JP2001308300A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子及びその製造方法Info
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- JP2001308300A JP2001308300A JP2000116622A JP2000116622A JP2001308300A JP 2001308300 A JP2001308300 A JP 2001308300A JP 2000116622 A JP2000116622 A JP 2000116622A JP 2000116622 A JP2000116622 A JP 2000116622A JP 2001308300 A JP2001308300 A JP 2001308300A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】隣接するマイクロレンズが融着せず、マイクロ
レンズ間の距離（スペース）が小さな、且つ所望する曲
率に近づけた、開口率の高いマイクロレンズを有する固
体撮像素子及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】受光部２が配列された半導体基板１と、受
光部平坦化層４と、カラーフィルタ５と、カラーフィル
タ平坦化層７と、集光用のマイクロレンズ１２とを備え
る固体撮像素子において、該マイクロレンズ間の受光部
平坦化層上にフッ素系シラン化合物層又はフッ化物重合
体層１１を備えること。
レンズ間の距離（スペース）が小さな、且つ所望する曲
率に近づけた、開口率の高いマイクロレンズを有する固
体撮像素子及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】受光部２が配列された半導体基板１と、受
光部平坦化層４と、カラーフィルタ５と、カラーフィル
タ平坦化層７と、集光用のマイクロレンズ１２とを備え
る固体撮像素子において、該マイクロレンズ間の受光部
平坦化層上にフッ素系シラン化合物層又はフッ化物重合
体層１１を備えること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロレンズ付き
固体撮像素子、及びその製造方法に関する。
固体撮像素子、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像素子では電荷転送部など
光電変換に寄与しない領域が各画素に存在しているた
め、画素面全体に占める受光部の開口率が１５〜３０％
程度であり入射光の利用が十分でないと言う問題があ
る。このような問題を解消し感度向上を達成するため
に、半導体プロセスによる受光部以外の領域を微細化す
る技術や、高エネルギーイオン注入技術を導入して転送
レジスタ部の飽和電荷量を高めることにより転送レジス
タ部の面積を小さくし、受光部の開口率を大きくする試
みがなされているが、固体撮像素子の構造上開口率を大
きくする試みには限界がある。
光電変換に寄与しない領域が各画素に存在しているた
め、画素面全体に占める受光部の開口率が１５〜３０％
程度であり入射光の利用が十分でないと言う問題があ
る。このような問題を解消し感度向上を達成するため
に、半導体プロセスによる受光部以外の領域を微細化す
る技術や、高エネルギーイオン注入技術を導入して転送
レジスタ部の飽和電荷量を高めることにより転送レジス
タ部の面積を小さくし、受光部の開口率を大きくする試
みがなされているが、固体撮像素子の構造上開口率を大
きくする試みには限界がある。
【０００３】そこで近年、図３（ｃ）に示すように、受
光部（２）の上方部に凸型のマイクロレンズ（２０）を
設け、入射した光を受光部に効率的に集光させ実効開口
率を高めたマイクロレンズを有する固体撮像素子が提供
されている。さらに、カラー固体撮像素子においては、
マイクロレンズに加えてカラーフィルタが固体撮像素子
上に備えられている。
光部（２）の上方部に凸型のマイクロレンズ（２０）を
設け、入射した光を受光部に効率的に集光させ実効開口
率を高めたマイクロレンズを有する固体撮像素子が提供
されている。さらに、カラー固体撮像素子においては、
マイクロレンズに加えてカラーフィルタが固体撮像素子
上に備えられている。
【０００４】半導体基板の表層部に光電変換を行う受光
部が複数箇所形成されている固体撮像素子に、カラーフ
ィルタ及びマイクロレンズを形成する一般的な製造方法
は下記の通りである。 １）透明樹脂による受光部の平坦化 ２）カラーフィルタの形成 ３）透明樹脂によるカラーフィルタの平坦化 ４）マイクロレンズの形成
部が複数箇所形成されている固体撮像素子に、カラーフ
ィルタ及びマイクロレンズを形成する一般的な製造方法
は下記の通りである。 １）透明樹脂による受光部の平坦化 ２）カラーフィルタの形成 ３）透明樹脂によるカラーフィルタの平坦化 ４）マイクロレンズの形成
【０００５】特に、４）マイクロレンズの形成につき説
明する。図３（ａ）〜（ｃ）は、従来のマイクロレンズ
の製造方法を示す説明図である。図３（ａ）において、
（１）は半導体基板、（２）は受光部、（３）は電荷転
送レジスタ、（４）は受光部平坦化層、（５）はカラー
フィルタ、（６）は遮光膜、（７）はカラーフィルタ平
坦化層である。まづ、カラーフィルタ平坦化層（７）上
にマイクロレンズ材料であるレンズ形成用レジストを塗
布しレンズ材層を形成し、従来のフォトリソグラフィー
技術によりレンズ形成用レジストパターン（１９）を設
けた後（図３（ｂ））、加熱処理を施し、レンズ形成用
レジストパターン（１９）のレンズ材層を変形させて受
光部の上方部に凸状のマイクロレンズ（２０）を形成す
るものである。（図３（ｃ））
明する。図３（ａ）〜（ｃ）は、従来のマイクロレンズ
の製造方法を示す説明図である。図３（ａ）において、
（１）は半導体基板、（２）は受光部、（３）は電荷転
送レジスタ、（４）は受光部平坦化層、（５）はカラー
フィルタ、（６）は遮光膜、（７）はカラーフィルタ平
