WO2014025037A1 - 表面増強ラマン散乱素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
SERS素子2は、表面21aを有する基板21と、表面21a上に形成され、複数のピラー27を有する微細構造部24と、微細構造部24上に形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部20を構成する導電体層23と、を備える。導電体層23は、表面21aに沿うように形成されたベース部28と、ピラー27のそれぞれに対応する位置においてベース部28から突出する複数の突出部29と、を有する。ベース部28の厚さは、ピラー27の高さよりも大きくなっている。
Description
本発明は、表面増強ラマン散乱素子及びその製造方法に関する。
従来の表面増強ラマン散乱素子として、表面増強ラマン散乱(SERS:Surface Enhanced Raman Scattering)を生じさせる微小金属構造体を備えるものが知られている(例えば、特許文献1及び非特許文献1参照)。このような表面増強ラマン散乱素子においては、ラマン分光分析の対象となる試料が微小金属構造体に接触させられ、その状態で当該試料に励起光が照射されると、表面増強ラマン散乱が生じ、例えば108倍程度にまで増強されたラマン散乱光が放出される。
ところで、例えば特許文献2には、基板の一面、及び当該基板の一面に形成された複数の微小突起部の上面(又は、当該基板の一面に形成された複数の微細孔の底面)のそれぞれに、非接触状態となるように(最短部分の間隔が5nm~10μm程度となるように)金属層が形成された微小金属構造体が記載されている。
"Q-SERSTM G1 Substrate"、[online]、株式会社オプトサイエンス、[平成25年7月5日検索]、インターネット<URL:http://www.optoscience.com/maker/nanova/pdf/Q-SERS_G1.pdf>
上述したように、いわゆるナノギャップが微小金属構造体に形成されていると、励起光が照射された際に局所的な電場の増強が起こり、表面増強ラマン散乱の強度が増大される。
また、特許文献1記載のラマン分光分析方法においては、SERS効果を発現する微小金属構造体が基板から容易に剥離せず、形状が安定していることが望ましい。
そこで、本発明は、好適なナノギャップによって表面増強ラマン散乱の強度を増大させることができる表面増強ラマン散乱素子、及びそのような表面増強ラマン散乱素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面の表面増強ラマン散乱素子は、主面を有する基板と、主面上に形成され、複数の凸部を有する微細構造部と、微細構造部上に形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を構成する導電体層と、を備え、導電体層は、主面に沿うように形成されたベース部と、凸部のそれぞれに対応する位置においてベース部から突出する複数の突出部と、を有し、ベース部の厚さは、凸部の高さよりも大きくなっている。
この表面増強ラマン散乱素子では、導電体層のベース部の厚さが微細構造部の凸部の高さよりも大きくなっている。そのため、凸部が存在しない場合に比べ、接触面積が増加することにより微細構造部からベース部が剥がれ難くなり、ベース部の形状が安定化する。更に、導電体層の突出部のうちベース部から突出する部分に微細構造部の凸部が存在しないことから、熱伸縮等による凸部の変形の影響を突出部が受け難くなり、突出部の形状が安定化する。したがって、ベース部と突出部とによって導電体層に形成されたギャップが、局所的な電場の増強が起こるナノギャップとして好適に機能することになる。よって、この表面増強ラマン散乱素子によれば、好適なナノギャップによって表面増強ラマン散乱の強度を増大させることができる。
本発明の一側面の表面増強ラマン散乱素子においては、凸部は、主面に沿って周期的に配列されていてもよい。この構成によれば、表面増強ラマン散乱の強度を増大させることができる。
本発明の一側面の表面増強ラマン散乱素子においては、導電体層には、凸部が突出する方向から見た場合に凸部のそれぞれを包囲するように、ベース部と突出部とによって、複数のギャップが形成されていてもよい。この構成によれば、ナノギャップとして好適に機能するギャップを増加させることができる。
本発明の一側面の表面増強ラマン散乱素子の製造方法は、複数の凸部を有する微細構造部が形成された主面を有する基板を準備する第1工程と、第1工程の後に、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を構成する導電体層を、主面に沿うように形成されたベース部と、凸部のそれぞれに対応する位置においてベース部から突出する複数の突出部と、を有するように、微細構造部上に形成する第2工程と、を含み、第2工程では、ベース部の厚さが凸部の高さよりも大きくなるように、導電体を気相成長させることにより、導電体層を形成する。
この表面増強ラマン散乱素子の製造方法によれば、上述したような好適なナノギャップを有する表面増強ラマン散乱素子を製造することができる。
本発明の一側面の表面増強ラマン散乱素子の製造方法においては、第2の工程では、ベース部の厚さに応じて突出部の太さを調整してもよい。ベース部の厚さを大きくするほど突出部の太さを大きくすることができるので、微細構造部の凸部のピッチに依らず、突出部の太さと、隣り合う突出部間の間隔との比を所望の値にすることができる。
本発明によれば、好適なナノギャップによって表面増強ラマン散乱の強度を増大させることができる表面増強ラマン散乱素子、及びそのような表面増強ラマン散乱素子の製造方法を提供することが可能となる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1及び図2に示されるように、SERSユニット(表面増強ラマン散乱ユニット)1は、SERS素子(表面増強ラマン散乱素子)2と、測定時にSERS素子2を支持する測定用基板3と、SERS素子2を測定用基板3において機械的に保持する保持部4と、を備えている。なお、「機械的に」とは、「接着剤等によらずに、部材同士の嵌め合わせによって」との意味である。
測定用基板3の表面3aには、SERS素子2及び保持部4を収容する凹部5が設けられている。一方、図2及び図3に示されるように、測定用基板3の裏面3bには、測定用基板3の厚さ方向に垂直な方向に延在する壁部6,7が形成されるように複数の肉抜き部8が設けられている。一例として、壁部6は、測定用基板3の外縁に沿って環状に形成されており、壁部7は、壁部6の内側において格子状に形成されている。測定用基板3は、長方形板状に形成されている。凹部5及び各肉抜き部8は、直方体状に形成されている。このような測定用基板3は、樹脂(ポリプロピレン、スチロール樹脂、ABS樹脂、ポリエチレン、PET、PMMA、シリコーン、液晶ポリマー等)、セラミック、ガラス、シリコン等の材料によって、成型、切削、エッチング等の手法を用いて一体的に形成されている。
図4に示されるように、SERS素子2は、基板21と、基板21上に形成された成形層22と、成形層22上に形成された導電体層23と、を備えている。一例として、基板21は、シリコン又はガラス等によって矩形板状に形成されており、数百μm×数百μm~数十mm×数十mm程度の外形及び100μm~2mm程度の厚さを有している。
成形層22は、微細構造部24と、支持部25と、枠部26と、を含んでいる。微細構造部24は、成形層22の中央部において基板21の反対側の表層に形成された周期的パターンを有する領域であり、支持部25を介して基板21の表面(主面)21a上に形成されている。支持部25は、微細構造部24を支持する領域であり、基板21の表面21a上に形成されている。枠部26は、支持部25を包囲する環状の領域であり、基板21の表面21a上に形成されている。
一例として、微細構造部24は、測定用基板3の厚さ方向における一方の側から見た場合に、数百μm×数百μm~数十mm×数十mm程度の矩形状の外形を有している。微細構造部24には、周期的パターンとして、数nm~数百nm程度の太さ及び高さを有する複数のピラーが、基板21の表面21aに沿って、数十nm~数百nm程度のピッチで周期的に配列されている。支持部25及び枠部26は、数十nm~数十μm程度の厚さを有している。このような成形層22は、例えば、基板21上に配置された樹脂(アクリル系、フッ素系、エポキシ系、シリコーン系、ウレタン系、PET、ポリカーボネート若しくは無機有機ハイブリット材料等)又は低融点ガラスをナノインプリント法によって成形することで、一体的に形成されている。
導電体層23は、微細構造部24上及び枠部26上に一体的に形成されている。微細構造部24においては、導電体層23は、基板21の反対側に露出する支持部25の表面に達している。SERS素子2では、微細構造部24の表面上、及び基板21の反対側に露出する支持部25の表面上に形成された導電体層23によって、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部20が構成されている。一例として、導電体層23は、数nm~数μm程度の厚さを有している。このような導電体層23は、例えば、ナノインプリント法によって成形された成形層22に金属(Au、Ag、Al、Cu又はPt等)等の導電体を蒸着することで、形成されている。
