JPH1168075A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH1168075A JPH1168075A JP9228381A JP22838197A JPH1168075A JP H1168075 A JPH1168075 A JP H1168075A JP 9228381 A JP9228381 A JP 9228381A JP 22838197 A JP22838197 A JP 22838197A JP H1168075 A JPH1168075 A JP H1168075A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度で透明平坦膜を加工することができ
る。 【解決手段】 半導体基板２１上にアクリル系樹脂を用
いて透明平坦膜２５を形成する工程と、ノボラック系樹
脂を用いてマイクロレンズ２６を形成する工程と、ノボ
ラック系樹脂を用いて透明平坦膜２５およびマイクロレ
ンズ２６を形成するときの温度よりも低温でレジストパ
ターン２７を形成する工程と、レジストパターン２７を
マスクとして透明平坦膜２５をドライエッチングする工
程と、ケトン系溶剤を用いてレジストパターン２７を洗
浄により除去する工程とを含む。このように、透明平坦
膜２５をドライエッチングにより加工するので、透明平
坦膜２５は感光性を有する必要はない。また、レジスト
パターン２７をマスクとして用いてドライエッチングに
より透明平坦膜２５を加工することによって、透明平坦
膜材料の解像力に律速されることなく、高い精度で加工
できる。
る。 【解決手段】 半導体基板２１上にアクリル系樹脂を用
いて透明平坦膜２５を形成する工程と、ノボラック系樹
脂を用いてマイクロレンズ２６を形成する工程と、ノボ
ラック系樹脂を用いて透明平坦膜２５およびマイクロレ
ンズ２６を形成するときの温度よりも低温でレジストパ
ターン２７を形成する工程と、レジストパターン２７を
マスクとして透明平坦膜２５をドライエッチングする工
程と、ケトン系溶剤を用いてレジストパターン２７を洗
浄により除去する工程とを含む。このように、透明平坦
膜２５をドライエッチングにより加工するので、透明平
坦膜２５は感光性を有する必要はない。また、レジスト
パターン２７をマスクとして用いてドライエッチングに
より透明平坦膜２５を加工することによって、透明平坦
膜材料の解像力に律速されることなく、高い精度で加工
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、固体撮像装置お
よびその製造方法に関するものである。
よびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像装置の小型化および多画
素化が進められている。小型化に伴って、固体撮像装置
の製造方法における画素以外の周辺部を含めた部分の加
工精度の向上が必要になる。また、多画素化に伴って、
固体撮像装置の受光部の面積の縮小に起因する感度低下
に対する対策が必要となり、その一つとして固体撮像装
置に入射する光を選択的に受光部に集める機能を持つマ
イクロレンズが用いられている。
素化が進められている。小型化に伴って、固体撮像装置
の製造方法における画素以外の周辺部を含めた部分の加
工精度の向上が必要になる。また、多画素化に伴って、
固体撮像装置の受光部の面積の縮小に起因する感度低下
に対する対策が必要となり、その一つとして固体撮像装
置に入射する光を選択的に受光部に集める機能を持つマ
イクロレンズが用いられている。
【０００３】まず、従来の固体撮像装置およびその製造
方法について、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
図３において、１は半導体基板、２は半導体基板１の上
に形成された固体撮像素子の受光部、３はボンディング
パッド部、４はスクライブレーン、５は透明平坦膜、６
は受光部２上に対峙して形成されたマイクロレンズ、８
はマスク、９は遠紫外光を表している。
方法について、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
図３において、１は半導体基板、２は半導体基板１の上
に形成された固体撮像素子の受光部、３はボンディング
パッド部、４はスクライブレーン、５は透明平坦膜、６
は受光部２上に対峙して形成されたマイクロレンズ、８
はマスク、９は遠紫外光を表している。
【０００４】はじめに、半導体基板１の表面に形成され
た受光部２、ボンディングパッド部３およびスクライブ
レーン４などの凹凸を平滑化するために、波長４００〜
７００ｎｍの可視光に透明性を持ち、かつ、遠紫外光に
感光性を持つ材料を用いて透明平坦膜５を形成する。こ
の時の断面図を図３（ａ）に示す。次に透明平坦膜５の
上に熱可塑性および熱硬化性を持つ材料を滴下し、半導
体基板１を回転させることによりマイクロレンズ６の材
料を塗布した後、加熱して塗布膜中の溶剤を蒸発させ
る。所望のパターンを持つマスクを介して露光した後、
露光部分を未露光部分の溶解度の差を利用して現像する
ことにより、マイクロレンズパターンを形成する。熱可
塑性および熱硬化性を持つマイクロレンズパターンを加
熱し、液状化と同時に熱硬化させることにより、半球状
のマイクロレンズ６を形成する。この時の断面図を図３
