JPH11119004A - マイクロレンズの製造方法 - Google Patents
マイクロレンズの製造方法Info
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- JPH11119004A JPH11119004A JP28405497A JP28405497A JPH11119004A JP H11119004 A JPH11119004 A JP H11119004A JP 28405497 A JP28405497 A JP 28405497A JP 28405497 A JP28405497 A JP 28405497A JP H11119004 A JPH11119004 A JP H11119004A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】後加工することなく而も高融点ガラスのみで熱
変形や剥離が起こらない高性能なマイクロレンズを製造
する。 【解決手段】石英ガラス基板１上に当該基板１と屈折率
の等しい石英ガラスで所定の大きさの凸部１′を形成
し、凸部１′に対してプラズマＣＶＤ法により石英ガラ
ス４で被覆する。凸部１′の製造工程は、基板１上に石
英エッチング用マスク薄膜２を形成するスパッタ工程１
０１と、マスク薄膜２上にフォトレジスト３を形成し、
且つフォトレジスト３に凸部のレジストパターン３′を
形成するフォトリソグラフィ工程１０２、１０３と、パ
ターニング後に形成されたレジストパターン３′をマス
クとしてマスク薄膜２をエッチングする第１エッチング
工程１０４と、フォトレジスト除去後にマスク薄膜２を
マスクとして基板１をエッチングする第２エッチング工
程１０５とから成る。
変形や剥離が起こらない高性能なマイクロレンズを製造
する。 【解決手段】石英ガラス基板１上に当該基板１と屈折率
の等しい石英ガラスで所定の大きさの凸部１′を形成
し、凸部１′に対してプラズマＣＶＤ法により石英ガラ
ス４で被覆する。凸部１′の製造工程は、基板１上に石
英エッチング用マスク薄膜２を形成するスパッタ工程１
０１と、マスク薄膜２上にフォトレジスト３を形成し、
且つフォトレジスト３に凸部のレジストパターン３′を
形成するフォトリソグラフィ工程１０２、１０３と、パ
ターニング後に形成されたレジストパターン３′をマス
クとしてマスク薄膜２をエッチングする第１エッチング
工程１０４と、フォトレジスト除去後にマスク薄膜２を
マスクとして基板１をエッチングする第２エッチング工
程１０５とから成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はマイクロレンズの
製造方法に係り、特に熱変形等が起こりにくいマイクロ
レンズを製造することができる製造方法に関する。
製造方法に係り、特に熱変形等が起こりにくいマイクロ
レンズを製造することができる製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
より、レンズアレーを用いる画像表示装置や光集積回路
等に使用されるマイクロレンズの製造方法として、光学
素子およびその製造方法ならびにこれを用いた表示装置
（特開平３−２８８８０１号公報）、固体撮像素子およ
びその製造方法（特開平４−３４６４７２号公報）、固
体撮像装置（特開平５−４８０５７号公報）、固体撮像
装置およびその製造方法（特開平６−３０２７９３号公
報）が開示されている。
より、レンズアレーを用いる画像表示装置や光集積回路
等に使用されるマイクロレンズの製造方法として、光学
素子およびその製造方法ならびにこれを用いた表示装置
（特開平３−２８８８０１号公報）、固体撮像素子およ
びその製造方法（特開平４−３４６４７２号公報）、固
体撮像装置（特開平５−４８０５７号公報）、固体撮像
装置およびその製造方法（特開平６−３０２７９３号公
報）が開示されている。
【０００３】光学素子およびその製造方法ならびにこれ
を用いた表示装置（特開平３−２８８８０１号公報）
は、高融点の透明ガラス基板に低融点ガラス層を形成
し、化学的に安定な薄膜で被覆されたプレス成形用金型
により熱間でプレス成形することにより、低融点ガラス
層でマイクロレンズを形成させることができる。しかし
ながら、このような製造方法では石英ガラスのような高
融点ガラスのみでマイクロレンズを形成させることがで
きなかった。
