辺部においてバリが発生する。バリは、ダイシングブレードで対象物を切削していく過程で対象物の一部が表面に押し出されることにより発生する突起である。特に、金属板12は、SiO2等の無機充填材を主成分とするため固い樹脂封止層14と異なり延性がある。このため、金属板12を切削しようとすると、金属板12の一部が表面に押し出されるように切れ込みC1の周辺にバリが生じやすくなる。
本実施形態における半導体装置の製造方法では、第1の切込工程(S1−5)において、金属板12側から金属板12を切断しつつ封止樹脂層14の途中までしか切れ込みを形成せず、配線基板10を分離させない。これにより、硬度が高い無機充填材料を主成分とする封止樹脂層14によって支えられた状態で、金属板12を切削することができる。また、封止樹脂層14の切削量を減らすことができる。よって、表面に押し出される切削物の量が少なくなるため、バリを減らすことができる。バリの高さは、例えば100μm以下であることが好ましい。なお、配線基板10にはエポキシ基板等の金属板12よりも柔らかい材料を用いることができるため、切れ込みC2の周辺部では、バリが極端に少ないまたは発生しない。
図5は、第2の切込工程(S1−6)を説明するための図であり、図5(A)は、集合基板1の透視上面図を示し、図5(B)は、図5(A)における線分X−Yの断面図である。第2の切込工程(S1−6)では、積層体11を囲むように、ダイシングブレードB2を用いて切れ込みC2を形成する。ここでは、配線基板10を切断しつつ切れ込みC1に到達する切れ込みC2を形成する(図5(A)および図5(B)参照)。第2の切込工程(S1−6)により、積層体11に応じて配線基板10を分離する。例えば、ダイシングテープまたは固定治具等に配線基板10を固定して第2の切込工程(S1−6)を行うことができる。なお、例えば図5(A)および図5(B)等では、便宜のため下方向からダイシングブレードB2を進入させているように図示しているが、第1の切込工程(S1−5)の後に、配線基板10の面を反転させて固定して切れ込みC2を形成することが好ましい。
ダイシングブレードB1およびダイシングブレードB2としては、例えばダイヤモンドブレード等を用いることができる。回転させたダイヤモンドブレードを当接させた対象物を切削することにより切れ込みを形成することができる。このとき、ダイシングブレードB1の厚さD1は、例えば0.2mm以下、好ましくは0.15mm以下であることが好ましく、ダイシングブレードB2の厚さD2は、0.3mm以上であることが好ましい。
切れ込みC1と切れ込みC2を重畳させなければ配線基板10を分離することが困難であるが、切れ込みC1および切れ込みC2の位置合わせは難しい。そこで、ダイシングブレードB1およびダイシングブレードB2の一方が第1の厚さを有するとき、ダイシングブレードB1およびダイシングブレードB2の他方が第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する構成にすることにより、切れ込みC1と切れ込みC2が完全に重畳しない場合であっても切れ込みC1と切れ込みC2の少なくとも一部を重畳させやすくすることができるため、配線基板10を分離しやすくすることができる。
切れ込みC1の深さおよび切れ込みC2の深さは、異なっていてもよい。例えば、配線基板10を切断しつつ形成した切れ込み(図5(B)では切れ込みC2)が第1の深さを有するとき、金属板12を切断しつつ形成した切れ込み(図5(B)では切れ込みC1)が第1の深さよりも浅い第2の深さを有することにより、バリが出やすい金属板12を切削するときにおける樹脂封止層14の切削量を減らすことができるため、バリを少なくことができる。なお、バリを少なくするとは、バリの高さを低くすることを含む。
上記第1の切込工程(S1−5)および第2の切込工程(S1−6)を経て形成された半導体装置の構造例を図6に示す。図6(A)は、上面図であり、図6(B)は、図6(A)における線分A−Bの断面図である。図6(A)および図6(B)に示す半導体装置は、互いに対向する第1の面および第2の面を有する配線基板10と、金属板12と、金属板12上に積層された半導体チップ(半導体チップ22a、22b、29)とを備え、配線基板10の第1の面側に半導体チップが位置するように、配線基板10の第1の面に設けられた積層体11と、配線基板10の第1の面上に、金属板12の第2の面を露出させつつ積層体11を封止する封止樹脂層14と、を具備する。
さらに、半導体装置は、積層体11を囲むように金属板12の側面から封止樹脂層14の側面の一部まで一続きに連続して設けられた側面F1と、積層体11を囲むように配線基板10の側面から封止樹脂層14の側面の一部まで一続きに連続して設けられた側面F2と、を有する。側面F1と側面F2との間には、段差Lが設けられる。なお、上述の通り第1の深さよりも第2の深さを浅くする方がバリを少なくすることができるため、段差Lと配線基板10との距離よりも段差Lと金属板12との距離を小さくする方がバリを少なくすることができる。また、半導体装置の厚さを例えば1.2〜1.5mm程度にすることができる。さらに、第2の切込工程(S1−6)の後工程において、研磨等によりバリを除去してもよい。