（ｂ）に示す。
た受光部２、ボンディングパッド部３およびスクライブ
レーン４などの凹凸を平滑化するために、波長４００〜
７００ｎｍの可視光に透明性を持ち、かつ、遠紫外光に
感光性を持つ材料を用いて透明平坦膜５を形成する。こ
の時の断面図を図３（ａ）に示す。次に透明平坦膜５の
上に熱可塑性および熱硬化性を持つ材料を滴下し、半導
体基板１を回転させることによりマイクロレンズ６の材
料を塗布した後、加熱して塗布膜中の溶剤を蒸発させ
る。所望のパターンを持つマスクを介して露光した後、
露光部分を未露光部分の溶解度の差を利用して現像する
ことにより、マイクロレンズパターンを形成する。熱可
塑性および熱硬化性を持つマイクロレンズパターンを加
熱し、液状化と同時に熱硬化させることにより、半球状
のマイクロレンズ６を形成する。この時の断面図を図３
（ｂ）に示す。
【０００５】次にマイクロレンズ６上に所望のパターン
を持つマスク８を介して遠紫外光９で透明平坦膜５を選
択的に露光する。この時の断面図を図３（ｃ）に示す。
次に透明平坦膜５の露光部分と未露光部分との溶解度の
差を利用して現像した後、乾燥させるために加熱するこ
とにより、透明平坦膜５を加工する。この時の断面図を
図３（ｄ）に示す。
を持つマスク８を介して遠紫外光９で透明平坦膜５を選
択的に露光する。この時の断面図を図３（ｃ）に示す。
次に透明平坦膜５の露光部分と未露光部分との溶解度の
差を利用して現像した後、乾燥させるために加熱するこ
とにより、透明平坦膜５を加工する。この時の断面図を
図３（ｄ）に示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術では、透明平坦膜５は可視光に透明性を持ち、
かつ、遠紫外光９に感光性を持つという２つの特性を１
つの機能性材料に持たせているために、パターニングの
点において加工精度が低く解像力が不充分であるという
欠点がある。
来の技術では、透明平坦膜５は可視光に透明性を持ち、
かつ、遠紫外光９に感光性を持つという２つの特性を１
つの機能性材料に持たせているために、パターニングの
点において加工精度が低く解像力が不充分であるという
欠点がある。
【０００７】したがって、この発明の目的は、上記課題
について鑑み、高精度で透明平坦膜を加工することので
きる固体撮像装置およびその製造方法を提供することで
ある。
について鑑み、高精度で透明平坦膜を加工することので
きる固体撮像装置およびその製造方法を提供することで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、請求項１記載の固体撮像装置は、固体撮像素子の受
光部を有する半導体基板と、この半導体基板上に形成し
た透明平坦膜と、受光部に対応するように透明平坦膜上
に形成したマイクロレンズとを備えた固体撮像装置であ
って、透明平坦膜をドライエッチング性を有する材料で
形成したことを特徴とする。
に、請求項１記載の固体撮像装置は、固体撮像素子の受
光部を有する半導体基板と、この半導体基板上に形成し
た透明平坦膜と、受光部に対応するように透明平坦膜上
に形成したマイクロレンズとを備えた固体撮像装置であ
って、透明平坦膜をドライエッチング性を有する材料で
形成したことを特徴とする。
【０００９】このように、透明平坦膜をドライエッチン
グ性を有する材料で形成したので、レジスト材料をマス
クとして用いてドライエッチングにより透明平坦膜を加
工することができる。そのため、従来のように可視光透
明性と遠紫外感光性という相反する２つの機能を透明平
坦膜に持たせる必要がなくなり、高い精度で透明平坦膜
を加工することができる。
グ性を有する材料で形成したので、レジスト材料をマス
クとして用いてドライエッチングにより透明平坦膜を加
工することができる。そのため、従来のように可視光透
明性と遠紫外感光性という相反する２つの機能を透明平
坦膜に持たせる必要がなくなり、高い精度で透明平坦膜
を加工することができる。
【００１０】請求項２記載の固体撮像装置は、請求項１
において、透明平坦膜を形成する材料がアクリル系樹脂
である。このように、透明平坦膜を形成する材料が感光
性をもたないアクリル系樹脂であり、透明性、平坦化性
およびドライエッチング性に優れているため、製造時の
透明平坦膜の加工精度が向上する。請求項３記載の固体
撮像装置の製造方法は、半導体基板上に透明平坦膜を形
成する工程と、半導体基板上の固体撮像素子の受光部に
対応するように透明平坦膜上にマイクロレンズを形成す
る工程と、透明平坦膜とマイクロレンズとの上にレジス
トパターンを形成する工程と、レジストパターンをマス
クとして透明平坦膜をドライエッチングする工程と、レ
ジストパターンを洗浄により除去する工程とを含む。
において、透明平坦膜を形成する材料がアクリル系樹脂
である。このように、透明平坦膜を形成する材料が感光
性をもたないアクリル系樹脂であり、透明性、平坦化性
およびドライエッチング性に優れているため、製造時の
透明平坦膜の加工精度が向上する。請求項３記載の固体
撮像装置の製造方法は、半導体基板上に透明平坦膜を形
成する工程と、半導体基板上の固体撮像素子の受光部に
対応するように透明平坦膜上にマイクロレンズを形成す
る工程と、透明平坦膜とマイクロレンズとの上にレジス
トパターンを形成する工程と、レジストパターンをマス
クとして透明平坦膜をドライエッチングする工程と、レ
