KR100806513B1 - 전도성층의 패턴화 방법, 이를 이용한 편광소자의 제조방법 및 이 방법에 의하여 제조된 편광소자 - Google Patents

전도성층의 패턴화 방법, 이를 이용한 편광소자의 제조방법 및 이 방법에 의하여 제조된 편광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR100806513B1
KR100806513B1 KR1020060052924A KR20060052924A KR100806513B1 KR 100806513 B1 KR100806513 B1 KR 100806513B1 KR 1020060052924 A KR1020060052924 A KR 1020060052924A KR 20060052924 A KR20060052924 A KR 20060052924A KR 100806513 B1 KR100806513 B1 KR 100806513B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin layer
layer
protrusions
patterning
conductive
Prior art date
Application number
KR1020060052924A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060129970A (ko
Inventor
김덕주
한상철
김종훈
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20060129970A publication Critical patent/KR20060129970A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100806513B1 publication Critical patent/KR100806513B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 a) 수지층에 패턴화하여 홈부와 돌기부를 형성하는 단계, 및 b) 상기 수지층 상의 패턴화된 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 전도성 충진제를 수지층 상에 패턴화하여 코팅하는 단계를 포함하는 전도성층의 패턴화 방법, 이 방법을 이용한 편광소자의 제조 방법, 이 방법에 의하여 제조된 편광소자 및 이 편광소자를 구비한 디스플레이용 장치를 제공한다.
전도성층, 패턴화, 편광소자, 나노그리드