を用いた表示装置（特開平３−２８８８０１号公報）
は、高融点の透明ガラス基板に低融点ガラス層を形成
し、化学的に安定な薄膜で被覆されたプレス成形用金型
により熱間でプレス成形することにより、低融点ガラス
層でマイクロレンズを形成させることができる。しかし
ながら、このような製造方法では石英ガラスのような高
融点ガラスのみでマイクロレンズを形成させることがで
きなかった。
【０００４】また、固体撮像素子およびその製造方法
（特開平４−３４６４７２号公報）は、信号転送部上に
のみ残るようにパターニングされたレジスト膜および当
該パターニングにより露出した平均化膜上に、レジスト
膜の耐熱温度よりも低い温度下でシリコン系無機膜を堆
積し、レジスト膜側壁部上に堆積されたレジスト膜のみ
をスラントエッチングにより除去し、さらにリフトオフ
法によりレジスト膜を除去することにより、シリコン系
無機膜でマイクロレンズを形成させることができる。し
かしながら、このような製造方法ではマイクロレンズの
材料としてシリコン系無機膜しか使用することができ
ず、石英ガラスのような高融点ガラスは使用できなかっ
た。また、半球面状のマイクロレンズを得るためにはリ
フローしなければならなかった。
（特開平４−３４６４７２号公報）は、信号転送部上に
のみ残るようにパターニングされたレジスト膜および当
該パターニングにより露出した平均化膜上に、レジスト
膜の耐熱温度よりも低い温度下でシリコン系無機膜を堆
積し、レジスト膜側壁部上に堆積されたレジスト膜のみ
をスラントエッチングにより除去し、さらにリフトオフ
法によりレジスト膜を除去することにより、シリコン系
無機膜でマイクロレンズを形成させることができる。し
かしながら、このような製造方法ではマイクロレンズの
材料としてシリコン系無機膜しか使用することができ
ず、石英ガラスのような高融点ガラスは使用できなかっ
た。また、半球面状のマイクロレンズを得るためにはリ
フローしなければならなかった。
【０００５】また、固体撮像装置（特開平５−４８０５
７号公報）は、予め形成されている第１のマイクロ集光
レンズ上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により低温で第２
のマイクロ集光レンズを形成させている。しかしなが
ら、光を効率よく集光するために第１のマイクロ集光レ
ンズと第２のマイクロ集光レンズとの屈折率を変えなけ
ればならず、石英ガラスのような高融点ガラスのみでマ
イクロレンズを形成させることができなかった。
７号公報）は、予め形成されている第１のマイクロ集光
レンズ上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により低温で第２
のマイクロ集光レンズを形成させている。しかしなが
ら、光を効率よく集光するために第１のマイクロ集光レ
ンズと第２のマイクロ集光レンズとの屈折率を変えなけ
ればならず、石英ガラスのような高融点ガラスのみでマ
イクロレンズを形成させることができなかった。
【０００６】また、固体撮像装置およびその製造方法
（特開平６−３０２７９３号公報）はプラズマＣＶＤ法
等により形成した透明絶縁膜を、化学−機械研磨法にて
研磨することによりマイクロレンズを形成させている。
したがって、後加工しなければマイクロレンズを得るこ
とができなかった。本発明はこのような従来の難点を解
決するためになされたもので、後加工することなく而も
高融点ガラスのみで熱変形や剥離が起こらない高性能な
マイクロレンズを製造できるマイクロレンズの製造方法
を提供することを目的とする。
（特開平６−３０２７９３号公報）はプラズマＣＶＤ法
等により形成した透明絶縁膜を、化学−機械研磨法にて
研磨することによりマイクロレンズを形成させている。
したがって、後加工しなければマイクロレンズを得るこ
とができなかった。本発明はこのような従来の難点を解
決するためになされたもので、後加工することなく而も
高融点ガラスのみで熱変形や剥離が起こらない高性能な
マイクロレンズを製造できるマイクロレンズの製造方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【発明を解決するための手段】このような目的を達成す
る本発明のマイクロレンズの製造方法は、基板上に当該
基板と屈折率の等しい材料で所定の大きさの凸部を形成
