JP2016057179A - 表面増強ラマン散乱ユニット - Google Patents

Abstract

【課題】光学機能部の劣化を抑制可能な表面増強ラマン散乱ユニットを提供する。
【解決手段】ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）は、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２と、ＳＥＲＳ素子２を支持するハンドリングプレート３と、を備える。ＳＥＲＳ素子２は、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部１０を有する。ＳＥＲＳ素子２は、磁力Ｍによりハンドリングプレート３に固定されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、表面増強ラマン散乱ユニットに関する。

従来の表面増強ラマン散乱ユニットとして、表面増強ラマン散乱（ＳＥＲＳ：Surface Enhanced Raman Scattering）を生じさせる光学機能部を有する表面増強ラマン散乱素子がスライドガラス上に固定されたものが知られている（例えば、非特許文献１参照）。

"Q-SERSTM G1 Substrate"、［online］、株式会社オプトサイエンス、［平成２６年６月６日検索］、インターネット<URL:http://www.optoscience.com/maker/nanova/pdf/Q-SERS_G1.pdf>

上述したような表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、表面増強ラマン散乱素子がスライドガラス上に接着剤によって固定されているため、接着剤に含まれる成分によって光学機能部が劣化するおそれがある。一方、スライドガラスに嵌め合される保持部材を用いて、表面増強ラマン散乱素子を機械的にスライドガラスに固定する形態も想定される。その場合には、保持部材と光学機能部との物理的干渉により、光学機能部が劣化するおそれがある。

本発明は、光学機能部の劣化を抑制可能な表面増強ラマン散乱ユニットを提供することを目的とする。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットは、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を有する表面増強ラマン散乱素子と、表面増強ラマン散乱素子を支持する支持部材と、を備え、表面増強ラマン散乱素子は、磁力により支持部材に固定されている。

この表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、光学機能部を有する表面増強ラマン散乱素子が、磁力によって支持部材に固定されている。したがって、例えば表面増強ラマン散乱素子を接着剤により支持部材に固定する場合のように、接着剤に含まれる成分によって光学機能部が劣化することが避けられる。また、例えば表面増強ラマン散乱素子を保持部材によって機械的に支持部材に固定する場合のように、保持部材と光学機能部との物理的干渉により光学機能部が劣化することが避けられる。このように、この表面増強ラマン散乱ユニットによれば、光学機能部の劣化を抑制可能である。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、磁力は、引力であってもよい。この場合、表面増強ラマン散乱素子を支持部材に固定するための構造を単純化することができる。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、表面増強ラマン散乱素子は、支持部材に設けられた凹部に配置されていてもよい。この場合、凹部の内壁によって表面増強ラマン散乱素子の位置決めが可能である。また、凹部が深く、表面増強ラマン散乱素子の全体が凹部内に配置される場合には、接触や接触に伴う汚染等から光学機能部が保護される。また、その場合には、凹部を溶液試料等のセル（チャンバ）として利用することができる。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットは、互いの間に前記磁力を生じさせる第１の磁石部及び第２の磁石部を備え、第１の磁石部は、表面増強ラマン散乱素子に設けられており、表面増強ラマン散乱素子は、第２の磁石部と離間した状態において、磁力により支持部材に固定されていてもよい。この場合、表面増強ラマン散乱素子を第２の磁石部と接触させつつ支持部材に固定する場合と比較して、支持部材の成形の自由度が高い。

ここで、第１及び第２の磁石部は、互いの間に磁力を生じさせるものである。したがって、第１及び第２の磁石部の両方が永久磁石により構成される場合もあるし、第１及び第２の磁石部の一方が永久磁石から構成され他方が一時磁石から構成される場合もある。また、第１及び第２の磁石部の両方が一時磁石により構成される場合は想定されない。

なお、ここでの永久磁石とは、外部から磁場や電流の供給を受けることなく、磁石としての性質を長期にわたって保持する物質からなるものである。また、ここでの一時磁石とは、外部から磁化を受けている間のみ磁石としての性質をもつ物質からなるものである。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、支持部材は、第１の面と第１の面の反対側の第２の面とを有し、表面増強ラマン散乱素子は、第１の面上に配置されており、第２の磁石部は、第２の面上に配置されており、第２の面上に沿った第２の磁石部の移動に応じて第１の面に沿って表面増強ラマン散乱素子が可動とされていてもよい。この場合、第２の磁石部を移動させて表面増強ラマン散乱素子を移動させることにより、表面増強ラマン散乱素子を所望の位置に容易に配置させることが可能となる。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットは、互いの間に前記磁力を生じさせる第１の磁石部及び第２の磁石部を備え、第１の磁石部は、表面増強ラマン散乱素子に設けられており、表面増強ラマン散乱素子は、第２の磁石部に接触した状態において、磁力により支持部材に固定されていてもよい。この場合、表面増強ラマン散乱素子を第２の磁石部から離間させつつ支持部材に固定する場合と比較して、第１の磁石部と第２の磁石部とが近接するので、固定強度が高い。また、全体のコンパクト化を図ることが可能である。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットは、互いの間に前記磁力を生じさせる第１の磁石部及び第２の磁石部を備え、表面増強ラマン散乱素子は、第１の磁石部と第２の磁石部との間に挟持された状態において、磁力により支持部材に固定されていてもよい。この場合、第１の磁石部を表面増強ラマン散乱素子に設ける必要がないので、表面増強ラマン散乱素子の製造が容易となる。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、支持部材は、第２の磁石部として構成されていてもよい。この場合、部材数を削減することにより、部材管理の利便性やコスト削減を実現可能である。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、表面増強ラマン素子は、主面及び主面の反対側の裏面を含む基板と、主面上に設けられた微細構造部と、微細構造部上に設けられた導電体層と、を有し、第１の磁石部は、裏面上、主面と微細構造部との間、微細構造部と導電体層との間、及び、主面に交差する方向に延びる表面増強ラマン散乱素子の側面上の少なくともいずれかに設けられていてもよい。これらの場合のうち、基板の裏面上に第１の磁石部が設けられる場合には、第１の磁石部と第２の磁石部とを基板の裏面側において近接させる（或いは接触させる）ことができるので、固定強度を向上可能である。また、基板の主面と微細構造部との間、及び、微細構造部と導電体層との間に第１の磁石部が設けられる場合には、第１の磁石部を励起光の反射部として利用することが可能となる。さらに、微細構造部と導電体層との間に第１の磁石部が設けられる場合には、基板の主面側（光学機能部側）において第１の磁石部と第２の磁石部とを近接させることができるので、固定強度を向上可能である。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、表面増強ラマン素子は、主面及び主面の反対側の裏面を含む基板と、主面上に設けられた微細構造部と、微細構造部上に設けられ光学機能部を構成する導電体層と、を有し、基板、微細構造部、及び、導電体層の少なくともいずれかは、第１の磁石部として構成されてもよい。これらの場合のうち、基板が第１の磁石部として構成される場合には、基板の裏面側において第１の磁石部と第２の磁石部とを近接させる（或いは接触させる）ことができるので、固定強度を向上可能である。また、微細構造部が第１の磁石部として構成される場合には、微細構造部を励起光の反射部として効率的に利用することが可能となる。また、導電体層が第１の磁石部として構成される場合には、基板の主面側（光学機能部側）において第１の磁石部と第２の磁石部とを近接（或いは接触）させることができるので、固定強度を向上可能である。

本発明は、光学機能部の劣化を抑制可能な表面増強ラマン散乱ユニットを提供することができる。

第１実施形態に係る表面増強ラマン散乱ユニットの平面図である。 図１のII−II線に沿っての断面図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの部分的な断面図である。 図２に示された光学機能部のＳＥＭ写真である。 図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットがセットされたラマン分光分析装置の構成図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す断面図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す断面図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す部分的な斜視図である。 第２実施形態に係る表面増強ラマン散乱ユニットの断面図である。 図１３に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。 図１３に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。 第３実施形態に係る表面増強ラマン散乱ユニットの断面図である。 図１６に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱素子の変形例を示す模式的な断面図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱素子の変形例を示す模式的な断面図である。 図２に示された表面増強ラマン散乱素子の変形例を示す模式的な断面図である。

以下、本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットの一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一の要素同士、或いは相当する要素同士には同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
［第１実施形態］

図１は、第１実施形態に係る表面増強ラマン散乱ユニットの平面図である。図２は、図１のII−II線に沿っての断面図である。図３は、図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの部分的な断面図である。図１〜３に示されるように、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１は、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２と、ハンドリングプレート（支持部材）３と、第１の磁石部４と、第２の磁石部５と、を備えている。ＳＥＲＳ素子２は、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部１０を有している。ハンドリングプレート３は、ＳＥＲＳ素子２を支持する。ＳＥＲＳ素子２は、磁力によって、ハンドリングプレート３に固定されている。

ハンドリングプレート３は、主面３１と、主面３１の反対側の裏面３２と、を有する。ハンドリングプレート３は、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３が形成されている。凹部３３は、ハンドリングプレート３の長手方向及び短手方向における略中央に配置されている。凹部３３は、直方体状に形成されている。裏面３２には、凹部３４が形成されている。凹部３４は、ハンドリングプレート３における肉抜き部である。

凹部３３の底面（第１の面）３３ｓと、凹部３４の底面（第２の面）３４ｓとは、ハンドリングプレート３の厚さ方向（主面３１に交差する方向）からみて、互いに重複している。底面３３ｓと底面３４ｓとは、互いに離間した状態において略平行に延在している。したがって、底面３３ｓと底面３４ｓとの間には、ハンドリングプレート３の一部分３ａが介在している。ハンドリングプレート３は、例えば、樹脂（ポリプロピレン、スチロール樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリエチレン、ＰＥＴ、ＰＭＭＡ、シリコーン、液晶ポリマー等）、セラミック、ガラス、シリコン等の材料によって、成型、切削、エッチング等の手法を用いて一体的に形成されている。

ＳＥＲＳ素子２は、基板２１と、成形層２２と、導電体層２３と、を有する。基板２１は、主面２１ａと、主面２１ａの反対側の裏面２１ｂと、を含む。基板２１は、例えば、シリコン又はガラス等によって矩形板状に形成されている。基板２１は、例えば、数百μｍ×数百μｍ〜数十ｍｍ×数十ｍｍ程度の外形及び１００μｍ〜２ｍｍ程度の厚さを有している。

