CN111766222B - 一种基于柔性基底的lspr传感器及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种基于柔性基底的LSPR传感器及其制备方法和应用，涉及微纳米制备技术领域。本发明提供的基于柔性基底的LSPR传感器，包括柔性聚合物基底和位于所述柔性聚合物基底表面的等离子体激发材料层；所述等离子体激发材料层表面具有岛状二维纳米结构阵列图形。相比于硬质基底的LSPR器件，本发明提供的基于柔性基底的LSPR传感器的基底为柔性基底，制备的LSPR传感器具有可任意弯曲、质量轻、价格便宜等优点；而且，基于柔性基底的LSPR传感器具有良好的水氧阻绝功能，化学性质相对稳定，具有更大的灵活性，拓展了LSPR传感器的应用领域。同时，制备方法工艺简单，成本低，具有较高的工艺重复性，良品率在70％以上。

Description

一种基于柔性基底的LSPR传感器及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及微纳米制备技术领域，具体涉及一种基于柔性基底的LSPR传感器及其制备方法和应用。
背景技术
不连续的金属纳米结构在入射光照射下，当光频率与金属表面自由电子的集体振荡频率相匹配时，在纳米结构上会产生很强的局部表面等离子体共振(Localized SurfacePlasmon Resonance，LSPR)效应，呈现出强的光谱吸收，微量物质分子吸附引发的局域表面折射率微小变化转换成可测量的波长移动，从而实现对其表面分子的有效探测。基于LSPR的传感器在食品、药物和环境检测等方面具有广泛的应用。目前LSPR传感器表面的纳米结构大多是通过直接在硬质基底上制备具有LSPR效应的金属纳米结构阵列得到，然而硬质基底不能任意弯曲，限制了其应用。
发明内容
鉴于此，本发明的目的在于提供一种基于柔性基底的LSPR传感器及其制备方法和应用，本发明提供的基于柔性基底的LSPR传感器能够任意弯曲。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种基于柔性基底的LSPR传感器，包括柔性基底和位于所述柔性聚合物基底表面的等离子体激发材料层；所述等离子体激发材料层表面具有岛状二维纳米结构阵列图形。
优选的，所述柔性聚合物基底包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
优选的，所述柔性聚合物基底的厚度为100～800μm。
优选的，所述等离子体激发材料层为金属膜，所述金属膜包括金膜、银膜、铜膜或铝膜。
优选的，所述等离子体激发材料层的厚度为60～150nm。
优选的，所述岛状二维纳米结构阵列图形的形状为圆形、方形、菱形或三角形。
优选的，所述岛状二维纳米结构阵列图形的深度为30～80nm。
本发明提供了上述技术方案所述基于柔性基底的LSPR传感器的制备方法，包括以下步骤：
在柔性聚合物基底表面沉积等离子体激发材料，在所述柔性聚合物基底表面形成等离子体激发材料层；
在所述等离子体激发材料层表面涂覆光刻胶，形成光刻胶层；
依次通过光刻和显影在所述光刻胶层构建岛状二维纳米结构阵列图形；
通过干法刻蚀将所述岛状二维纳米结构阵列图形传递至所述等离子体激发材料层，去除残余光刻胶，得到基于柔性基底的LSPR传感器。
优选的，所述光刻包括电子束光刻、离子束光刻、干涉光刻或SP超分辨光刻；
所述电子束光刻的工作参数包括：曝光剂量为300～350mC/cm2，电流为10～16nA，加速电压为100～120kV；
所述干涉光刻的工作参数包括：曝光剂量为12～20mJ/cm2；
所述SP超分辨光刻的工作参数包括：曝光剂量为20～100mJ/cm2，空气压力为0.1～0.3Mpa。
本发明还提供了上述技术方案所述基于柔性基底的LSPR传感器或上述技术方案所述制备方法制备的基于柔性基底的LSPR传感器在食品、药物或环境中微量物质检测的应用。