Description

전도성층의 패턴화 방법, 이를 이용한 편광소자의 제조 방법 및 이 방법에 의하여 제조된 편광소자{METHOD OF PATTERNING CONDUCTIVE LAYERS, METHOD OF MANUFACTURING POLARIZERS, AND POLARIZERS MANUFACTURED USING THE SAME}
도 1은 나노그리드 편광소자의 작용원리를 나타낸 개략도이다.
도 2는 종래기술에 따른 나노그리드 편광소자의 한 예의 단면도이다.
도 3은 종래기술에 따라 포토마스크 노광과 에칭법을 이용한 나노그리드 편광소자의 제조방법의 모식도이다.
도 4는 종래기술에 따라 나노임프린팅법과 에칭법을 이용한 나노그리드 편광소자의 제조방법의 모식도이다.
도 5는 본 발명의 하나의 실시상태에 따른 나노그리드 편광소자의 제조방법의 모식도이다.
도 6은 본 발명의 또 하나의 실시상태에 따른 나노그리드 편광소자의 제조방법의 모식도이다.
도 7은 스테레오리소그래피 방법을 이용하여 스템퍼를 제작하는 공정의 모식도이다.
도 8 내지 12는 본 발명에 따른 나노그리드 편광소자의 구조를 예시한 단면도들이다.
도 13은 전도성 충진제의 선택적 충진방법을 예시한 것이다.
본 발명은 전도성층의 패턴화 방법, 이 방법을 이용한 편광소자의 제조 방법 및 이 방법에 의하여 제조된 편광소자에 관한 것이다.
본 출원은 2005년 6월 13일 및 2006년 1월 10에 각각 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2005-0050416호 및 제10-2006-0002769호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
편광소자는 자연광과 같은 비편광된 빛 중에서 특정한 진동방향을 갖는 직선 편광을 끌어내는 광학소자를 의미한다. 편광소자는 선글라스, 카메라용 필터, 스포츠 고글, 자동차 헤드라이트, 현미경용 편광 필름 등 광범위한 분야에 이용되고 있으며, 최근에는 액정표시장치에의 적용이 증가하고 있다.
편광소자의 한 종류인 나노그리드 편광소자는 도 1에 예시한 바와 같이 전도성 나노 그리드(nano grid)를 이용하여 편광을 만들어내는 편광소자이다. 그런데, 종래의 나노그리드 편광소자는 제조방법이 복잡하고 효율이 낮으며 대면적으로 제조하기 어려워 액정표시장치에 사용될 수 없었다.
구체적으로, 종래의 나노그리드 편광소자는 대표적으로 다음의 2가지 방법으로 제조되었다.
하나의 방법은 도 3에 예시되어 있다. 이 방법에 따르면, 유리나 석영 등의 무기물 기재에 전도성 금속막층을 형성하고, 그 위에 포토레지스트층을 형성한 후, 이 포토레지스트층을 포토마스크에 의하여 선택적으로 노광하고 현상하여 패턴화한다. 이어서, 패턴화된 포토레지스트층을 이용하여 포토레지스트층의 아래에 적층된 전도성 금속막층을 식각하여 전도성 금속막층을 패턴화한다. 이어서, 상기 포토레지스트층을 제거한다.
다른 하나의 방법은 도 4에 예시되어 있다. 이 방법에 따르면, 무기물 기재에 전도성 금속막층을 형성하고 그 위에 포토레지스트층을 형성한 후, 이 포토레지스트층을 스템퍼에 의해 가압하여 변형시키고, 노광 및 현상에 의하여 패턴화한다. 이어서, 패턴화된 포토레지스트층을 이용하여 포토레지스트층의 아래에 적층된 전도성 금속막층을 식각하여 전도성 금속막층을 패턴화하고, 포토레지스트층을 제거한다.
전술한 바와 같이, 종래 기술에 따른 나노그리드 편광소자의 제조 방법은 전도성 금속막층을 패턴화하기 위하여 전도성 금속막층 상에 포토레지스트층 형성, 포토레지스트층의 패턴화 및 포토레지스트층의 제거 단계를 거쳐야하기 때문에 공정이 복잡하고 고비용인 문제가 있다. 또한, 상기 종래기술의 방법에서 사용되는 포토마스크 또는 스템퍼는 전자빔이나 X-선 등을 이용하여 제조되기 때문에 작은 면적으로 밖에 제조될 수 없었다. 따라서, 종래 기술에 의해서는 나노그리드 편광소자를 대면적으로 제조할 수 없었다.
본 발명자들은 종래의 에칭법을 이용하지 않고 열성형법 또는 광경화법과 같 은 플라스틱성형법을 이용하여 수지에 패턴화하여 홈부와 돌기부를 형성한 후, 상기 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 수지층 상에 전도성 충진재를 패턴화하여 코팅하는 방법을 이용함으로써, 에칭공정에 의한 오염 및 전도성 원료의 낭비를 방지하고, 저비용으로 간단하게 전도성층을 패턴화할 수 있다는 사실을 밝혀내었다. 또한, 상기 수지에 홈부와 돌기부를 형성하기 위한 하나의 방법으로서 스테레오리소그래피에 의하여 제조한 스템퍼를 이용하는 경우, 전도성층을 대면적에 효율적으로 패턴화할 수 있고, 이와 같은 기술을 이용하여 나노그리드 편광소자를 대면적으로 제조할 수 있다는 사실을 밝혀내었다.