成形層２２は、基板２１の主面２１ａ上に形成されている。成形層２２は、微細構造部２４と、支持部２５と、枠部２６と、を含む。つまり、ＳＥＲＳ素子２は、基板２１の主面２１ａ上に設けられた微細構造部２４を含む。微細構造部２４は、成形層２２の中央部における基板２１と反対側の表層に形成されている。微細構造部２４は、例えば、支持部２５を介して基板２１の主面２１ａ上に形成されている。ただし、微細構造部２４は、基板２１の主面２１ａ上に直接形成されていてもよい。

微細構造部２４は、全体として、例えば数百μｍ×数百μｍ〜数十ｍｍ×数十ｍｍ程度の矩形状の外形を有している。微細構造部２４は、周期的パターンを有する領域である。より具体的には、例えば、微細構造部２４には、周期的パターンとして、例えば、数ｎｍ〜数百ｎｍ程度の太さ及び高さを有する複数のピラーが、基板２１の主面２１ａに沿って、数十ｎｍ〜数百ｎｍ程度のピッチで周期的に配列されている。

支持部２５は、微細構造部２４を支持する領域である。支持部２５は、基板２１の主面２１ａ上に形成されている。支持部２５は、例えば、矩形板状を呈している。枠部２６は、支持部２５を包囲する領域である。したがって、枠部２６は、例えば、矩形環状を呈している。枠部２６は、基板２１の主面２１ａ上に形成されている。なお、微細構造部２４は、支持部２５上だけでなく、支持部２５から枠部２６にわたって形成されていてもよい。すなわち、枠部２６が支持部２５と同一の厚さに形成され、微細構造部２４を支持する支持部として構成されてもよい。支持部２５及び枠部２６は、例えば数十ｎｍ〜数十μｍ程度の厚さを有している。

このような成形層２２は、例えば、基板２１の主面２１ａ上に配置された樹脂（アクリル系、フッ素系、エポキシ系、シリコーン系、ウレタン系、ＰＥＴ、ポリカーボネート若しくは無機有機ハイブリッド材料等）又は低融点ガラスをナノインプリント法によって成形することで、一体的に形成することができる。

導電体層２３は、微細構造部２４上及び枠部２６上に一体的に形成されている。微細構造部２４においては、導電体層２３は、基板２１の反対側に露出する支持部２５の表面に達している。ＳＥＲＳ素子２では、微細構造部２４の表面上、及び基板２１の反対側に露出する支持部２５の表面上に形成された導電体層２３によって、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部１０が構成されている（図４参照）。一例として、導電体層２３は、数ｎｍ〜数μｍ程度の厚さを有している。このような導電体層２３は、例えば、ナノインプリント法によって成形された成形層２２に金属（Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、又はＰｔ等）等の導電体を気相成長させることによって形成することができる。

ここで、基板２１の裏面２１ｂ上には、第１の磁石部４が設けられている。すなわち、第１の磁石部４は、ＳＥＲＳ素子２に設けられている（ＳＥＲＳ素子２に含まれている）。第１の磁石部４は、ＳＥＲＳ素子２の底部を構成するように膜状に形成されている。ここでは、第１の磁石部４は、裏面２１ｂの全体にわたって形成されている。第１の磁石部４の材料や性質等については後述する。第１の磁石部４は、例えば、基板２１の裏面２１ｂ上に後述する各種の材料を堆積させることにより形成することができる。

ＳＥＲＳ素子２は、ハンドリングプレート３の凹部３３に配置されている。ここでは、ハンドリングプレート３の厚さ方向について、ＳＥＲＳ素子２の一部（例えば基板２１の一部）が凹部３３内に収容され、ＳＥＲＳ素子２の残部が凹部３３から突出している。また、ＳＥＲＳ素子２は、基板２１の裏面２１ｂが凹部３３の底面３３ｓ側になるように配置されている。一例として、ＳＥＲＳ素子２は、第１の磁石部４が凹部３３の底面３３ｓに接触するように底面３３ｓ上に配置されている。

一方、第２の磁石部５は、ハンドリングプレート３の凹部３４に配置されている。より具体的には、凹部３４の底面３４ｓには、係止突起３４ａが突設されている。第２の磁石部５は、例えば直方体板状を呈しており、その係止突起３４ａに嵌め合されて（係止されて）底面３４ｓ上に保持（配置）されている。したがって、この第２の磁石部５とＳＥＲＳ素子２とは、ハンドリングプレート３の一部分３ａを介在させた状態で互いに近接して対向している。

第１の磁石部４及び第２の磁石部５は、互いの間に磁力Ｍを生じさせるものである。ここでは、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間に生じる磁力Ｍは引力である。したがって、ＳＥＲＳユニット１においては、第１の磁石部４と第２の磁石部５とがハンドリングプレート３の一部分３ａを介して互いに引き合うことにより、ＳＥＲＳ素子２がハンドリングプレート３の凹部３３の底面３３ｓに押さえ付けられるようにしてハンドリングプレート３に固定される。

同様に、第２の磁石部５もハンドリングプレート３の凹部３４の底面３４ｓに押さえ付けられる。したがって、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力Ｍが十分に強い場合には、係止突起３４ａがなくても、磁力Ｍにより第２の磁石部５の自重が支えられ、第２の磁石部５を凹部３４の底面３４ｓ上に保持することが可能である。このように、ＳＥＲＳユニット１においては、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５と離間した状態において（すなわち、第２の磁石部５との間にハンドリングプレート３の一部分３ａを介在させた状態において）、磁力Ｍによってハンドリングプレート３に固定されている。つまり、ＳＥＲＳユニット１においては、ＳＥＲＳ素子２は、凹部３３への嵌め合い等によってハンドリングプレート３に機械的に固定されているのではない。

したがって、磁力Ｍが生じてない場合には、ＳＥＲＳ素子２はハンドリングプレート３に固定されず、凹部３３に対して出し入れが可能となる（すなわち、ハンドリングプレート３からの取外しが可能となる）。なお、磁力Ｍは、ＳＥＲＳ素子２をハンドリングプレート３に固定するのに必要十分な程度の大きさである。したがって、磁力Ｍは、後述するようなＳＥＲＳユニット１を用いたラマン分光分析に影響を及ぼすものではない。

なお、第１の磁石部４及び第２の磁石部５は、その両方が永久磁石により構成される場合もあるし、その一方が永久磁石から構成され他方が一時磁石から構成される場合もある。また、ここでの永久磁石とは、外部から磁場や電流の供給を受けることなく、磁石としての性質を長期にわたって保持する物質からなるものである。また、ここでの一時磁石とは、外部から磁化を受けている間のみ磁石としての性質をもつ物質からなるものである。

ここでは、一例として、第１の磁石部４が一時磁石を含む（例えば一時磁石から構成される）。また、第２の磁石部５が永久磁石を含む（例えば永久磁石から構成される）。第１の磁石部４の一時磁石の一例としては、軟鉄（純鉄）、珪素鋼（ＦｅにＳｉを加えた合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーメンジュール（Ｆｅ−Ｃｏ合金）、アモルファス磁性合金（Ｐｄ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金、及び、Ｚｒ系合金等）、及び、ナノ結晶磁性合金（Ｆｅ−Ｚｒ−Ｂ−Ｃｕ系合金等）等から構成されるものが挙げられる。

第２の磁石部５の永久磁石の一例としては、フェライト磁石、金属磁石、及び、ボンド磁石等が挙げられる。フェライト磁石は、例えば、バリウムフェライト磁石及びストロンチウムフェライト磁石等が挙げられる。

金属磁石は、例えば、合金磁石及び希土類磁石等である。合金磁石は、例えば、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ磁石、アルニコ磁石、Ｆｅ−Ｍｎ系磁石、Ｍｎ−Ａｌ磁石、Ｍｎ−Ａｌ−Ｃ系磁石、及び、白金磁石等である。希土類磁石は、例えば、サマリウムコバルト磁石、ネオジウム磁石、及び、プラセオジム磁石等である。

ボンド磁石は、例えば、ゴム磁石及びプラスチック磁石等である。ゴム磁石は、例えば、フェライトゴム磁石（ラバーマグネット）、及びネオジウムゴム磁石等である。プラスチック磁石は、例えば、フェライトプラスチック磁石、及びネオジウムプラスチック磁石等である。

以上のように構成されたＳＥＲＳユニット１によるラマン分光分析方法について説明する。ここでは、図５に示されるように、ラマン分光分析装置５０を用いてＳＥＲＳユニット１によるラマン分光分析方法が実施される。ラマン分光分析装置５０は、ステージ５１と、光源５２と、光学部品５３，５４と、検出器５５と、を備える。ステージ５１は、ＳＥＲＳユニット１を支持する。光源５２は、励起光を出射する。光学部品５３は、励起光を光学機能部１０に照射するのに必要なコリメーション、フィルタリング、集光等を行う。光学部品５４は、ラマン散乱光を検出器５５に誘導するのに必要なコリメーション、フィルタリング等を行う。検出器５５は、ラマン散乱光を検出する。

ここでは、まず、ＳＥＲＳユニット１を用意し、溶液試料（或いは、水又はエタノール等の溶液に紛体の試料を分散させたもの（以下同様））をＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０に滴下することにより、光学機能部１０上に溶液試料を配置する。なお、溶液試料を滴下するに際し、予め、試料セルを形成するためにシリコーン等からなるスペーサをハンドリングプレート３の上に配置してもよい。その後に、ステージ５１上にハンドリングプレート３を配置して、ＳＥＲＳユニット１をラマン分光分析装置５０にセットする。

続いて、光源５２から出射された励起光を、光学部品５３を介して光学機能部１０上の溶液試料に照射することにより、溶液試料を励起させる。このとき、ステージ５１は、光学機能部１０に励起光の焦点が合うように移動させられている。これにより、光学機能部１０と溶液試料との界面で表面増強ラマン散乱が生じ、溶液試料由来のラマン散乱光が例えば１０^８倍程度にまで増強されて放出される。そして、放出されたラマン散乱光を、光学部品５４を介して検出器５５により検出することにより、ラマン分光分析を行う。