坦化層である。まづ、カラーフィルタ平坦化層（７）上
にマイクロレンズ材料であるレンズ形成用レジストを塗
布しレンズ材層を形成し、従来のフォトリソグラフィー
技術によりレンズ形成用レジストパターン（１９）を設
けた後（図３（ｂ））、加熱処理を施し、レンズ形成用
レジストパターン（１９）のレンズ材層を変形させて受
光部の上方部に凸状のマイクロレンズ（２０）を形成す
るものである。（図３（ｃ））
【０００６】近年、固体撮像素子の高解像度化や小型化
に伴い、受光部の面積が小さくなり、マイクロレンズも
高精細化する必要が生じている。これに対応した策とし
て、マイクロレンズの集光位置（ピッチ）を保ちながら
マイクロレンズの幅を広げマイクロレンズ間の距離をで
きるだけ小さくする方法、すなわち、マイクロレンズ間
の距離（スペース）をできるだけ小さくする方法があ
る。
に伴い、受光部の面積が小さくなり、マイクロレンズも
高精細化する必要が生じている。これに対応した策とし
て、マイクロレンズの集光位置（ピッチ）を保ちながら
マイクロレンズの幅を広げマイクロレンズ間の距離をで
きるだけ小さくする方法、すなわち、マイクロレンズ間
の距離（スペース）をできるだけ小さくする方法があ
る。
【０００７】上記のような従来の受光部に対向する位置
に入射光を集光させるマイクロレンズを設けた固体撮像
素子では、入射光を効率よく集光する為にマイクロレン
ズの幅を単位画素ピッチにできるだけ近づけることにな
る。しかし、加熱処理にてレンズ材層を溶融した時にレ
ンズ材層が広がり、隣接するマイクロレンズと融着して
しまい、逆に、実効開口率が小さくなり高い開口率が得
られないという問題点があった。
に入射光を集光させるマイクロレンズを設けた固体撮像
素子では、入射光を効率よく集光する為にマイクロレン
ズの幅を単位画素ピッチにできるだけ近づけることにな
る。しかし、加熱処理にてレンズ材層を溶融した時にレ
ンズ材層が広がり、隣接するマイクロレンズと融着して
しまい、逆に、実効開口率が小さくなり高い開口率が得
られないという問題点があった。
【０００８】また、従来の方法でマイクロレンズを形成
した場合、マイクロレンズの形状はレンズ形成用レジス
トの軟化点すなわち溶融温度、カラーフィルタ平坦化層
とレンズ形成用レジストとの濡れ性、熱溶融前のレンズ
形成用レジストパターンの高さなどが影響し、マイクロ
レンズの幅を単位画素に近づけ、且つマイクロレンズの
曲率を所望する曲率に近づけるといった双方を制御する
のは大変困難なものであった。
した場合、マイクロレンズの形状はレンズ形成用レジス
トの軟化点すなわち溶融温度、カラーフィルタ平坦化層
とレンズ形成用レジストとの濡れ性、熱溶融前のレンズ
形成用レジストパターンの高さなどが影響し、マイクロ
レンズの幅を単位画素に近づけ、且つマイクロレンズの
曲率を所望する曲率に近づけるといった双方を制御する
のは大変困難なものであった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、隣接するマ
イクロレンズが融着せず、マイクロレンズ間の距離（ス
ペース）が小さな、すなわち、マイクロレンズの幅を単
位画素ピッチに近づけた、且つマイクロレンズの曲率を
所望する曲率に近づけた、開口率の高いマイクロレンズ
を有する固体撮像素子を提供することを課題とするもの
である。また、本発明は、マイクロレンズを有する固体
撮像素子の製造において、隣接するマイクロレンズの融
着、マイクロレンズ間の距離（スペース）、マイクロレ
ンズの曲率を良好に制御し、安定した製造ができる開口
率の高いマイクロレンズを有する固体撮像素子の製造方
法を提供することを課題とするものである。
イクロレンズが融着せず、マイクロレンズ間の距離（ス
ペース）が小さな、すなわち、マイクロレンズの幅を単
位画素ピッチに近づけた、且つマイクロレンズの曲率を
所望する曲率に近づけた、開口率の高いマイクロレンズ
を有する固体撮像素子を提供することを課題とするもの
である。また、本発明は、マイクロレンズを有する固体
撮像素子の製造において、隣接するマイクロレンズの融
着、マイクロレンズ間の距離（スペース）、マイクロレ
ンズの曲率を良好に制御し、安定した製造ができる開口
率の高いマイクロレンズを有する固体撮像素子の製造方
法を提供することを課題とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の受光部
が配列され、受光部で生成した電荷を転送・出力する転
送レジスタを備える半導体基板と、該受光部の表面を平
坦化する受光部平坦化層と、受光部平坦化層上に形成さ
れるカラーフィルタと、カラーフィルタ上に形成される
カラーフィルタ平坦化層と、カラーフィルタ平坦化層上
に形成される集光用のマイクロレンズとを備える固体撮
像素子において、該マイクロレンズ間の受光部平坦化層
上にフッ素系シラン化合物層を備えることを特徴とする
固体撮像素子である。
が配列され、受光部で生成した電荷を転送・出力する転
送レジスタを備える半導体基板と、該受光部の表面を平
坦化する受光部平坦化層と、受光部平坦化層上に形成さ
れるカラーフィルタと、カラーフィルタ上に形成される
カラーフィルタ平坦化層と、カラーフィルタ平坦化層上
に形成される集光用のマイクロレンズとを備える固体撮
像素子において、該マイクロレンズ間の受光部平坦化層
上にフッ素系シラン化合物層を備えることを特徴とする
固体撮像素子である。
【００１１】また、本発明は、複数の受光部が配列さ
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板と、該受光部の表面を平坦化する
受光部平坦化層と、受光部平坦化層上に形成されるカラ
ーフィルタと、カラーフィルタ上に形成されるカラーフ
ィルタ平坦化層と、カラーフィルタ平坦化層上に形成さ
れる集光用のマイクロレンズとを備える固体撮像素子に
おいて、該マイクロレンズ間の受光部平坦化層上にフッ
化物重合体層を備えることを特徴とする固体撮像素子で
ある。