ジストパターンを洗浄により除去する工程とを含む。
【００１１】このように、透明平坦膜をドライエッチン
グにより加工するので、透明平坦膜の機能性材料として
は感光性を有する必要はない。また、レジストパターン
をマスクとして用いてドライエッチングにより透明平坦
膜を加工することによって、従来の可視光透明性と遠紫
外感光性の２つの機能を持たなければならない透明平坦
膜材料の解像力に律速されることなく、高い精度で透明
平坦膜を加工することができる。
グにより加工するので、透明平坦膜の機能性材料として
は感光性を有する必要はない。また、レジストパターン
をマスクとして用いてドライエッチングにより透明平坦
膜を加工することによって、従来の可視光透明性と遠紫
外感光性の２つの機能を持たなければならない透明平坦
膜材料の解像力に律速されることなく、高い精度で透明
平坦膜を加工することができる。
【００１２】請求項４記載の固体撮像装置の製造方法
は、半導体基板上にアクリル系樹脂を用いて透明平坦膜
を形成する工程と、半導体基板上の固体撮像素子の受光
部に対応するように透明平坦膜上にノボラック系樹脂を
用いてマイクロレンズを形成する工程と、ノボラック系
樹脂を用いてレジストパターンを形成する工程と、レジ
ストパターンをマスクとして透明平坦膜をドライエッチ
ングする工程と、ケトン基を有する有機溶剤を用いて前
記レジストパターンを洗浄により除去する工程とを含
む。
は、半導体基板上にアクリル系樹脂を用いて透明平坦膜
を形成する工程と、半導体基板上の固体撮像素子の受光
部に対応するように透明平坦膜上にノボラック系樹脂を
用いてマイクロレンズを形成する工程と、ノボラック系
樹脂を用いてレジストパターンを形成する工程と、レジ
ストパターンをマスクとして透明平坦膜をドライエッチ
ングする工程と、ケトン基を有する有機溶剤を用いて前
記レジストパターンを洗浄により除去する工程とを含
む。
【００１３】このように、透明平坦膜をドライエッチン
グにより加工するので、透明平坦膜の機能性材料として
は感光性を有しないアクリル系樹脂を用いることができ
る。また、ドライエッチングにより透明平坦膜を加工す
る際のレジストパターンを高解像力のノボラック系樹脂
を用いるので、高い精度で透明平坦膜を加工することが
できる。また、ケトン基を有する有機溶剤を用いてレジ
ストパターンを洗浄により除去するので、アクリル系樹
脂からなる透明平坦膜およびノボラック系樹脂からなる
マイクロレンズの耐溶剤性が充分あるので、マイクロレ
ンズ表面に表面荒れをきたすことなく、レジストパター
ンを除去することができ、マイクロレンズの集光率を低
下させることはない。
グにより加工するので、透明平坦膜の機能性材料として
は感光性を有しないアクリル系樹脂を用いることができ
る。また、ドライエッチングにより透明平坦膜を加工す
る際のレジストパターンを高解像力のノボラック系樹脂
を用いるので、高い精度で透明平坦膜を加工することが
できる。また、ケトン基を有する有機溶剤を用いてレジ
ストパターンを洗浄により除去するので、アクリル系樹
脂からなる透明平坦膜およびノボラック系樹脂からなる
マイクロレンズの耐溶剤性が充分あるので、マイクロレ
ンズ表面に表面荒れをきたすことなく、レジストパター
ンを除去することができ、マイクロレンズの集光率を低
下させることはない。
【００１４】請求項５記載の固体撮像装置の製造方法
は、請求項４において、有機溶剤がアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルノルマ
ルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノ
ルマルブチルケトンまたは３−メチル−４−ペンタノン
から選ばれる。このようにケトン基を有する有機溶剤と
して、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロ
ピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチルイ
ソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは３
−メチル−４−ペンタノンから選択して用いることがで
きる。
は、請求項４において、有機溶剤がアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルノルマ
ルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノ
ルマルブチルケトンまたは３−メチル−４−ペンタノン
から選ばれる。このようにケトン基を有する有機溶剤と
して、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロ
ピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチルイ
ソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは３
−メチル−４−ペンタノンから選択して用いることがで
きる。
【００１５】請求項６記載の固体撮像装置の製造方法
は、請求項４において、レジストパターンを、透明平坦
膜およびマイクロレンズを形成する工程の温度よりも低
温で形成する。このように、レジストパターンを、透明