이에 본 발명은 전도성층의 패턴화 방법, 이 방법을 이용한 편광소자의 제조방법, 이 방법에 의하여 제조된 편광소자 및 이 편광소자를 구비한 디스플레이용 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은
a) 수지층에 패턴화하여 홈부와 돌기부를 형성하는 단계, 및
b) 상기 수지층 상의 패턴화된 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 전도성 충진제를 수지층 상에 패턴화하여 코팅하는 단계
를 포함하는 전도성층의 패턴화 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은
a) 수지층에 패턴화하여 홈부와 돌기부를 형성하는 단계, 및
b) 상기 수지층 상의 패턴화된 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 전 도성 충진제를 수지층 상에 패턴화하여 코팅하는 단계
를 포함하는 편광소자의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 패턴화된 홈부와 돌기부가 형성된 수지층 및 이 수지층에 형성된 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 패턴화하여 코팅된 전도성 충진제를 포함하는 편광소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 편광소자를 구비한 디스플레이용 장치를 제공한다.
이하에서, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 하나의 실시상태에 따른 전도성층의 패턴화 방법은 도 5에 예시되어 있다. 이 실시상태에서는 수지층으로서 지지체 역할을 할 수 있는 동시에 패턴화된 홈부와 돌기부가 형성될 수 있는 수지층을 사용한다. 이 수지층에 패턴화하여 홈부와 돌기부를 형성한다. 여기서, 홈부와 돌기부의 패턴화는 예컨대 스템퍼를 이용하여 수지층을 가압하고 열경화 또는 광경화한 후, 수지층으로부터 스템퍼를 분리하는 방식으로 수행할 수 있다. 본 발명에 따른 전도성층의 패턴화 방법을 이용하여 나노그리드 편광소자를 제조하는 경우, 상기 홈부는 소정 간격을 갖는 그리드(grid) 형상인 것이 바람직하다. 예컨대, 수지층 상의 홈부와 돌기부는 도 8 내지 10에 도시된 형상 또는 도 11 및 12에 도시된 형상일 수 있으며, 동일한 형상이 일정한 간격으로 형성되어 있으면 그 형상에는 특별히 한정되지 않는다. 또한, 상기 홈부는 나노그리드 형상을 형성하기 위하여 너비 및 깊이가 수십 내지 수백 나노미터인 것이 바람직하다.
이어서, 상기 수지층 상의 패턴화된 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하 여 전도성 충진제를 수지층 상에 패턴화하여 코팅한다. 여기서, 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 전도성 충진제를 수지층 상에 패턴화하여 코팅한다는 것의 의미는 코팅방법 자체만의 특징이 아닌 수지층 상의 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 수지층 표면 중 특정 부분에만, 예컨대 수지층의 홈부에만, 또는 수지층의 돌기부에만, 또는 홈부의 일부와 돌기부의 일부에만 전도성 충진제를 선택적으로 코팅함으로써 전도성 충진제의 패턴화된 층을 형성하는 것을 의미한다.
상기 전도성 충진제의 코팅 방법으로는 특별히 한정되지는 않으나, 나이프 코팅, 롤코팅, 스롯다이 코팅 방법 등과 같은 선택적 습식 코팅 방법이나, PVD(physical vapor deposition)과 같은 증착 및 경각(inclined) 스퍼터링 등과 같은 선택적 건식 코팅 방법을 이용할 수 있다. 스퍼터링 방법이란 스퍼터링 가스를 진공분위기로 이루어진 챔버 내로 주입하여 성막하고자 하는 타겟(target) 물질과 충돌시켜 플라즈마를 생성시킨 후 이를 기판(substrate) 상에 코팅시키는 방법이다. 경각 스퍼터링이란 측면에서 스퍼터링을 수행하는 것을 의미한다.
예컨대, 도 13와 같이 경각 스퍼터링법을 이용함으로써 수지층상에 홈부의 내벽 일부와 돌기부의 표면 부분에 전도성 충진제를 선택적으로 코팅하여 전도성층의 패턴화를 수행할 수 있다.