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板と、該受光部の表面を平坦化する
受光部平坦化層と、受光部平坦化層上に形成されるカラ
ーフィルタと、カラーフィルタ上に形成されるカラーフ
ィルタ平坦化層と、カラーフィルタ平坦化層上に形成さ
れる集光用のマイクロレンズとを備える固体撮像素子に
おいて、該マイクロレンズ間の受光部平坦化層上にフッ
化物重合体層を備えることを特徴とする固体撮像素子で
ある。
【００１２】また、本発明は、複数の受光部が配列さ
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上の上記
受光部に対向する位置にレジストを形成する工程と、レ
ジストが形成されていない部位に、真空蒸着法によりフ
ッ素系シラン化合物層を形成する工程と、該レジストを
剥離する工程と、カラーフィルタ平坦化層上のレジスト
が剥離された部位に集光用のマイクロレンズを形成する
工程とからなることを特徴とする固体撮像素子の製造方
法である。
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上の上記
受光部に対向する位置にレジストを形成する工程と、レ
ジストが形成されていない部位に、真空蒸着法によりフ
ッ素系シラン化合物層を形成する工程と、該レジストを
剥離する工程と、カラーフィルタ平坦化層上のレジスト
が剥離された部位に集光用のマイクロレンズを形成する
工程とからなることを特徴とする固体撮像素子の製造方
法である。
【００１３】また、本発明は、複数の受光部が配列さ
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上に真空
蒸着法によりフッ素系シラン化合物層を形成する工程
と、該フッ素系シラン化合物層上の上記受光部に対向す
る位置の間の部位にレジストを形成する工程と、酸素プ
ラズマエッチングを施しレジストから露出する部位のフ
ッ素系シラン化合物を除去する工程と、上記レジストを
剥離する工程と、レジストが剥離された部位に集光用の
マイクロレンズを形成する工程とからなることを特徴と
する固体撮像素子の製造方法である。
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上に真空
蒸着法によりフッ素系シラン化合物層を形成する工程
と、該フッ素系シラン化合物層上の上記受光部に対向す
る位置の間の部位にレジストを形成する工程と、酸素プ
ラズマエッチングを施しレジストから露出する部位のフ
ッ素系シラン化合物を除去する工程と、上記レジストを
剥離する工程と、レジストが剥離された部位に集光用の
マイクロレンズを形成する工程とからなることを特徴と
する固体撮像素子の製造方法である。
【００１４】また、本発明は、複数の受光部が配列さ
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上の上記
受光部に対向する位置にレジストを形成する工程と、レ
ジストが形成されていない部位に、フッ化モノマーをプ
ラズマ重合させることによりフッ化物重合体層を形成す
る工程と、上記レジストを剥離する工程と、カラーフィ
ルタ平坦化層上のレジストが剥離された部位に集光用の
マイクロレンズを形成する工程とからなることを特徴と
する固体撮像素子の製造方法である。
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上の上記
受光部に対向する位置にレジストを形成する工程と、レ
ジストが形成されていない部位に、フッ化モノマーをプ
ラズマ重合させることによりフッ化物重合体層を形成す
る工程と、上記レジストを剥離する工程と、カラーフィ
ルタ平坦化層上のレジストが剥離された部位に集光用の
マイクロレンズを形成する工程とからなることを特徴と
する固体撮像素子の製造方法である。
【００１５】また、本発明は、複数の受光部が配列さ
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上にフッ
化モノマーをプラズマ重合させることによりフッ化物重
合体層を形成する工程と、上記フッ化物重合体層上の上
記受光部に対向する位置の間の部位にレジストを形成す
る工程と、酸素プラズマエッチングを施しレジストから
露出する部位のフッ化物重合体を除去する工程と、上記
レジストを剥離する工程と、レジストが剥離された部位
に集光用のマイクロレンズを形成する工程とからなるこ
とを特徴とする固体撮像素子の製造方法である。
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上にフッ
化モノマーをプラズマ重合させることによりフッ化物重
合体層を形成する工程と、上記フッ化物重合体層上の上
記受光部に対向する位置の間の部位にレジストを形成す
る工程と、酸素プラズマエッチングを施しレジストから
露出する部位のフッ化物重合体を除去する工程と、上記
レジストを剥離する工程と、レジストが剥離された部位
に集光用のマイクロレンズを形成する工程とからなるこ
とを特徴とする固体撮像素子の製造方法である。
【００１６】また、本発明は、上記発明による固体撮像
素子の製造方法において、前記集光用のマイクロレンズ
を形成する工程が、ポジ型感光性材料を所望の位置にパ
ターンニングした後に熱溶融する工程からなることを特
徴とする固体撮像素子の製造方法である。
素子の製造方法において、前記集光用のマイクロレンズ
を形成する工程が、ポジ型感光性材料を所望の位置にパ
ターンニングした後に熱溶融する工程からなることを特
徴とする固体撮像素子の製造方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明による固体撮像素子
及びその製造方法を、その実施形態に基づいて説明す
る。図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明による固体撮像素子
の製造方法の一実施例を模式的に示した説明図である。
この製造方法により得られた本発明による固体撮像素子
は、図１（ｅ）に示されている。