なお、第1の切込工程(S1−5)において、金属板12側から切れ込みを形成し、その後第2の切込工程(S1−6)において、配線基板10側から切れ込みを形成する例について説明したが、第1の切込工程(S1−5)および第2の切込工程(S1−6)において切れ込みを形成する箇所を逆にしてもよい。
例えば、図7は、半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図であり、図7(A)は第1の切込工程(S1−5)を説明するための断面図、図7(B)は第2の切込工程(S1−6)を説明するための断面図である。なお、図2ないし図5を参照して説明した半導体装置の製造方法と同じ部分については、該製造方法の説明を適宜援用することができる。
図7(A)に示すように、第1の切込工程(S1−5)において、積層体11を囲むように、ダイシングブレードB2を用いて切れ込みC2を形成する。ここでは、配線基板10を切断しつつ封止樹脂層14に到達する切れ込みC2を形成する。その後、図7(B)に示すように、第2の切込工程(S1−6)において、積層体11を囲むように、ダイシングブレードB1を用いて切れ込みC1を形成することにより、積層体11に応じて配線基板10を分離する。ここでは、金属板12を切断しつつ切れ込みC2に到達する切れ込みC1を形成する。このように、本実施形態における半導体装置の製造方法では、第1の切込工程(S1−5)および第2の切込工程(S1−6)において切れ込みを形成する箇所を逆にすることができる。
さらに、図4および図5では、第1の切込工程(S1−5)において、ダイシングブレードB1を用い、第2の切込工程(S1−6)において、ダイシングブレードB1よりも厚いダイシングブレードB2を用いる例について示したが、第1の切込工程(S1−5)および第2の切込工程(S1−6)において使用するダイシングブレードを逆にしてもよい。
例えば、図8は、半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図であり、図8(A)は第1の切込工程(S1−5)を説明するための断面図、図8(B)は第2の切込工程(S1−6)を説明するための断面図である。なお、図2ないし図5を参照して説明した半導体装置の製造方法例と同じ部分については、該製造方法例の説明を適宜援用することができる。
図8(A)に示すように、第1の切込工程(S1−5)において、積層体11を囲むように、ダイシングブレードB2を用いて切れ込みC1を形成する。ここでは、金属板12を切断しつつ封止樹脂層14に到達する切れ込みC1を形成する。その後、図8(B)に示すように、第2の切込工程(S1−6)において、積層体11を囲むように、ダイシングブレードB1を用いて切れ込みC2を形成することにより、積層体11に応じて配線基板10を分離する。ここでは、配線基板10を切断しつつ切れ込みC1に到達する切れ込みC2を形成する。このように、本実施形態における半導体装置の製造方法では、第1の切込工程(S1−5)および第2の切込工程(S1−6)において使用するダイシングブレードを逆にすることができる。
以上のように、本実施形態では、ダイシング工程を第1の切込工程および第2の切込工程に分けて行うことにより、金属板を切削する際に発生するバリを少なくすることができる。よって、例えば半導体パッケージの厚膜化やショート等の発生を抑制することができる。
(第2の実施形態)
本実施形態では、第1の実施形態と異なる工程順である半導体装置の製造方法について説明する。
本実施形態では、第1の実施形態と異なる工程順である半導体装置の製造方法について説明する。
図9は、半導体装置の製造方法例を示すフローチャートである。図9に示す半導体装置の製造方法例は、準備工程(S2−1)と、搭載工程(S2−2)と、封止工程(S2−3)と、第1の切込工程(S2−4)と、端子形成工程(S2−5)と、第2の切込工程(S2−6)と、を少なくとも具備する。なお、準備工程(S2−1)は図1における準備工程(S1−1)に対応し、搭載工程(S2−2)は図1における搭載工程(S1−2)に対応し、封止工程(S2−3)は図1における封止工程(S1−3)に対応する。よって、準備工程(S2−1)ないし封止工程(S2−3)については、第1の実施形態における半導体装置の製造方法の説明を適宜援用することができる。
さらに、第1の切込工程(S2−4)、端子形成工程(S2−5)、および第2の切込工程(S2−6)について、図10を参照して説明する。
図10は、本実施形態における半導体装置の製造方法を説明するための図であり、図10(A)は、第1の切込工程(S2−4)を説明するための断面図であり、図10(B)は、端子形成工程(S2−5)を説明するための断面図であり、図10(C)は、第2の切込工程(S2−6)を説明するための断面図である。
準備工程(S2−1)から封止工程(S2−3)までを経て形成される半導体装置の一例は、図10(A)および図10(B)に示すように、互いに対向する第1の面および第2の面を有する配線基板10と、金属板12と、金属板12の一部の上に積層された半導体チップとを備える積層体11と、積層体11を封止する封止樹脂層14と、を具備する。なお、図2ないし図5を参照して説明した半導体装置の構造と同じ部分については該半導体装置の説明を適宜援用することができる。