凹部5の底面5aには、SERS素子2の基板21側の一部を収容する凹部9が設けられている。凹部9は、SERS素子2の基板21側の一部と相補関係を有する形状に形成されており、基板21の厚さ方向に垂直な方向へのSERS素子2の移動を規制している。なお、SERS素子2は、凹部9の内面に接着剤等によって固定されておらず、凹部9の内面に接触しているだけである。なお、凹部9にSERS素子2の略全体が収容されて、導電体層23の表面(基板21の反対側の表面)と凹部5の底面5aとが略面一となっていてもよい。
保持部4は、基板21の厚さ方向から見た場合に光学機能部20を包囲するように環状に形成された挟持部41と、挟持部41から測定用基板3の裏面3b側に延在する複数の脚部42と、を有している。凹部5の底面5aには、脚部42のそれぞれに対応するように嵌合孔11が設けられている。各脚部42は、挟持部41が光学機能部20を包囲し且つSERS素子2の導電体層23に接触した状態で、各嵌合孔11に嵌め合わされている。このように、測定用基板3と別体に形成された保持部4は、測定用基板3に機械的に固定されており、凹部9に配置されたSERS素子2は、測定用基板3と保持部4の挟持部41とで挟持されている。これにより、SERS素子2は、測定用基板3に対して機械的に保持される。なお、嵌合孔11は、底を有しており、測定用基板3を貫通していない。
一例として、挟持部41は、基板21の厚さ方向から見た場合に外縁が矩形状となり且つ内縁が円形状となるように形成されており、脚部42は、挟持部41の4つの角部のそれぞれから測定用基板3の裏面3b側に延在している。挟持部41の内縁が円形状とされていることで、SERS素子2への局所的な押圧力の作用が回避されている。脚部42及び嵌合孔11は、円柱状に形成されている。このような挟持部41及び脚部42を有する保持部4は、樹脂(ポリプロピレン、スチロール樹脂、ABS樹脂、ポリエチレン、PET、PMMA、シリコーン、液晶ポリマー等)、セラミック、ガラス、シリコン等の材料によって、成型、切削、エッチング等の手法を用いて一体的に形成されている。
更に、SERSユニット1は、光透過性を有するカバー12を備えている。カバー12は、凹部5の開口部に設けられた拡幅部13に配置されており、凹部5の開口部を覆っている。拡幅部13は、カバー12と相補関係を有する形状に形成されており、カバー12の厚さ方向に垂直な方向へのカバー12の移動を規制している。保持部4の挟持部41の表面41aは、拡幅部13の底面13aと略面一となっている。これにより、カバー12は、測定用基板3だけでなく、保持部4によっても支持されることになる。一例として、カバー12は、ガラス等によって矩形板状に形成されており、18mm×18mm程度の外形及び0.15mm程度の厚さを有している。なお、図1及び図2に示されるように、SERSユニット1の使用前には、カバー12を覆うように測定用基板3に仮固定フィルム14が貼り付けられており、測定用基板3からのカバー12の脱落が防止されている。
上述したSERS素子2の光学機能部20の構成について、より詳細に説明する。図5に示されるように、微細構造部24は、基板21の表面21aに沿って周期的に配列された複数のピラー(凸部)27を有している。一例として、ピラー27は、数nm~数百nm程度の太さ及び高さを有する円柱状に形成されており、基板21の表面21aに沿って、数十nm~数百nm程度(好ましくは、250nm~800nm)のピッチで周期的に配列されている。
導電体層23は、基板21の表面21aに沿うように形成されたベース部28と、各ピラー27に対応する位置においてベース部28から突出する複数の突出部29と、を有している。ベース部28は、支持部25の表面25a上に層状に形成されている。ベース部28の厚さは、数nm~数百nm程度であり、ピラー27の高さよりも大きくなっている。突出部29は、各ピラー27を覆うように形成されており、少なくとも基板21側の端部において括れた形状を有している。各突出部29においては、少なくとも基板21の反対側の端部(ピラー27の頂部27a上に位置する部分)29aがベース部28から突出している。このような構造を安定して形成するために、ベース部28の厚さは、ピラー27の高さの10倍以下であることが好ましく、ピラー27の高さの5倍以下であることがより好ましい。
導電体層23には、ベース部28と突出部29とによって、基板21の反対側に開口する複数のギャップGが形成されている。ギャップGは、ピラー27が突出する方向(すなわち、基板21の厚さ方向)から見た場合に各ピラー27を包囲するように形成されている。一例として、ギャップGは、ピラー27が突出する方向から見た場合に各ピラー27を包囲する円環状に延在する溝状に形成されており、0~数十nm程度の幅を有している。なお、ベース部28と突出部29とは、ギャップGの最深部において繋がっている場合もあるし、ギャップGの最深部において離れている場合もある。
以上のように構成されたSERSユニット1によるラマン分光分析方法について説明する。ここでは、図6に示されるように、SERSユニット1を支持するステージ51と、励起光を出射する光源52と、励起光を光学機能部20に照射するのに必要なコリメーション、フィルタリング、集光等を行う光学部品53と、ラマン散乱光を検出器55に誘導するのに必要なコリメーション、フィルタリング等を行う光学部品54と、ラマン散乱光を検出する検出器55と、を備えるラマン分光分析装置50において、ラマン分光分析方法が実施される。
まず、SERSユニット1を用意し、測定用基板3から仮固定フィルム14を剥がして、測定用基板3からカバー12を取り外す。そして、保持部4の挟持部41の内側の領域に溶液試料(或いは、水又はエタノール等の溶液に粉体の試料を分散させたもの)を滴下することにより、光学機能部20上に溶液試料を配置する。続いて、レンズ効果を低減させるために、測定用基板3の拡幅部13にカバー12を配置して、溶液試料にカバー12を密着させる。
その後に、ステージ51上に測定用基板3を配置して、SERSユニット1をラマン分光分析装置50にセットする。続いて、光源52から出射されて光学部品53を介した励起光を、光学機能部20上に配置された溶液試料に照射することで、溶液試料を励起させる。このとき、ステージ51は、光学機能部20に励起光の焦点が合うように移動させられている。これにより、光学機能部20と溶液試料との界面で表面増強ラマン散乱が生じ、溶液試料由来のラマン散乱光が例えば108倍程度にまで増強されて放出される。そして、放出されたラマン散乱光を、光学部品54を介して検出器55で検出することにより、ラマン分光分析を行う。
なお、光学機能部20上への試料の配置の方法には、上述した方法の他に、次のような方法がある。例えば、測定用基板3を把持して、溶液試料(或いは、水又はエタノール等の溶液に粉体の試料を分散させたもの)に対してSERS素子2を浸漬させて引き上げ、ブローして当該試料を乾燥させてもよい。また、溶液試料(或いは、水又はエタノール等の溶液に粉体の試料を分散させたもの)を光学機能部20上に微量滴下し、当該試料を自然乾燥させてもよい。また、粉体である試料をそのまま光学機能部20上に分散させてもよい。なお、これらの場合には、測定時にカバー12を配置しなくてもよい。
以上説明したように、SERS素子2では、導電体層23のベース部28の厚さが微細構造部24のピラー27の高さよりも大きくなっている。そのため、ピラー27が存在しない場合に比べ、接触面積が増加することにより微細構造部24からベース部28が剥がれ難くなり、ベース部28の形状が安定化する。更に、導電体層23の突出部29のうちベース部28から突出する端部29aに微細構造部24のピラー27が存在しないことから、熱伸縮等によるピラー27の変形の影響を突出部29が受け難くなり、突出部29の形状が安定化する。したがって、ベース部28と突出部29とによって導電体層23に形成されたギャップGが、局所的な電場の増強が起こるナノギャップとして好適に機能することになる。よって、SERS素子2によれば、好適なナノギャップによって表面増強ラマン散乱の強度を増大させることができる。
また、SERS素子2では、ピラー27が、基板21の表面21aに沿って周期的に配列されている。これにより、表面増強ラマン散乱の強度を増大させることができる。
また、SERS素子2では、ギャップGが、ピラー27が突出する方向から見た場合に各ピラー27を包囲するように形成されている。これにより、ナノギャップとして好適に機能するギャップGを増加させることができる。
次に、SERS素子2の製造方法について説明する。まず、図7の(a)に示されるように、フィルム基材Fを用意し、フィルム基材Fの表面にUV硬化樹脂を塗布することにより、UV硬化樹脂層R1をフィルム基材F上に形成する。その一方で、マスタモールドMMを用意する。マスタモールドMMは、微細構造部24に対応する微細構造部M24と、微細構造部M24を支持する支持部M25と、を含んでいる。支持部M25上には、複数の微細構造部M24がマトリックス状に配列されている。微細構造部M24には、後の工程において容易に離型することができるように、離型剤等による表面処理が施されている。
続いて、図7の(b)に示されるように、フィルム基材F上のUV硬化樹脂層R1にマスタモールドMMを押し当て、その状態でUVを照射してUV硬化樹脂層R1を硬化させることにより、複数の微細構造部M24のパターンをUV硬化樹脂層R1に転写する。続いて、図7の(c)に示されるように、フィルム基材F上のUV硬化樹脂層R1からマスタモールドMMを離型することにより、複数の微細構造部M24のパターンが転写されたレプリカモールド(レプリカフィルム)RMを得る。