し、凸部に対してＣＶＤ法により当該凸部と同じ材料で
被覆するものである。また、本発明のマイクロレンズの
製造方法において凸部の製造工程は、基板上に石英エッ
チング用マスク薄膜を形成するスパッタ工程と、石英エ
ッチング用マスク薄膜上にフォトレジストを形成し、フ
ォトレジストに凸部のパターンをパターニングするフォ
トリソグラフィ工程と、パターニング後のフォトレジス
トおよび石英エッチング用マスク薄膜をエッチングする
エッチング工程とから成るものである。
る本発明のマイクロレンズの製造方法は、基板上に当該
基板と屈折率の等しい材料で所定の大きさの凸部を形成
し、凸部に対してＣＶＤ法により当該凸部と同じ材料で
被覆するものである。また、本発明のマイクロレンズの
製造方法において凸部の製造工程は、基板上に石英エッ
チング用マスク薄膜を形成するスパッタ工程と、石英エ
ッチング用マスク薄膜上にフォトレジストを形成し、フ
ォトレジストに凸部のパターンをパターニングするフォ
トリソグラフィ工程と、パターニング後のフォトレジス
トおよび石英エッチング用マスク薄膜をエッチングする
エッチング工程とから成るものである。
【０００８】また、本発明のマイクロレンズの製造方法
において凸部の大きさは、マイクロレンズの曲率半径に
基づき決定されるものである。このようなマイクロレン
ズの製造方法によれば、基板上に当該基板と屈折率の等
しい材料で所定の大きさの凸部を形成させ、この基板に
形成された凸部に対してＣＶＤ法で当該凸部と同じ材料
で被覆することによりマイクロレンズを形成させるの
で、ＣＶＤ法における加熱温度を低温に設定する必要が
なくなる。これにより、マイクロレンズの材料として高
融点ガラスを使用することができる。
において凸部の大きさは、マイクロレンズの曲率半径に
基づき決定されるものである。このようなマイクロレン
ズの製造方法によれば、基板上に当該基板と屈折率の等
しい材料で所定の大きさの凸部を形成させ、この基板に
形成された凸部に対してＣＶＤ法で当該凸部と同じ材料
で被覆することによりマイクロレンズを形成させるの
で、ＣＶＤ法における加熱温度を低温に設定する必要が
なくなる。これにより、マイクロレンズの材料として高
融点ガラスを使用することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明のマイクロレンズの
製造方法の実施の一形態について、図面を参照して説明
する。本発明のマイクロレンズの製造方法は図１（ａ）
〜（ｆ）に示すように、スパッタ工程１０１（図１
（ａ））、フォトリソグラフィ工程１０２、１０３（図
１（ｂ）、（ｃ））、第１エッチング工程１０４（図１
（ｄ））、第２エッチング工程１０５（図１（ｅ））お
よび被覆工程１０６（図１（ｆ））から成る。
製造方法の実施の一形態について、図面を参照して説明
する。本発明のマイクロレンズの製造方法は図１（ａ）
〜（ｆ）に示すように、スパッタ工程１０１（図１
（ａ））、フォトリソグラフィ工程１０２、１０３（図
１（ｂ）、（ｃ））、第１エッチング工程１０４（図１
（ｄ））、第２エッチング工程１０５（図１（ｅ））お
よび被覆工程１０６（図１（ｆ））から成る。
【００１０】まず、スパッタ工程１０１において、例え
ば高融点ガラスである石英ガラス基板１上に石英エッチ
ング用マスク薄膜２を形成する。続いてフォトリソグラ
フィ工程１０２において、石英エッチング用マスク薄膜
２上にフォトレジスト３を形成する。なお、石英エッチ
ング用マスク薄膜２としてはＷＳｉ、Ｗ、αＳｉなどが
好ましい。さらに、フォトリソグラフィ工程１０３にお
いて、フォトレジスト３上に所定の大きさのパターンを
形成したフォトマスクを密着させ露光・現像し、レジス
トパターン３′を形成させる。このパターンの形状およ
び大きさは、所望のマイクロレンズの曲率半径に基づき
決定される。
ば高融点ガラスである石英ガラス基板１上に石英エッチ
ング用マスク薄膜２を形成する。続いてフォトリソグラ
フィ工程１０２において、石英エッチング用マスク薄膜
２上にフォトレジスト３を形成する。なお、石英エッチ
ング用マスク薄膜２としてはＷＳｉ、Ｗ、αＳｉなどが
好ましい。さらに、フォトリソグラフィ工程１０３にお
いて、フォトレジスト３上に所定の大きさのパターンを
形成したフォトマスクを密着させ露光・現像し、レジス
トパターン３′を形成させる。このパターンの形状およ
び大きさは、所望のマイクロレンズの曲率半径に基づき