本发明提供了一种基于柔性基底的LSPR传感器，包括柔性聚合物基底和位于所述柔性聚合物基底表面的等离子体激发材料层；所述等离子体激发材料层表面具有岛状二维纳米结构阵列图形。相比于硬质基底的LSPR器件，本发明提供的LSPR传感器的基底为柔性聚合物基底，制备的LSPR传感器具有可任意弯曲、质量轻、价格便宜等优点；而且，基于柔性基底的LSPR传感器具有良好的水氧阻绝功能，且具有更大的灵活性，拓展了LSPR传感器的应用领域。
本发明提供的制备方法，操作简单，成本低，具有较高的工艺重复性，基于柔性基底的LSPR传感器的良品率在70％以上，适宜工业化生产。
附图说明
图1为基于柔性基底的LSPR传感器的光刻示意图，其中，1为紫外照明光源，2为掩模基底，3为微纳米掩模图形，4为光刻胶层，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底，7为硬质基底；
图2为在硬质基底表面依次贴合柔性聚合物基底、沉积等离子体激发材料层和涂覆光刻胶后器件的剖面结构示意图，其中，4为光刻胶层，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底，7为硬质基底；
图3为显影后器件的剖面结构示意图，其中，4为光刻胶层，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底，7为硬质基底；
图4为岛状二维纳米结构阵列图形传递至等离子体激发材料层后器件的剖面结构示意图，其中，4为光刻胶层，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底，7为硬质基底；
图5为基于柔性基底的LSPR传感器的结构示意图，其中，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底；
图6为实施例1制备的基于柔性基底的LSPR传感器的岛状二维纳米结构阵列图形的电镜图。
具体实施方式
本发明提供了一种基于柔性基底的LSPR传感器，包括柔性聚合物基底和位于所述柔性聚合物基底表面的等离子体激发材料层；所述等离子体激发材料层表面具有岛状二维纳米结构阵列图形。
在本发明中，所述柔性聚合物基底优选包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。在本发明中，所述柔性聚合物基底的厚度优选为100～800μm，更优选为100～300μm，最优选为100μm。在本发明中，所述柔性聚合物基底的阻绝水氧性好且化学性质稳定。
在本发明中，所述等离子体激发材料层优选为金属膜，所述金属膜优选包括金膜、银膜、铜膜或铝膜。在本发明中，所述等离子体激发材料层的厚度优选为60～150nm，更优选为90～110nm，最优选为100nm。
在本发明中，所述岛状二维纳米结构阵列图形的形状优选为圆形、方形、菱形或三角形；所述岛状二维纳米结构阵列图形的深度优选为30～80nm，更优选为40～70nm，最优选为50～60nm。在本发明中，所述等离子体激发材料层的厚度与所述表面岛状二维纳米结构阵列图形的深度的差值优选为20～70nm，更优选为30～60nm，最优选为40～50nm。
在本发明中，所述岛状二维纳米结构阵列图形的单体的尺寸优选为50～1000nm，更优选为200～600nm，最优选为300～400nm。在本发明中，所述岛状二维纳米结构阵列图形优选具有周期性或非周期性。在本发明中，所述岛状二维纳米结构阵列图形的X方向和Y方向的周期性独立的优选为200～700nm，更优选为250～500nm，最优选为280～320nm。
本发明提供了上述技术方案所述基于柔性基底的LSPR传感器的制备方法，包括以下步骤：
在柔性聚合物基底表面沉积等离子体激发材料，在所述柔性聚合物基底表面形成等离子体激发材料层；
在所述等离子体激发材料层表面涂覆光刻胶，形成光刻胶层；
依次通过光刻和显影在所述光刻胶层构建岛状二维纳米结构阵列图形；
通过干法刻蚀将所述岛状二维纳米结构阵列图形传递至所述等离子体激发材料层，去除残余光刻胶，得到基于柔性基底的LSPR传感器。