続いて、図8の(a)に示されるように、基板21となるシリコンウェハWを用意し、シリコンウェハWの表面にUV硬化樹脂を塗布することにより、成形層22となるナノインプリント層R2をシリコンウェハW上に形成する。続いて、図8の(b)に示されるように、シリコンウェハW上のナノインプリント層R2にレプリカモールドRMを押し当て、その状態でUVを照射してナノインプリント層R2を硬化させることにより、レプリカモールドRMのパターンをナノインプリント層R2に転写する。続いて、図8の(c)に示されるように、シリコンウェハW上のナノインプリント層R2からレプリカモールドRMを離型することにより、複数の微細構造部24が形成されたシリコンウェハWを得る。
以上のように、微細構造部24が形成された基板21をウェハレベルで準備し(第1工程)、蒸着法によってAu、Ag等の金属を成形層22上に成膜することにより、光学機能部20を構成する導電体層23を微細構造部24上に形成する(第2工程)。このとき、導電体層23のベース部28の厚さが微細構造部24のピラー27の高さよりも大きくなるように、Au、Ag等の金属を気相成長させる。続いて、微細構造部24ごとに(換言すれば、光学機能部20ごとに)シリコンウェハWを切断することより、複数のSERS素子2を得る。なお、先にシリコンウェハWを切断してチップ形状にした後に、金属を気相成長させてもよい。
なお、上述したナノインプリント法に替えて、熱ナノインプリント法、2次元形状のパターンを有するマスクをホトエッチや電子ビーム描写等によって形成し、当該マスクを用いたエッチングによって、基板21上に微細構造部24を形成してもよい。また、導電体層23を形成するに際しては、蒸着法以外の気相成長法(スパッタ、CVD等)によって、金属等の導電体を気相成長させてもよい。
以上説明したように、SERS素子2の製造方法によれば、導電体層23にナノオーダーのギャップGを単純な工程で且つ再現性良く形成することができ、SERS素子2の大量生産が可能となる。
また、図9に示されるように、導電体層23を形成するに際し、ベース部28の厚さTに応じて突出部29の太さ(外径)D1を調整してもよい。ベース部28の厚さTを大きくするほど突出部29の太さD1を大きくすることができるので、微細構造部24のピラー27のピッチPに依らず、突出部29の太さD1と、隣り合う突出部29間の間隔D2との比(duty比)D1/(D1+D2)を所望の値にすることができる。
次に、SERS素子の実施例について説明する。図10は、実施例1のSERS素子の微細構造部のSEM写真である。実施例1のSERS素子の微細構造部においては、ピラーは、90nm~150nmの太さ及び150nmの高さを有する円錐台状に形成されており、基板の表面に沿って、360nmのピッチで周期的に配列されている。この微細構造部に対し、導電体層として、膜厚が200nmとなるようにAuを蒸着した。図11は、実施例1のSERS素子の光学機能部の断面のSEM写真(基板の表面に垂直な方向から光学機能部を撮影したSEM写真)である。実施例1では、SERS素子を折って割り、SEMを用いて当該断面を観察した。図11に示されるように、実施例1のSERS素子においては、ピラー27、導電体層23のベース部28及び突出部29(ベース部28から突出する端部29aを含む)と共に、ナノギャップとして好適に機能する多数のギャップGが突出部29の周りに確認された。
図12は、実施例2のSERS素子の光学機能部のSEM写真(基板の表面に垂直な方向に対して30°傾いた方向から光学機能部を撮影したSEM写真)である。実施例2では、導電体層として、膜厚が200nmとなるようにAuを蒸着した。図12に示されるように、実施例2のSERS素子においても、ナノギャップとして好適に機能する多数のギャップが突出部の周りに確認された。
実施例2のSERS素子の具体的な作成方法は、次のとおりである。まず、ホール径120nm及びホール深さ180nmのホールがホール間隔(隣り合うホールの中心線間の距離)360nmで正方格子状に配列されたモールドを用いて、ガラスからなる基板上の樹脂をナノインプリント法で成形し、微細構造部を作成した。作成した微細構造部においては、ピラーの直径は120nm、高さは150nm、ピラーピッチ(隣り合うピラーの中心線間の距離)は360nmとなった。
続いて、作成した微細構造部上に導電体層としてAuを抵抗加熱真空蒸着法で成膜し、実施例2のSERS素子を得た。導電体層の成膜条件は、「膜厚:上述のとおり、蒸着レート:0.02nm/s、成膜時の真空度:1.5×10-5torr、基板回転:なし、基板温度制御:なし」とした。なお、導電体層の密着性を向上させるために、作成した微細構造部上にバッファ層としてTiを抵抗加熱真空蒸着法で成膜し、そのバッファ層上に導電体層としてAuを抵抗加熱真空蒸着法で成膜してもよい。
図13は、実施例2のSERS素子についてのストークスシフトとシグナル強度との関係を示すグラフである。ここでは、実施例2のSERS素子のSERS素子をメルカプト安息香酸エタノール溶液(1mM)に2時間浸漬した後、エタノールでリンスし、窒素ガスで乾燥させて、当該SERS素子の光学機能部上に試料を配置した。その試料について、波長785nmの励起光でラマン分光測定を行った。その結果、図13に示されるように、メルカプト安息香酸のSERSスペクトルが得られた。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、ピラー27の配列構造は、2次元の配列に限定されず、1次元の配列であってもよいし、正方格子状の配列に限定されず、三角格子状の配列であってもよいし、或いは、周期的な配列でなくてもよい。また、ピラー27の断面形状は、円形に限定されず、楕円、或いは三角形や四角形等の多角形であってもよい。また、ギャップGは、ピラー27を円環状に包囲するように形成されたものに限定されず、ピラー27をその他の環状(楕円状等)に包囲するように形成されたものであってもよい。また、ギャップGは、ピラー27を連続的に包囲するように形成されたものに限定されず、複数の領域に分断された状態で、ピラー27を断続的に包囲するように形成されたものであってもよい。このように、SERS素子2の各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を適用することができる。
ここで、隣り合う一対の凸部(ピラー27に対応するもの)に着目した場合に、一方の凸部の外面に形成された導電体層と、他方の凸部の外面に形成された導電体層との間の距離よりも、ベース部と突出部とによって形成されたギャップの幅は小さくなっている。これにより、微細構造部の構造のみでは得られないような狭いギャップ(ナノギャップとして好適に機能するギャップ)を容易に且つ安定的に形成することができる。
また、微細構造部24は、上記実施形態のように、例えば支持部25を介して、基板21の表面21a上に間接的に形成されていてもよいし、基板21の表面21a上に直接的に形成されていてもよい。また、導電体層23は、微細構造部24に対する金属の密着性を向上させるためのバッファ金属(Ti、Cr等)層等、何らかの層を介して、微細構造部24上に間接的に形成されていてもよいし、微細構造部24上に直接的に形成されていてもよい。
本発明によれば、好適なナノギャップによって表面増強ラマン散乱の強度を増大させることができる表面増強ラマン散乱素子、及びそのような表面増強ラマン散乱素子の製造方法を提供することが可能となる。
2…SERS素子(表面増強ラマン散乱素子)、20…光学機能部、21…基板、21a…表面(主面)、23…導電体層、24…微細構造部、27…ピラー(凸部)、28…ベース部、29…突出部、G…ギャップ。
Claims (5)
- 主面を有する基板と、
前記主面上に形成され、複数の凸部を有する微細構造部と、
前記微細構造部上に形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を構成する導電体層と、を備え、
前記導電体層は、前記主面に沿うように形成されたベース部と、前記凸部のそれぞれに対応する位置において前記ベース部から突出する複数の突出部と、を有し、
前記ベース部の厚さは、前記凸部の高さよりも大きくなっている、表面増強ラマン散乱素子。 - 前記凸部は、前記主面に沿って周期的に配列されている、請求項1記載の表面増強ラマン散乱素子。
- 前記導電体層には、前記凸部が突出する方向から見た場合に前記凸部のそれぞれを包囲するように、前記ベース部と前記突出部とによって、複数のギャップが形成されている、請求項1又は2記載の表面増強ラマン散乱素子。
- 複数の凸部を有する微細構造部が形成された主面を有する基板を準備する第1工程と、
前記第1工程の後に、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を構成する導電体層を、前記主面に沿うように形成されたベース部と、前記凸部のそれぞれに対応する位置において前記ベース部から突出する複数の突出部と、を有するように、前記微細構造部上に形成する第2工程と、を含み、
前記第2工程では、前記ベース部の厚さが前記凸部の高さよりも大きくなるように、導電体を気相成長させることにより、前記導電体層を形成する、表面増強ラマン散乱素子の製造方法。 - 前記第2の工程では、前記ベース部の厚さに応じて前記突出部の太さを調整する、請求項4記載の表面増強ラマン散乱素子の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016057179A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6023509B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-11-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
