CN104520696B - 表面增强拉曼散射元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

表面增强拉曼散射元件(SERS)2具备：基板21，其具有表面21a；细微结构部24，其形成于表面21a上并具有多个柱脚27；导电体层23，其形成于细微结构部24上并构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部20。导电体层23具有以沿着表面21a的形式形成的基底部28、在对应于各个柱脚27的位置上从基底部28突出的多个突出部29。基底部28的厚度大于柱脚27的高度。

Description

表面增强拉曼散射元件及其制造方法
技术领域
本发明是涉及一种表面增强拉曼散射元件及其制造方法。
背景技术
作为现有的表面增强拉曼散射元件，众所周知具备产生表面增强拉曼散射(SERS：Surface Enhanced Raman Scattering)的微小金属结构体(例如参照专利文献1以及非专利文献1)。在这样的表面增强拉曼散射元件中，成为拉曼光谱分析的对象的样品被接触于微小金属结构体，如果在该状态下激发光被照射于该样品则产生表面增强拉曼散射，例如发出被增强到108倍左右的拉曼散射光。
然而，例如在专利文献2中，记载有分别在基板的一面以及形成于该基板的一面上的多个微小突起部的上面(或者形成于该基板的一面的多个细微孔的底面)上，以非接触状态的形式(以最短部分的间隔成为5nm～10μm左右的形式)形成有金属层的微小金属结构体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2011-33518号公报
专利文献2：日本专利特开2009-222507号公报
非专利文献
非专利文献1：“Q-SERSTM G1Substrate”，(互联网资料)，OPTO SICENCE,IN.，[平成25年7月5日检索]，网页〈URL:http://www.optoscience.com/maker/nanova/pdf/Q-SERS_G1.pdf〉
发明内容
发明想要解决的技术问题
如上所述如果在微小金属结构体形成所谓的纳米间隙，则在照射激发光时发生局部电场增强，并且表面增强拉曼散射的强度被增大。
另外，在专利文献1所记载的拉曼光谱分析方法中，优选表现SERS效果的微小金属结构体不容易从基板剥离并且形状稳定。
因此，本发明的目的在于提供一种能够通过合适的纳米间隙来增大表面增强拉曼散射的强度的表面增强拉曼散射元件、以及这样的表面增强拉曼散射元件的制造方法。
解决技术问题的手段
本发明的一个方面所涉及的表面增强拉曼散射元件具备：基板，其具有主面；细微结构部，其形成于主面上且具有多个凸部；导电体层，其形成于细微结构部上并且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部；其中导电体层具有以沿着主面的形式形成的基底部、在对应于各个凸部的位置上从基底部突出的多个突出部，基底部的厚度大于凸部的高度。
在该表面增强拉曼散射元件中，导电体层的基底部的厚度大于细微结构部的凸部的高度。因此，与不存在凸部的情况相比，通过增加接触面积从而基底部难以从细微结构部剥落，并且基底部的形状稳定化。进一步，由于导电体层的突出部中从基底部突出的部分不存在细微结构部的凸部，所以突出部不容易受到由于热伸缩等引起的凸部变形的影响，且突出部的形状稳定化。因此，由基底部和突出部形成于导电体层的间隙适合发挥作为引起局部电场增强的纳米间隙的功能。因此，通过该表面增强拉曼散射元件，可以通过适当的纳米间隙来增大表面增强拉曼散射的强度。
在本发明的一个方面所涉及的表面增强拉曼散射元件中，凸部可以沿主面周期性地排列。通过该结构能够增大表面增强拉曼散射的强度。
在本发明的一个方面所涉及的表面增强拉曼散射元件中，在导电体层中，在从凸部突出的方向看的情况下，可以以包围各个凸部的形式由基底部和突出部形成多个间隙。通过该结构可以增加适合发挥作为纳米间隙的作用的间隙。