なお、光学機能部１０上への試料の配置の方法には、上述した方法の他に、次のような方法がある。例えば、ハンドリングプレート３を把持して、溶液試料に対してＳＥＲＳ素子２を浸漬させて引き上げ、ブローして当該試料を乾燥させてもよい。また、溶液試料を光学機能部１０上に微量滴下し、当該試料を自然乾燥させてもよい。また、紛体である試料をそのまま光学機能部１０上に分散させてもよい。

以上説明したように、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、光学機能部１０を有するＳＥＲＳ素子２が、磁力Ｍによってハンドリングプレート３に固定されている。したがって、例えばＳＥＲＳ素子２を接着剤によりハンドリングプレート３に固定する場合のように、接着剤に含まれる成分によって光学機能部１０が劣化することが避けられる。また、例えばＳＥＲＳ素子２を保持部材により機械的にハンドリングプレート３に固定する場合のように、保持部材と光学機能部１０との物理的干渉により光学機能部１０が劣化することが避けられる。このように、このＳＥＲＳユニット１によれば、光学機能部１０の劣化を抑制可能である。

特に、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、ＳＥＲＳ素子２をハンドリングプレート３に機械的に固定するためにＳＥＲＳ素子２の表面（光学機能部１０側の面）に接触する部材を必要としない。このため、ＳＥＲＳ素子２の表面の広い範囲（例えば全体）にわたって光学機能部１０のための領域を確保することが可能である。したがって、表面増強ラマン散乱光が取得しやすくなる。

また、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、ＳＥＲＳ素子２をハンドリングプレート３に固定するための磁力Ｍが引力である。磁力Ｍを斥力とした場合であっても、ＳＥＲＳ素子２をハンドリングプレート３に固定するための構造を実現し得るが、磁力Ｍが引力であれば、ＳＥＲＳ素子２をハンドリングプレート３に固定するための構造を単純化することができる。

また、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、ＳＥＲＳ素子２がハンドリングプレート３に設けられた凹部３３に配置されている。このため、凹部３３の内壁によって、例えばハンドリングプレート３の主面３１に沿った方向について、ＳＥＲＳ素子２の位置決めが可能である。

また、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力Ｍによって、ＳＥＲＳ素子２をハンドリングプレート３に固定している。したがって、第１の磁石部４及び第２の磁石部５の材料の選択等によって磁力Ｍの大きさを調整すれば、ＳＥＲＳ素子２とハンドリングプレート３との固定強度を制御することができる。

さらに、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、ＳＥＲＳ素子２が第１の磁石部４を含み、第２の磁石部５と離間した状態において磁力Ｍによりハンドリングプレート３に固定されている。このため、例えば、第２の磁石部５をハンドリングプレート３に埋設してＳＥＲＳ素子２に接触させる場合と比較して、ハンドリングプレート３の成形の自由度が高い。

なお、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１によれば、接着剤や保持部材によってＳＥＲＳ素子２を固定する場合と比較して、ハンドリングプレート３に対するＳＥＲＳ素子２の脱着が容易である。また、ＳＥＲＳ素子２をハンドリングプレート３に固定する工程が簡略化されるため、ＳＥＲＳユニット１の組立時におけるＳＥＲＳ素子２の破損リスクが低減する。

引き続いて、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１の変形例について説明する。図６は、図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す断面図である。図６の（ａ）に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ａは、ＳＥＲＳユニット１と比較して、ハンドリングプレート３に代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ａを備える点、及び、第２の磁石部５に代えて第２の磁石部５Ａを備える点でＳＥＲＳユニット１と相違している。ハンドリングプレート３Ａは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により形成される。また、第２の磁石部５Ａは、第２の磁石部５と同様の材料により形成される。

ハンドリングプレート３Ａは、主面３１と裏面（第２の面）３２とを有し、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３が形成されている。凹部３３の底面（第１の面）３３ｓと裏面３２とは、互いに離間した状態において略平行に延在している。したがって、底面３３ｓと裏面３２との間には、ハンドリングプレート３の一部分３ａが介在している。ＳＥＲＳ素子２は、凹部３３に配置されている。一例として、ＳＥＲＳ素子２は、第１の磁石部４が凹部３３の底面（第１の面）３３ｓに接触するように底面３３ｓ上に配置されている。

第２の磁石部５Ａは、長方形板状を呈している。第２の磁石部５Ａは、ハンドリングプレート３Ａの裏面３２上に配置されている。第２の磁石部５Ａは、裏面３２の外縁を除いた裏面３２の略全体にわたって延在している。裏面３２の外縁には、係止突起３４ａが突設されている。第２の磁石部５Ａは、その係止突起３４ａに嵌め合されて（係止されて）裏面３２上に保持されている。

したがって、ＳＥＲＳユニット１Ａにおいても、ＳＥＲＳ素子２と第２の磁石部５Ａとは、ハンドリングプレート３Ａの一部分３ａを介在させた状態で互いに近接して対向している。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ａにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５Ａと離間した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ａとの間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ａに固定されている。

このようなＳＥＲＳユニット１Ａによれば、上述したＳＥＲＳユニット１と同様の効果に加えて、次の効果をさらに奏することができる。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ａにおいては、第２の磁石部５Ａが、ハンドリングプレート３Ａの裏面３２の略全体にわたって延在し、係止突起３４ａによりハンドリングプレート３Ａに嵌め合わされている。このため、ハンドリングプレート３Ａの反り等の変形が矯正される結果、ラマン散乱を安定して検出することが可能となる。

図６の（ｂ）に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｂは、ＳＥＲＳユニット１と比較して、ハンドリングプレート３に代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｂを備える点、及び、第２の磁石部５に代えて第２の磁石部５Ａを備える点でＳＥＲＳユニット１と相違している。ハンドリングプレート３Ｂは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により形成される。

ハンドリングプレート３Ｂは、主面３１と裏面（第２の面）３２とを含み、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３が形成されている。主面３１には、裏面３２から主面３１に向かう方向に拡大するテーパ状の凹部３５が形成されている。凹部３３は、その凹部３５の底面に形成されている。凹部３３及び凹部３５は、互いに連続しており、単一の凹部４０を構成している。凹部４０は、ハンドリングプレート３Ｂの長手方向及び短手方向における略中央に配置されている。

ＳＥＲＳ素子２は、凹部４０内に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２は、第１の磁石部４が凹部３３の底面（第１の面）３３ｓに接触するように底面３３ｓ上に配置され、凹部４０内に収容されている。ここでは、ＳＥＲＳ素子２の全体が凹部４０内に収容されている。特に、ハンドリングプレート３Ｂの厚さ方向（主面３１に交差する方向）について、凹部４０の寸法（深さ）は、ＳＥＲＳ素子２の寸法（厚さ）よりも大きい。したがって、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０が、主面３１よりも凹部４０の内側に配置される。また、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０上には、凹部４０の内面によって規定される空間Ｓ１が設けられる。

一方、第２の磁石部５Ａは、ハンドリングプレート３Ｂの裏面３２上に配置されている。第２の磁石部５Ａは、裏面３２の外縁を除いた裏面３２の略全体にわたって延在している。裏面３２の外縁には、係止突起３４ａが突設されている。第２の磁石部５Ａは、その係止突起３４ａに嵌め合されて（係止されて）裏面３２上に保持されている。

したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｂにおいても、ＳＥＲＳ素子２と第２の磁石部５Ａとは、ハンドリングプレート３Ｂの一部分３ａを介在させた状態で互いに近接して対向している。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｂにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５Ａと離間した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ａとの間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｂに固定されている。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｂによれば、上述したＳＥＲＳユニット１と同様の効果に加えて、次の効果をさらに奏することができる。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｂにおいては、第２の磁石部５Ａが、ハンドリングプレート３Ｂの裏面３２の略全体にわたって延在し、係止突起３４ａによりハンドリングプレート３Ａに嵌め合わされている。このため、ハンドリングプレート３Ｂの反り等の変形が矯正される結果、ラマン散乱を安定して検出することが可能となる。

また、ＳＥＲＳユニット１Ｂにおいては、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０が、ハンドリングプレート３Ｂの主面３１よりも凹部４０の内側に配置されている。このため、光学機能部１０への接触や光学機能部１０の汚染のリスクが低減される。また、光学機能部１０上には、凹部４０の内面によって規定される空間Ｓ１が設けられている。このため、このＳＥＲＳユニット１Ｂを用いたラマン分光分析の際には、凹部４０を溶液試料のセル（チャンバ）として利用することができる。さらに、凹部４０がテーパ状であるので、凹部４０の内面での反射による迷光の発生が抑制される。

図７は、図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す断面図である。図７に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｃは、ＳＥＲＳユニット１と比較して、ハンドリングプレート３に代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｃを備える点、及び、第２の磁石部５に代えて第２の磁石部５Ｃを備える点でＳＥＲＳユニット１と相違している。ハンドリングプレート３Ｃは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により形成される。また、第２の磁石部５Ｃは、第２の磁石部５と同様の材料により形成される。

ハンドリングプレート３Ｃは、主面３１と裏面３２とを含み、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３６が形成されている。また、裏面３２には、凹部３７が形成されている。凹部３６及び凹部３７は、ハンドリングプレート３の長手方向及び短手方向における略中央に配置されている。凹部３６及び凹部３７は、直方体状に形成されている。また、凹部３６及び凹部３７は、ハンドリングプレート３Ｃの厚さ方向（主面３１に交差する方向）からみて、互いに重複している。

凹部３６の底面（第２の面）３６ｓと凹部３７の底面（第１の面）３７ｓとは、互いに離間した状態において略平行に延在している。したがって、底面３６ｓと底面３７ｓとの間には、ハンドリングプレート３Ｃの一部分３ａが介在している。この一部分３ａには、底面３６ｓと底面３７ｓとを互いに連通する連通孔３８が形成されている。したがって、凹部３６と凹部３７とは、その連通孔３８を介して互いに連通している。

ＳＥＲＳ素子２は、凹部３７に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２は、ＳＥＲＳ素子２の表面（光学機能部１０側の表面）２ａの外縁が凹部３７の底面３７ｓに接触するように底面３７ｓ上に配置されている。ここでは、一例として、ハンドリングプレート３Ｃの厚さ方向について、凹部３７の寸法（深さ）は、ＳＥＲＳ素子２の寸法（厚さ）と略同一である。したがって、ＳＥＲＳ素子２の全体が凹部３７に収容されつつ、ＳＥＲＳ素子２の裏面（基板２１の裏面２１ｂ側の面）２ｂが裏面３２と略面一となる。