在本发明中，若无特殊说明，所有的原料组分均为本领域技术人员熟知的市售商品。
在本发明中，所述基于柔性基底的LSPR传感器的光刻示意图如图1所示，其中，1为紫外照明光源，2为掩模基底，3为微纳米掩模图形，2和3共同组成掩模(只在超分辨光刻中使用)，4为光刻胶层，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底，7为硬质基底。
本发明在在柔性聚合物基底表面沉积等离子体激发材料，在所述柔性聚合物基底表面形成等离子体激发材料层。
在本发明中，所述柔性聚合物基底优选包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)；所述柔性聚合物基底的厚度优选为100～800μm，更优选为200～700μm，最优选为300～500μm。
在本发明中，当所述柔性聚合物基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)时，本发明优选将所述柔性聚合物基底贴合于硬质基底表面，然后在所述柔性聚合物基底表面沉积等离子体激发材料。在本发明中，当所述柔性聚合物基底为聚甲基丙烯酸甲酯时，由于聚甲基丙烯酸甲酯具有一定的机械强度，不需要硬质基底作为支撑。
在本发明中，所述硬质基底优选包括硅片、石英或玻璃。在本发明中，所述硬质基底优选为表面平整的硬质基底。在本发明中，所述硬质基底在使用前，优选还包括对所述硬质基底进行清洗；所述清洗的方法优选包括以下步骤：将硬质基底浸没于H2SO4-H2O2混合溶液中加热洗涤，水洗后干燥，得到干净硬质基底。在本发明中，所述H2SO4-H2O2混合溶液中H2SO4：H2O2的摩尔比优选为(2～4):1，更优选为3:1；所述H2SO4-H2O2混合溶液中H2SO4的浓度优选为90～99wt％，更优选为95～98wt％；所述H2SO4-H2O2混合溶液中H2O2的浓度优选为30～80wt％，更优选为50～60wt％。在本发明中，所述加热洗涤的温度优选为110～130℃，更优选为120℃；时间优选为20～40min，更优选为30min。本发明对于所述H2SO4-H2O2混合溶液的用量没有特殊限定，能够将硬质基底浸没即可。在本发明中，所述加热洗涤采用的容器优选为玻璃容器，更优选为烧杯或培养皿。在本发明中，所述水洗优选为水冲洗，本发明对于所述水冲洗的次数没有特殊限定，能够将硬质基底表面的H2SO4和H2O2去除干净即可。在本发明中，所述干燥的方式优选为氮气吹干。
本发明对于所述贴合的方法没有特殊限定，能够将柔性聚合物基底与硬质基底牢固结合即可；在本发明的实施例中，优选通过胶带将柔性聚合物基底贴合到硬质基底表面。
在本发明中，所述等离子体激发材料优选包括金、银、铜或铝。
在本发明中，所述沉积的方法优选包括电阻蒸发镀膜或磁控溅射镀膜。在本发明中，所述电阻蒸发镀膜的工作参数包括：阻蒸电流优选为120～200A，更优选为140～180A，最优选为150～160A；工件转数优选为15～20Hz，更优选为16～19Hz，最优选为17～18Hz；蒸发镀膜的时间优选为1.5～4min，更优选为1.8～3min，最优选为2～2.5min。
在本发明中，所述磁控溅射镀膜的工作参数包括：RF功率优选为200～400W，更优选为250～350W，最优选为300W；Ar气体流量优选为6～12sccm，更优选为7～11sccm，最优选为8～10sccm；工件转数为10～30Hz，更优选为15～25Hz，最优选为20Hz。在本发明中，所述磁控溅射优选为间歇式溅射，所述间歇式溅射优选为溅射1min停止2min，分次溅射；所述磁控溅射的总时间优选为2～5min，更优选为2.5～4.5min，最优选为3～4min。本发明采用间歇式溅射方式能够防止磁控溅射过程中温度过高进而对柔性聚合物基底造成损坏。
得到等离子体激发材料层后，本发明在所述等离子体激发材料层表面涂覆光刻胶，形成光刻胶层。