US9863883B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-01-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Surface-enhanced raman scattering element |
EP2884264B1 (en) | 2012-08-10 | 2019-11-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Surface-enhanced raman scattering element, and method for producing same |
JP5908370B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-04-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
DE112013003984B4 (de) | 2012-08-10 | 2021-12-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Element zur oberflächenverstärkten Raman-Streuung und Verfahren zum Herstellen eines Elements zur oberflächenverstärkten Raman-Streuung |
CN107075661B (zh) * | 2014-09-26 | 2020-03-17 | 韩国机械研究院 | 形成有多个纳米间隙的基底及其制备方法 |
EP3274695A4 (en) * | 2015-06-29 | 2018-09-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Analyte detection package with integrated lens |
CN107462565B (zh) * | 2017-07-21 | 2021-05-11 | 山东师范大学 | 银脑回/石墨烯/金膜三维sers基底及制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009222507A (ja) | 2008-03-14 | 2009-10-01 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 微量物質検出素子 |
JP2011033518A (ja) | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Toray Res Center:Kk | 表面増強ラマン分光分析方法 |
JP2011107032A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Omron Corp | 表面プラズモン共鳴チップ |
US20110166045A1 (en) * | 2009-12-01 | 2011-07-07 | Anuj Dhawan | Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same |
Family Cites Families (145)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56142454A (en) | 1980-04-09 | 1981-11-06 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Steel pipe's upset flaw inspecting device |
US4589551A (en) | 1984-07-31 | 1986-05-20 | Maclean-Fogg Company | Container for handling, transportation and storage of microscope slides |
US5090568A (en) | 1991-03-11 | 1992-02-25 | Medscand (U.S.A.), Inc. | Glass slide mailer |
JPH0544867U (ja) | 1991-11-18 | 1993-06-15 | 三洋電機株式会社 | 測定装置の包装体 |
US5655661A (en) | 1994-03-08 | 1997-08-12 | Westvaco Corporation | Wrapper for flanged tray with opening feature |
JPH07260646A (ja) | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Nikon Corp | 試料容器 |
US5772905A (en) | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US6242264B1 (en) | 1996-09-04 | 2001-06-05 | The Penn State Research Foundation | Self-assembled metal colloid monolayers having size and density gradients |
US7267948B2 (en) | 1997-11-26 | 2007-09-11 | Ut-Battelle, Llc | SERS diagnostic platforms, methods and systems microarrays, biosensors and biochips |
US6582996B1 (en) | 1998-07-13 | 2003-06-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor thin film forming method |
US20040023046A1 (en) * | 1998-08-04 | 2004-02-05 | Falko Schlottig | Carrier substrate for Raman spectrometric analysis |
US6967717B1 (en) | 2000-06-14 | 2005-11-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Thermo-electrically cooled surface enhanced Raman spectroscopy sensor system |
US6614523B1 (en) | 2000-06-14 | 2003-09-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Sensor for performing surface enhanced Raman spectroscopy |
AU2001244687A1 (en) | 2000-07-10 | 2002-01-21 | Wakunaga Pharmaceutical Co., Ltd | Micro-array |
US7142296B2 (en) | 2000-10-30 | 2006-11-28 | Sru Biosystems, Inc. | Method and apparatus for detecting biomolecular interactions |
JP2003026232A (ja) | 2001-07-18 | 2003-01-29 | Seiko Epson Corp | 梱包方法及び緩衝材 |
EP1453107A4 (en) | 2001-11-16 | 2008-12-03 | Toyoda Gosei Kk | LED, LED LAMP AND LAMP |
JP4382339B2 (ja) | 2001-12-14 | 2009-12-09 | 富士フイルム株式会社 | 測定チップ |
US6970239B2 (en) | 2002-06-12 | 2005-11-29 | Intel Corporation | Metal coated nanocrystalline silicon as an active surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) substrate |
US20030235520A1 (en) | 2002-06-21 | 2003-12-25 | Shea Laurence R. | Array assay devices and methods of using the same |
US7242469B2 (en) | 2003-05-27 | 2007-07-10 | Opto Trace Technologies, Inc. | Applications of Raman scattering probes |
US7384792B1 (en) | 2003-05-27 | 2008-06-10 | Opto Trace Technologies, Inc. | Method of fabricating nano-structured surface and configuration of surface enhanced light scattering probe |