一方、第２の磁石部５Ｃは、凹部３６に配置されている。より具体的には、第２の磁石部５Ｃは、その裏面５ｂが凹部３６の底面３６ｓに接触するように、底面３６ｓ上に配置されている。ここでは、一例として、ハンドリングプレート３Ｃの厚さ方向について、凹部３６の寸法（深さ）と第２の磁石部５Ｃの寸法（厚さ）とは、略同一である。したがって、第２の磁石部５Ｃの全体が凹部３６に収容されつつ、第２の磁石部５Ｃの表面５ａが主面３１と略面一となる。

このように、ＳＥＲＳユニット１Ｃにおいても、ＳＥＲＳ素子２と第２の磁石部５Ｃとは、ハンドリングプレート３Ｃの一部分３ａを介在させた状態で互いに近接して対向している。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｃにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５Ｃと離間した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ｃとの間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｃに固定されている。

ここで、第２の磁石部５Ｃには、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０が連通孔３８を介してハンドリングプレート３Ｃの主面３１側に露出するように、孔部５ｈが設けられている。一例として、第２の磁石部５Ｃは、孔部５ｈによって環状とされている。したがって、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０上には、第２の磁石部５Ｃの孔部５ｈの内面（第２の磁石部５Ｃの内側面）５ｓによって規定される空間Ｓ２が設けられている。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｃによれば、上述したＳＥＲＳユニット１と同様の効果に加えて、次の効果をさらに奏することができる。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｃにおいては、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０が、第２の磁石部５Ｃの孔部５ｈを介してハンドリングプレート３Ｃの主面３１側に露出している。このため、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０への接触や光学機能部１０の汚染のリスクが低減される。

また、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０上には、孔部５ｈの内面５ｓによって規定される空間Ｓ２が設けられている。このため、このＳＥＲＳユニット１Ｃを用いたラマン分光分析の際には、孔部５ｈ（すなわち第２の磁石部５Ｃ）を溶液試料のセル（チャンバ）として利用することができる。さらに、ＳＥＲＳユニット１Ｃにおいては、第２の磁石部５Ｃの全体が主面３１の凹部３６に収容されており、ＳＥＲＳ素子２の全体が裏面３２の凹部３７に収容されている。このため、ハンドリングプレート３の全体を薄化することが可能である。

ここで、このＳＥＲＳユニット１Ｃにおいて、ＳＥＲＳ素子２の表面２ａの広い範囲にわたって光学機能部１０のための領域を確保可能であるという効果が得られることについて説明する。ＳＥＲＳユニット１Ｃにおいては、ＳＥＲＳ素子２の表面２ａの外縁がハンドリングプレート３の一部分３ａ（凹部３７の底面３７ｓ）に接触することとなる。このため、ＳＥＲＳ素子２の表面２ａのうちの一部分３ａに接触する領域については、光学機能部１０として機能させることが困難である。

しかしながら、例えばＳＥＲＳ素子２の表面を押圧する保持部材等によってＳＥＲＳ素子２を機械的にハンドリングプレート３に固定する場合には、ＳＥＲＳ素子２をハンドリングプレート３に向けて十分に押圧するために、ＳＥＲＳ素子２の表面２ａのうち比較的広い領域を保持部材で押さえつける必要がある。すなわち、その場合には、ＳＥＲＳ素子２の表面２ａの比較的広い領域が保持部材に接触し、光学機能部１０として機能させられない。

これに対して、このＳＥＲＳユニット１Ｃにおいては、磁力ＭによるＳＥＲＳ素子２の移動を規制する程度の比較的狭い領域において一部分３ａが表面２ａに接触していればよい。このため、ＳＥＲＳ素子２を保持部材により機械的に固定する場合と比較して、ＳＥＲＳ素子２の表面２ａの比較的広い領域を露出させて光学機能部１０として機能させることが可能である。よって、このＳＥＲＳユニット１Ｃによれば、ＳＥＲＳ素子２の表面２ａの広い範囲にわたって光学機能部１０のための領域を確保可能である。

図８は、図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。図８に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｄは、ＳＥＲＳユニット１と比較すると、ハンドリングプレート３に代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｄを備える点、及び、一対の第３の磁石部６さらに備える点でＳＥＲＳユニット１と相違している。ハンドリングプレート３Ｄは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により形成される。また、第３の磁石部６は、第１の磁石部４又は第２の磁石部５と同様の材料から形成される。

ハンドリングプレート３Ｄは、主面３１と主面３１の反対側の裏面３２とを有し、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３と凹部３５とによって凹部４０が形成されている。一方、裏面３２には、複数の凹部が形成されている。より具体的には、裏面３２には、凹部４１、凹部４２、及び、凹部４３が形成されている。凹部４１〜４３は、直方体状に形成されている。凹部４１は、ハンドリングプレート３Ｄの長手方向及び短手方向における略中央に配置されている。

したがって、ハンドリングプレート３Ｄの厚さ方向（主面３１に交差する方向）からみて、凹部４１の底面（第２の面）４１ｓと凹部３３の底面（第１の面）３３ｓとは、互いに重複している。また、底面３３ｓと底面４１ｓとは、互いに離間した状態において略平行に延在している。したがって、底面３３ｓと底面４１ｓとの間には、ハンドリングプレート３Ｄの一部分３ａが介在している。凹部４１の開口部には、係止爪４１ａが設けられている。凹部４２及び凹部４３は、それぞれ、ハンドリングプレート３Ｄの長手方向の端部に形成されている。凹部４２の開口部、及び凹部４３の開口部には、それぞれ、係止爪４２ａ及び係止爪４３ａが設けられている。

ＳＥＲＳ素子２は、ＳＥＲＳユニット１Ｂの場合と同様に、凹部４０内に配置されている。つまり、ＳＥＲＳ素子２は、第１の磁石部４が凹部３３の底面３３ｓに接触するように底面３３ｓ上に配置され、凹部４０内に収容されている。一方、第２の磁石部５は、凹部４１に配置されている。より具体的には、第２の磁石部５は、凹部４１に挿入された状態において係止爪４１ａにより係止され、凹部４１の底面４１ｓ上に保持（配置）されている。

したがって、第２の磁石部５とＳＥＲＳ素子２とは、ハンドリングプレート３Ｄの一部分３ａを介在させた状態で互いに近接して対向している。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｄにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５と離間した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｄに固定されている。

第３の磁石部６の一方は、凹部４２に配置されている。より具体的には、第３の磁石部６の一方は、凹部４２に挿入された状態において係止爪４２ａにより係止され、凹部４２の底面４２ｓ上に保持（配置）されている。第３の磁石部６の他方は、凹部４３に配置されている。より具体的には、第３の磁石部６の他方は、凹部４３に挿入された状態において係止爪４３ａにより係止され、凹部４３の底面４３ｓ上に保持（配置）されている。

このＳＥＲＳユニット１Ｄによれば、ＳＥＲＳユニット１と同様の効果に加えて、次の効果をさらに奏することができる。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｄによれば、ＳＥＲＳユニット１Ｂと同様の理由から、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０への接触や光学機能部１０の汚染のリスクが低減される。また、このＳＥＲＳユニット１Ｄを用いたラマン分光分析の際には、凹部４０を溶液試料のセル（チャンバ）として利用することができる。また、凹部４０がテーパ状であるので、凹部４０の内面での反射による迷光の発生が抑制される。

さらに、ＳＥＲＳユニット１Ｄにおいては、ハンドリングプレート３Ｄの長手方向の両端部の凹部４２及び凹部４３に第３の磁石部６が配置されている。このため、例えば、上述したラマン分光分析装置５０といった測定装置Ｄに対して、第３の磁石部６に対応する位置に電磁石Ｅを設ければ、電磁石Ｅと第３の磁石部６との間の磁力ＭＤによって、測定装置ＤとＳＥＲＳユニット１Ｄとを互いに引き付けることができる。これにより、例えば電磁石Ｅが主面３１に接触するまで測定装置ＤとＳＥＲＳユニット１Ｄとが近づいたときに、測定装置Ｄの光学系の焦点位置ＰがＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０に一致するように、自動的にアライメントを行うことが可能となる。

また、ハンドリングプレート３Ｄの厚さ方向（主面３１に交差する方向）からみた場合の第３の磁石部６のサイズを適切に設定すれば（例えば、第３の磁石部６の断面のサイズを電磁石Ｅの断面のサイズと同程度に設定すれば）、第３の磁石部６と電磁石Ｅとの間の磁力ＭＤによって、ハンドリングプレート３Ｄの主面３１に沿った方向におけるＳＥＲＳユニット１Ｄの配置のアライメントも適切に行うことが可能である。また、ハンドリングプレート３Ｄの主面３１の適切な位置に電磁石Ｅのガイド溝を設ければ、ハンドリングプレート３Ｄの主面３１に沿った方向におけるＳＥＲＳユニット１Ｄの配置を確実にアライメントすることが可能である。

以下では、第２の磁石部の移動に応じて、ＳＥＲＳ素子２が配置される面に沿ってＳＥＲＳ素子２が可動とされている例について説明する。

図９は、図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。図９に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｅは、ハンドリングプレート３に代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｅを備える点でＳＥＲＳユニット１と相違している。ハンドリングプレート３Ｅは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により形成される。

ハンドリングプレート３Ｅは、主面３１と裏面３２とを有し、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部４４が形成されている。凹部４４は、直方体状に形成されている。凹部４４の底面（第１の面）４４ｓは、ハンドリングプレート３Ｅの長手方向に配列された２つの機能エリアＡ１，Ａ２を含む。底面４４ｓは、機能エリアＡ１において、主面３１側に露出している。一方、底面４４ｓは、機能エリアＡ２において、ハンドリングプレート３Ｅの主面３１に沿って延びる薄板状の延在部３ｂによって覆われている。