及びその製造方法を、その実施形態に基づいて説明す
る。図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明による固体撮像素子
の製造方法の一実施例を模式的に示した説明図である。
この製造方法により得られた本発明による固体撮像素子
は、図１（ｅ）に示されている。
【００１８】図１（ｅ）に示すように、本発明による固
体撮像素子は、複数の受光部（２）が配列され、受光部
で生成した電荷を転送・出力する転送レジスタ（３）を
備える半導体基板（１）と、この半導体基板（１）の受
光部の表面の上方部を平坦化する受光部平坦化層（４）
と、受光部平坦化層上に形成される遮光層（６）及びカ
ラーフィルタ（５）と、遮光層（６）及びカラーフィル
タ（５）上に形成されるカラーフィルタ平坦化層（７）
と、カラーフィルタ平坦化層（７）上に形成される集光
用のマイクロレンズ（１２）とを備えており、このマイ
クロレンズ（１２）間の受光部平坦化層（４）上にフッ
素系シラン化合物層又はフッ化物重合体層（１１）を備
えているものである。
体撮像素子は、複数の受光部（２）が配列され、受光部
で生成した電荷を転送・出力する転送レジスタ（３）を
備える半導体基板（１）と、この半導体基板（１）の受
光部の表面の上方部を平坦化する受光部平坦化層（４）
と、受光部平坦化層上に形成される遮光層（６）及びカ
ラーフィルタ（５）と、遮光層（６）及びカラーフィル
タ（５）上に形成されるカラーフィルタ平坦化層（７）
と、カラーフィルタ平坦化層（７）上に形成される集光
用のマイクロレンズ（１２）とを備えており、このマイ
クロレンズ（１２）間の受光部平坦化層（４）上にフッ
素系シラン化合物層又はフッ化物重合体層（１１）を備
えているものである。
【００１９】本発明による固体撮像素子においては、こ
のようにマイクロレンズ（１２）間の受光部平坦化層
（４）上にフッ素系シラン化合物層又はフッ化物重合体
層（１１）を備えているため、隣接するマイクロレンズ
が融着せず、マイクロレンズ間の距離（スペース）が小
さな、すなわち、マイクロレンズの幅を単位画素ピッチ
に近づけた、且つマイクロレンズの曲率を所望する曲率
に近づけた、開口率の高いマイクロレンズを有する固体
撮像素子となる。
のようにマイクロレンズ（１２）間の受光部平坦化層
（４）上にフッ素系シラン化合物層又はフッ化物重合体
層（１１）を備えているため、隣接するマイクロレンズ
が融着せず、マイクロレンズ間の距離（スペース）が小
さな、すなわち、マイクロレンズの幅を単位画素ピッチ
に近づけた、且つマイクロレンズの曲率を所望する曲率
に近づけた、開口率の高いマイクロレンズを有する固体
撮像素子となる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 ＜実施例１＞まづ、図１（ａ）に示すように、複数の受
光部（２）が配列され、受光部で生成した電荷を転送・
出力する転送レジスタ（３）を備える半導体基板（１）
の受光部の表面の上方部を平坦化する受光部平坦化層
（４）を形成した。次に、この受光部平坦化層上に遮光
層（６）及びカラーフィルタ（５）を形成し、さらに、
カラーフィルタ平坦化層（７）を形成した。
光部（２）が配列され、受光部で生成した電荷を転送・
出力する転送レジスタ（３）を備える半導体基板（１）
の受光部の表面の上方部を平坦化する受光部平坦化層
（４）を形成した。次に、この受光部平坦化層上に遮光
層（６）及びカラーフィルタ（５）を形成し、さらに、
カラーフィルタ平坦化層（７）を形成した。
【００２１】続いて、図１（ｂ）に示すように、カラー
フィルタ平坦化層（７）上にポジ型レジスト（東京応化
製、ＴＨＲＭ−ｉｐ−３３００ＬＢ（商品名））を用
い、レジストパターン（８）を所望の位置に形成した。
ここで用いるレジストは、高精細なパターニングが行え
ることから、上記のように感光性レジストが望ましく、
さらにポジ型であると露光された部分が分解除去される
ことから、ポジ型が望ましい。次いで、図１（ｃ）に示
すように、フッ素系シラン化合物層（９）、（１１）を
形成した。フッ素有機系シランカップリング材であるＣ
Ｆ3 （ＣＦ2 ）6 ＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 を用い真空蒸着法により形成した。
フィルタ平坦化層（７）上にポジ型レジスト（東京応化
製、ＴＨＲＭ−ｉｐ−３３００ＬＢ（商品名））を用
い、レジストパターン（８）を所望の位置に形成した。
ここで用いるレジストは、高精細なパターニングが行え
ることから、上記のように感光性レジストが望ましく、
さらにポジ型であると露光された部分が分解除去される
ことから、ポジ型が望ましい。次いで、図１（ｃ）に示
すように、フッ素系シラン化合物層（９）、（１１）を
形成した。フッ素有機系シランカップリング材であるＣ
Ｆ3 （ＣＦ2 ）6 ＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 を用い真空蒸着法により形成した。
【００２２】その後、レジストパターン（８）を剥離
し、マイクロレンズ用レジスト（ポリビニルフェノール
系マトリックスポリマー、ナフトキノンジアジド系感光
材及び熱硬化剤からなるアルカリ現像型ポジ型レジス
ト）を用い所望の位置にレンズ形成レジストパターン
（１０）をパターン形成した。次いで、図１（ｅ）に示
すように、加熱溶融させマイクロレンズを形成した。こ
の方法にて、熱溶融温度を１５０〜１８０℃に変えるこ
とで、レンズ高さ０．８〜２．２μｍの様々な曲率を有
し、マイクロレンズ間のギャップ０．３μｍのマイクロ
レンズ（１２）を形成できた。尚、フッ素有機系シラン
カップリング材としてはＣＦ3 （ＣＦ2 ）6 ＳＯ2 ＮＨ
（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 などのパーフロロア
ルキル官能性シランを用いてもよい。
し、マイクロレンズ用レジスト（ポリビニルフェノール
系マトリックスポリマー、ナフトキノンジアジド系感光