第1の切込工程(S2−4)では、図10(A)に示すように、積層体11を囲むように、ダイシングブレードB1を用いて切れ込みC1を形成する。ここでは、金属板12を切断しつつ封止樹脂層14に到達する切れ込みC1を形成する(図10(A)参照)。
端子形成工程(S2−5)では、図10(B)に示すように、配線基板10の第2の面に外部接続端子15を形成する。外部接続端子15については、第1の実施形態における外部接続端子15の説明を適宜援用することができる。
第2の切込工程(S2−6)では、図10(C)に示すように、積層体11を囲むように、ダイシングブレードB2を用いて切れ込みC2を形成する。ここでは、配線基板10を切断しつつ切れ込みC1に到達する切れ込みC2を形成する。第2の切込工程(S2−6)により、積層体11に応じて配線基板10を分離する。ダイシングブレードB1およびダイシングブレードB2については、図4および図5を参照して説明したダイシングブレードB1およびダイシングブレードB2の説明を適宜援用することができる。
本実施形態における半導体装置の製造方法では、端子形成工程(S2−5)を行う前に第1の切込工程を行っているため、第1の切込工程(S2−4)において、ダイシングテープまたは固定治具等に配線基板10を固定する際に配線基板10との設置面を大きくすることができる。また、第1の切込工程(S2−4)において、金属板12を切断することにより、第2の切込工程(S2−6)において、固定面と反対側の面に外部接続端子15が形成された面を配置することができるため、第1の切込工程(S2−5)と同じ固定治具等を用いることができる。
なお、第1の実施形態と同様に、第1の切込工程(S2−5)および第2の切込工程(S2−6)において使用するダイシングブレードを逆にしてもよい。また、第1の実施形態と同様に切れ込みC1と切れ込みC2の深さを異ならせてもよい。
以上のように、本実施形態では、配線基板に外部接続端子を形成する前にダイシング工程の一部(第1の切込工程)を行うことで、バリの抑制を加え、ダイシング時の安定性を高めることができ、その後ダイシング工程の残部(第2の切込工程)を行うことにより、ダイシング時にチップがダイシングテープ等から剥がれてしまうことを抑制することができる。
なお、各実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…集合基板、10…配線基板、11…積層体、12…金属板、12a…バリ、13…外部接続端子、14…封止樹脂層、15…外部接続端子、21…接着層、22a…半導体チップ、22b…半導体チップ、23…外部接続端子、24…接着層、25…貫通電極、26…配線層、27…接続配線、28…電極パッド、29…半導体チップ、30…封止樹脂。
Claims (5)
- 配線基板の第1の面側に半導体チップが位置するように、前記配線基板の前記第1の面上に対し、金属板と前記金属板の一部の上に積層された半導体チップとを備える積層体を搭載し、
前記配線基板の前記第1の面上に前記積層体を封止する封止樹脂層を形成し、
第1のダイシングブレードを用いて前記金属板および前記配線基板の一方を切断しつつ前記封止樹脂層に到達する第1の切れ込みを、前記積層体を囲むように形成し、
第2のダイシングブレードを用いて前記金属板および前記配線基板の他方を切断しつつ前記第1の切れ込みに到達する第2の切れ込みを、前記積層体を囲むように形成することにより、前記積層体に応じて前記配線基板を分離する半導体装置の製造方法。 - 少なくとも前記第2の切れ込みを形成する前に、前記配線基板の前記第1の面と対向する第2の面上に外部接続端子を形成する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のダイシングブレードおよび前記第2のダイシングブレードの一方は、第1の厚さを有し、
前記第1のダイシングブレードおよび前記第2のダイシングブレードの他方は、前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の切れ込みおよび前記第2の切れ込みのうち、前記配線基板を切断しつつ形成した切れ込みは、第1の深さを有し、
前記第1の切れ込みおよび前記第2の切れ込みのうち、前記金属板を切断しつつ形成した切れ込みは、前記第1の深さよりも浅い第2の深さを有する、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 互いに対向する第1の面および第2の面を有する配線基板と、
金属板と、前記金属板上に積層された半導体チップとを備え、前記配線基板の前記第1の面側に前記半導体チップが位置するように、前記配線基板の前記第1の面上に搭載された積層体と、
前記配線基板の前記第1の面上に、前記金属板の少なくとも一部を露出させつつ前記積層体を封止するように設けられた封止樹脂層と、
前記積層体を囲むように、前記金属板の側面から前記封止樹脂層の側面の一部まで一続きに連続して設けられた第1の側面と、
前記積層体を囲むように、前記配線基板の側面から前記封止樹脂層の側面の一部まで一続きに連続して設けられた第2の側面と、を具備し、
前記第1の側面と前記第2の側面との間に段差が設けられている半導体装置。
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