平坦膜およびマイクロレンズを形成する工程の温度より
も低温で形成することにより、透明平坦膜とマイクロレ
ンズとに比べてレジストパターンの剥離液への溶解速度
が速くなり、レジストパターン除去時のマイクロレンズ
の膨潤および収縮、または剥離液への溶出によるマイク
ロレンズの表面荒れを低減させることができる。
は、請求項４において、レジストパターンを、透明平坦
膜およびマイクロレンズを形成する工程の温度よりも低
温で形成する。このように、レジストパターンを、透明
平坦膜およびマイクロレンズを形成する工程の温度より
も低温で形成することにより、透明平坦膜とマイクロレ
ンズとに比べてレジストパターンの剥離液への溶解速度
が速くなり、レジストパターン除去時のマイクロレンズ
の膨潤および収縮、または剥離液への溶出によるマイク
ロレンズの表面荒れを低減させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態の固体撮像
装置およびその製造方法を図１および図２に基づいて説
明する。図１はこの発明の実施の形態の固体撮像装置の
断面図を示す。図１において、２１は半導体基板、２２
は半導体基板２１の上に形成された固体撮像素子の受光
部、２３はボンディングパッド部、２４はスクライブレ
ーン、２５は透明平坦膜、２６は受光部２２上に対峙し
て形成されたマイクロレンズである。透明平坦膜２５
は、透明性、平坦化性およびドライエッチング性の優れ
たアクリル系樹脂材料を用いて半導体基板２１の上に形
成されている。マイクロレンズ２６は、熱可塑性および
熱硬化性を持つ感光性ノボラック系樹脂材料を用いて透
明平坦膜２５の上に形成されている。
装置およびその製造方法を図１および図２に基づいて説
明する。図１はこの発明の実施の形態の固体撮像装置の
断面図を示す。図１において、２１は半導体基板、２２
は半導体基板２１の上に形成された固体撮像素子の受光
部、２３はボンディングパッド部、２４はスクライブレ
ーン、２５は透明平坦膜、２６は受光部２２上に対峙し
て形成されたマイクロレンズである。透明平坦膜２５
は、透明性、平坦化性およびドライエッチング性の優れ
たアクリル系樹脂材料を用いて半導体基板２１の上に形
成されている。マイクロレンズ２６は、熱可塑性および
熱硬化性を持つ感光性ノボラック系樹脂材料を用いて透
明平坦膜２５の上に形成されている。
【００１７】つぎに、この固体撮像装置の製造方法につ
いて図２を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｄ）はこの
発明の実施の形態の固体撮像装置の製造方法における工
程順断面図を示す。はじめに、図２（ａ）に示すよう
に、半導体基板２１の表面に形成された受光部２２、ボ
ンディングパッド部２３およびスクライブレーン２４な
どの凹凸を平滑化するために、波長４００〜７００ｎｍ
の可視光に透明性を持ち、かつドライエッチング性を有
するアクリル系樹脂材料を用いて透明平坦膜２５を形成
する。
いて図２を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｄ）はこの
発明の実施の形態の固体撮像装置の製造方法における工
程順断面図を示す。はじめに、図２（ａ）に示すよう
に、半導体基板２１の表面に形成された受光部２２、ボ
ンディングパッド部２３およびスクライブレーン２４な
どの凹凸を平滑化するために、波長４００〜７００ｎｍ
の可視光に透明性を持ち、かつドライエッチング性を有
するアクリル系樹脂材料を用いて透明平坦膜２５を形成
する。
【００１８】次に図２（ｂ）に示すように、透明平坦膜
２５の上に熱可塑性および熱硬化性を持つ感光性ノボラ
ック系樹脂材料を滴下し、半導体基板２１を回転させる
ことによりマイクロレンズ２６の材料を塗布した後、加
熱して塗布膜中の溶剤を蒸発させる。所望のパターンを
持つマスクを介して露光した後、露光部分を未露光部分
の溶解度の差を利用して現像することにより、マイクロ
レンズパターンを形成する。熱可塑性および熱硬化性を
持つマイクロレンズパターンを加熱し、液状化と同時に
熱硬化させることにより、半球状のマイクロレンズ２６
を形成する。
２５の上に熱可塑性および熱硬化性を持つ感光性ノボラ
ック系樹脂材料を滴下し、半導体基板２１を回転させる
ことによりマイクロレンズ２６の材料を塗布した後、加
熱して塗布膜中の溶剤を蒸発させる。所望のパターンを
持つマスクを介して露光した後、露光部分を未露光部分
の溶解度の差を利用して現像することにより、マイクロ
レンズパターンを形成する。熱可塑性および熱硬化性を
持つマイクロレンズパターンを加熱し、液状化と同時に
熱硬化させることにより、半球状のマイクロレンズ２６
を形成する。
【００１９】次に図２（ｃ）に示すように、マイクロレ
ンズ２６上に感光性ノボラック系樹脂材料を滴下し半導
体基板２１を回転させることによりレジストパターン２
７の材料を塗布した後、マイクロレンズ形成工程の加熱
温度よりも低い温度で加熱して塗布膜中の溶剤を蒸発さ
せる。そして、所望のパターンを持つマスクを介して露
光し、露光部分を未露光部分の溶解度の差を利用して現
像した後、膜硬度を高めるためにマイクロレンズ形成工
程の加熱温度よりも低い温度で加熱することにより、レ
ジストパターン２７を形成する。レジストパターン２７
は、ワイヤボンディングやダイシング等の後工程で露呈
していることが必要となるボンディングパッド部２３や