本发明的一个方面所涉及的表面增强拉曼散射元件的制造方法包含：第1工序，准备具有形成有细微结构部的主面的基板，其中该细微结构部具有多个凸部；和第2工序，在第1工序之后，以具有沿着主面形成的基底部和在对应于各个凸部的位置上从基底部突出的多个突出部的形式，将构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部的导电体层形成于细微结构部上，其中，在第2工序中，以基底部的厚度大于凸部的高度的形式，通过气相生长导电体从而形成导电体层。
通过该表面增强拉曼散射元件的制造方法，能够制造具有如上述的适宜的纳米间隙的表面增强拉曼散射元件。
在本发明的一个方面的表面增强拉曼散射元件的制造方法中，可以在第2工序中根据基底部的厚度来调整突出部的粗细。由于越增大基底部的厚度则越能够增大突出部的粗细，因此不依赖于细微结构部的凸部的间隔，就能够将突出部的粗细与相邻的突出部之间的间隔之比控制在所希望的值。
发明效果
根据本发明，能够提供一种由适宜的纳米间隙而能够增大表面增强拉曼散射的强度的表面增强拉曼散射元件、以及如那样的表面增强拉曼散射元件的制造方法。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的适用了表面增强拉曼散射元件的表面增强拉曼散射单元的平面图。
图2是沿着图1的表面增强拉曼散射单元的II-II线的截面图。
图3是图1的表面增强拉曼散射单元的仰视图。
图4是沿着图1的表面增强拉曼散射单元的II-II线的一部分放大截面图。
图5是图1的表面增强拉曼散射单元的表面增强拉曼散射元件的一部分放大截面图。
图6是设置了图1的表面增强拉曼散射单元的拉曼光谱分析装置的结构图。
图7是表示图5的表面增强拉曼散射元件的制造方法的工序的截面图。
图8是表示图5的表面增强拉曼散射元件的制造方法的工序的截面图。
图9是表示图5的表面增强拉曼散射元件的制造方法的工序的截面图。
图10是实施例1的表面增强拉曼散射元件的细微结构部的SEM照片。
图11是实施例1的表面增强拉曼散射元件的光学功能部的截面的SEM照片。
图12是实施例2的表面增强拉曼散射元件的光学功能部的SEM照片。
图13是表示实施例2的表面增强拉曼散射元件的斯托克斯位移与信号强度的关系的图。
符号说明：
2……SERS元件(表面增强拉曼散射元件)
20……光学功能部 21……基板 21a……表面(主面)
23……导电体层 24……细微结构部
27……柱脚(凸部) 28……基底部
29……突出部 G……间隙
具体实施方式
以下参照附图并详细说明本发明的优选实施方式。另外，在各图中对相同部分或者相当部分标注相同符号，并省略重复的说明。
如图1和图2所示，SERS单元(表面增强拉曼散射单元)1具备SERS元件(表面增强拉曼散射原件)2、在测定时支撑SERS元件2的测定用基板3、在测定用基板3上机械性地保持SERS元件2的保持部4。另外，“机械性地”是指“不用粘结剂等而通过构件彼此的嵌合”。
在测定用基板3的表面3a上设置有容纳SERS元件2以及保持部4的凹部5。另一方面，如图2以及图3所示，在测定用基板3的背面3b上以形成在垂直于测定用基板3厚度方向的方向上延伸的壁部6、7的形式设置多个减重部8。作为一个例子，壁部6沿着测定用基板3的外缘形成为环状，壁部7在壁部6的内侧形成为格子状。测定用基板3被形成为长方形板状。凹部5以及各个减重部8被形成为长方体状。这样的测定用基板3可以使用成型、切削以及蚀刻等手法由树脂(聚丙烯、苯乙烯树脂、ABS树脂、聚乙烯、PET、PMMA、硅酮、液晶聚合物等)、陶瓷、玻璃、硅等材料来一体地形成。
如图4所示，SERS元件2具备基板21、形成于基板21上的成形层22、形成于成形层22上的导电体层23。作为一个例子，基板21是由硅或者玻璃等而被形成为矩形板状，并具有数百μm×数百μm～数十mm×数十mm程度的外形以及100μm～2mm左右的厚度。
成形层22包含细微结构部24、支撑部25和框部26。细微结构部24是在成形层22的中央部具有形成于基板21的相反侧的表层上的周期性图形的区域，并且通过支撑部25形成于基板21的表面(主面)21a上。支撑部25是支撑细微结构部24的区域，并且形成于基板21的表面21a上。框部26是包围支撑部25的环状区域，并且形成于基板21的表面21a上。