본 발명에서는 전술한 바와 같이 수지층 상에 수지층의 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 전도성 충진제를 직접 패턴화하여 코팅하는 방법을 이용함으로써, 전도성 충진제의 패턴화를 위하여 충진제를 선택적으로 제거하는 단계를 별도로 거칠 필요가 없고, 이에 의하여 공정을 보다 간소화할 수 있다.
필요한 경우, 전도성 충진제를 수지층 상에 패턴화하여 코팅한 후, 그 위에 보호막을 형성할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 따른 전도성층의 패턴화 방법은 도 6에 예시되어 있다. 이 실시상태에서는, 지지체 역할을 할 수 있는 기재 상에 열 또는 광 등에 의하여 경화가능한 수지층을 형성한다. 이어서, 상기 경화성 수지층에 패턴화하여 홈부와 돌기부를 형성한다. 이 실시상태에 있어서, 홈부와 돌기부의 패턴화 방법, 전도성 충진제 코팅 방법, 보호막 형성 등은 전술한 도 5의 실시상태에 대하여 기술한 바와 같다.
본 발명에 있어서, 별도의 지지체 없이 사용될 수 있는 수지층의 재료로는 플라스틱과 같은 유기소재를 사용할 수 있으며, 예컨대 폴리에스터, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리에스터나프테네이트, 폴리아크릴레이트 등과 같은 광학적으로 투명한 유기소재를 사용할 수 있다. 이와 같은 재료는 지지체 역할과 성형 수지 역할을 모두 할 수 있으므로, 이와 같은 재료로 이루어진 수지층을 이용하는 경우 별도의 기재를 사용하지 않을 수 있다.
본 발명에 있어서, 지지체 역할을 하는 기재 상에 형성되는 수지층의 재료로는 광경화법에 의하여 미세패턴이 형성될 수 있는 광경화성 수지를 사용할 수 있으며, 예컨대 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스터아크릴레이트 등의 투명한 액상 수지가 사용될 수 있다. 상기와 같은 투명한 액상 수지는 점도가 낮기 때문에 나노 크기의 금형을 갖는 스템퍼의 금형 형상 내에 쉽게 충진되어 나노 크기 형상이 쉽게 형성될 수 있고, 기재와의 접착이 우수하며, 경화 후 스템퍼 로부터의 분리가 용이한 이점이 있다. 이와 같은 수지층을 기재 상에 형성하는 경우, 기재로는 유리나 석영 등의 무기물 기재나 광학적으로 투명한 유기소재 등이 사용될 수 있다. 종래 전도성층의 패턴화 방법에서는 기재로서 유리나 석영 등의 무기물 기재가 사용되었기 때문에, 제조된 소자의 유연성이 나쁜 문제가 있었으나, 본 발명에서는 기재의 재료로서 무기물 재료 뿐만 아니라 유연성이 있는 유기소재도 사용할 수 있다. 따라서, 종래기술의 방법은 배치(batch)식 공정에 적합하나, 본 발명은 플라스틱 필름과 같은 유기 소재 기재를 사용함으로써 연속 공정을 이용할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 전도성 충진제는 목적하는 소자에 전기 전도성을 부여하는 역할을 한다. 특히, 본 발명에 따른 방법이 나노그리드 편광소자의 제조에 적용되는 경우, 상기 전도성 충진제는 나노그리드 부분에 전기 전도성을 부여하여 편광소자의 기능을 나타나게 할 수 있다. 본 발명에 있어서, 전도성 충진제로는 은, 구리, 크롬, 백금, 금, 니켈, 알루미늄 등과 같은 전도성 금속 1종 이상 단독 또는 이들과 유기재료와의 혼합물, 또는 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리에틸렌디옥시티오펜 등과 같은 유기물 전도성 물질을 사용할 수 있다. 종래기술에서는 전도성층을 형성하기 위하여 금속 박막층을 사용함으로써 재료의 유연성이 나쁜 문제가 있었으나, 본 발명에서는 전술한 재료를 사용함으로써 소자의 유연성을 향상시킬 수 있다. 상기 전도성 금속 분말의 입경은 나노그리드 형상의 홈부와 돌기부의 입체적 형상을 이용하여 수지층 상의 특정 부분에만 선택적으로 코팅되기 위해서 수 나노미터 내지 수십 나노미터인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전도성 금속 분말과 혼합 되는 유기재료로는 에폭시아크릴레이트 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 필요한 경우 수지층의 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 수지층 상에 전도성 충진제를 선택적으로 코팅한 후 그 위에 보호막을 형성할 수 있다. 이 보호층은 에폭시아크릴레이트 등의 재료로 이루어질 수 있으며, 보호층은 코팅방법 등에 의하여 형성될 수 있다. 보호층에는 필요한 경우 접착, 대전방지, 내마모 등의 기능을 추가로 부여할 수 있다.