スクライブレーン２４などの上には形成しない。
ンズ２６上に感光性ノボラック系樹脂材料を滴下し半導
体基板２１を回転させることによりレジストパターン２
７の材料を塗布した後、マイクロレンズ形成工程の加熱
温度よりも低い温度で加熱して塗布膜中の溶剤を蒸発さ
せる。そして、所望のパターンを持つマスクを介して露
光し、露光部分を未露光部分の溶解度の差を利用して現
像した後、膜硬度を高めるためにマイクロレンズ形成工
程の加熱温度よりも低い温度で加熱することにより、レ
ジストパターン２７を形成する。レジストパターン２７
は、ワイヤボンディングやダイシング等の後工程で露呈
していることが必要となるボンディングパッド部２３や
スクライブレーン２４などの上には形成しない。
【００２０】この後、図２（ｄ）に示すように、レジス
トパターン２７をマスクとして、ＣＦ4 やＯ2 などのガ
スを用いて透明平坦膜２５をドライエッチングし、ボン
ディングパッド部２３やスクライブレーン２４などを露
呈させる。最後に、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソプロピルケトン、メチルノルマルプロピルケト
ン、メチルイソブチルケトン、メチルノルマルブチルケ
トンまたは３−メチル−４−ペンタノンを主成分とする
溶剤を剥離液として用いてディップ式洗浄またはスプレ
ー式洗浄によりレジストパターン２７を溶解し、除去す
る。この時の断面図を図１に示す。その後にイソプロピ
ルアルコールにより剥離液を置換し、洗浄する。
トパターン２７をマスクとして、ＣＦ4 やＯ2 などのガ
スを用いて透明平坦膜２５をドライエッチングし、ボン
ディングパッド部２３やスクライブレーン２４などを露
呈させる。最後に、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソプロピルケトン、メチルノルマルプロピルケト
ン、メチルイソブチルケトン、メチルノルマルブチルケ
トンまたは３−メチル−４−ペンタノンを主成分とする
溶剤を剥離液として用いてディップ式洗浄またはスプレ
ー式洗浄によりレジストパターン２７を溶解し、除去す
る。この時の断面図を図１に示す。その後にイソプロピ
ルアルコールにより剥離液を置換し、洗浄する。
【００２１】以上のように、この実施の形態によれば、
透明平坦膜２５をドライエッチングにより加工するの
で、透明平坦膜２５の機能性材料としては感光性を有す
る必要はない。従来の技術においては可視光透明性と遠
紫外感光性という相反する２つの機能を１つの材料に持
たせる必要があるために解像力の点で透明平坦膜の加工
精度が不充分であったが、この実施の形態では透明平坦
膜２５をドライエッチングにより加工することで前述の
２つの機能を合わせ持つ必要はなくなり、また加工精度
の点においても従来のように透明平坦膜の解像力で律速
されることはない。つまり、半導体製造工程において繁
用されている高解像力のノボラック系樹脂からなるレジ
スト材料などを用いてドライエッチングにより加工する
ことで、高い精度で透明平坦膜２５を加工することがで
きる。
透明平坦膜２５をドライエッチングにより加工するの
で、透明平坦膜２５の機能性材料としては感光性を有す
る必要はない。従来の技術においては可視光透明性と遠
紫外感光性という相反する２つの機能を１つの材料に持
たせる必要があるために解像力の点で透明平坦膜の加工
精度が不充分であったが、この実施の形態では透明平坦
膜２５をドライエッチングにより加工することで前述の
２つの機能を合わせ持つ必要はなくなり、また加工精度
の点においても従来のように透明平坦膜の解像力で律速
されることはない。つまり、半導体製造工程において繁
用されている高解像力のノボラック系樹脂からなるレジ
スト材料などを用いてドライエッチングにより加工する
ことで、高い精度で透明平坦膜２５を加工することがで
きる。
【００２２】また、レジストパターン２７を除去する工
程において、レジスト剥離液として繁用されている有機
アミン系溶剤と用いると、ノボラック系樹脂を用いて形
成されたマイクロレンズ２６の耐溶剤性が充分ではない
ために、マイクロレンズ２６の膨潤および収縮、また
は、剥離液へのマイクロレンズ２６の溶出などにより、
レジストパターン２７を除去する時にマイクロレンズ２
６表面に表面荒れをきたし、マイクロレンズ２６の集光
力を低下させてしまう。
程において、レジスト剥離液として繁用されている有機
アミン系溶剤と用いると、ノボラック系樹脂を用いて形
成されたマイクロレンズ２６の耐溶剤性が充分ではない
ために、マイクロレンズ２６の膨潤および収縮、また
は、剥離液へのマイクロレンズ２６の溶出などにより、
レジストパターン２７を除去する時にマイクロレンズ２
６表面に表面荒れをきたし、マイクロレンズ２６の集光
力を低下させてしまう。
【００２３】そのため、ケトン基を有する有機溶媒、好
ましくはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプ
ロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチル
イソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは
３−メチル−４−ペンタノンから選ばれる有機溶媒を剥
離液として用いると、アクリル系樹脂からなる透明平坦
