JP2015172593A - アレイ作製方法及び型 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1のプロファイルを有する離散的な第1のマイクロフィーチャを備えた基板201を提供するステップと、第1のマイクロフィーチャ上に蒸着コーティング材料203を堆積することにより、第1のプロファイルとは実質的に異なる第2のプロファイルを有する第2のマイクロフィーチャを形成するステップと、を含む。
【選択図】図2B
Description
本出願は、2007年11月14日出願の米国特許仮出願第60/987,902号の優先権を主張するものである。
Siウェハ、ガラス、及びプラスチック基材上で、出力300mWの244nm周波数二倍化アルゴンレーザー(Santa Clara,CAのCoherent Inc.より入手可能なSabre FreDレーザー)を用いた干渉リソグラフィによって、ポジ型フォトレジスト(Marlborough,MAのRohm and Haas Electronic Materials Inc.から入手可能なShipley UV5 レジスト)中にフォトレジスト(PR)ポスト構造を作製した。直径240nm、ピッチ480nmのポスト構造を有するアレイが得られた。このポスト構造のアレイにスパッタリングにより堆積した110nmのインジウムスズ酸化物(ITO)、蒸着により堆積した390nmの有機発光ダイオード(OLED)、及び、同じく蒸着により堆積した250nmのAlを含む750nmの材料を被覆した。コーティング後、きわめて密集したマイクロスフィア構造が形成された。図4Aは実施例1のマイクロスフィアアレイの顕微鏡写真である。図4Bはこのマイクロスフィアアレイの一部を拡大した画像である。図示のように、きわめて密集したマイクロスフィア構造が形成された。マイクロスフィアの寸法と形状ははじめのポストの寸法、高さ、密度、又はオーバーコーティング工程におけるパラメータを変化させることにより制御することができる(実施例2及び3を参照)。
Siウェハ、ガラス、及びプラスチック基材上に、実施例1に述べたような干渉リソグラフィによってフォトレジスト(PR)ポスト構造を作製した。直径900nm、ピッチ1.6μmのPRポスト構造が得られた。プラズマ化学気相成長(PECVD)により、このPRポスト構造上に厚さ750nmの窒化ケイ素層をコーティングした。Yatton,UKのOxford Instrumentsより入手可能なModel PlasmaLab System 100により、表1に記述した以下のパラメータを用いた。
実施例3はマイクロスフィア表面に意図的に形成したナノ構造(又は粗さ)を示す。実施例1のような干渉リソグラフィにより、フォトレジスト(PR)ポストパターンをSiウェハ上に作製した。プラズマ化学気相成長(RPECVD)により、厚さ750nmの二酸化ケイ素層をPRポスト構造上にコーティングしたが、ここではマイクロスフィア表面を粗くするために堆積速度を速めた。堆積条件は表2に記載した通りである。
光リソグラフィにより、シリコンウエハ上にフォトレジスト(PR)パターンを作製した。実施例2におけると同様のプロセスパラメータを用いたPECVDにより、ポスト構造上に厚さ1500nmの二酸化ケイ素層を、マイクロスフィア上に粗さを形成するために堆積速度を速めてコーティングした。
実施例1の型から複製プロセスにより作製し、金コーティングを施したナノスフィアのアレイ上でビピリジン(BPY)の表面増強ラマンスペクトルを得た。BPYはSigma−Aldrich(St.Louis,MO)から入手した。BPYをメタノール溶液中に0.13mMの濃度で溶解した。次いで、この溶液を1滴、アレイの表面に付与した。余分な溶液をスピンによって除去した後、BPYの薄いコーティングがアレイの表面上に残った。DeltaNu(Laramie,WY)によって作製された「Inspector Raman」を用いて、ラマン散乱を記録した。レーザー波長は785nmであった。捕捉時間は10秒間であった。レーザー出力は約2.3mWであった。収集したスペクトル(図6条の601)では、金コーティングを施した密集したナノフフィアからなる基板上のBPYのSERSピークが1001、1291、及び1604cm−1で観察された。比較のため、金コーティングを施した、BPYを含まない試料を対照として測定し、そのSERSスペクトルを同じく図6上に602として示す。この対照試料では、3つの主要なSERSピークは見られない。
Claims (30)
- アレイの作製方法であって、
複数の離散的な第1のマイクロフィーチャであってそれぞれが第1のプロファイルを有する第1のマイクロフィーチャを基材上に提供するステップと、