US7460224B2 (en) | 2005-12-19 | 2008-12-02 | Opto Trace Technologies, Inc. | Arrays of nano structures for surface-enhanced Raman scattering |
CN100357738C (zh) | 2004-03-26 | 2007-12-26 | 博奥生物有限公司 | 一种检测小分子化合物的方法 |
JP2005303090A (ja) | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Toshiba Corp | 配線基板および配線基板の製造方法 |
ZA200610693B (en) | 2004-05-19 | 2008-06-25 | Vp Holding Llc | Optical sensor with layered plasmon structure for enhanced detection of chemical groups by sers |
US8441631B2 (en) | 2004-05-24 | 2013-05-14 | OptoTrace (SuZhou) Technologies, Inc. | Integrated device capable of performing chemical separation and light scattering |
JP2005337771A (ja) | 2004-05-25 | 2005-12-08 | National Institute For Materials Science | ナノ構造を有する集積化ピラー構造光学素子 |
US7450227B2 (en) | 2004-09-22 | 2008-11-11 | The Penn State Research Foundation | Surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) substrates exhibiting uniform high enhancement and stability |
GB0424458D0 (en) | 2004-11-04 | 2004-12-08 | Mesophotonics Ltd | Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy |
CN101057132B (zh) | 2004-11-04 | 2012-04-18 | 雷尼绍诊断有限公司 | 用于增强的拉曼光谱学的金属纳米孔光子晶体 |
US7245370B2 (en) | 2005-01-06 | 2007-07-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanowires for surface-enhanced Raman scattering molecular sensors |
US7136160B2 (en) | 2005-01-27 | 2006-11-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated system and method for transversal enhanced Raman Spectroscopy |
US7236242B2 (en) | 2005-01-27 | 2007-06-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nano-enhanced Raman spectroscopy-active nanostructures including elongated components and methods of making the same |
JP4317989B2 (ja) | 2005-01-31 | 2009-08-19 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 分子センシング装置及びラマン散乱増強用チップ |
JP4685650B2 (ja) | 2005-02-14 | 2011-05-18 | 富士フイルム株式会社 | ラマン分光用デバイス、及びラマン分光装置 |
US7586601B2 (en) | 2005-06-14 | 2009-09-08 | Ebstein Steven M | Applications of laser-processed substrate for molecular diagnostics |
US7651863B2 (en) | 2005-07-14 | 2010-01-26 | 3M Innovative Properties Company | Surface-enhanced spectroscopic method, flexible structured substrate, and method of making the same |
CN101351700B (zh) | 2005-10-25 | 2012-07-04 | 国立大学法人九州大学 | 用于拉曼光谱分析的衬底和衬底组件 |
US9267894B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-02-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for making surface enhanced Raman scattering device |
US7358476B2 (en) | 2005-12-22 | 2008-04-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Sensing photons from objects in channels |
JP4994682B2 (ja) | 2006-03-16 | 2012-08-08 | キヤノン株式会社 | 検知素子、該検知素子を用いた標的物質検知装置及び標的物質を検知する方法 |
GB0606088D0 (en) | 2006-03-27 | 2006-05-03 | E2V Biosensors Ltd | Improved serrs substrate |
US8330951B2 (en) | 2006-04-28 | 2012-12-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nano-enhanced Raman spectroscopy substrate packaging structure |
US8337979B2 (en) | 2006-05-19 | 2012-12-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanostructure-reinforced composite articles and methods |
JP2008026109A (ja) | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | 微細構造体及びその製造方法、センサデバイス及びラマン分光用デバイス |
US7528948B2 (en) | 2006-07-25 | 2009-05-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Controllable surface enhanced Raman spectroscopy |
WO2008030666A2 (en) | 2006-07-25 | 2008-03-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Multispectral plasmonic crystal sensors |
JP4883398B2 (ja) | 2006-09-06 | 2012-02-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | エバネッセント波励起蛍光観察における背景光低減方法及び部材 |
US7545490B1 (en) | 2006-09-26 | 2009-06-09 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Microscope flow cell apparatus for raman analysis of a liquid |
JP2008107318A (ja) | 2006-09-27 | 2008-05-08 | Fujifilm Corp | 液循環装置、及び、測定装置 |
EP2074421B1 (en) | 2006-10-12 | 2014-12-17 | Koninklijke Philips N.V. | Fast biosensor with reagent layer |
US7388661B2 (en) * | 2006-10-20 | 2008-06-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanoscale structures, systems, and methods for use in nano-enhanced raman spectroscopy (NERS) |
JP2008128786A (ja) | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Canon Inc | 表面増強振動分光分析用治具及びその製造方法 |