膜２５およびノボラック系樹脂からなるマイクロレンズ
２６の耐溶剤性が充分あるので、マイクロレンズ２６表
面に表面荒れをきたすことなく、レジストパターン２７
を除去することができ、マイクロレンズ２６の集光率を
低下させることはない。
ましくはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプ
ロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチル
イソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは
３−メチル−４−ペンタノンから選ばれる有機溶媒を剥
離液として用いると、アクリル系樹脂からなる透明平坦
膜２５およびノボラック系樹脂からなるマイクロレンズ
２６の耐溶剤性が充分あるので、マイクロレンズ２６表
面に表面荒れをきたすことなく、レジストパターン２７
を除去することができ、マイクロレンズ２６の集光率を
低下させることはない。
【００２４】また、同じノボラック系樹脂を用いてマイ
クロレンズ２６とレジストパターン２７とを形成して
も、透明平坦膜２５およびマイクロレンズ２６の形成時
の加熱最高温度よりも充分低い温度でレジストパターン
２７を形成することにより、透明平坦膜２５とマイクロ
レンズ２６とに比べてレジストパターン２７の剥離液へ
の溶解速度を速くする。これにより、レジストパターン
２７の除去時のマイクロレンズ２６の膨潤および収縮、
または、剥離液への溶出によるマイクロレンズ２６の表
面荒れを低減させることができる。
クロレンズ２６とレジストパターン２７とを形成して
も、透明平坦膜２５およびマイクロレンズ２６の形成時
の加熱最高温度よりも充分低い温度でレジストパターン
２７を形成することにより、透明平坦膜２５とマイクロ
レンズ２６とに比べてレジストパターン２７の剥離液へ
の溶解速度を速くする。これにより、レジストパターン
２７の除去時のマイクロレンズ２６の膨潤および収縮、
または、剥離液への溶出によるマイクロレンズ２６の表
面荒れを低減させることができる。
【００２５】また、この固体撮像装置の製造方法による
と、マイクロレンズ２６を形成する工程の後に透明平坦
膜２５を加工するので、マイクロレンズ２６を形成する
ときの透明平坦膜２５はボンディングパッド部２３およ
びスクライブレーン２４などを平坦に覆っており、透明
平坦膜２５の加工後に比べて平坦性の優れた状態にあ
る。透明平坦膜２５を加工した後にマイクロレンズ２６
を形成する場合に比べて、より平坦性の高い状態でマイ
クロレンズ２６を形成することができるので、マイクロ
レンズ材料の塗布膜厚均一性および露光・現像によるパ
ターン寸法均一性が向上し、より形状均一性の高いマイ
クロレンズ２６を得ることができる。
と、マイクロレンズ２６を形成する工程の後に透明平坦
膜２５を加工するので、マイクロレンズ２６を形成する
ときの透明平坦膜２５はボンディングパッド部２３およ
びスクライブレーン２４などを平坦に覆っており、透明
平坦膜２５の加工後に比べて平坦性の優れた状態にあ
る。透明平坦膜２５を加工した後にマイクロレンズ２６
を形成する場合に比べて、より平坦性の高い状態でマイ
クロレンズ２６を形成することができるので、マイクロ
レンズ材料の塗布膜厚均一性および露光・現像によるパ
ターン寸法均一性が向上し、より形状均一性の高いマイ
クロレンズ２６を得ることができる。
【００２６】なお、この実施の形態では、半導体基板２
１上に透明平坦膜２５およびマイクロレンズ２６を形成
する白黒の固体撮像装置の製造方法について示したが、
受光部２２の上に対峙してマイクロレンズ２６の下にカ
ラーフィルタを形成するカラーの固体撮像装置を製造す
る場合にも同様の効果が得られる。また、この発明は特
許請求の範囲に示されているとおりであり、上記実施の
形態に限られるものではない。
１上に透明平坦膜２５およびマイクロレンズ２６を形成
する白黒の固体撮像装置の製造方法について示したが、
受光部２２の上に対峙してマイクロレンズ２６の下にカ
ラーフィルタを形成するカラーの固体撮像装置を製造す
る場合にも同様の効果が得られる。また、この発明は特
許請求の範囲に示されているとおりであり、上記実施の
形態に限られるものではない。
【００２７】
【発明の効果】この発明の請求項１記載の固体撮像装置
によれば、透明平坦膜をドライエッチング性を有する材
料で形成したので、レジスト材料をマスクとして用いて
ドライエッチングにより透明平坦膜を加工することがで
きる。そのため、従来のように可視光透明性と遠紫外感
光性という相反する２つの機能を透明平坦膜に持たせる
必要がなくなり、高い精度で透明平坦膜を加工すること
ができる。
によれば、透明平坦膜をドライエッチング性を有する材
料で形成したので、レジスト材料をマスクとして用いて
ドライエッチングにより透明平坦膜を加工することがで
きる。そのため、従来のように可視光透明性と遠紫外感
光性という相反する２つの機能を透明平坦膜に持たせる
必要がなくなり、高い精度で透明平坦膜を加工すること
ができる。
【００２８】請求項２では、透明平坦膜を形成する材料
が感光性をもたないアクリル系樹脂であり、透明性、平
坦化性およびドライエッチング性に優れているため、製
造時の透明平坦膜の加工精度が向上する。この発明の請
求項３記載の固体撮像装置の製造方法によれば、透明平