材及び熱硬化剤からなるアルカリ現像型ポジ型レジス
ト）を用い所望の位置にレンズ形成レジストパターン
（１０）をパターン形成した。次いで、図１（ｅ）に示
すように、加熱溶融させマイクロレンズを形成した。こ
の方法にて、熱溶融温度を１５０〜１８０℃に変えるこ
とで、レンズ高さ０．８〜２．２μｍの様々な曲率を有
し、マイクロレンズ間のギャップ０．３μｍのマイクロ
レンズ（１２）を形成できた。尚、フッ素有機系シラン
カップリング材としてはＣＦ3 （ＣＦ2 ）6 ＳＯ2 ＮＨ
（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 などのパーフロロア
ルキル官能性シランを用いてもよい。
【００２３】＜実施例２＞レジストパターン（８）を形
成する工程までは実施例１と同様であるので説明を省略
する。図１（ｃ）に示すように、フルオロカーボンモノ
マーをプラズマ重合し、表面をフッ素化した。フルオロ
カーボンモノマーとしては、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタ
フルオロペンチルアクリレート（大阪有機化学工業
（株) 製、ビスコート８Ｆ（商品名））を用いた。
成する工程までは実施例１と同様であるので説明を省略
する。図１（ｃ）に示すように、フルオロカーボンモノ
マーをプラズマ重合し、表面をフッ素化した。フルオロ
カーボンモノマーとしては、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタ
フルオロペンチルアクリレート（大阪有機化学工業
（株) 製、ビスコート８Ｆ（商品名））を用いた。
【００２４】その後、レジストパターン（８）を剥離
し、マイクロレンズ用レジスト（ポリビニルフェノール
系マトリックスポリマー、ナフトキノンジアジド系感光
材及び熱硬化剤からなるアルカリ現像型ポジ型レジス
ト）を用い所望の位置にレンズ形成レジストパターン
（１０）をパターン形成した。次いで、図１（ｅ）に示
すように、加熱溶融させマイクロレンズを形成した。こ
の方法にて、熱溶融温度を１５０〜１８０℃に変えるこ
とで、レンズ高さ０．８〜２．２μｍの様々な曲率を有
し、マイクロレンズ間のギャップ０．３μｍのマイクロ
レンズ（１２）を形成できた。
し、マイクロレンズ用レジスト（ポリビニルフェノール
系マトリックスポリマー、ナフトキノンジアジド系感光
材及び熱硬化剤からなるアルカリ現像型ポジ型レジス
ト）を用い所望の位置にレンズ形成レジストパターン
（１０）をパターン形成した。次いで、図１（ｅ）に示
すように、加熱溶融させマイクロレンズを形成した。こ
の方法にて、熱溶融温度を１５０〜１８０℃に変えるこ
とで、レンズ高さ０．８〜２．２μｍの様々な曲率を有
し、マイクロレンズ間のギャップ０．３μｍのマイクロ
レンズ（１２）を形成できた。
【００２５】尚、フルオロカーボンモノマーとしては、
例えば、ＣＦ3 ＣＦＣＦＣＦ3 、ＣＦ2 ＣＦ2 などが有
るが、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルアク
リレート（大阪有機化学工業（株) 製、ビスコート８Ｆ
（商品名））、或いは１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオ
ロペンチルメタクリレート（大阪有機化学工業（株)
製、ビスコート８ＦＭ（商品名））を用いるのが好まし
い。
例えば、ＣＦ3 ＣＦＣＦＣＦ3 、ＣＦ2 ＣＦ2 などが有
るが、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルアク
リレート（大阪有機化学工業（株) 製、ビスコート８Ｆ
（商品名））、或いは１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオ
ロペンチルメタクリレート（大阪有機化学工業（株)
製、ビスコート８ＦＭ（商品名））を用いるのが好まし
い。
【００２６】＜実施例３＞カラーフィルタ平坦化層
（７）を形成する工程までは実施例１と同様であるので
説明を省略する。図２（ｂ）に示すように、カラーフィ
ルタ平坦化層（７）上にフッ化有機化合物を含有する透
明平坦化樹脂層（１３）を形成した。透明平坦下層樹脂
としてはポリグリシジルメタクリレート系ポリマー、フ
ッ化有機化合物としてＣＦ3 （ＣＦ2 ）n ＣＨ2 ＣＨ2
Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 を用いた。ポリグリシジルメタクリ
レート系ポリマーに対しフッ化有機化合物を２０ｗｔ％
以下加えるのが好ましい。
（７）を形成する工程までは実施例１と同様であるので
説明を省略する。図２（ｂ）に示すように、カラーフィ
ルタ平坦化層（７）上にフッ化有機化合物を含有する透
明平坦化樹脂層（１３）を形成した。透明平坦下層樹脂
としてはポリグリシジルメタクリレート系ポリマー、フ
ッ化有機化合物としてＣＦ3 （ＣＦ2 ）n ＣＨ2 ＣＨ2
Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 を用いた。ポリグリシジルメタクリ
レート系ポリマーに対しフッ化有機化合物を２０ｗｔ％
以下加えるのが好ましい。
【００２７】その後、図２（ｃ）に示すように、フッ化
有機化合物を含有する透明平坦化樹脂層（１３）上に、
ポジ型レジスト（東京応化製、ＴＨＲＭ−ｉｐ−３３０
０ＬＢ（商品名））を用い、レジストパターン（１４）
を所望の位置に形成した。次いで、図２（ｄ）に示すよ
うに、酸素プラズマエッチングを施し、カラーフィルタ
平坦化層（７）を露出させ、レジストパターン（１４）
を剥離しマイクロレンズ間に選択的にフッ化有機化合物
を含有する透明平坦化樹脂層（１５）の壁を設けた。
有機化合物を含有する透明平坦化樹脂層（１３）上に、
ポジ型レジスト（東京応化製、ＴＨＲＭ−ｉｐ−３３０
０ＬＢ（商品名））を用い、レジストパターン（１４）
を所望の位置に形成した。次いで、図２（ｄ）に示すよ
うに、酸素プラズマエッチングを施し、カラーフィルタ