決定される。
【００１１】パターニング後、第１エッチング工程１０
４において、レジストパターン３′をマスクとし、石英
エッチング用マスク薄膜２をドライエッチングする。こ
のドライエッチングとしては、微細加工が可能な反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）が好ましい。反応性イオン
エッチングは、フッ素（Ｆ）や塩素（Ｃｌ）などを含む
エッチングガス、例えばＮＦ3に高周波電圧を加えて放
電させ、陰極板上に載せた石英ガラス基板１上に形成さ
れている石英エッチング用マスク薄膜２をエッチングす
るものである。これにより、レジストパターン３′のパ
ターンを忠実に転写できる異方性エッチングが可能にな
る。石英エッチング用マスク薄膜２をエッチング後、Ｏ
2アッシングによりレジストパターン３′を除去する。
４において、レジストパターン３′をマスクとし、石英
エッチング用マスク薄膜２をドライエッチングする。こ
のドライエッチングとしては、微細加工が可能な反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）が好ましい。反応性イオン
エッチングは、フッ素（Ｆ）や塩素（Ｃｌ）などを含む
エッチングガス、例えばＮＦ3に高周波電圧を加えて放
電させ、陰極板上に載せた石英ガラス基板１上に形成さ
れている石英エッチング用マスク薄膜２をエッチングす
るものである。これにより、レジストパターン３′のパ
ターンを忠実に転写できる異方性エッチングが可能にな
る。石英エッチング用マスク薄膜２をエッチング後、Ｏ
2アッシングによりレジストパターン３′を除去する。
【００１２】さらに、第２エッチング工程１０５におい
て、パターンが形成された石英エッチング用マスク薄膜
２′をマスクとして石英ガラス基板１をドライエッチン
グする。このドライエッチングとしては第１エッチング
工程１０４と同様に、微細加工が可能な反応性イオンエ
ッチングが好ましく、エッチングガスとしてはＣＨＦ 3
またはＣＦ4が使用される。これにより、陰極板上に載
せた石英ガラス基板１をエッチングすることができるの
で、石英ガラス基板１上に当該石英ガラス基板１と屈折
率が等しく且つ所望のマイクロレンズの曲率半径に基づ
き大きさが決定された凸部１′を形成させることができ
る。石英ガラス基板１をエッチング後、不要な石英エッ
チング用マスク薄膜２′をＮＦ3のドライエッチングに
より除去する。なお、エッチング深さは所望のマイクロ
レンズの曲率半径に基づき決定される。
て、パターンが形成された石英エッチング用マスク薄膜
２′をマスクとして石英ガラス基板１をドライエッチン
グする。このドライエッチングとしては第１エッチング
工程１０４と同様に、微細加工が可能な反応性イオンエ
ッチングが好ましく、エッチングガスとしてはＣＨＦ 3
またはＣＦ4が使用される。これにより、陰極板上に載
せた石英ガラス基板１をエッチングすることができるの
で、石英ガラス基板１上に当該石英ガラス基板１と屈折
率が等しく且つ所望のマイクロレンズの曲率半径に基づ
き大きさが決定された凸部１′を形成させることができ
る。石英ガラス基板１をエッチング後、不要な石英エッ
チング用マスク薄膜２′をＮＦ3のドライエッチングに
より除去する。なお、エッチング深さは所望のマイクロ
レンズの曲率半径に基づき決定される。
【００１３】最後に、被覆工程１０６において、石英ガ
ラス基板１上に形成された凸部１′に対して、ＣＶＤ
法、例えばプラズマＣＶＤ法により凸部１′と同じ材料
である石英ガラス４で被覆する。なお、プラズマＣＶＤ
法で石英膜を形成する場合、原料ガスはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ
の気体ソースを使用する。また、ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4）などの液体ソースを用いてもよい。これによ
り、半球面状のマイクロレンズを得ることができる。こ
のように、プラズマＣＶＤ法による成膜によってマイク
ロレンズを形成させることができるので加熱温度を低温
に設定する必要がなく、石英ガラスなどの高融点ガラス
でも製造することが可能になる。これにより、ファイバ
通信等、石英ガラスを用いる低屈折率導波系の集積化に
適用させることができ、また、シリンドリカルレンズ等