他方、裏面３２には、凹部４５が形成されている。凹部４５は、直方体状に形成されている。凹部４５は、ここでは、ハンドリングプレート３Ｅの厚さ方向（主面３１に交差する方向）からみて、凹部４４と略同位置において同程度の大きさで形成されている。したがって、ハンドリングプレート３Ｅの厚さ方向からみて、凹部４４の底面４４ｓと凹部４５の底面（第２の面）４５ｓとは、互いに重複している。また、底面４４ｓと底面４５ｓとは、互いに離間した状態において略平行に延在している。このため、底面４４ｓと底面４５ｓとの間には、ハンドリングプレート３Ｅの一部分３ａが介在している。

ＳＥＲＳ素子２は、凹部４４に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２は、第１の磁石部４が凹部４４の底面４４ｓに接触するように、底面４４ｓ上に配置されている。ＳＥＲＳ素子２は、その全体が凹部４４内に収容されている。ハンドリングプレート３Ｅの厚さ方向について、凹部４４の寸法（深さ）はＳＥＲＳ素子２の寸法（厚さ）よりも大きい。したがって、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０は、主面３１よりも凹部４４の内側に配置される。一方、第２の磁石部５は、凹部４５に配置されている。より具体的には、第２の磁石部５は、凹部４５の底面４５ｓに接触するように底面４５ｓ上に配置されている。第２の磁石部５は、一例として、その全体が凹部４５内に収容されている。

このように、ＳＥＲＳユニット１Ｅにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５と離間した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｅに固定されている。また、凹部４５の底面４５ｓ上に沿って第２の磁石部５を移動させることにより、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力ＭによりＳＥＲＳ素子２を第２の磁石部５に追従させ、凹部４４の底面４４ｓに沿ってＳＥＲＳ素子２を移動させることができる。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｅによれば、上述したＳＥＲＳユニット１と同様の効果に加えて、次の効果をさらに奏することができる。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｅにおいては、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０が、ハンドリングプレート３Ｅの主面３１よりも凹部４４の内側に配置されている。このため、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０への接触や光学機能部１０の汚染のリスクが低減される。

また、ＳＥＲＳユニット１Ｅにおいては、凹部４５の底面４５ｓに沿った第２の磁石部５の移動に応じて凹部４４の底面４４ｓに沿ってＳＥＲＳ素子２が可動とされている。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｅによれば、ＳＥＲＳ素子２を所望の位置に容易に配置させることが可能となる。

特に、凹部４４の底面４４ｓは、２つの機能エリアＡ１，Ａ２を含む。このため、凹部４５の底面４５ｓ上において第２の磁石部５をスライドさせることにより、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力ＭによってＳＥＲＳ素子２を底面４４ｓ上において第２の磁石部５に追従してスライドさせれば、ＳＥＲＳ素子２の配置を機能エリアＡ１及び機能エリアＡ２の間で変更することができる。底面４４ｓは、機能エリアＡ１において主面３１側に露出しており、機能エリアＡ２においてハンドリングプレート３Ｅの延在部３ｂにより覆われている。

したがって、例えば、ラマン分光分析等の測定を行う場合にのみ、第２の磁石部５のスライドによってＳＥＲＳ素子２を機能エリアＡ１上に位置させ、光学機能部１０を主面３１側に露出させるようし、それ以外の場合にはＳＥＲＳ素子２を機能エリアＡ２上に位置させて光学機能部１０を延在部３ｂによりカバーしておくようにすることができる。このため、ＳＥＲＳユニット１Ｅよれば、必要時のみ光学機能部１０を露出させることにより、光学機能部１０への接触や光学機能部１０の汚染のリスクを最小限に抑えることが可能となる。

機能エリアＡ１は、上述したように、光学機能部１０を主面３１側に露出させてＳＥＲＳ素子２を用いた測定を可能とする機能を有する測定用エリアである。また、機能エリアＡ２は、上述したように、光学機能部１０を延在部３ｂにより保護した状態でＳＥＲＳ素子２を保管する機能を有する保管用エリアである。

なお、ＳＥＲＳユニット１Ｅは、凹部４５の底面４５ｓ上において第２の磁石部５をスライドさせたときに、第２の磁石部５との間の磁力によって第２の磁石部５に追従して凹部４４の底面４４ｓ上でスライドするスライドトレイ（不図示）を備えていてもよい。スライドトレイは、第２の磁石部５との間に磁力を生じさせるように、一時磁石又は永久磁石を含む（或いは、一時磁石又は永久磁石から構成される）。この場合、ＳＥＲＳ素子２は、スライドトレイに載置されていれば、上述した効果を奏することが可能である。

また、ＳＥＲＳ素子２がスライドトレイに固定されていれば、ＳＥＲＳ素子２が第１の磁石部４を含まなくてもよい。ただし、ＳＥＲＳ素子２が第１の磁石部４を含んでいれば、磁力によってＳＥＲＳ素子２をスライドトレイに固定することができる。その場合には、ＳＥＲＳ素子２は、スライドトレイ及び第２の磁石部５を介して、磁力によりハンドリングプレート３Ｅに固定される。

図１０は、図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な図である。図１０の（ａ）は模式的な断面図であり、図１０の（ｂ）は模式的な平面図である。図１０に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｆは、ＳＥＲＳユニット１と比較して、ハンドリングプレート３に代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｆを備える点でＳＥＲＳユニット１と相違している。ハンドリングプレート３Ｆは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により作成される。

ハンドリングプレート３Ｆは、長尺板状に形成されている。ハンドリングプレート３Ｆは、内側部分７と外側部分８とを有する。内側部分７は、ハンドリングプレート３Ｆの長手方向に沿って延在している。内側部分７は、ハンドリングプレート３Ｆの長手方向に沿って起伏する板状を呈している。外側部分８は、内側部分７を囲うように内側部分７の縁部に沿って環状に立設されている。外側部分８は、ハンドリングプレート３の外壁部を構成する。内側部分７と外側部分８とは互いに一体に形成されている。

内側部分７は、主面（第１の面）７１と、主面７１の反対側の裏面（第２の面）７２と、を含む。主面７１と裏面７２とは、互いに略平行に延在している。したがって、主面７１の起伏と裏面７２の起伏とは、互いに相補的な関係にある。ＳＥＲＳ素子２は、主面７１上に配置されており、第２の磁石部５は裏面７２上に配置されている。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｆにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５と離間した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｆに固定されている。

また、裏面７２上に沿って第２の磁石部５を移動させることにより、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力ＭによりＳＥＲＳ素子２を第２の磁石部５に追従させ、主面７１に沿ってＳＥＲＳ素子２を移動させることができる。

主面７１には、ハンドリングプレート３Ｆの長手方向に配列された凹部７３、凹部７４、及び平坦部７５が設けられている。凹部７３には、例えば溶液試料Ｓが貯留されている。凹部７４には、例えばリンス液Ｒが貯留されている。ＳＥＲＳユニット１Ｆにおいては、例えば、まず、凹部７３の底面上にＳＥＲＳ素子２を配置し、その反対側の裏面７２に第２の磁石部５を配置する。これにより、ＳＥＲＳ素子２が凹部７３において磁力Ｍによりハンドリングプレート３Ｆに固定されると共に、凹部７３に貯留された溶液試料Ｓに浸漬され、光学機能部１０に溶液試料が配置される。

その状態において、裏面７２上において第２の磁石部５をスライドさせることにより、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力ＭによってＳＥＲＳ素子２を主面７１上において第２の磁石部５に追従してスライドさせ、ＳＥＲＳ素子２を凹部７４に導入する。これにより、ＳＥＲＳ素子２が凹部７４に貯留されたリンス液Ｒに浸漬される。ＳＥＲＳ素子２がリンス液Ｒに浸漬されることにより、光学機能部１０に配置された溶液試料のうち、測定対象（分析対象）の分子のみが光学機能部１０に残存する。

その後、裏面７２上において第２の磁石部５をさらにスライドさせることにより、ＳＥＲＳ素子２を主面７１上において第２の磁石部５に追従してさらにスライドさせ、ＳＥＲＳ素子２を平坦部７５に位置させる。平坦部７５に配置されたＳＥＲＳ素子２は、例えばラマン分光分析装置５０といった測定装置による測定に供される。

このように、ＳＥＲＳユニット１Ｆにおいては、主面７１に対して、ハンドリングプレート３Ｆの長手方向に配列された凹部７３、凹部７４、及び平坦部７５が設けられている。そして、凹部７３は、主面７１における機能エリアＡ３であって、光学機能部１０に溶液試料を配置するためにＳＥＲＳ素子２を溶液試料Ｓに浸漬する機能を有する浸漬エリアである。また、凹部７４は、主面７１における機能エリアＡ４であって、光学機能部１０に配置された溶液試料のうち測定対象（分析対象）の分子のみを光学機能部１０に残存させる機能を有するリンスエリアである。さらに、平坦部７５は、主面７１における機能エリアＡ５であって、ＳＥＲＳ素子２を用いた測定（例えばラマン分光分析）を行う機能を有する測定エリアである。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｆによれば、上述したＳＥＲＳユニット１と同様の効果に加えて、次の効果をさらに奏することができる。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｆにおいては、裏面７２に沿った第２の磁石部５の移動に応じて主面７１に沿ってＳＥＲＳ素子２が可動とされている。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｆによれば、ＳＥＲＳ素子２を所望の位置に容易に配置させることが可能となる。

特に、ＳＥＲＳユニット１Ｆにおいては、主面７１は、３つの機能エリアＡ３〜Ａ５を含む。このため、裏面７２上において第２の磁石部５をスライドさせることにより、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力ＭによってＳＥＲＳ素子２を主面７１上において第２の磁石部５に追従してスライドさせれば、ＳＥＲＳ素子２の配置を機能エリアＡ３〜Ａ５の間で変更することができる。

特に、ここでは、機能エリアＡ３が光学機能部１０に溶液試料を配置するための浸漬エリアであり、機能エリアＡ４が測定対象（分析対象）の分子のみを光学機能部１０に残存させるリンスエリアであり、機能エリアＡ５がＳＥＲＳ素子２を用いた測定を行う測定エリアである。したがって、裏面７２上での第２の磁石部５のスライドに追従して主面７１上でＳＥＲＳ素子２をスライドさせれば、光学機能部１０への試料の配置から測定に至る一連の工程を単一のＳＥＲＳユニット１Ｆ内において実現可能である。