在本发明中，所述光刻胶优选包括AR-P-3170、AZ1500或AZ3100，所述光刻胶优选购买于北京汇德信科技有限公司。本发明对于所述涂覆的方法没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的的涂覆方法即可；在本发明中，所述涂覆的方式优选为旋涂；所述旋涂的转速优选为4000～6000rpm，更优选为4500～5500rpm，最优选为5000rpm；时间优选为8～12s，更优选为9～11s，最优选为10s。
所述涂覆后，本发明优选还包括将所述涂覆得到的湿光刻胶层进行干燥，得到光刻胶层。在本发明中，所述干燥的温度优选为80～120℃，更优选为90～110℃，最优选为95～100℃；时间优选为5～15min，更优选为8～12min，最优选为10min。
在本发明中，所述光刻胶层的厚度优选为50～200nm，更优选为80～150nm，最优选为90～120nm。
在本发明中，在硬质基底表面依次贴合柔性聚合物基底、沉积等离子体激发材料层和涂覆光刻胶后器件的剖面结构示意图如图2所示，其中，4为光刻胶层，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底，7为硬质基底。
得到光刻胶层后，本发明依次通过光刻和显影在所述光刻胶层构建岛状二维纳米结构阵列图形。
所述光刻前，在本发明优选还包括在所述光刻胶层表面覆盖掩膜。
在本发明中，所述光刻优选包括电子束光刻、干涉光刻或SP超分辨光刻。在本发明中，所述电子束光刻的工作参数包括：曝光剂量优选300～350mC/cm2，更优选为310～340mC/cm2，最优选320～330mC/cm2；电流优选为10～16nA，更优选为11～15nA，最优选为12～13nA；加速电压优选为100～120kV，更优选为105～115kV，最优选为110kV。
在本发明中，所述干涉光刻的工作参数包括：曝光剂量优选为12～20mJ/cm2，更优选为14～18mJ/cm2，最优选为15～16mJ/cm2。
在本发明中，所述SP超分辨光刻的工作参数包括：曝光剂量优选为20～100mJ/cm2，更优选为40～80mJ/cm2，最优选为50～60mJ/cm2；空气压力为优选0.1～0.3Mpa，更优选0.15～0.25Mpa，最优选为0.2Mpa。
在本发明中，所述显影利用的显影液优选包括AR 300-35(德国ALL RESIST)或AZ300MIF DEVELOPER(安智AZ系列)。在本发明中，所述显影液的显影温度优选为0～5℃。在本发明中，所述显影的时间优选为40～60s，更优选为50s。本发明对于所述显影的操作没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的显影操作即可。在本发明中，所述显影后器件的剖面结构示意图如图3所示，其中，4为光刻胶层，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底，7为硬质基底；光刻胶层4形成的图形即为光刻得到的岛状二维纳米结构阵列图形。
构建得到岛状二维纳米结构阵列图形后，本发明通过干法刻蚀将所述岛状二维纳米结构阵列图形传递至所述等离子体激发材料层，去除残余光刻胶，得到基于柔性基底的LSPR传感器。
在本发明中，所述干法刻蚀优选为离子束刻蚀；所述干法刻蚀的工作参数包括：刻蚀束流优选40～60mA，更优选为45～55mA，最优选为50mA；刻蚀角度优选为50～70°，更优选为55～65°，最优选为60°；干法刻蚀过程利用的等离子体优选包括氩等离子体。在本发明中，所述干法刻蚀的方式优选为间歇式干法刻蚀，所述间歇式干法刻蚀优选为刻蚀10s停止1min，分次刻蚀；所述间歇式干法刻蚀的总时间优选为3～6min，更优选为4～5.5min，最优选为4.5～5min。本发明采用间歇式刻蚀方式能够防止刻蚀产生的高温对刻蚀基底产生损伤。
在本发明中，岛状二维纳米结构阵列图形传递至所述等离子体激发材料层后器件的剖面结构示意图如图4所示，其中，4为光刻胶层，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底，7为硬质基底；光刻胶层4和等离子体激发材料层5形成的图形即为岛状二维纳米结构阵列图形。