の異形レンズを形成させることができる。さらに、マイ
クロレンズを高融点ガラスで形成させることができるこ
とから、光導波路と導波形レンズとを同時に形成させる
ことができるので、製造プロセスを簡素化できる。
ラス基板１上に形成された凸部１′に対して、ＣＶＤ
法、例えばプラズマＣＶＤ法により凸部１′と同じ材料
である石英ガラス４で被覆する。なお、プラズマＣＶＤ
法で石英膜を形成する場合、原料ガスはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ
の気体ソースを使用する。また、ＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4）などの液体ソースを用いてもよい。これによ
り、半球面状のマイクロレンズを得ることができる。こ
のように、プラズマＣＶＤ法による成膜によってマイク
ロレンズを形成させることができるので加熱温度を低温
に設定する必要がなく、石英ガラスなどの高融点ガラス
でも製造することが可能になる。これにより、ファイバ
通信等、石英ガラスを用いる低屈折率導波系の集積化に
適用させることができ、また、シリンドリカルレンズ等
の異形レンズを形成させることができる。さらに、マイ
クロレンズを高融点ガラスで形成させることができるこ
とから、光導波路と導波形レンズとを同時に形成させる
ことができるので、製造プロセスを簡素化できる。
【００１４】なお、本実施の一形態においては凸部の製
造工程を、スパッタ工程、フォトリソグラフィ工程およ
びエッチング工程から成るものにしていたが、これに限
らず、基板と屈折率の等しい材料で凸部を形成すること
ができれば、どのような製造工程でもよい。また、本実
施の一形態においては石英エッチング用マスク薄膜とし
てＷＳｉを用いていたが、これに限らず、フォトレジス
トとのエッチングの選択比を考慮すれば、他の材料
（Ｗ、αＳｉ）を用いてもよい。
造工程を、スパッタ工程、フォトリソグラフィ工程およ
びエッチング工程から成るものにしていたが、これに限
らず、基板と屈折率の等しい材料で凸部を形成すること
ができれば、どのような製造工程でもよい。また、本実
施の一形態においては石英エッチング用マスク薄膜とし
てＷＳｉを用いていたが、これに限らず、フォトレジス
トとのエッチングの選択比を考慮すれば、他の材料
（Ｗ、αＳｉ）を用いてもよい。
【００１５】
【実施例】さらに、本発明のマイクロレンズの製造方法
を利用して、曲率半径約５μｍのマイクロレンズの作製
を、以下のような条件で行った。まず、スパッタ法によ
り、石英基板上に石英エッチング用マスク薄膜であるＷ
Ｓｉを形成する。
を利用して、曲率半径約５μｍのマイクロレンズの作製
を、以下のような条件で行った。まず、スパッタ法によ
り、石英基板上に石英エッチング用マスク薄膜であるＷ
Ｓｉを形成する。
【００１６】さらに、フォトリソグラフィ工程におい
て、石英エッチング用マスク薄膜２上にスピンコーター
によりフォトレジスト３を形成する。なお、石英エッチ
ング用マスク薄膜厚およびフォトレジスト厚はＷＳｉと
フォトレジストおよびＷＳｉと石英基板とのエッチング
の選択比を考慮して決定される。次に、フォトレジスト
３上に所定の大きさのパターンを形成したフォトマスク
を密着させ露光・現像し、レジストパターン３′を形成
させる。このパターンの形状および大きさは、所望のマ
イクロレンズの曲率半径に基づき決定される。
て、石英エッチング用マスク薄膜２上にスピンコーター
によりフォトレジスト３を形成する。なお、石英エッチ
ング用マスク薄膜厚およびフォトレジスト厚はＷＳｉと
フォトレジストおよびＷＳｉと石英基板とのエッチング
の選択比を考慮して決定される。次に、フォトレジスト
３上に所定の大きさのパターンを形成したフォトマスク
を密着させ露光・現像し、レジストパターン３′を形成
させる。このパターンの形状および大きさは、所望のマ
イクロレンズの曲率半径に基づき決定される。
【００１７】パターニング後のエッチング工程における
ドライエッチング条件は、第１エッチング工程では高周
波電力を２５Ｗ、ガス圧を１００ｍＴｏｒｒとし、第２
エッチング工程では高周波電力を２５０Ｗ、ガス圧を１
５ｍＴｏｒｒとする。石英エッチング用マスク薄膜２を
マスクとして、石英ガラス基板１をエッチングした後、
不要な石英エッチング用マスク薄膜２′をＮＦ3のドラ