なお、ここでは、主面７１と裏面７２とが互いに略平行であり、裏面７２が主面７１の起伏に追従して起伏している形態について説明した。しかしながら、主面７１が上記のような起伏を有すると共に、裏面７２がその起伏に追従せずに平坦であってもよい。この場合、裏面７２における第２の磁石部５の移動をスムーズに行うことが可能となる。

以上のように、ＳＥＲＳユニット１Ｅ，１Ｆにおいては、ハンドリングプレート３Ｅ，３ＦにおけるＳＥＲＳ素子２が配置される面（第１の面）が、それぞれ特定の機能を有する複数の機能エリアを含む。そして、ハンドリングプレート３Ｅ，３ＦにおけるＳＥＲＳ素子２が配置される面と反対側の面（第２の面）に沿った第２の磁石部５の移動に伴って、ＳＥＲＳ素子２が各機能エリア間を可動とされている。機能エリアが有する特定の機能は、上述した機能に限らず、例えば光学機能部１０に配置された溶液試料を乾燥させるためにＳＥＲＳ素子２を保持する機能等の任意の機能とすることが可能である。また、ＳＥＲＳ素子２に施す処理の数に応じて、任意の数の機能エリアを設定することが可能である。

図１１は、図２に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。図１１の（ａ）に示されるＳＥＲＳユニット（表面増強ラマンユニット）１Ｇは、ＳＥＲＳユニット１と比較して、ハンドリングプレート３に代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｇを備える点、第２の磁石部５に代えて一対の第２の磁石部５Ｇを備える点、及び、相補ユニット９をさらに備える点において、ＳＥＲＳユニット１と相違している。ハンドリングプレート３Ｇは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により形成される。第２の磁石部５Ｇは、第２の磁石部５と同様の材料から形成される。

ハンドリングプレート３Ｇは、主面３１と裏面３２を有し、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部４６が形成されている。凹部４６は、底面４６ｓと内側面（第１の面）４６ａとを含む。凹部４６は、直方体状に形成されている。また、主面３１と裏面３２との間には、主面３１から裏面３２に至る空間Ｓ３が形成されている。空間Ｓ３は、主面３１に沿って凹部４６を挟むように、凹部４６の両側に形成されている。

空間Ｓ３の凹部４６側の外縁は、内側面（第２の面）Ｓ３ａにより規定されている。内側面Ｓ３ａは、凹部４６の内側面４６ａの反対側の面（ハンドリングプレート３Ｇの一部を介して向かい合う面）である。内側面４６ａと内側面Ｓ３ａとは、互いに離間した状態において略平行に延在している。したがって、内側面４６ａと内側面Ｓ３ａとの間には、ハンドリングプレート３Ｇの一部分３ａが介在している。

ＳＥＲＳ素子２は、凹部４６に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２は、光学機能部１０が凹部４６の開口部から主面３１側に露出するように、凹部４６内に収容されている。ＳＥＲＳ素子２は、凹部４６の底面４６ｓ上、及び凹部４６の内側面４６ａ上に（内側面４６ａに沿って）配置されている。ハンドリングプレート３Ｇの厚さ方向（主面３１に交差する方向）について、凹部４６の寸法（深さ）はＳＥＲＳ素子２の寸法（厚さ）よりも大きい。したがって、ＳＥＲＳ素子２の全体を凹部４６の内部に収容可能である。

第２の磁石部５の断面形状は、三角形状である。第２の磁石部５Ｇは、それぞれ、空間Ｓ３に配置されている。より具体的には、第２の磁石部５Ｇは、空間Ｓ３の内部に収容されており、内側面Ｓ３ａ上に配置されている。したがって、ＳＥＲＳ素子２と第２の磁石部５Ｇとは、ハンドリングプレート３Ｇの一部分３ａを介在させた状態で互いに近接して対向している。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｇにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５Ｇと離間した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ｇとの間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｇに固定されている。

ここで、相補ユニット９は、空間Ｓ３のそれぞれに２つずつ配置されている。相補ユニット９の断面形状はＬ字状である。ひとつの空間Ｓ３に着目すると、相補ユニット９は、互いに逆向きとされた状態において、空間Ｓ３内に突出する仕切り板３ｃの両側にそれぞれ配置されている。相補ユニット９の一端９ａは、第２の磁石部５Ｇの傾斜面に接触しており、相補ユニット９の他端９ｂは、空間Ｓ３から突出して可動元Ｕに保持されている。

したがって、例えば、裏面３２側に配置された可動元Ｕが裏面３２に沿って凹部４６側に移動し、主面３１側に配置された可動元Ｕが主面３１に沿って凹部４６と反対側に移動すると、可動元Ｕに保持された相補ユニット９のそれぞれが対応して移動する。これにより、相補ユニット９の一端９ａに接触している第２の磁石部５Ｇが、裏面３２から主面３１に向かう方向（内側面Ｓ３ａに沿った方向）に移動させられる。その結果、第２の磁石部５Ｇの移動に追従して、ＳＥＲＳ素子２が凹部４６の内側面４６ａに沿って移動する。つまり、ここでも、内側面Ｓ３ａに沿った第２の磁石部５Ｇの移動に応じて、内側面４６ａに沿ってＳＥＲＳ素子２が可動とされている。なお、第２の磁石部５Ｇの厚さ（裏面３２から主面３１に向かう方向における寸法）は、ＳＥＲＳ素子２の厚さと同等以下であることが好ましい。これは、第２の磁石部５Ｇの厚さをＳＥＲＳ素子２の厚さと同等以下とした場合には、空間Ｓ３内において第２の磁石部５Ｇの厚さ方向の可動範囲を大きくとることでき、結果としてＳＥＲＳ素子２の可動範囲を大きくすることが可能となるためである。また、ＳＥＲＳ素子２の可動範囲は、ＳＥＲＳ素子２の底面が凹部４６の底面４６ｓに接触するまでＳＥＲＳ素子２が移動可能となるように設定することが好ましい。この場合、ＳＥＲＳ素子２の底面を凹部４６の底面４６ｓに接触させることにより、ハンドリングプレート３Ｇに対するＳＥＲＳ素子２の傾きを矯正することができる。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｇによれば、上述したＳＥＲＳユニット１と同様の効果に加えて、次の効果をさらに奏することができる。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｇにおいては、内側面Ｓ３ａに沿った第２の磁石部５Ｇの移動に応じて、内側面４６ａに沿ってＳＥＲＳ素子２が可動とされている。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｇによれば、ＳＥＲＳ素子２を所望の位置に容易に配置させることが可能となる。

特に、ＳＥＲＳユニット１Ｇによれば、相補ユニット９の駆動によって第２の磁石部５Ｇを移動させることにより、ＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０の位置を凹部４６の深さ方向（主面３１に交差する方向）に沿って変更することができる。つまり、このＳＥＲＳユニット１Ｇによれば、上述したラマン分光分析装置５０といった測定装置の光学系の焦点とＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０とのアライメントを、ハンドリングプレート３Ｇ側において行うことが可能となる。

その結果、ラマン分光分析装置５０といった測定装置を含む測定システムの全体をコンパクト化することが可能となる。特に、このＳＥＲＳユニット１Ｇによれば、例えば相補ユニット９の形状等の調整によって、可動元Ｕの位置や、可動元Ｕに与える力の方向の自由度を向上させることができる。

図１１の（ｂ）に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｈは、ＳＥＲＳユニット１と比較すると、ハンドリングプレート３に代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｈを備える点、及び、一対の第２の磁石部５を備える点でハンドリングプレート３と相違している。ハンドリングプレート３Ｈは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により形成される。

ハンドリングプレート３Ｈは、主面３１と裏面３２とを有し、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部４６が形成されている。凹部４６は、底面４６ｓと内側面（第１の面）４６ａとを含む。また、主面３１と裏面３２との間には、空間Ｓ４が形成されている。空間Ｓ４は、直方体状に形成されている。空間Ｓ４は、主面３１に沿って凹部４６を挟むように、凹部４６の両側に形成されている。空間Ｓ４の凹部４６側の縁部は、内側面（第２の面）Ｓ４ａにより規定されている。内側面Ｓ４ａは、凹部４６の内側面４６ａの反対側の面（ハンドリングプレート３Ｈの一部を介して向かい合う面）である。

内側面４６ａと内側面Ｓ４ａとは、互いに離間した状態において略平行に延在している。したがって、内側面４６ａと内側面Ｓ４ａとの間には、ハンドリングプレート３Ｈの一部分３ａが介在している。主面３１には、空間Ｓ４に連通する連通孔３１ｈが形成されている。また、裏面３２には、空間Ｓ４に連通する連通孔３２ｈが形成されている。したがって、空間Ｓ４は、これらの連通孔３１ｈ及び連通孔３２ｈにおいて、主面３１及び裏面３２に開口している。

ＳＥＲＳ素子２は、凹部４６に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２は、光学機能部１０が凹部４６の開口部から主面３１側に露出するように、凹部４６内に収容されている。ＳＥＲＳ素子２は、凹部４６の底面４６ｓ上、及び凹部４６の内側面４６ａ上に配置されている。ハンドリングプレート３Ｈの厚さ方向（主面３１に交差する方向）について、凹部４６の寸法（深さ）はＳＥＲＳ素子２の寸法（厚さ）よりも大きい。したがって、ＳＥＲＳ素子２の全体を凹部４６の内部に収容可能である。

第２の磁石部５は、それぞれ、空間Ｓ４に配置されている。より具体的には、第２の磁石部５は、空間Ｓ４の内部に収容されており、空間Ｓ４の内側面Ｓ４ａ上に配置されている。したがって、ＳＥＲＳ素子２と第２の磁石部５とは、ハンドリングプレート３Ｈの一部分３ａを介在させた状態で互いに近接して対向している。このように、ＳＥＲＳユニット１Ｈにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５と離間した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｈに固定されている。