在本发明中，所述去除残余光刻胶优选利用去胶液进行，所述去胶液优选包括RemoverPG(MICRO CHEM公司)。本发明对于所述去胶液的用量没有特殊限定，能够将所述残余光刻胶浸没即可。
在本发明中，当柔性聚合物基底贴合于硬质基底表面时，所述去除残余光刻胶后，优选还包括将柔性聚合物基底与硬质基底剥离，得到基于柔性基底的LSPR传感器。本发明对于所述剥离的方法没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的剥离方法即可。当采用胶带将柔性聚合物基底贴合于硬质基底表面时，所述剥离的方法优选为刀片机械剥离方法。
在本发明中，所述基于柔性基底的LSPR传感器的结构示意图如图5所示，其中，5为等离子体激发材料层，6为柔质基底；等离子体激发材料层5形成的图形即为岛状二维纳米结构阵列图形。
本发明还提供了上述技术方案所述基于柔性基底的LSPR传感器或上述技术方案所述制备方法制备的基于柔性基底的LSPR传感器在食品、药物或环境中微量物质检测中的应用。
在本发明中，所述传感器检测的应用环境优选为液相环境或气相环境。在本发明中，所述微量物质优选包括抗体、血清标志物和病毒基因中的一种或多种。在本发明中，所述微量物质的浓度优选为0.8～50μg/mL，更优选为1～20μg/mL，最优选为1.6～8μg/mL。
采用搭建的SPR测试平台进行物质检测，主要由棱镜系统搭建的光路和光谱仪组成。测试时将传感器置于流通池中，向流通池中注入需要检测的蛋白物质与传感器结合，通过连续波长的激光照射传感器测量反射光随波长的变化，得到波长型的SPR光谱进行定量检测分析。
下面将结合本发明中的实施例，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
制作XY方向周期均为300nm、深度为50nm、等离子体激发材料层厚度为100nm的菱形岛状二维纳米结构阵列图形。
(1)用胶带将厚度为100μm的聚酰亚胺平整贴合在厚度为3mm的石英基片表面，采用电阻加热蒸发的方式在所述聚甲基丙烯酸甲酯表面沉积厚度为100nm的Ag膜，阻蒸电流160A，蒸镀时间2min；
(2)在Ag膜表面以5000rpm的速度旋涂AR-P-3170光刻胶10s，然后在100℃条件下干燥10min，得到厚度为100nm的光刻胶层；
(3)在所述光刻胶层表面采用接触式光刻方法，将XY方向周期均为300nm的菱形微纳米掩模图形光刻至所述光刻胶层，在365nm紫外曝光光源、20mJ/cm2条件下曝光20s后利用AR 300-35显影50s，得到XY方向均为周期300nm、菱形的岛状二维纳米结构阵列图形；
(4)采用离子束(IBE)刻蚀去除裸露的银膜，将所述光刻胶层的岛状二维纳米结构阵列图形刻蚀传递至所述银膜，浸没于RemoverPG去胶液中去除残余的光刻胶，将器件取出后将柔性聚合物基底与硬质基底剥离，得基于柔性基底的LSPR传感器，其中，IBE刻蚀的工作参数：电压400V，电流150mA，Ar气体流量14sccm。
本实施例制备的基于柔性基底的LSPR传感器的菱形岛状二维纳米结构阵列图形的扫描电镜图如图6所示，由图6可知，得到的菱形岛状二维纳米结构棱角清晰，微结构分辨率和完整度好。
实施例2
制作XY方向周期均为500nm、深度为40nm、等离子体激发材料层厚度为50nm的圆孔沟槽形状岛状二维纳米结构阵列图形。
(1)采用磁控溅射的方式在800μm聚甲基丙烯酸甲酯表面沉积厚度为80nm的金膜，Au的沉积速度为10.2nm/min，其中，磁控溅射的工作参数：RF功率为200W，Ar气体流量为8sccm，转数为20Hz；溅射1min停止2min，分次溅射；
(2)在金膜表面以5000rpm的速度旋涂AR-P-3170光刻胶10s，然后在100℃条件下干燥10min，得到厚度为100nm的AR-P-3170光刻胶层；