イエッチングにより除去する。なお、エッチング深さは
所望のマイクロレンズの曲率半径に基づき決定される。
ドライエッチング条件は、第１エッチング工程では高周
波電力を２５Ｗ、ガス圧を１００ｍＴｏｒｒとし、第２
エッチング工程では高周波電力を２５０Ｗ、ガス圧を１
５ｍＴｏｒｒとする。石英エッチング用マスク薄膜２を
マスクとして、石英ガラス基板１をエッチングした後、
不要な石英エッチング用マスク薄膜２′をＮＦ3のドラ
イエッチングにより除去する。なお、エッチング深さは
所望のマイクロレンズの曲率半径に基づき決定される。
【００１８】さらに、被覆工程において、石英ガラス基
板１上に形成された凸部１′に対して、プラズマＣＶＤ
法により凸部１′と同じ材料である石英ガラス４で被覆
する。プラズマＣＶＤ法の原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ
を使用し、高周波電力を１５０Ｗ、ガス圧を０．５Ｔｏ
ｒｒとする。これらの条件により、半球面状のマイクロ
レンズを得ることができた。
板１上に形成された凸部１′に対して、プラズマＣＶＤ
法により凸部１′と同じ材料である石英ガラス４で被覆
する。プラズマＣＶＤ法の原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ
を使用し、高周波電力を１５０Ｗ、ガス圧を０．５Ｔｏ
ｒｒとする。これらの条件により、半球面状のマイクロ
レンズを得ることができた。
【００１９】
【発明の効果】以上、発明の実施の形態において説明し
たように、本発明のマイクロレンズの製造方法によれ
ば、予め基板に当該基板と屈折率の等しい凸部を形成さ
せ、この基板に形成された凸部に対してＣＶＤ法で当該
凸部と同じ材料で被覆することによりマイクロレンズを
形成させるので、ＣＶＤ法における加熱温度を低温に設
定する必要がなくなる。したがって、高融点ガラスのみ
でマイクロレンズを製造することができ、また、リフロ
ーや化学−機械研磨法等の後加工をすることなく半球面
状のマイクロレンズを得ることができる。これにより、
熱変形や剥離が起こらない高性能なマイクロレンズを製
造することができる。
たように、本発明のマイクロレンズの製造方法によれ
ば、予め基板に当該基板と屈折率の等しい凸部を形成さ
せ、この基板に形成された凸部に対してＣＶＤ法で当該
凸部と同じ材料で被覆することによりマイクロレンズを
形成させるので、ＣＶＤ法における加熱温度を低温に設
定する必要がなくなる。したがって、高融点ガラスのみ
でマイクロレンズを製造することができ、また、リフロ
ーや化学−機械研磨法等の後加工をすることなく半球面
状のマイクロレンズを得ることができる。これにより、
熱変形や剥離が起こらない高性能なマイクロレンズを製
造することができる。
【００２０】また、凸部の大きさは、マイクロレンズの
曲率半径に基づき形成させるので、所望の形状および大
きさのマイクロレンズを得ることができる。
曲率半径に基づき形成させるので、所望の形状および大
きさのマイクロレンズを得ることができる。
【図1】本発明のマイクロレンズの製造方法の実施の一
形態を示す製造工程図。
形態を示す製造工程図。
１・・・・・石英ガラス基板 １′・・・・・凸部 ２・・・・・石英エッチング用マスク薄膜 ３・・・・・フォトレジスト ４・・・・・石英ガラス（凸部と同じ材料） １０１・・・・・スパッタ工程 １０２、１０３・・・・・フォトリソグラフィ工程 １０４・・・・・第１エッチング工程 １０５・・・・・第２エッチング工程
Claims (3)
- 【請求項1】基板上に当該基板と屈折率の等しい材料で
所定の大きさの凸部を形成し、前記凸部に対してＣＶＤ
法により当該凸部と同じ材料で被覆することを特徴とす
るマイクロレンズの製造方法。 - 【請求項2】前記凸部の製造工程は、前記基板上に石英
エッチング用マスク薄膜を形成するスパッタ工程と、前
記石英エッチング用マスク薄膜上にフォトレジストを形
成し、前記フォトレジストに前記凸部のパターンをパタ
ーニングするフォトリソグラフィ工程と、前記パターニ
ング後の前記フォトレジストおよび前記石英エッチング
用マスク薄膜をエッチングするエッチング工程とから成
ることを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの製
造方法。 - 【請求項3】前記凸部の大きさはマイクロレンズの曲率