作为一个例子，细微结构部24在从测定用基板3的厚度方向上的一侧观察的情况下具有数百μm×数百μm～数十mm×数十mm左右的矩形状外形。在细微结构部24上，作为周期性的图案，具有数nm～数百nm左右的粗细和高度的多个柱脚(pillar)沿着基板21的表面21a以数十nm～数百nm程度的间距周期性地排列。支撑部25和框部26具有数十nm～数十μm左右的厚度。像这样的成形层22例如通过用纳米压印法将配置于基板21上的树脂(丙烯酸系、氟系、环氧系、硅酮系、聚氨酯系、PET、聚碳酸酯或无机有机混合材料等)或者低熔点玻璃成形从而被一体地形成。
导电体层23被一体地形成于细微结构部24上以及框部26上。在细微结构部24上，导电体层23到达露出于基板21的相反侧的支撑部25的表面。在SERS元件2中，由形成于细微结构部24的表面上以及露出于基板21的相反侧的支撑部25的表面上的导电体层23构成了产生表面增强拉曼散射的光学功能部20。作为一个例子，导电体层23具有数nm～数μm左右的厚度。像这样的导电体层23例如是通过将金属(Au、Ag、Al、Cu或者Pt等)等的导电体蒸镀于通过纳米压印法成形的成形层22来形成的。
在凹部5的底面5a设置有容纳SERS元件2的基板21侧的一部分的凹部9。凹部9被形成为具有与SERS元件2的基板21侧的一部分互补的关系的形状，并限制SERS元件2朝着垂直于基板21的厚度方向发生移动。另外，SERS元件2不被粘结剂等固定于凹部9的内面而仅接触于凹部9的内面。另外，SERS元件2的大致整体被容纳于凹部9，导电体层23的表面(基板21相反侧的表面)和凹部5的底面5a可以成为大致同一个面。
保持部4具有在从基板21的厚度方向观察的情况下，以包围光学功能部20的形式形成为环状的挟持部41、和从挟持部41向测定用基板3的背面3b侧延伸的多个脚部42。在凹部5的底面5a以对应于各个脚部42的形式设置嵌合孔11。各脚部42以挟持部41包围光学功能部20并且接触于SERS元件2的导电体层23的状态被嵌合于各嵌合孔11。这样被形成于不同于测定用基板3的保持部4被机械性地固定于测定用基板3，被配置于凹部9的SERS元件2由测定用基板3和保持部4的挟持部41挟持。由此，SERS元件2相对于测定用基板3被机械性地保持。另外，嵌合孔11具有底并且不贯通测定用基板3。
作为一个例子，挟持部41以在从基板21的厚度方向观察的情况下外缘成为矩形状并且内缘成为圆形状的形式形成，脚部42从挟持部41的4个角部分别向测定用基板3的背面3b侧延伸。通过挟持部41的内缘成为圆形状，从而就能够回避挤压到SERS元件2的局部挤压力的作用。脚部42以及嵌合孔11被形成为圆柱状。具有像这样的挟持部41以及脚部42的保持部4通过使用成型、切削、蚀刻等手法并由树脂(聚丙烯、苯乙烯树脂、ABS树脂、聚乙烯、PET、PMMA、硅酮、液晶聚合物等)、陶瓷、玻璃、硅等材料来一体地形成。
进一步，SERS单元1具备具有光透过性的罩盖12。罩盖12被配置于设置在凹部5的开口部上的扩宽部13，并覆盖凹部5的开口部。扩宽部13被形成为具有与罩盖12互补关系的形状，并限制罩盖12朝着垂直于罩盖12厚度方向的方向的移动。保持部4的挟持部41的表面41a与扩宽部13的底面13a成为大致相同的一个面。由此，就成为罩盖12不仅由测定用基板3支撑而且还由保持部4支撑。作为一个例子，罩盖12由玻璃等而被形成为矩形板状，并且具有18mm×18mm左右的外形以及0.15mm左右的厚度。另外，如图1以及图2所示，在使用SERS单元1之前以覆盖罩盖12的形式将预固定膜14贴到测定用基板3，防止罩盖12从测定用基板3脱落。
针对上述SERS元件2的光学功能部20的结构进一步详细地说明。如图5所示，细微结构部24具有沿着基板21的表面21a周期性地排列的多个柱脚(凸部)27。作为一个例子，柱脚27被形成为具有数nm～数百nm左右的粗细以及高度的圆柱状，并且沿着基板21的表面21a以数十nm～数百nm左右(优选为250nm～800nm)的间距被周期性地排列。