(3)在所述光刻胶层表面采用SP超分辨光刻，将XY方向周期均为500nm的圆孔沟槽形状掩膜置于所述光刻胶层表面接触压紧10min，将掩模基底置于所述微纳米掩模图形的表面，在365nm紫外曝光光源、光强为20mJ/cm2下曝光200s，然后置于0℃的显影液AR 300-35中显影50s，得到XY方向周期均为500nm的圆孔沟槽形状岛状二维纳米结构阵列图形；
(4)采用离子束(IBE)光刻去除裸露的金膜，将所述光刻胶表面的岛状二维纳米结构阵列图形刻蚀传递至所述金膜，浸没于RemoverPG去胶液中去除残余的光刻胶，将器件取出后将柔性聚合物基底与硬质基底剥离，得基于柔性基底的LSPR传感器，其中，IBE光刻的工作参数：电压400V，电流150mA，Ar气体流量14sccm，采用刻蚀10s停止1min的方式分5次刻蚀。
将所制得的芯片置于透射光谱测试系统中，测试其反射光谱曲线，本例中采用的光源为LS-1卤钨灯光源(Ocean Optics,USA)，光谱仪为USB4000(Ocean Optics,USA)，峰值在700nm附近，经过50～100次弯折后反射峰也未出现明显偏移。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种基于柔性基底的LSPR传感器，包括柔性聚合物基底和位于所述柔性基底表面的等离子体激发材料层；所述等离子体激发材料层表面具有岛状二维纳米结构阵列图形；
所述柔性聚合物基底的厚度为100~800μm；
所述岛状二维纳米结构阵列图形的深度为30~80nm；
所述等离子体激发材料层的厚度为60~150nm；所述等离子体激发材料层的厚度与所述岛状二维纳米结构阵列图形的深度的差值为20~70nm；
所述基于柔性基底的LSPR传感器的制备方法，包括以下步骤：
在柔性聚合物基底表面沉积等离子体激发材料，在所述柔性聚合物基底表面形成等离子体激发材料层；
在所述等离子体激发材料层表面涂覆光刻胶，形成光刻胶层；
依次通过光刻和显影在所述光刻胶层构建岛状二维纳米结构阵列图形；
通过干法刻蚀将所述岛状二维纳米结构阵列图形传递至所述等离子体激发材料层，去除残余光刻胶，得到基于柔性基底的LSPR传感器。
2.根据权利要求1所述的基于柔性基底的LSPR传感器，其特征在于，所述柔性聚合物基底包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的基于柔性基底的LSPR传感器，其特征在于，所述等离子体激发材料层为金属膜，所述金属膜包括金膜、银膜、铜膜或铝膜。
4.根据权利要求1所述的基于柔性基底的LSPR传感器，其特征在于，所述岛状二维纳米结构阵列图形的形状为圆形、方形、菱形或三角形。
5.权利要求1~4任一项所述基于柔性基底的LSPR传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在柔性聚合物基底表面沉积等离子体激发材料，在所述柔性聚合物基底表面形成等离子体激发材料层；
在所述等离子体激发材料层表面涂覆光刻胶，形成光刻胶层；
依次通过光刻和显影在所述光刻胶层构建岛状二维纳米结构阵列图形；
通过干法刻蚀将所述岛状二维纳米结构阵列图形传递至所述等离子体激发材料层，去除残余光刻胶，得到基于柔性基底的LSPR传感器。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述光刻包括电子束光刻、离子束光刻、干涉光刻或SP超分辨光刻；
所述电子束光刻的工作参数包括：曝光剂量为300~350mC/cm2，电流为10~16nA，加速电压为100~120kV；
所述干涉光刻的工作参数包括：曝光剂量为12~20mJ/cm2；
所述SP超分辨光刻的工作参数包括：曝光剂量为20~100mJ/cm2，空气压力为0.1~0.3Mpa。
7.权利要求1~4任一项所述基于柔性基底的LSPR传感器或权利要求5~6任一项所述制备方法制备的基于柔性基底的LSPR传感器在食品、药物或环境中微量物质检测的应用。
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