본 발명에 있어서는 전술한 바와 같이 수지층에 홈부와 돌기부를 패턴화하는 공정을 스템퍼에 의하여 수행할 수 있다. 특히, 본 발명에서는 스테레오리소그래피법에 의하여 대면적으로 제조된 스템퍼를 이용하는 것이 바람직하다. "스테레오리소그래피(stereolithograpy)"란 용어는 컴퓨터로 제어되는 레이저를 사용하여 광경화가능한 조성물의 얇은 막을 경화함으로써 3차원 물체를 생산하기 위한 공정을 의미한다. 이와 같은 공정은 미국 특허 제4,575,330호, 제4,929,402호 및 제4,752,498호 등과 한국특허공개 1992-11695호 및 1998-63937호 등에 상세하기 기재되어있다. 본 발명에서는 스테레오리소그래피법을 본 발명에 따른 전도성층 패턴화 방법에 이용되는 스템퍼의 제조에 이용함으로써, 나노 크기의 금형을 갖는 스템퍼를 대면적으로 제조할 수 있고, 이에 따라 전도성층을 대면적에 효율적으로 패턴화할 수 있다. 또 이와 같은 방법을 이용하여 대면적의 나노그리드 편광소자를 제조할 수 있다. 본 발명에 있어서, 스템퍼의 금형 재료로는 니켈, 크롬, 로듐 등과 같은 금속이나 에폭시, 실리콘 등과 같은 유기재료를 이용할 수 있다. 도 7에는 스테 레오리소그래피법에 의해 스템퍼를 제조하는 공정을 나타내었다.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하나, 하기 실시예에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1
도 5에 예시된 실시상태에 따라 편광소자를 제조하였다. 구체적으로, 레이저 스테레오리소그라피(laser stereo lithography) 방법에 의하여 피치 200나노미터, 나노그리드 선폭 65 나노미터의 니켈 스템퍼를 제조하였다. 수지층으로서 두께 100㎛의 투명한 압출 폴리에스테르 필름('(주)새한')에 상기 니켈 스템퍼로 압력을 가하고 150 ℃에서 열을 가하여 스템퍼의 금형에 상응하는 홈부와 돌기부를 형성하였다(국내 'NND'사의 나노임프린팅 장비사용). 이어서, 전도성 충진제로서 은 나노 입자를 에탄올에 분산 및 안정화한 용액(국내업체인 '나노신소재' 원료)을 나이프코팅(스테인레스 콤마나이프) 방법에 의하여 상기 폴리에스테르 필름 상에 형성된 홈부에 선택적으로 충진한 후 120℃에서 30분간 건조하였다. 이어서 투명 아크릴계 수지를 이용하여 보호막을 형성하여 나노그리드 편광소자를 제조하였다.
실시예 2
도 6에 예시된 실시상태의 방법에 따라 편광소자를 제조하였다. 구체적으로, 기재로서 두께 100㎛의 투명한 폴리에스테르 필름(일본 'TOYOBO'사 A4400) 상에 투명한 광경화성 우레탄 아크릴레이트 액상 성형수지(국내 'SK-CYTECH')를 코팅하여 광경화성 수지층을 형성하였다. 이어서, 광경화성 수지층에 실시예 1에서 사용한 것과 같은 니켈 스템퍼를 압착한 후 자외선을 20초간 조사하여 경화시키고 스템퍼를 분리함으로써 광경화성 수지층 상에 홈부와 돌기부를 형성하였다. 이어서, 상기 수지층 상의 돌기부에만 선택적으로 금속을 충진하기 위해 알루미늄을 80도의 측면 각도로 초당 0.2나노미터, 총 두께는 150나노미터까지 증착되도록 경각 스퍼터링하였다(일본 'ULVAC' 장비). 이어서, 보호막을 형성하여 나노그리드 편광소자를 제조하였다.
비교예 1
도 3에 예시된 방법에 따라 편광소자를 제조하였다. 구체적으로, 석영 기재 상에 알루미늄을 증착하였다. 여기에 코팅공정을 통하여 포토레지스트를 도포하고 포토마스크를 사용하여 선택적으로 노광시켰다. 이어서, 에칭 공정에 의하여 포토레지스트의 노광된 부위에 해당되는 알루미늄층을 제거한 후, 세척 및 린스하여 나노그리드 편광소자를 제조하였다.
비교예 2
도 4에 예시된 방법에 따라 편광소자를 제조하였다. 구체적으로, 포토마스크를 이용한 노광 공정 대신 스템퍼를 이용하여 포토레지스트를 가압한 후 노광한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 나노그리드 편광소자를 제조하였다.
본 발명에 따른 전도성층 패턴화 방법은 포토레지스트층의 패턴화 및 에칭 공정을 포함하는 종래의 전도성층 패턴화 방법에 비하여 저비용이고, 단순하며, 원재료의 효율을 극대화할 수 있고, 에칭 공정에 따른 오염을 방지하므로 공정의 청 정화를 달성할 수 있다. 또한, 전도성층의 패턴화를 위하여 스테레오리소그래피법에 의하여 대면적으로 제조된 스템퍼를 이용함으로서 전도성층을 대면적에 효율적으로 패턴화할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 방법은 대면적의 나노그리드 편광소자의 제조에 유용하다.