导电体层23具有以沿着基板21的表面21a的形式形成的基底部28、在对应于各个柱脚27的位置上从基底部28突出的多个突出部29。基底部28以层状形成于支撑部25的表面25a上。基底部28的厚度为数nm～数百nm左右，并且成为大于柱脚27的高度。突出部29以覆盖各个柱脚27的形式形成，至少在基板21侧的端部具有收腰(在中央部分收缩)的形状。在各个突出部29中，至少基板21相反侧的端部(位于柱脚27的顶部27a上的部分)29a从基底部28突出。为了稳定形成像这样的结构，基底部28的厚度优选为柱脚27的高度的10倍以下，更加优选为柱脚27的高度的5倍以下。
在导电体层23中，由基底部28和突出部29形成在基板21相反侧开口的多个间隙G。间隙G以在从柱脚27突出的方向(即，基板21的厚度方向)观察的情况下包围各个柱脚27的形式形成。作为一个例子，间隙G被形成为以在从柱脚27突出的方向观察的情况下包围各个柱脚27的圆环状延伸的沟槽状，具有0～数十nm左右的宽度。另外，基底部28与突出部29既会有在间隙G的最深部连接的情况，又会有在间隙G的最深部分离的情况。
针对由如上形式构成的SERS单元1进行的拉曼光谱分析方法进行说明。在此，如图6所示，在拉曼光谱分析装置50中实施拉曼光谱分析方法，该拉曼光谱分析装置50具备支撑SERS单元1的镜台51、发射激发光的光源52、进行将激发光照射到光学功能部20所需的校准、滤光以及聚光等的光学部件53、进行将拉曼散射光引导到检测器55所需的校准、滤光等的光学元件54、和检测拉曼散射光的检测器55。
首先，准备SERS单元1，从测定用基板3剥离预固定膜14，并从测定用基板3卸下罩盖12。然后，通过将溶液样品(或者将粉体的样品分散于水或乙醇等的溶液中得到的混合物)滴加至保持部4的挟持部41的内侧区域中，从而将溶液样品配置于光学功能部20上。接下来，为了降低透镜效果，将罩盖12配置于测定用基板3的扩宽部13上，从而使罩盖12紧密附着于溶液样品。
之后，将测定用基板3配置于镜台51上，并将SERS单元1设定于拉曼光谱分析装置50上。接下来，通过将从光源52发射并通过光学部件53的激发光照射于被配置于光学功能部20上的溶液样品来激发溶液样品。此时，移动镜台51以使得激发光的焦点对准于光学功能部20。由此，在光学功能部20与溶液样品的界面上产生表面增强拉曼散射，并且来自于溶液样品的拉曼散射光例如增强到108倍左右而被释放。然后，通过将被释放的拉曼散射光经过光学元件54并用检测器55检测，进行拉曼光谱分析。
另外，在将样品配置到光学功能部20上的方法中，除了上述方法之外，还有如下的方法。例如，也可以把持测定用基板3，对溶液样品(或者使粉体的样品分散于水或乙醇等的溶液中得到的混合物)浸渍SERS元件2并将其提起，并鼓风干燥该样品。另外，也可以将微量溶液样品(或者使粉体的样品分散于水或乙醇等的溶液中得到的混合物)滴下至光学功能部20上，并使该样品自然干燥。另外，也可以将作为粉体的样品直接分散于光学功能部20上。另外，在这些情况下，也可以在测定时不配置罩盖12。
如上所说明的，在SERS元件2中，导电体层23的基底部28的厚度大于细微结构部24的柱脚27的高度。因此，与不存在柱脚27的情况相比，通过增加接触面积从而基底部28难以从细微结构部24剥离，并且基底部28的形状稳定化。进一步，由于在导电体层23的突出部29中从基底部28突出的端部29a中不存在于细微结构部24的柱脚27，所以突出部29很难受到由于热伸缩等引起的柱脚27的变形的影响，从而突出部29的形状稳定化。因此，由基底部28和突出部29形成于导电体层23中的间隙G起到适合作为引起局部电场的增强的纳米间隙的功能。因此，由SERS元件2能够通过适宜的纳米间隙来增大表面增强拉曼散射的强度。
另外，在SERS元件2中，柱脚27沿着基板21的表面21a周期性地排列。这样，能够增大表面增强拉曼散射的强度。
另外，在SERS元件2中，间隙G以在从柱脚27突出的方向观察的情况下包围各柱脚27的形式被形成。由此，就能够增加起到适合作为纳米间隙的功能的间隙G。
接下来，针对SERS元件2的制造方法进行说明。首先，如图7(a)所示，准备薄膜基材F，通过将UV固化树脂涂布于薄膜基材F的表面，从而在薄膜基材F上形成UV固化树脂层R1。另一方面，准备母模MM。母模MM包含对应于细微结构部24的细微结构部M24、支撑细微结构部M24的支撑部M25。在支撑部M25上以矩阵状排列有多个细微结构部M24。对细微结构部M24，以能够在之后的工序中容易脱模的形式用脱模剂等施以表面处理。