前記第1のマイクロフィーチャ上に材料を堆積することにより、前記第1のプロファイルとは実質的に異なる第2のプロファイルを有する第2のマイクロフィーチャであって該第2のマイクロフィーチャの少なくとも1つが実質的に平面的な表面を含まない、第2のマイクロフィーチャを形成するステップと、を含む、アレイの作製方法。 - 前記第2のマイクロフィーチャの少なくとも1つが、少なくともその幅の10パーセントである高さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のマイクロフィーチャが、マイクロポスト、マイクロリッジ、又はこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の第1のマイクロフィーチャがフォトレジスト、熱可塑性ポリマー、熱硬化性ポリマー、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のマイクロフィーチャがフォトレジストを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第2のプロファイルが、球面、回転楕円面、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のマイクロフィーチャが約500μm未満の最大幅を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のマイクロフィーチャが約1μm未満の最大幅を有する、請求項7に記載の方法。
- 前記堆積するステップが真空蒸着を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記真空蒸着が化学気相成長及びプラズマ化学気相成長から選択される、請求項9に記載の方法。
- 前記材料が、導電体、絶縁体、半導体、ポリマー、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記導電体が、金属、金属酸化物、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項11に記載の方法。
- 前記金属が、銀、金、アルミニウム、銅、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項12に記載の方法。
- 前記金属酸化物がインジウムスズ酸化物を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記絶縁体が、SiO2、SiN、及びAl2O3から選択される、請求項11に記載の方法。
- 前記半導体が有機導体を含む、請求項11に記載の方法。
- 前記材料を堆積するステップの後に、平滑化層を付加するステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記平滑化層が金属を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記金属が、アルミニウム、スズ、ニッケル、金、銀、及びこれらの組み合わせから選択される、請求項18に記載の方法。
- アレイの作製方法であって、
複数の離散的な第1のナノフィーチャであってそれぞれが第1のプロファイルを有する第1のナノフィーチャを基材上に提供するステップと、
前記第1のナノフィーチャ上に材料を堆積することにより、前記第1のプロファイルとは実質的に異なる第2のプロファイルを有する第2のナノフィーチャであって該第2のナノフィーチャの少なくとも1つが実質的に平面的な表面を含まない、第2のナノフィーチャを形成するステップと、を含む、アレイの作製方法。 - 前記第1のナノフィーチャが100nm未満の最大幅を有する、請求項20に記載の方法。
- アレイの作製方法であって、
複数の離散的な第1のマイクロフィーチャであってそれぞれが第1のプロファイルを有する第1のマイクロフィーチャを基材上に提供するステップと、
前記第1のマイクロフィーチャ上に材料を堆積することにより、前記第1のプロファイルとは実質的に異なる第2のプロファイルを有する第2のマイクロフィーチャであって該第2のマイクロフィーチャの少なくとも1つが実質的に平面的な表面を含まない、第2のマイクロフィーチャを形成するステップと、
前記第2のプロファイルを有する前記第2のマイクロフィーチャに第1の複製材料を付加するステップと、
前記第1の複製材料を前記第2のマイクロフィーチャから分離して型を形成するステップと、を含む、アレイの作製方法。 - 前記第1の複製材料を付加する前に、前記第2のプロファイルを含む前記マイクロフィーチャに平滑化層を付加するステップを更に含む、請求項22に記載の方法。
- 請求項22に記載の方法に従って作製した型。
- 前記型に第2の複製材料を付加するステップと、
前記型から前記第2の複製材料を分離して複製を形成するステップと、を更に含む、請求項22に記載の方法。 - 請求項25に記載の方法に従って作製した複製。
- 前記複製がマイクロレンズアレイを含む、請求項26に記載の複製。
- 複数の離散的な第1のマイクロフィーチャであってそれぞれが第1のプロファイルを有する、基材上の第1のマイクロフィーチャと、
前記第1のプロファイルとは実質的に異なる第2のプロファイルを有しかつ第2のマイクロフィーチャの少なくとも1つが実質的に平面的な表面を含まない第2のマイクロフィーチャを形成する、前記各第1のマイクロフィーチャ上の材料と、を含む型。 - 請求項1又は20に記載の方法に従って、前記材料が金属を含む、アレイを提供するステップと、
前記アレイの少なくとも一部分にごく近接させて被分析物を提供するステップと、
前記被分析物について表面増強ラマン分光法を適用するステップと、を含む分析方法。 - 請求項25に記載の方法に従って複製を提供するステップと、
前記複製に金属の層をコーティングして金属化したアレイを形成するステップと、
前記金属化したアレイの少なくとも一部分にごく近接させて被分析物を提供するステップと、
前記被分析物について表面増強ラマン分光法を適用するステップと、を含む分析方法。
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