平坦化層（７）を露出させ、レジストパターン（１４）
を剥離しマイクロレンズ間に選択的にフッ化有機化合物
を含有する透明平坦化樹脂層（１５）の壁を設けた。
【００２８】次いで、図２（ｅ）に示すように、マイク
ロレンズ用レジスト（ポリビニルフェノール系マトリッ
クスポリマー、ナフトキノンジアジド系感光材及び熱硬
化剤からなるアルカリ現像型ポジ型レジスト）を用い所
望の位置にレンズ形成レジストパターン（１０）をパタ
ーン形成した。次いで、図２（ｆ）に示すように、加熱
溶融させマイクロレンズを形成した。この方法にて、熱
溶融温度を１５０〜１８０℃に変えることで、レンズ高
さ０．８〜２．２μｍの様々な曲率を有し、マイクロレ
ンズ間のギャップ０．１μｍのマイクロレンズ（１８）
を形成できた。
ロレンズ用レジスト（ポリビニルフェノール系マトリッ
クスポリマー、ナフトキノンジアジド系感光材及び熱硬
化剤からなるアルカリ現像型ポジ型レジスト）を用い所
望の位置にレンズ形成レジストパターン（１０）をパタ
ーン形成した。次いで、図２（ｆ）に示すように、加熱
溶融させマイクロレンズを形成した。この方法にて、熱
溶融温度を１５０〜１８０℃に変えることで、レンズ高
さ０．８〜２．２μｍの様々な曲率を有し、マイクロレ
ンズ間のギャップ０．１μｍのマイクロレンズ（１８）
を形成できた。
【００２９】
【本発明の効果】本発明は、複数の受光部が配列され、
受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジスタを
備える半導体基板と、該受光部の表面を平坦化する受光
部平坦化層と、受光部平坦化層上に形成されるカラーフ
ィルタと、カラーフィルタ上に形成されるカラーフィル
タ平坦化層と、カラーフィルタ平坦化層上に形成される
集光用のマイクロレンズとを備える固体撮像素子におい
て、該マイクロレンズ間の受光部平坦化層上にフッ素系
シラン化合物層又はフッ化物重合体層を備えるので、隣
接するマイクロレンズが融着せず、マイクロレンズ間の
距離（スペース）が小さな、すなわち、マイクロレンズ
の幅を単位画素ピッチに近づけた、且つマイクロレンズ
の曲率を所望する曲率に近づけた、開口率の高いマイク
ロレンズを有する固体撮像素子となる。
受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジスタを
備える半導体基板と、該受光部の表面を平坦化する受光
部平坦化層と、受光部平坦化層上に形成されるカラーフ
ィルタと、カラーフィルタ上に形成されるカラーフィル
タ平坦化層と、カラーフィルタ平坦化層上に形成される
集光用のマイクロレンズとを備える固体撮像素子におい
て、該マイクロレンズ間の受光部平坦化層上にフッ素系
シラン化合物層又はフッ化物重合体層を備えるので、隣
接するマイクロレンズが融着せず、マイクロレンズ間の
距離（スペース）が小さな、すなわち、マイクロレンズ
の幅を単位画素ピッチに近づけた、且つマイクロレンズ
の曲率を所望する曲率に近づけた、開口率の高いマイク
ロレンズを有する固体撮像素子となる。
【００３０】また、本発明は、複数の受光部が配列さ
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上の上記
受光部に対向する位置にレジストを形成する工程と、レ
ジストが形成されていない部位に、真空蒸着法によりフ
ッ素系シラン化合物層又はフッ化モノマーをプラズマ重
合させることによりフッ化物重合体層を形成する工程
と、該レジストを剥離する工程と、カラーフィルタ平坦
化層上のレジストが剥離された部位に集光用のマイクロ
レンズを形成する工程とからなる固体撮像素子の製造方
法であるので、隣接するマイクロレンズの融着、マイク
ロレンズ間の距離（スペース）、マイクロレンズの曲率
を良好に制御し、安定した製造ができる開口率の高いマ
イクロレンズを有する固体撮像素子の製造方法となる。
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上の上記
受光部に対向する位置にレジストを形成する工程と、レ
ジストが形成されていない部位に、真空蒸着法によりフ
ッ素系シラン化合物層又はフッ化モノマーをプラズマ重
合させることによりフッ化物重合体層を形成する工程
と、該レジストを剥離する工程と、カラーフィルタ平坦
化層上のレジストが剥離された部位に集光用のマイクロ
レンズを形成する工程とからなる固体撮像素子の製造方
法であるので、隣接するマイクロレンズの融着、マイク
ロレンズ間の距離（スペース）、マイクロレンズの曲率
を良好に制御し、安定した製造ができる開口率の高いマ
イクロレンズを有する固体撮像素子の製造方法となる。
【００３１】また、本発明は、複数の受光部が配列さ
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上に真空
蒸着法によりフッ素系シラン化合物層を形成する工程又
はフッ化モノマーをプラズマ重合させることによりフッ
化物重合体層を形成する工程と、該フッ素系シラン化合
物層上又はフッ化物重合体層上の上記受光部に対向する
位置の間の部位にレジストを形成する工程と、酸素プラ
ズマエッチングを施しレジストから露出する部位のフッ
素系シラン化合物又はフッ化物重合体を除去する工程
と、上記レジストを剥離する工程と、レジストが剥離さ
れた部位に集光用のマイクロレンズを形成する工程とか
らなる固体撮像素子の製造方法であるので、隣接するマ
イクロレンズの融着、マイクロレンズ間の距離（スペー
ス）、マイクロレンズの曲率を良好に制御し、安定した
製造ができる開口率の高いマイクロレンズを有する固体
撮像素子の製造方法となる。
れ、受光部で生成した電荷を転送・出力する転送レジス
タを備える半導体基板の該受光部の表面を平坦化する受
光部平坦化層を形成する工程と、受光部平坦化層上にカ
ラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上にカ
ラーフィルタの表面を平坦化するカラーフィルタ平坦化