半径に基づき決定されることを特徴とする請求項１記載
のマイクロレンズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28405497A JP4029128B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | マイクロレンズの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28405497A JP4029128B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | マイクロレンズの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119004A true JPH11119004A (ja) | 1999-04-30 |
| JP4029128B2 JP4029128B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=17673702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28405497A Expired - Fee Related JP4029128B2 (ja) | 1997-10-16 | 1997-10-16 | マイクロレンズの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4029128B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7651884B2 (en) | 2006-08-18 | 2010-01-26 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Method of fabricating a CMOS image sensor with micro lenses formed in a wiring layer |
| EP2217913A1 (en) * | 2007-11-14 | 2010-08-18 | 3M Innovative Properties Company | Method of making microarrays |
-
1997
- 1997-10-16 JP JP28405497A patent/JP4029128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7651884B2 (en) | 2006-08-18 | 2010-01-26 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Method of fabricating a CMOS image sensor with micro lenses formed in a wiring layer |
| EP2217913A1 (en) * | 2007-11-14 | 2010-08-18 | 3M Innovative Properties Company | Method of making microarrays |
| JP2011506916A (ja) * | 2007-11-14 | 2011-03-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | マイクロアレイ作製方法 |
| US8115920B2 (en) * | 2007-11-14 | 2012-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Method of making microarrays |
| JP2015172593A (ja) * | 2007-11-14 | 2015-10-01 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | アレイ作製方法及び型 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4029128B2 (ja) | 2008-01-09 |
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