Claims (14)

  1. a) 수지층에 패턴화하여 홈부와 돌기부를 형성하는 단계, 및
    b) 상기 수지층 상의 패턴화된 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 전도성 충진제를 수지층 상에 홈부에만, 돌기부에만, 또는 홈부의 일부와 돌기부의 일부에만 선택적으로 패턴화하여 코팅하는 단계
    를 포함하는 전도성층의 패턴화 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 a) 단계는 스템퍼를 이용하여 수지층을 가압하고 수지층을 경화시킴으로써 수행되는 것인 전도성층의 패턴화 방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 스템퍼는 스테레오리소그래피법에 의하여 제조된 것인 전도성층의 패턴화 방법.
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 b) 단계는 선택적 습식 코팅 또는 선택적 건식 코팅 방법에 의하여 수행되는 것인 전도성층의 패턴화 방법.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 b) 단계의 선택적 건식 코팅 방법은 경각(inclined) 스퍼터링 방법인 것인 전도성층의 패턴화 방법.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 수지층은 광학적으로 투명한 유기소재로 이루어진 것인 전도성층의 패턴화 방법.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 수지층은 무기물 및 유기물로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 이루어진 기재 상에 형성되어 있고, 상기 수지층은 경화성 액상 수지로 이루어진 것인 전도성층의 패턴화 방법.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 b) 단계 후에 c) 수지층 및 전도성층 상에 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 전도성층의 패턴화 방법.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 충진제는 금속, 금속과 유기재료의 혼합물 및 전도성 유기 물질로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전도성층의 패턴화 방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 3, 및 청구항 5 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 기재된 방법을 이용하여 편광소자를 제조하는 방법.
  12. 패턴화된 홈부와 돌기부가 형성된 수지층, 및
    이 수지층에 형성된 홈부와 돌기부의 입체적 형태를 이용하여 수지층 상에 홈부에만, 돌기부에만, 또는 홈부의 일부와 돌기부의 일부에만 선택적으로 패턴화하여 코팅된 전도성 충진제
    를 포함하는 편광소자.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 수지층 및 전도성 충진제층 상에 보호층을 추가로 구비한 것인 편광소자.
  14. 청구항 12 또는 청구항 13의 편광소자를 구비한 디스플레이용 장치.
KR1020060052924A 2005-06-13 2006-06-13 전도성층의 패턴화 방법, 이를 이용한 편광소자의 제조방법 및 이 방법에 의하여 제조된 편광소자 KR100806513B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050050416 2005-06-13
KR1020050050416 2005-06-13
KR1020060002763A KR20070074787A (ko) 2005-06-13 2006-01-10 계조 전압 발생 장치 및 액정 표시 장치
KR1020060002769 2006-01-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060129970A KR20060129970A (ko) 2006-12-18
KR100806513B1 true KR100806513B1 (ko) 2008-02-21