層を形成する工程と、カラーフィルタ平坦化層上に真空
蒸着法によりフッ素系シラン化合物層を形成する工程又
はフッ化モノマーをプラズマ重合させることによりフッ
化物重合体層を形成する工程と、該フッ素系シラン化合
物層上又はフッ化物重合体層上の上記受光部に対向する
位置の間の部位にレジストを形成する工程と、酸素プラ
ズマエッチングを施しレジストから露出する部位のフッ
素系シラン化合物又はフッ化物重合体を除去する工程
と、上記レジストを剥離する工程と、レジストが剥離さ
れた部位に集光用のマイクロレンズを形成する工程とか
らなる固体撮像素子の製造方法であるので、隣接するマ
イクロレンズの融着、マイクロレンズ間の距離（スペー
ス）、マイクロレンズの曲率を良好に制御し、安定した
製造ができる開口率の高いマイクロレンズを有する固体
撮像素子の製造方法となる。
【００３２】また、本発明は、集光用のマイクロレンズ
を形成する工程が、ポジ型感光性材料を所望の位置にパ
ターンニングした後に熱溶融する工程からなるので、露
光された部分が分解除去され、高精細なパターニングが
行え、熱溶融温度を１５０〜１８０℃に変えることで、
レンズ高さ０．８〜２．２μｍの様々な曲率を有し、マ
イクロレンズ間のギャップ０．３μｍのマイクロレンズ
を形成できる。
を形成する工程が、ポジ型感光性材料を所望の位置にパ
ターンニングした後に熱溶融する工程からなるので、露
光された部分が分解除去され、高精細なパターニングが
行え、熱溶融温度を１５０〜１８０℃に変えることで、
レンズ高さ０．８〜２．２μｍの様々な曲率を有し、マ
イクロレンズ間のギャップ０．３μｍのマイクロレンズ
を形成できる。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明による固体撮像素子
の製造方法の一実施例を模式的に示した説明図である。
の製造方法の一実施例を模式的に示した説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明による固体撮像素子
の製造方法の他の例を模式的に示した説明図である。
の製造方法の他の例を模式的に示した説明図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、従来のマイクロレンズの製
造方法を示す説明図である。
造方法を示す説明図である。
１…半導体基板 ２…受光部 ３…転送レジスタ ４…受光部平坦化層 ５…カラーフィルタ ６…遮光層 ７…カラーフィルタ平坦化層 ８、１４…レジストパターン ９、１１…フッ素系シラン化合物層又はフッ化物重合体
層 １０、１７、１９…レンズ形成レジストパターン １２、１８、２０…マイクロレンズ層 １３、１５…透明平坦化樹脂層 １６…酸素プラズマエッチングを施し露出させカラーフ
ィルタ平坦化層
層 １０、１７、１９…レンズ形成レジストパターン １２、１８、２０…マイクロレンズ層 １３、１５…透明平坦化樹脂層 １６…酸素プラズマエッチングを施し露出させカラーフ
ィルタ平坦化層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ ５Ｆ０８８ 9/07 31/02 Ａ Ｆターム(参考） 2H048 BB02 BB08 BB10 BB28 BB47 4J002 BD131 CP081 CP091 CP101 GQ00 4M118 AA10 AB01 BA10 CA40 EA01 FA06 FA08 GB07 GC07 GD04 5C024 CX41 CY47 EX43 EX52 5C065 BB42 CC01 DD01 EE10 EE11 5F088 AA01 AB03 BA05 BA07 BB03 EA02 EA06 GA04 JA12 JA13
Claims (7)
- 【請求項１】複数の受光部が配列され、受光部で生成し
た電荷を転送・出力する転送レジスタを備える半導体基
板と、該受光部の表面を平坦化する受光部平坦化層と、
受光部平坦化層上に形成されるカラーフィルタと、カラ
ーフィルタ上に形成されるカラーフィルタ平坦化層と、
カラーフィルタ平坦化層上に形成される集光用のマイク
ロレンズとを備える固体撮像素子において、該マイクロ
レンズ間の受光部平坦化層上にフッ素系シラン化合物層
を備えることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】複数の受光部が配列され、受光部で生成し
た電荷を転送・出力する転送レジスタを備える半導体基
板と、該受光部の表面を平坦化する受光部平坦化層と、
受光部平坦化層上に形成されるカラーフィルタと、カラ
ーフィルタ上に形成されるカラーフィルタ平坦化層と、
カラーフィルタ平坦化層上に形成される集光用のマイク
ロレンズとを備える固体撮像素子において、該マイクロ
レンズ間の受光部平坦化層上にフッ化物重合体層を備え
ることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項３】複数の受光部が配列され、受光部で生成し
た電荷を転送・出力する転送レジスタを備える半導体基
板の該受光部の表面を平坦化する受光部平坦化層を形成
する工程と、受光部平坦化層上にカラーフィルタを形成
する工程と、カラーフィルタ上にカラーフィルタの表面
を平坦化するカラーフィルタ平坦化層を形成する工程
と、カラーフィルタ平坦化層上の上記受光部に対向する
位置にレジストを形成する工程と、レジストが形成され
ていない部位に、真空蒸着法によりフッ素系シラン化合
物層を形成する工程と、該レジストを剥離する工程と、
カラーフィルタ平坦化層上のレジストが剥離された部位
に集光用のマイクロレンズを形成する工程とからなるこ
とを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項４】複数の受光部が配列され、受光部で生成し
た電荷を転送・出力する転送レジスタを備える半導体基
板の該受光部の表面を平坦化する受光部平坦化層を形成
する工程と、受光部平坦化層上にカラーフィルタを形成
する工程と、カラーフィルタ上にカラーフィルタの表面