ここで、それぞれの空間Ｓ４に配置された第２の磁石部５は、連通孔３１ｈを介して主面３１側から空間Ｓ４に挿入された可動元Ｕと、連通孔３２ｈを介して裏面３２側から空間Ｓ４に挿入された可動元Ｕとによって挟持されている。したがって、第２の磁石部５は、それぞれ、例えば可動元Ｕが裏面３２から主面３１に向かう方向（内側面Ｓ４ａに沿った方向）に移動すると、第２の磁石部５も同方向に移動する。つまり、第２の磁石部５の移動に追従して、ＳＥＲＳ素子２が内側面４６ａに沿って移動する。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｈによれば、上述したＳＥＲＳユニット１と同様の効果に加えて、次の効果をさらに奏することができる。すなわち、ＳＥＲＳユニット１Ｈにおいては、内側面Ｓ４ａに沿った第２の磁石部５の移動に応じて、内側面４６ａに沿ってＳＥＲＳ素子２が可動とされている。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｈによれば、ＳＥＲＳ素子２を所望の位置に容易に配置させることが可能となる。

特に、ＳＥＲＳユニット１Ｈにおいては、可動元Ｕの駆動によって第２の磁石部５を移動させることにより、第２の磁石部５の移動に追従してＳＥＲＳ素子２を内側面４６ａに沿って移動させ、光学機能部１０の位置を凹部４６の深さ方向（主面３１に交差する方向）に沿って変更することができる。つまり、このＳＥＲＳユニット１Ｈによれば、上述したラマン分光分析装置５０といった測定装置の光学系の焦点とＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０とのアライメントを、ハンドリングプレート３Ｈ内に配置された第２の磁石部５を用いて行うことが可能となる。

その結果、ラマン分光分析装置５０といった測定装置を含む測定システムの全体をコンパクト化することが可能となる。特に、このＳＥＲＳユニット１Ｈによれば、ＳＥＲＳ素子２を可動制御のための構成が単純化される。

図１２に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｋは、例えば、平板状のハンドリングプレート（支持部材）３Ｋと、ハンドリングプレート３Ｋの主面（第１の面）３１上に配置されたＳＥＲＳ素子２と、ハンドリングプレート３Ｋの裏面（第２の面）３２上に配置された第２の磁石部５と、を備えている。ＳＥＲＳユニット１Ｋにおいては、第２の磁石部５の裏面３２に沿った二次元的な移動に応じて、ＳＥＲＳ素子２が主面３１に沿って二次元的に可動とされている。

また、光学機能部１０には、（微細構造部２４のパターンに応じて）複数のパターンＰＴが設けられている。パターンＰＴは、ここでは、主面３１に沿って二次元状に配列されている。このような場合には、目的のパターンＰＴに対して選択的に励起光を照射するために、励起光の照射位置に目的のパターンＰＴを配置する必要がある。

そのためには、例えば、ラマン分光分析装置５０において、ＳＥＲＳユニットが載置されたステージ５１の移動によりＳＥＲＳユニットの全体を移動させることが考えられる。しかしながら、この場合には、移動させる部分が、ＳＥＲＳユニットの全体とステージ５１との広範囲にわたる。これに対して、ＳＥＲＳユニット１Ｋにおいては、第２の磁石部５を移動させることによってＳＥＲＳ素子２を主面３１に沿って移動させればよい。つまり、移動させる部分がＳＥＲＳ素子２と第２の磁石部５とに限定される。その結果、ラマン分光分析装置５０といった測定装置のコンパクト化が可能である。

したがって、測定分子に応じて最適なパターンＰＴを選択可能なＳＥＲＳ素子２と、コンパクトな測定装置とを組み合わせた測定システムを構築することが可能となる。換言すれば、測定分子に応じた高感度・高精度な表面増強ラマン測定を、コンパクトなシステムにて実現できる。

以上の図９〜図１２に示されたＳＥＲＳユニットにおいては、ＳＥＲＳ素子は、磁力によりハンドリングプレートに保持されながらハンドリングプレートに沿って移動可能である。したがって、ＳＥＲＳ素子が磁力によりハンドリングプレートに固定されるとは、少なくとも、ＳＥＲＳ素子が磁力によりハンドリングプレートの特定の箇所に維持される場合と、ＳＥＲＳ素子が磁力によりハンドリングプレートの特定の箇所に一旦保持された後に、ハンドリングプレートから離脱することなく移動させられる場合と、を含む。
［第２実施形態］

以上の第１実施形態は、ＳＥＲＳ素子が第２の磁石部と離間した状態においてハンドリングプレートに磁力により固定される形態について説明した。本実施形態においては、ＳＥＲＳ素子が第２の磁石部と接触した状態においてハンドリングプレートに磁力により固定される形態について説明する。

図１３は、第２実施形態に係る表面増強ラマン散乱ユニットの断面図である。図１３に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｍは、第１実施形態の変形例に係るＳＥＲＳユニット１Ｂと比較して、ハンドリングプレート３Ｂに代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｍを備える点でＳＥＲＳユニット１Ｂと相違している。ハンドリングプレート３Ｍは、ハンドリングプレート３Ｂと同様の材料及び手法により形成される。

ハンドリングプレート３Ｍは、主面３１と裏面３２とを含み、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３が形成されている。より具体的には、主面３１には、凹部３５が形成されており、凹部３３は、その凹部３５の底面に形成されている。凹部３３及び凹部３５は、互いに連続しており、単一の凹部４０を構成している。凹部４０は、ハンドリングプレート３Ｍの長手方向及び短手方向における略中央に配置されている。ここで、凹部３３の底面３３ｓは、第２の磁石部５Ａの表面５Ａｓによって構成されている。

すなわち、第２の磁石部５Ａは、ハンドリングプレート３Ｍに埋設されており、その主面３１側の表面５Ａｓの一部が凹部３３の底面３３ｓとして主面３１側に露出している。第２の磁石部５Ａは、ハンドリングプレート３Ｍの長手方向に沿ってハンドリングプレート３Ｍの外縁を除く略全体にわたって延在している。第２の磁石部５Ａは、裏面３２側には露出していない。

ＳＥＲＳ素子２は、第１の磁石部４が凹部３３の底面３３ｓ（すなわち、第２の磁石部５Ａの表面５Ａｓ）に接触するように凹部４０内に収容されている。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｍにおいては、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５Ａに接触した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５との間の磁力Ｍによりハンドリングプレート３Ｍに固定されている。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｍによれば、ハンドリングプレートの成形の自由度の向上に関する効果を除いて、第１実施形態の変形例に係るＳＥＲＳユニット１Ｂと同様の効果を奏することができる。さらに、ＳＥＲＳユニット１Ｍによれば、第１実施形態の変形例に係るＳＥＲＳユニット１Ｂと比較して、第１の磁石部４と第２の磁石部５とが近接する（ここでは接触している）ので、固定強度が高い。また、ハンドリングプレート３Ｍに第２の磁石部５Ａが埋設されているので、ＳＥＲＳユニット１Ｍの全体のコンパクト化を図ることが可能である。さらに、第２の磁石部５Ａの大部分がハンドリングプレート３Ｍに覆われているので、第２の磁石部５Ａが錆びることが抑制される。

引き続いて、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１Ｍの変形例について説明する。図１４は、図１３に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。図１４の（ａ）に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｎは、ＳＥＲＳ素子２と、ハンドリングプレート（支持部材）３Ｎと、第１の磁石部４（不図示）と、第２の磁石部５Ｎと、を備えている。

ハンドリングプレート３Ｎは、主面３１と裏面３２とを有し、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３が形成されている。ハンドリングプレート３Ｎは、永久磁石（又は一時磁石）を含む。或いは、ハンドリングプレート３Ｎは、永久磁石（又は一時磁石）から構成される。したがって、ハンドリングプレート３Ｎは、ＳＥＲＳ素子２の支持部材としての機能に加えて、第２の磁石部５としての機能を有する。換言すれば、ハンドリングプレート３Ｎは第２の磁石部５Ｎとして構成されている。第２の磁石部５Ｎは、第２の磁石部５と同様の材料から構成される。

ＳＥＲＳ素子２は、このようなハンドリングプレート３Ｎ（第２の磁石部５Ｎ）の主面３１の凹部３３に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２は、基板２１の裏面２１ｂが凹部３３の底面３３ｓ側になるように配置されている。一例として、ＳＥＲＳ素子２は、第１の磁石部４が凹部３３の底面３３ｓに接触するように底面３３ｓ上に配置されている。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｎにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５Ｎに接触した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ｎとの間の磁力Ｍによりハンドリングプレート３Ｎに固定されている。

なお、一例として、ハンドリングプレート３Ｎの厚さ方向（主面３１に交差する方向）について、凹部３３の寸法（深さ）は、ＳＥＲＳ素子２の寸法（厚さ）と略同一である。したがって、ＳＥＲＳ素子２の全体が凹部３３に収容されつつ、ＳＥＲＳ素子２の表面（基板２１の主面２１ａ側の面）２ａが主面３１と略面一となる。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｎによれば、第１実施形態に係るＳＥＲＳユニット１と同様の効果を奏することができる。さらに、ＳＥＲＳユニット１Ｎによれば、第１実施形態に係るＳＥＲＳユニット１と比較して、第１の磁石部４と第２の磁石部５とが近接する（ここでは接触している）ので、固定強度が高い。

また、ＳＥＲＳユニット１Ｎにおいては、ハンドリングプレート３Ｎが少なくとも永久磁石（又は一時磁石）を含む。このため、樹脂材料のみで形成されるハンドリングプレートに比べて有機成分が少ない。このため、ハンドリングプレート３Ｎの熱変形やアウトガス発生のリスクを低減させることができる。また、ハンドリングプレート３Ｎが、ＳＥＲＳ素子２を支持する支持部材としての機能と、磁力Ｍを生じさせる第２の磁石部としての機能とを兼ね備えている。このため、部材数を削減することにより、部材管理の利便性やコスト削減を実現可能である。

図１４の（ｂ）に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｐは、第１実施形態の変形例に係るＳＥＲＳユニット１Ｃと比較して、ハンドリングプレート３Ｃに代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｐを備えている点でＳＥＲＳユニット１Ｃと相違している。ハンドリングプレート３Ｐは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により形成される。ハンドリングプレート３Ｐは、主面３１と裏面３２とを有し、長方形板状を呈している。