坦膜をドライエッチングにより加工するので、透明平坦
膜の機能性材料としては感光性を有する必要はない。ま
た、レジストパターンをマスクとして用いてドライエッ
チングにより透明平坦膜を加工することによって、従来
の可視光透明性と遠紫外感光性の２つの機能を持たなけ
ればならない透明平坦膜材料の解像力に律速されること
なく、高い精度で透明平坦膜を加工することができる。
が感光性をもたないアクリル系樹脂であり、透明性、平
坦化性およびドライエッチング性に優れているため、製
造時の透明平坦膜の加工精度が向上する。この発明の請
求項３記載の固体撮像装置の製造方法によれば、透明平
坦膜をドライエッチングにより加工するので、透明平坦
膜の機能性材料としては感光性を有する必要はない。ま
た、レジストパターンをマスクとして用いてドライエッ
チングにより透明平坦膜を加工することによって、従来
の可視光透明性と遠紫外感光性の２つの機能を持たなけ
ればならない透明平坦膜材料の解像力に律速されること
なく、高い精度で透明平坦膜を加工することができる。
【００２９】この発明の請求項４記載の固体撮像装置の
製造方法によれば、透明平坦膜をドライエッチングによ
り加工するので、透明平坦膜の機能性材料としては感光
性を有しないアクリル系樹脂を用いることができる。ま
た、ドライエッチングにより透明平坦膜を加工する際の
レジストパターンを高解像力のノボラック系樹脂を用い
るので、高い精度で透明平坦膜を加工することができ
る。また、ケトン基を有する有機溶剤を用いてレジスト
パターンを洗浄により除去するので、アクリル系樹脂か
らなる透明平坦膜およびノボラック系樹脂からなるマイ
クロレンズの耐溶剤性が充分あるので、マイクロレンズ
表面に表面荒れをきたすことなく、レジストパターンを
除去することができ、マイクロレンズの集光率を低下さ
せることはない。
製造方法によれば、透明平坦膜をドライエッチングによ
り加工するので、透明平坦膜の機能性材料としては感光
性を有しないアクリル系樹脂を用いることができる。ま
た、ドライエッチングにより透明平坦膜を加工する際の
レジストパターンを高解像力のノボラック系樹脂を用い
るので、高い精度で透明平坦膜を加工することができ
る。また、ケトン基を有する有機溶剤を用いてレジスト
パターンを洗浄により除去するので、アクリル系樹脂か
らなる透明平坦膜およびノボラック系樹脂からなるマイ
クロレンズの耐溶剤性が充分あるので、マイクロレンズ
表面に表面荒れをきたすことなく、レジストパターンを
除去することができ、マイクロレンズの集光率を低下さ
せることはない。
【００３０】請求項５では、ケトン基を有する有機溶剤
として、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプ
ロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチル
イソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは
３−メチル−４−ペンタノンから選択して用いることが
できる。請求項６では、レジストパターンを、透明平坦
膜およびマイクロレンズを形成する工程の温度よりも低
温で形成することにより、透明平坦膜とマイクロレンズ
とに比べてレジストパターンの剥離液への溶解速度が速
くなり、レジストパターン除去時のマイクロレンズの膨
潤および収縮、または剥離液への溶出によるマイクロレ
ンズの表面荒れを低減させることができる。
として、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプ
ロピルケトン、メチルノルマルプロピルケトン、メチル
イソブチルケトン、メチルノルマルブチルケトンまたは
３−メチル−４−ペンタノンから選択して用いることが
できる。請求項６では、レジストパターンを、透明平坦
膜およびマイクロレンズを形成する工程の温度よりも低
温で形成することにより、透明平坦膜とマイクロレンズ
とに比べてレジストパターンの剥離液への溶解速度が速
くなり、レジストパターン除去時のマイクロレンズの膨
潤および収縮、または剥離液への溶出によるマイクロレ
ンズの表面荒れを低減させることができる。
【図１】この発明の実施の形態の固体撮像装置の断面図
である。
である。
【図２】この発明の実施の形態の固体撮像装置の製造方
法における工程順断面図である。
法における工程順断面図である。
【図３】従来の固体撮像装置の製造方法における工程順
断面図である。
断面図である。
２１ 半導体基板 ２２ 受光部 ２３ ボンディングパッド部 ２４ スクライブレーン ２５ 透明平坦膜 ２６ マイクロレンズ ２７ レジストパターン
Claims (6)
- 【請求項１】 固体撮像素子の受光部を有する半導体基
板と、この半導体基板上に形成した透明平坦膜と、前記
受光部に対応するように前記透明平坦膜上に形成したマ
イクロレンズとを備えた固体撮像装置であって、前記透
明平坦膜をドライエッチング性を有する材料で形成した
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 透明平坦膜を形成する材料がアクリル系
樹脂である請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 半導体基板上に透明平坦膜を形成する工