接着，如图7(b)所示，将母模MM推到薄膜基材F上的UV固化树脂层R1上，在该状态下照射UV使UV固化树脂层R1固化，从而将多个细微结构部M24的图案复印至UV固化树脂层R1。接下来，如图7(c)所示，通过从薄膜基材F上的UV固化树脂层R1将母模MM进行脱模，从而获得复印了多个细微结构部M24的图案的复制模具(replica mold)(复制膜)RM。
接下来，如图8(a)所示，准备将成为基板21的硅晶圆W，通过将UV固化树脂涂布于硅晶圆W的表面从而在硅晶圆W上形成将成为成形层22的纳米压印层R2。接下来，如图8(b)所示，将复制模具RM推到硅晶圆W上的纳米压印层R2，在该状态下照射UV来固化纳米压印层R2，从而将复制模具RM的图案复印至纳米压印层R2。接着，如图8(c)所示，通过将复制模具RM从硅晶圆W上的纳米压印层R2脱模，从而获得形成了多个细微结构部24的硅晶圆W。
如上所述以晶圆级准备形成了细微结构部24的基板21(第1工序)，通过用蒸镀法将Au、Ag等金属成膜于成形层22上，从而在细微结构部24上形成构成光学功能部20的导电体层23(第2工序)。此时，以导电体层23的基底部28的厚度大于细微结构部24的柱脚27的高度的形式气相生长Au、Ag等金属。接着，通过将硅晶圆W切断成每个细微结构部24(换言之，即每个光学功能部20)从而获得多个SERS元件2。另外，也可以先切断硅晶圆W做成芯片形状之后再气相生长金属。
还有，也可以替换上述纳米压印法而用热纳米压印法，即，由热刻蚀(hotetching)或电子束描画等来形成具有二维形状图案的掩膜，通过使用了该掩膜的蚀刻在基板21上形成细微结构部24。另外，在形成导电体层23的时候，也可以通过蒸镀法以外的气相生长法(溅射、CVD等)来气相生长金属等的导电体。
如以上所说明的，通过SERS元件2的制造方法，能够以简单的工序再现性良好地在导电体层23上形成纳米级间隙G，并能够大量生产SERS元件2。
另外，如图9所示，在形成导电体层23的时候，也可以根据基底部28的厚度T来调整突出部29的粗细(外径)D1。由于越增大基底部28的厚度T就越能够增大突出部29的粗细D1，因此不依赖细微结构部24的柱脚27的间隔P，能够将突出部29的粗细D1与相邻的突出部29之间的间隔D2之比(占空比)D1/(D1+D2)控制为所希望的值。
接下来，针对SERS元件的实施例进行说明。图10是实施例1的SERS元件的细微结构部的SEM照片。在实施例1的SERS元件的细微结构部中，柱脚被形成为具有90nm～150nm粗细和150nm高度的圆锥台状，并且沿着基板的表面以360nm的间距被周期性地排列。对该细微结构部，作为导电体层蒸镀Au至膜厚成为200nm。图11是实施例1的SERS元件的光学功能部的截面的SEM照片(从垂直于基板表面的方向拍摄光学功能部的SEM照片)。在实施例1中，折叠分割SERS元件，并使用SEM来观察该截面。如图11所示，在实施例1的SERS元件中，与柱脚27、导电体层23的基底部28以及突出部29(包含从基底部28突出的端部29a)一起，还在突出部29的周围确认有适合作为发挥纳米间隙功能的多个间隙G。
图12是实施例2的SERS元件的光学功能部的SEM照片(从相对于垂直于基板表面的方向倾斜30度的方向拍摄光学功能部的SEM照片)。在实施例2中，作为导电体层，蒸镀Au至膜厚成为200nm。如图12所示，在实施例2的SERS元件中，也在突出部的周围确认有适合发挥作为纳米间隙功能的多个间隙。
实施例2的SERS元件的具体制作方法如下所述。首先，使用孔径120nm以及孔深180nm的孔以孔间隔(相邻的孔的中心线之间的距离)360nm排列成正方形格子状的模具，用纳米压印法对由玻璃构成的基板上的树脂进行成形，并制作了细微结构部。在制作好的细微结构部上，柱脚的直径为120nm，高度为150nm，柱脚间距(相邻的柱脚的中心线之间的距离)为360nm。