KR100770424B1 (ko) | 2006-12-13 | 2007-10-26 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
US7898658B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-03-01 | The Regents Of The University Of California | Platform for chemical and biological sensing by surface-enhanced Raman spectroscopy |
JP2008196992A (ja) | 2007-02-14 | 2008-08-28 | National Institute Of Information & Communication Technology | 表面プラズモンの電場増強構造 |
JP5397577B2 (ja) | 2007-03-05 | 2014-01-22 | オムロン株式会社 | 表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ |
US9823253B2 (en) | 2007-03-20 | 2017-11-21 | Becton, Dickinson And Company | Assays using surface-enhanced raman spectroscopy (SERS)-active particles |
CN101024483B (zh) | 2007-03-27 | 2010-12-29 | 吉林大学 | 金属有序结构表面增强基底的构筑方法 |
JP2008268059A (ja) | 2007-04-23 | 2008-11-06 | St Japan Inc | 試料ホルダ |
US8958070B2 (en) | 2007-05-29 | 2015-02-17 | OptoTrace (SuZhou) Technologies, Inc. | Multi-layer variable micro structure for sensing substance |
US8049896B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Detecting element, detecting device, and method of producing the detecting element |
JP4993360B2 (ja) | 2007-06-08 | 2012-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体及びその製造方法、光電場増強デバイス |
JP2009047623A (ja) | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Jiyasuko Eng Kk | 透過測定用ホルダ |
JP2009103643A (ja) | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Fujifilm Corp | 表面増強ラマン分光装置 |
US7791016B2 (en) | 2007-10-29 | 2010-09-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector |
US8115920B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Method of making microarrays |
US20110143332A1 (en) | 2007-11-26 | 2011-06-16 | National Yang-Ming University | Method for identifying microorganism or detecting its morphology alteration using surface enhanced raman scattering (sers) |
US7876425B2 (en) | 2008-03-12 | 2011-01-25 | Conocophillips Company | Method and apparatus for surface enhanced raman spectroscopy |
JP2009222483A (ja) | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Fujifilm Corp | 検査チップ作製方法および被検体検出方法 |
JP2009236830A (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 被分析物担体、及び、その製造方法 |
JP5792614B2 (ja) | 2008-04-09 | 2015-10-14 | ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニーBecton, Dickinson And Company | 被覆ナノ粒子を使用した高感度免疫学的検定 |
WO2010033267A2 (en) | 2008-05-06 | 2010-03-25 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Structures, methods of making structures, multi-well array surface enhanced raman spectroscopy (sers) chips, methods of making, and methods of use |
CN101281133B (zh) | 2008-05-12 | 2010-08-18 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 具有大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法 |
CN101629906A (zh) | 2008-07-20 | 2010-01-20 | 欧普图垂斯科技有限公司 | 检测被测对象中特定化学物质的方法及系统 |
US8198706B2 (en) | 2008-07-25 | 2012-06-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-level nanowire structure and method of making the same |
JP4892025B2 (ja) | 2008-09-26 | 2012-03-07 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
JP4980324B2 (ja) | 2008-09-30 | 2012-07-18 | テルモ株式会社 | 成分測定装置 |
US8384892B2 (en) | 2008-10-03 | 2013-02-26 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Surface enhanced raman spectroscopy on optical resonator (e.g., photonic crystal) surfaces |
WO2010050203A1 (ja) | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 日本電信電話株式会社 | 測定チップ着脱装置、spr測定システム及び測定チップ着脱方法 |
US8547549B2 (en) | 2008-11-17 | 2013-10-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Substrate for surface enhanced Raman scattering (SERS) |
CN101408513A (zh) | 2008-11-28 | 2009-04-15 | 长春理工大学 | 表面规则凹凸起伏的样品台及其制作方法 |
WO2010090111A1 (ja) | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
CN102348966A (zh) | 2009-03-13 | 2012-02-08 | 惠普开发有限公司 | 用于表面增强拉曼光谱法的宽带结构 |
JP5500571B2 (ja) | 2009-03-26 | 2014-05-21 | 株式会社ニデック | 試験片,該試験片の製造方法 |
EP2419733A4 (en) | 2009-04-13 | 2013-12-25 | Univ Leland Stanford Junior | METHODS AND DEVICES FOR DETECTING THE PRESENCE OF AN ANALYTE IN A SAMPLE |
US20120081703A1 (en) | 2009-05-07 | 2012-04-05 | Nant Holdings Ip, Llc | Highly Efficient Plamonic Devices, Molecule Detection Systems, and Methods of Making the Same |
CN101566571B (zh) | 2009-06-03 | 2010-09-08 | 哈尔滨工业大学 | 连续三维结构纳米银表面增强拉曼光谱基底及其制备方法 |