を平坦化するカラーフィルタ平坦化層を形成する工程
と、カラーフィルタ平坦化層上に真空蒸着法によりフッ
素系シラン化合物層を形成する工程と、該フッ素系シラ
ン化合物層上の上記受光部に対向する位置の間の部位に
レジストを形成する工程と、酸素プラズマエッチングを
施しレジストから露出する部位のフッ素系シラン化合物
を除去する工程と、上記レジストを剥離する工程と、レ
ジストが剥離された部位に集光用のマイクロレンズを形
成する工程とからなることを特徴とする固体撮像素子の
製造方法。 - 【請求項５】複数の受光部が配列され、受光部で生成し
た電荷を転送・出力する転送レジスタを備える半導体基
板の該受光部の表面を平坦化する受光部平坦化層を形成
する工程と、受光部平坦化層上にカラーフィルタを形成
する工程と、カラーフィルタ上にカラーフィルタの表面
を平坦化するカラーフィルタ平坦化層を形成する工程
と、カラーフィルタ平坦化層上の上記受光部に対向する
位置にレジストを形成する工程と、レジストが形成され
ていない部位に、フッ化モノマーをプラズマ重合させる
ことによりフッ化物重合体層を形成する工程と、上記レ
ジストを剥離する工程と、カラーフィルタ平坦化層上の
レジストが剥離された部位に集光用のマイクロレンズを
形成する工程とからなることを特徴とする固体撮像素子
の製造方法。 - 【請求項６】複数の受光部が配列され、受光部で生成し
た電荷を転送・出力する転送レジスタを備える半導体基
板の該受光部の表面を平坦化する受光部平坦化層を形成
する工程と、受光部平坦化層上にカラーフィルタを形成
する工程と、カラーフィルタ上にカラーフィルタの表面
を平坦化するカラーフィルタ平坦化層を形成する工程
と、カラーフィルタ平坦化層上にフッ化モノマーをプラ
ズマ重合させることによりフッ化物重合体層を形成する
工程と、上記フッ化物重合体層上の上記受光部に対向す
る位置の間の部位にレジストを形成する工程と、酸素プ
ラズマエッチングを施しレジストから露出する部位のフ
ッ化物重合体を除去する工程と、上記レジストを剥離す
る工程と、レジストが剥離された部位に集光用のマイク
ロレンズを形成する工程とからなることを特徴とする固
体撮像素子の製造方法。 - 【請求項７】前記集光用のマイクロレンズを形成する工
程が、ポジ型感光性材料を所望の位置にパターンニング
した後に熱溶融する工程からなることを特徴とする請求
項３乃至請求項６のいずれか１項に記載の固体撮像素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116622A JP2001308300A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116622A JP2001308300A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308300A true JP2001308300A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18628062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000116622A Pending JP2001308300A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308300A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007127981A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Sharp Corp | マイクロレンズアレイおよびその形成方法、固体撮像素子、液晶表示装置、電子情報機器 |
| JP2007294779A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| US7704779B2 (en) | 2007-02-23 | 2010-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensing device having protection pattern on the microlens, camera module, and method of forming the same |
| KR100967482B1 (ko) | 2007-12-17 | 2010-07-07 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
-
2000
- 2000-04-18 JP JP2000116622A patent/JP2001308300A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007127981A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Sharp Corp | マイクロレンズアレイおよびその形成方法、固体撮像素子、液晶表示装置、電子情報機器 |
| JP2007294779A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| US7704779B2 (en) | 2007-02-23 | 2010-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensing device having protection pattern on the microlens, camera module, and method of forming the same |
| KR100967482B1 (ko) | 2007-12-17 | 2010-07-07 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
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