接下来，在制作好的细微结构部上，作为导电体层用电阻加热真空蒸镀法将Au成膜，并获得了实施例2的SERS元件。导电体层的成膜条件被设定为“膜厚：如上所述；蒸镀速率：0.02nm/s；成膜时的真空度：1.5×10-5torr；基板旋转：无；基板温度控制：无”。另外，为了提高导电体层的紧密附着性，也可以在制作好的细微结构部上，作为缓冲层用电阻加热真空蒸镀法将Ti成膜，并在该缓冲层上，作为导电体层用电阻加热真空蒸镀法将Au成膜。
图13是表示关于实施例2的SERS元件的斯托克斯位移与信号强度的关系的图。在此，在将实施例2的SERS元件浸渍于巯基苯甲酸乙醇溶液(1mM)2小时之后，用乙醇冲洗，并用氮气干燥，从而将样品配置于该SERS元件的光学功能部上。对该样品用波长785nm的激发光来进行拉曼光谱测定。其结果如图13所示，获得了巯基苯甲酸的SERS光谱。
以上针对本发明的一个实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式。例如，柱脚27的排列结构不限定于二维的排列，也可以是一维排列；不限定于正方格子状的排列，也可以是三角格子状的排列，或者也可以不是周期性的排列。另外，柱脚27的截面形状并不限定于圆形，也可以是椭圆形、或者三角形或四方形等多角形。另外，间隙G并不限定于形成为以圆环状包围柱脚27的形式被，也可以形成为以其他环状(椭圆状等)包围柱脚27的形式。另外，间隙G并不限定于形成为连续包围柱脚27的形式，也可以在被分割成多个区域状态下，形成为断续地包围柱脚27的形式。这样对于SERS元件2的各结构的材料以及形状，不限定于上述材料以及形状，能够适用各种各样的材料和形状。
在此，在着眼于相邻的一对凸部(对应于柱脚27的部位)的情况下，由基底部和突出部形成的间隙的宽度小于形成于一个凸部外面的导电体层和形成于另一个凸部外面的导电体层之间的距离。由此，能够容易而且稳定地形成仅能在细微结构部的结构上获得的狭窄间隙(适合发挥作为纳米间隙功能的间隙)。
另外，如上述实施方式所述，细微结构部24例如既可以通过支撑部25间接地形成于基板21的表面21a上，又可以直接地形成于基板21的表面21a上。另外，导电体层23既可以通过用于提高相对细微结构部24的金属的紧密附着性的缓冲金属(Ti、Cr等)层等某些层而间接地形成于细微结构部24上，也可以直接形成于细微结构部24上。
产业上的利用可能性
根据本发明能够提供一种能够由适宜的纳米间隙增大表面增强拉曼散射的强度的表面增强拉曼散射元件以及这样的表面增强拉曼散射元件的制造方法。

Claims (4)

1.一种表面增强拉曼散射元件，其特征在于：
具备：
基板，其具有主面；
细微结构部，其形成于所述主面上并具有多个凸部；
导电体层，其形成于所述细微结构部上并构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部；
所述导电体层具有以沿所述主面的形式形成的基底部、在对应于各个所述凸部的位置上从所述基底部突出的多个突出部，
所述基底部的厚度大于所述凸部的高度，
在所述导电体层，以在从所述凸部突出的方向观察的情况下包围各个所述凸部的形式，由所述基底部和所述突出部形成多个间隙。
2.如权利要求1所述的表面增强拉曼散射元件，其特征在于：
所述凸部沿着所述主面周期性地排列。
3.一种表面增强拉曼散射元件的制造方法，其特征在于：
包含：
第1工序，准备具有形成有细微结构部的主面的基板，其中所述细微结构部具有多个凸部；和
第2工序，在第1工序之后，以具有沿着所述主面形成的基底部和在对应于各个所述凸部的位置上从所述基底部突出的多个突出部的形式，在所述细微结构部上形成构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部的导电体层，
在所述第2工序中，以所述基底部的厚度大于所述凸部的高度的形式，通过气相生长导电体从而形成所述导电体层，
在所述导电体层，以在从所述凸部突出的方向观察的情况下包围各个所述凸部的形式，由所述基底部和所述突出部形成多个间隙。
4.如权利要求3所述的表面增强拉曼散射元件的制造方法，其特征在于：
在所述第2工序中，根据所述基底部的厚度调整所述突出部的粗细。
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