US8223331B2 (en) | 2009-06-19 | 2012-07-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Signal-amplification device for surface enhanced raman spectroscopy |
CN101936906B (zh) | 2009-06-30 | 2012-08-08 | 北京盈沣财智投资咨询有限公司 | 载体和试剂盒以及表面增强拉曼光谱分析方法 |
JP2011021085A (ja) | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 空気入りタイヤ用ゴム組成物 |
US20120182548A1 (en) | 2009-07-23 | 2012-07-19 | Insight Nanofluidics Inc | Nanofluidic cell |
US8659391B2 (en) | 2009-08-18 | 2014-02-25 | Indian Institute Of Technology Madras | Multielement and multiproperty tagging |
BR112012003609B1 (pt) | 2009-08-20 | 2020-11-10 | Meiji Seika Pharma Co., Ltd | proteína que possui atividade de beta-glucosidase, vetor de expressão, célula hospedeira e seus processos para produção, preparação de celulase e seu processo para degradação e produção, composição detergente |
EP2478343A1 (en) | 2009-09-17 | 2012-07-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electrically driven devices for surface enhanced raman spectroscopy |
TWI407092B (zh) | 2009-09-24 | 2013-09-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 拉曼散射基底及具該拉曼散射基底之檢測系統 |
TWI523950B (zh) | 2009-09-30 | 2016-03-01 | 凸版印刷股份有限公司 | 核酸分析裝置 |
JP2011075348A (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nidek Co Ltd | 試験片の製造方法 |
EP2488855A2 (en) | 2009-10-15 | 2012-08-22 | Spectrafluidics, Inc. | Sers-active absorbers for the analysis of analytes |
CN101672784B (zh) | 2009-10-22 | 2011-01-12 | 郑州大学 | 一种#字形纳米电磁超介质表面增强拉曼散射衬底 |
WO2011047690A1 (en) | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Danmarks Tekniske Universitet | Surface enhanced raman scattering substrates consumables for raman spectroscopy |
CN102713720B (zh) | 2009-10-28 | 2016-05-11 | 阿兰蒂克微科学股份有限公司 | 显微成像装置和显微成像方法 |
US8415611B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-04-09 | Seiko Epson Corporation | Sensor chip, sensor cartridge, and analysis apparatus |
JP5589656B2 (ja) | 2009-12-11 | 2014-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | センサーチップ、センサーカートリッジ及び分析装置 |
CN102103086B (zh) | 2009-12-16 | 2012-12-26 | 中国科学院理化技术研究所 | 基于表面增强拉曼效应的单根硅纳米线实时检测单分子的方法 |
PL219706B1 (pl) | 2010-03-23 | 2015-06-30 | Inst Chemii Fizycznej Polskiej Akademii Nauk | Platforma do pomiarów powierzchniowo wzmocnionego efektu Ramana |
JP5574783B2 (ja) | 2010-03-31 | 2014-08-20 | 富士フイルム株式会社 | 蛍光検出装置および方法 |
CA2792756A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Kaneka Corporation | Structure, chip for localized surface plasmon resonance sensor, localized surface plasmon resonance sensor, and fabricating methods therefor |
US8358407B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-01-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Enhancing signals in Surface Enhanced Raman Spectroscopy (SERS) |
US8269963B2 (en) | 2010-04-30 | 2012-09-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Tunable apparatus for performing SERS |
JP5560891B2 (ja) | 2010-05-13 | 2014-07-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光デバイス及び分析装置 |
US20140154668A1 (en) | 2010-05-21 | 2014-06-05 | The Trustees Of Princeton University | Structures for Enhancement of Local Electric Field, Light Absorption, Light Radiation, Material Detection and Methods for Making and Using of the Same. |
US9182338B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-11-10 | The Trustees Of Princeton University | Structures for enhancement of local electric field, light absorption, light radiation, material detection and methods for making and using of the same |
JP5552007B2 (ja) | 2010-09-17 | 2014-07-16 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイス |
US8416406B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-04-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Sensing device and method producing a Raman signal |
US8665432B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-03-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus for performing SERS |
JP5822239B2 (ja) | 2010-12-08 | 2015-11-24 | 公立大学法人大阪府立大学 | 金属ナノ粒子集積構造体を利用した被検出物質の検出装置および方法 |
JP5614278B2 (ja) | 2010-12-24 | 2014-10-29 | セイコーエプソン株式会社 | センサーチップ、センサーチップの製造方法、検出装置 |
CN102169086B (zh) | 2010-12-31 | 2013-01-09 | 清华大学 | 用于单分子检测的分子载体 |
CN102169088B (zh) | 2010-12-31 | 2013-02-13 | 清华大学 | 单分子检测方法 |