程と、前記半導体基板上の固体撮像素子の受光部に対応
するように前記透明平坦膜上にマイクロレンズを形成す
る工程と、前記透明平坦膜と前記マイクロレンズとの上
にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパ
ターンをマスクとして前記透明平坦膜をドライエッチン
グする工程と、前記レジストパターンを洗浄により除去
する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上にアクリル系樹脂を用いて
透明平坦膜を形成する工程と、前記半導体基板上の固体
撮像素子の受光部に対応するように前記透明平坦膜上に
ノボラック系樹脂を用いてマイクロレンズを形成する工
程と、ノボラック系樹脂を用いてレジストパターンを形
成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前
記透明平坦膜をドライエッチングする工程と、ケトン基
を有する有機溶剤を用いて前記レジストパターンを洗浄
により除去する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記有機溶剤がアセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルノルマルプ
ロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノルマ
ルブチルケトンまたは３−メチル−４−ペンタノンから
選ばれる請求項４記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項６】 レジストパターンを、透明平坦膜および
マイクロレンズを形成する工程の温度よりも低温で形成
する請求項４記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22838197A JP3618201B2 (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22838197A JP3618201B2 (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1168075A true JPH1168075A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3618201B2 JP3618201B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=16875584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22838197A Expired - Fee Related JP3618201B2 (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3618201B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013140707A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | ソニー株式会社 | ケミカルセンサ、ケミカルセンサの製造方法、化学物質検出装置 |
-
1997
- 1997-08-25 JP JP22838197A patent/JP3618201B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013140707A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | ソニー株式会社 | ケミカルセンサ、ケミカルセンサの製造方法、化学物質検出装置 |
| CN104169711A (zh) * | 2012-03-19 | 2014-11-26 | 索尼公司 | 化学传感器、化学传感器的制造方法和化学物质检测装置 |
| US20150050187A1 (en) * | 2012-03-19 | 2015-02-19 | Sony Corporation | Chemical sensor, method of producing chemical sensor, and chemical detection apparatus |
| JPWO2013140707A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2015-08-03 | ソニー株式会社 | ケミカルセンサ、ケミカルセンサの製造方法、化学物質検出装置 |
| EP2829865A4 (en) * | 2012-03-19 | 2015-11-18 | Sony Corp | CHEMICAL SENSOR, METHOD FOR MANUFACTURING CHEMICAL SENSOR, AND APPARATUS FOR SENSING CHEMICAL SENSOR |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3618201B2 (ja) | 2005-02-09 |
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