Family

ID=42101874

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060002763A KR20070074787A (ko) 2005-06-13 2006-01-10 계조 전압 발생 장치 및 액정 표시 장치
KR1020060052924A KR100806513B1 (ko) 2005-06-13 2006-06-13 전도성층의 패턴화 방법, 이를 이용한 편광소자의 제조방법 및 이 방법에 의하여 제조된 편광소자

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060002763A KR20070074787A (ko) 2005-06-13 2006-01-10 계조 전압 발생 장치 및 액정 표시 장치

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20060279842A1 (ko)
EP (1) EP1844356A4 (ko)
JP (1) JP2008529053A (ko)
KR (2) KR20070074787A (ko)
CN (1) CN100541243C (ko)
WO (1) WO2006135178A1 (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI342834B (en) * 2005-06-13 2011-06-01 Lg Chemical Ltd Method of patterning conductive layers, method of manufacturing polarizers, and polarizers manufactured using the same
WO2008147431A2 (en) * 2006-10-12 2008-12-04 Cambrios Technologies Corporation Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
JP5096735B2 (ja) * 2006-12-05 2012-12-12 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 ワイヤグリッド型偏光子及びその製造方法、並びにそれを用いた位相差フィルム及び液晶表示素子
JP2009031537A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Seiko Epson Corp 光学素子およびその製造方法、液晶装置、ならびに電子機器
JP2009222853A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Fujitsu Ltd 偏光光学素子およびその製造方法
JP5606052B2 (ja) * 2009-01-13 2014-10-15 キヤノン株式会社 光学素子
JP2010219407A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp メッシュ構造を有する電極を具備した太陽電池及びその製造方法
US20120140148A1 (en) * 2009-11-26 2012-06-07 Shinya Kadowaki Liquid crystal display panel, method for manufacturing liquid crystal display panel, and liquid crystal display device
CN102087377B (zh) * 2009-12-02 2013-12-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 偏振元件及其制作方法
KR20120072201A (ko) * 2010-12-23 2012-07-03 한국전자통신연구원 편광소자의 제조방법
JP2012155163A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Asahi Kasei E-Materials Corp ワイヤグリッド偏光板
CN102683226A (zh) * 2011-03-14 2012-09-19 SKLink株式会社 晶圆级封装结构及其制造方法
KR101795045B1 (ko) * 2011-07-15 2017-11-08 엘지이노텍 주식회사 베이스나노몰드 및 이를 이용한 나노몰드 제조방법
CN103998956B (zh) * 2011-12-15 2016-09-07 Lg化学株式会社 反射式偏光器
JP6201223B2 (ja) 2012-08-29 2017-09-27 エルジー・ケム・リミテッド 偏光分離素子の製造方法
TWI613945B (zh) * 2013-03-22 2018-02-01 Ｌｇ化學股份有限公司 導電圖案層合板及包含其之電子裝置
KR101657356B1 (ko) * 2013-09-30 2016-09-19 주식회사 엘지화학 기능성 코팅층을 포함하는 광학 필름, 이를 포함하는 편광판 및 화상표시장치
CN103926643A (zh) * 2014-04-28 2014-07-16 东莞市鑫聚光电科技有限公司 一种偏光片
KR101694584B1 (ko) * 2014-08-01 2017-01-09 주식회사 엘지화학 전도성 기판, 이를 포함하는 터치 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN104297835B (zh) 2014-10-17 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种线栅偏振片的制作方法
CN104483733B (zh) 2014-12-30 2017-11-21 京东方科技集团股份有限公司 一种线栅偏振片及其制作方法、显示装置
CN104459865A (zh) * 2014-12-30 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种线栅偏振片及其制作方法、显示装置
KR102042874B1 (ko) * 2015-12-23 2019-11-08 주식회사 엘지화학 전도성 기판, 이를 포함하는 터치 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR101997657B1 (ko) * 2015-12-23 2019-07-08 주식회사 엘지화학 전도성 기판, 이를 포함하는 터치 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR101974158B1 (ko) * 2015-12-23 2019-04-30 주식회사 엘지화학 전도성 기판, 이를 포함하는 터치 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102035889B1 (ko) * 2016-01-07 2019-10-23 주식회사 엘지화학 전도성 기판 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102665342B1 (ko) * 2016-09-29 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자용 기판, 와이어 그리드 편광자 및 이를 제조하는 방법, 및 와이어 그리드 편광자를 포함하는 표시 장치
CN110322794A (zh) * 2019-07-29 2019-10-11 恩利克（浙江）智能装备有限公司 带圆偏光与触摸屏功能的可折叠超薄玻璃盖板与制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11183727A (ja) 1997-12-22 1999-07-09 Tdk Corp 偏光板の製造方法
KR20020033091A (ko) * 2000-05-02 2002-05-04 야마모토 다메노부 투명광학물품
US20020191880A1 (en) 2001-06-19 2002-12-19 Borrelli Nicholas F. Method for fabricating an integrated optical isolator and a novel wire grid structure
KR20040106982A (ko) * 2003-06-10 2004-12-20 엘지전자 주식회사 와이어 그리드 편광자 및 그 제조 방법
KR20050067244A (ko) * 2003-12-27 2005-07-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 평판표시소자의 제조방법 및 장치