US8509868B2 (en) | 2011-04-12 | 2013-08-13 | Panasonic Corporation | Method for measuring a concentration of a biogenic substance contained in a living body |
JP5779963B2 (ja) | 2011-04-28 | 2015-09-16 | ナノフォトン株式会社 | 観察試料密閉容器 |
CN102330080A (zh) | 2011-07-14 | 2012-01-25 | 东北师范大学 | 一种银纳米花薄膜的制备方法 |
WO2013015810A2 (en) | 2011-07-27 | 2013-01-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Surface enhanced raman spectroscopy employing a nanorod in a surface indentation |
JP6022585B2 (ja) | 2011-10-18 | 2016-11-09 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 分子検知デバイス、分子検知デバイスを用いる方法、表面増強ラマン分光システム、及び、分子検知デバイスを作製する方法 |
CN104011520B (zh) | 2011-10-26 | 2016-11-02 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 具有可破坏盖的供在传感应用中使用的设备 |
JP5848458B2 (ja) | 2011-10-27 | 2016-01-27 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 化学種をフィルタリングする装置 |
JP2013142546A (ja) | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Panasonic Corp | 生体成分の濃度を測定する方法及び測定装置 |
JP2013173444A (ja) | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Showa Corp | 電動パワーステアリング装置およびプログラム |
US9453793B2 (en) | 2012-04-20 | 2016-09-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated sensors |
TWI469917B (zh) | 2012-08-09 | 2015-01-21 | Nat Univ Tsing Hua | 具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置 |
JP6023509B2 (ja) | 2012-08-10 | 2016-11-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
EP2884264B1 (en) | 2012-08-10 | 2019-11-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Surface-enhanced raman scattering element, and method for producing same |
JP5945192B2 (ja) | 2012-08-10 | 2016-07-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
JP5908370B2 (ja) | 2012-08-10 | 2016-04-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
JP6055234B2 (ja) | 2012-08-10 | 2016-12-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
CN108844940B (zh) | 2012-08-10 | 2021-10-29 | 浜松光子学株式会社 | 表面增强拉曼散射单元及其使用方法 |
US9863883B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-01-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Surface-enhanced raman scattering element |
TWI583939B (zh) | 2012-08-10 | 2017-05-21 | Hamamatsu Photonics Kk | Surface - enhanced Raman scattering unit |
JP6230250B2 (ja) | 2013-03-29 | 2017-11-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット、及びラマン分光分析方法 |
DE112013003984B4 (de) | 2012-08-10 | 2021-12-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Element zur oberflächenverstärkten Raman-Streuung und Verfahren zum Herstellen eines Elements zur oberflächenverstärkten Raman-Streuung |
JP6080648B2 (ja) | 2013-03-29 | 2017-02-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
US9952158B2 (en) | 2013-03-29 | 2018-04-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Surface-enhanced raman scattering unit and raman spectroscopic analysis method |
US9719931B2 (en) | 2013-07-18 | 2017-08-01 | Optokey, Inc. | Surface enhanced raman spectroscopy resonator structures and methods of making same |
-
2013
- 2013-08-09 EP EP13827643.1A patent/EP2884264B1/en active Active
- 2013-08-09 US US14/420,510 patent/US9863884B2/en active Active
- 2013-08-09 CN CN201380042452.XA patent/CN104520696B/zh active Active
- 2013-08-09 WO PCT/JP2013/071707 patent/WO2014025037A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009222507A (ja) | 2008-03-14 | 2009-10-01 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 微量物質検出素子 |
JP2011033518A (ja) | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Toray Res Center:Kk | 表面増強ラマン分光分析方法 |
JP2011107032A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Omron Corp | 表面プラズモン共鳴チップ |
US20110166045A1 (en) * | 2009-12-01 | 2011-07-07 | Anuj Dhawan | Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"Q-SERSTM G 1 Substrate", 5 July 2013, OPTO SCIENCE, INC. |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016057179A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面増強ラマン散乱ユニット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2884264A4 (en) | 2016-08-31 |
EP2884264A1 (en) | 2015-06-17 |
CN104520696B (zh) | 2018-01-12 |
EP2884264B1 (en) | 2019-11-20 |
CN104520696A (zh) | 2015-04-15 |
US9863884B2 (en) | 2018-01-09 |
US20150219562A1 (en) | 2015-08-06 |
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