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3291871A (en) * 1962-11-13 1966-12-13 Little Inc A Method of forming fine wire grids
CH589306A5 (ko) * 1975-06-27 1977-06-30 Bbc Brown Boveri & Cie
US4104084A (en) * 1977-06-06 1978-08-01 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Solar cells having integral collector grids
DE2818103A1 (de) * 1978-04-25 1979-11-08 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von aus einer vielzahl von auf einer glastraegerplatte angeordneten parallel zueinander ausgerichteten elektrisch leitenden streifen bestehenden polarisatoren
US4512638A (en) * 1982-08-31 1985-04-23 Westinghouse Electric Corp. Wire grid polarizer
US4929402A (en) * 1984-08-08 1990-05-29 3D Systems, Inc. Method for production of three-dimensional objects by stereolithography
US4575330A (en) * 1984-08-08 1986-03-11 Uvp, Inc. Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
FR2588093B1 (fr) * 1985-09-27 1987-11-20 Thomson Csf Polariseur par absorption differentielle, son procede de realisation et dispositif mettant en oeuvre ledit procede
US4801477A (en) * 1987-09-29 1989-01-31 Fudim Efrem V Method and apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification
US4752498A (en) * 1987-03-02 1988-06-21 Fudim Efrem V Method and apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification
US4876042A (en) * 1987-12-28 1989-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Molding processing using a reproducible molding die
US5245471A (en) * 1991-06-14 1993-09-14 Tdk Corporation Polarizers, polarizer-equipped optical elements, and method of manufacturing the same
KR0120397B1 (ko) * 1992-04-28 1997-10-22 나카무라 히사오 화상표시장치
DE69329945T2 (de) * 1992-07-14 2001-06-07 Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo Polarisierendes element, optisches element und optischer kopf
US5538674A (en) * 1993-11-19 1996-07-23 Donnelly Corporation Method for reproducing holograms, kinoforms, diffractive optical elements and microstructures
US5872010A (en) * 1995-07-21 1999-02-16 Northeastern University Microscale fluid handling system
JP3298607B2 (ja) * 1995-09-29 2002-07-02 ソニー株式会社 液晶素子及びその製造方法
JP3224731B2 (ja) * 1996-02-05 2001-11-05 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 高密度パターンを有する層を形成する方法
US5953469A (en) * 1996-10-29 1999-09-14 Xeotron Corporation Optical device utilizing optical waveguides and mechanical light-switches
US5991075A (en) * 1996-11-25 1999-11-23 Ricoh Company, Ltd. Light polarizer and method of producing the light polarizer
EP0999459A3 (en) * 1998-11-03 2001-12-05 Corning Incorporated UV-visible light polarizer and methods
JP2001330728A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Jasco Corp ワイヤーグリット型偏光子及びその製造方法
US7002742B2 (en) * 2000-09-20 2006-02-21 Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha Polarizing function element, optical isolator, laser diode module and method of producing polarizing function element
GB0106050D0 (en) * 2001-03-12 2001-05-02 Suisse Electronique Microtech Polarisers and mass-production method and apparatus for polarisers
JP2002328222A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Nippon Sheet Glass Co Ltd 偏光素子及びその製造方法
JP3656591B2 (ja) * 2001-06-28 2005-06-08 ソニー株式会社 光学記録媒体製造用スタンパの製造方法および光学記録媒体の製造方法
KR100774256B1 (ko) * 2001-11-08 2007-11-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치
US6894840B2 (en) * 2002-05-13 2005-05-17 Sony Corporation Production method of microlens array, liquid crystal display device and production method thereof, and projector
JP3898597B2 (ja) * 2002-08-19 2007-03-28 信越化学工業株式会社 偏光子および偏光子の製造方法
US6665119B1 (en) * 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
EP1597616A4 (en) * 2003-02-10 2008-04-09 Nanoopto Corp UNIVERSAL BROADBAND POLARIZER, DEVICES COMPRISING THE POLARIZER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE POLARIZER
JP2005062241A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Hitachi Maxell Ltd 偏光変換素子、偏光変換素子の製造方法、投射型液晶表示装置
TWI223103B (en) * 2003-10-23 2004-11-01 Ind Tech Res Inst Wire grid polarizer with double metal layers
JP4267429B2 (ja) * 2003-11-18 2009-05-27 日立マクセル株式会社 偏光変換素子、偏光変換素子の製造方法、および投射型液晶表示装置
US7203001B2 (en) * 2003-12-19 2007-04-10 Nanoopto Corporation Optical retarders and related devices and systems
US7561332B2 (en) * 2004-11-30 2009-07-14 Agoura Technologies, Inc. Applications and fabrication techniques for large scale wire grid polarizers
KR100656999B1 (ko) * 2005-01-19 2006-12-13 엘지전자 주식회사 선 격자 편광필름 및 선 격자 편광필름의 격자제조용 몰드제작방법
JP2006330221A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Alps Electric Co Ltd 偏光子
US7872803B2 (en) * 2005-05-27 2011-01-18 Zeon Corporation Grid polarizing film, method for producing the film, optical laminate, method for producing the laminate, and liquid crystal display
US9555602B2 (en) * 2006-03-10 2017-01-31 3M Innovative Properties Company Method for preparing microstructured laminating adhesive articles
US20070217008A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Wang Jian J Polarizer films and methods of making the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11183727A (ja) 1997-12-22 1999-07-09 Tdk Corp 偏光板の製造方法
KR20020033091A (ko) * 2000-05-02 2002-05-04 야마모토 다메노부 투명광학물품
US20020191880A1 (en) 2001-06-19 2002-12-19 Borrelli Nicholas F. Method for fabricating an integrated optical isolator and a novel wire grid structure
KR20040106982A (ko) * 2003-06-10 2004-12-20 엘지전자 주식회사 와이어 그리드 편광자 및 그 제조 방법
KR20050067244A (ko) * 2003-12-27 2005-07-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 평판표시소자의 제조방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP1844356A1 (en) 2007-10-17
KR20070074787A (ko) 2007-07-18
EP1844356A4 (en) 2010-07-21
CN100541243C (zh) 2009-09-16
JP2008529053A (ja) 2008-07-31
WO2006135178A1 (en) 2006-12-21
CN101116018A (zh) 2008-01-30
US20060279842A1 (en) 2006-12-14
US20100090371A1 (en) 2010-04-15
KR20060129970A (ko) 2006-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100806513B1 (ko) 전도성층의 패턴화 방법, 이를 이용한 편광소자의 제조방법 및 이 방법에 의하여 제조된 편광소자
KR100772639B1 (ko) 다이아몬드상 카본 박막을 이용한 미세 임프린트리소그래피용 스탬프 및 그 제조방법
JP5933077B2 (ja) アレイ作製方法及び型
KR100868846B1 (ko) 나노 와이어 그리드 편광자 및 그 제조방법
CN111033118B (zh) 衍射导光板和制造衍射导光板的方法
US10274823B2 (en) Microlithographic fabrication of structures
Chidambaram et al. High fidelity 3D thermal nanoimprint with UV curable polydimethyl siloxane stamps
JPWO2007116972A1 (ja) ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法
JP2013134350A (ja) メタマテリアルの製造方法およびメタマテリアル
EP2170764A2 (en) Methods of making hierarchical articles
US10710350B2 (en) Nanometer wire grid structure fabrication method
CN101900936A (zh) 压印模具及其制作方法
WO2011095217A1 (en) Method and process for metallic stamp replication for large area nanopatterns
KR101575879B1 (ko) 역 임프린트 방식을 이용한 패터닝 방법
CA3014989C (en) Methods for micro and nano fabrication by selective template removal
JP2006343758A (ja) 反射防止方法及び反射防止構造並びに反射防止構造を有する反射防止構造体及びその製造方法
KR20080082116A (ko) 선격자 편광판 제조방법
JP2011191766A (ja) 伝導性層のパターニング方法、それを用いた偏光素子の製造方法、およびその方法によって製造された偏光素子
JP5833301B2 (ja) ワイヤグリッド偏光板及びワイヤグリッド偏光板の製造方法
JP2010117646A (ja) 機能性グリッド構造体及びその製造方法
JP2011093123A (ja) 櫛型構造を有する構造体の製造方法、樹脂構造体成形用金型の製造方法および樹脂成形体
JP6005698B2 (ja) 微細凹凸パターン付き基板の製造方法
JP2004271558A (ja) 偏光光学素子とその製造方法
JP2012011478A (ja) 微小構造体及び微細パターンの形成方法
US11261085B2 (en) Methods for micro and nano fabrication by selective template removal

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160128

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170202

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180116

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190116

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200116

Year of fee payment: 13