主面３１には、凹部３６が形成されている。また、裏面３２には、凹部３７が形成されている。ただし、凹部３７の底面３７ｓは、第２の磁石部５Ｃの裏面５ｂによって構成されている。ＳＥＲＳ素子２は、その凹部３７に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２は、ＳＥＲＳ素子２の表面（光学機能部１０の表面）２ａの外縁が凹部３７の底面３７ｓ（すなわち、第２の磁石部５Ｃの裏面５ｂ）に接触するように底面３７ｓ上に配置されている。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｐにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５Ｃと接触した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ｃとの間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｐに固定されている。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｐによれば、第１実施形態の変形例に係るＳＥＲＳユニット１Ｃと同様の効果を奏することができる。さらに、ＳＥＲＳユニット１Ｐによれば、ＳＥＲＳユニット１Ｃと比較して、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ｃとが近接するので、固定強度が高い。また、ＳＥＲＳユニット１Ｃと比較して、ＳＥＲＳ素子２と第２の磁石部５Ｃとの間にハンドリングプレートの一部分が介在していないので、その分だけ全体を薄化される。

図１４の（ｃ）に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｑは、第１実施形態に係るＳＥＲＳユニット１と比較して、ハンドリングプレート３に代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｑを備える点、及び、第２の磁石部５に代えて第２の磁石部５Ｑを備える点でＳＥＲＳユニット１と相違している。ハンドリングプレート３Ｑは、ハンドリングプレート３と同様の材料及び手法により形成される。また、第２の磁石部５Ｑは、第２の磁石部５と同様の材料により形成される。

ハンドリングプレート３Ｑは、主面３１と裏面３２とを有し、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３が設けられている。ＳＥＲＳ素子２は、凹部３３に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２は、基板２１の裏面２１ｂが凹部３３の底面３３ｓ側になるように配置されている。一例として、ＳＥＲＳ素子２は、第１の磁石部４が凹部３３の底面３３ｓに接触するように底面３３ｓ上に配置されている。

また、第２の磁石部５Ｑも、ＳＥＲＳ素子２と同様に凹部３３に配置されている。より具体的には、第２の磁石部５Ｑは、例えば矩形環状を呈している。第２の磁石部５Ｑは、互いに対向する内側面５Ｑｓの間にＳＥＲＳ素子２が配置されるように、凹部３３に収容されている。換言すれば、第２の磁石部５Ｑは、例えば、ハンドリングプレート３Ｑの厚さ方向（主面３１に交差する方向）からみて、ＳＥＲＳ素子２を囲うように凹部３３に配置されている。つまり、ＳＥＲＳ素子２及び第２の磁石部５Ｑは、凹部３３内において、主面３１に沿って配置されている。ＳＥＲＳ素子２の側面２ｓのうちの少なくとも１つは、その側面２ｓに対向する第２の磁石部５Ｑの内側面５Ｑｓに接触している。

したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｑにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５Ｑと接触した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ｑとの間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｑに固定されている。

なお、一例として、ハンドリングプレート３Ｑの厚さ方向について、ＳＥＲＳ素子２及び第２の磁石部５Ｑの寸法（厚さ）は、凹部３３の寸法（深さ）と略同一である。したがって、ＳＥＲＳ素子２及び第２の磁石部５Ｑの全体が凹部３３に収容されつつ、ＳＥＲＳ素子２の表面（基板２１の主面２１ａ側の面）２ａ及び第２の磁石部５Ｑの表面５ａが主面３１と略面一となる。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｑによれば、第１実施形態に係るＳＥＲＳユニット１と同様の効果を奏することができる。さらに、ＳＥＲＳユニット１Ｑによれば、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ｑとが近接（例えば接触）するので、固定強度が高い。また、ＳＥＲＳ素子２と第２の磁石部５Ｑとが略同一の厚さを有し、且つ、ＳＥＲＳ素子２と第２の磁石部５とが主面３１に沿って配置される。このため、ハンドリングプレート３Ｑの厚さが低減され、ＳＥＲＳユニット１Ｑの全体が薄化される。これにより、ＳＥＲＳユニット１Ｑの可搬性が向上される。

図１５は、図１３に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。図１５に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｒは、図１３に示されたＳＥＲＳユニット１Ｍと比較して、ハンドリングプレート３Ｍに代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｒを備える点、及び、第２の磁石部５に代えて第２の磁石部５Ｒを備える点でＳＥＲＳユニット１Ｍと相違している。

ハンドリングプレート３Ｒは、主面３１と裏面３２とを含み、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３及び凹部３５が形成されており、それらの凹部３３及び凹部３５により凹部４０が構成されている。ハンドリングプレート３Ｒは、永久磁石（又は一時磁石）を含む。或いは、ハンドリングプレート３Ｒは、永久磁石（又は一時磁石）から構成される。したがって、ハンドリングプレート３Ｒは、ＳＥＲＳ素子２の支持部材としての機能に加えて、第２の磁石部５Ｒとしての機能を有する。換言すれば、ハンドリングプレート３Ｒは第２の磁石部５Ｒとして構成されている。第２の磁石部５Ｒは、第２の磁石部５と同様の材料から構成される。

ＳＥＲＳ素子２は、このようなハンドリングプレート３Ｒ（第２の磁石部５Ｒ）の凹部３３に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２は、基板２１の裏面２１ｂが凹部３３の底面３３ｓ側になるように配置されている。一例として、ＳＥＲＳ素子２は、第１の磁石部４が凹部３３の底面３３ｓに接触するように底面３３ｓ上に配置されている。したがって、ＳＥＲＳユニット１Ｒにおいても、ＳＥＲＳ素子２は、第２の磁石部５Ｒに接触した状態において、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ｒとの間の磁力Ｍによりハンドリングプレート３Ｒに固定されている。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｒによれば、第２の磁石部５Ａがハンドリングプレート３Ｂの裏面３２の略全体にわたって延在することによる効果を除いて、ＳＥＲＳユニット１Ｂと同様の効果を奏することができる。また、ＳＥＲＳユニット１Ｒによれば、第１の磁石部４と第２の磁石部５Ｒとが近接（例えば接触）するので、固定強度が高い。また、ＳＥＲＳユニット１Ｒによれば、次のような効果を奏することができる。すなわち、例えば、上述したラマン分光分析装置５０といった測定装置Ｄに対して電磁石Ｅを設ければ、第２の磁石部５Ｒとしてのハンドリングプレート３Ｒと電磁石Ｅとの間の磁力ＭＤによって、測定装置ＤとＳＥＲＳユニット１Ｒとを互いに引き付けることができる。これにより、例えば電磁石Ｅが主面３１（後述するガイド溝３１ｇの底面）に接触するまで測定装置ＤとＳＥＲＳユニット１Ｒとが近づいたときに、測定装置Ｄの光学系の焦点位置ＰがＳＥＲＳ素子２の光学機能部１０に一致するように、自動的にアライメントを行うことが可能となる。

さらに、ＳＥＲＳユニット１Ｒにおいては、ハンドリングプレート３Ｒの主面３１の適切な位置（例えば主面３１に交差する方向からみて電磁石Ｅに重複する位置）に電磁石Ｅのガイド溝３１ｇを設ければ、電磁石Ｅがガイド溝３１ｇの内側面にガイドされながらガイド溝３１ｇに入り込むことにより、ハンドリングプレート３Ｒの主面３１に沿った方向におけるＳＥＲＳユニット１Ｒの配置を確実にアライメントすることが可能である。
［第３実施形態］

以上の第１実施形態及び第２実施形態は、第１の磁石部がＳＥＲＳ素子に設けられる形態（例えばＳＥＲＳ素子が第１の磁石部を含む形態）について説明した。本実施形態においては、第１の磁石部がＳＥＲＳ素子と別個に設けられる形態について説明する。

図１６は、第３実施形態に係る表面増強ラマン散乱ユニットの断面図である。図１６に示されるように、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｓは、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２Ｓと、ハンドリングプレート（支持部材）３Ｓと、第１の磁石部４Ｓと、第２の磁石部５Ｓと、を備えている。ＳＥＲＳ素子２Ｓは、ＳＥＲＳ素子２と比較して、第１の磁石部４が設けられていない点（すなわち、第１の磁石部４を含まない点）で相違している。ＳＥＲＳ素子２Ｓのその他の構成はＳＥＲＳ素子２と同様である。したがって、ＳＥＲＳ素子２は、光学機能部１０を有している。

ハンドリングプレート３Ｓは、主面３１と裏面３２とを含み、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３が形成されている。ハンドリングプレート３Ｓは、永久磁石（又は一時磁石）を含む。或いは、ハンドリングプレート３Ｓは、永久磁石（又は一時磁石）から構成される。したがって、ハンドリングプレート３Ｓは、ＳＥＲＳ素子２Ｓの支持部材としての機能に加えて、第２の磁石部５Ｓとしての機能を有する。換言すれば、ハンドリングプレート３Ｓは第２の磁石部５Ｓとして構成されている。第２の磁石部５Ｓは、第２の磁石部５と同様の材料から構成される。

ＳＥＲＳ素子２Ｓは、このようなハンドリングプレート３Ｓ（第２の磁石部５Ｓ）の主面３１の凹部３３に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２Ｓは、基板２１の裏面２１ｂが凹部３３の底面３３ｓ側になるように配置されている。一例として、ＳＥＲＳ素子２Ｓは、基板２１の裏面２１ｂが凹部３３の底面３３ｓに接触するように底面３３ｓ上に配置されている。ここでは、ハンドリングプレート３の厚さ方向について、ＳＥＲＳ素子２Ｓの一部が凹部３３内に収容され、ＳＥＲＳ素子２Ｓの残部が凹部３３から突出している。

第１の磁石部４Ｓは、例えば矩形環状に形成されている。第１の磁石部４Ｓは、ＳＥＲＳ素子２Ｓの表面（基板２１の主面２１ａ側の表面）２ａの外縁上に配置される第１の部分４ａと、第１の部分４ａからハンドリングプレート３Ｓの主面３１側に延びて主面３１に接触する第２の部分４ｂとからなる。第１の磁石部４Ｓは、第２の磁石部５Ｓとの間の磁力Ｍによって、主面３１側に引きつけられている。このため、第１の磁石部４Ｓの第１の部分４ａがＳＥＲＳ素子２Ｓの表面２ａの外縁に接触し、ＳＥＲＳ素子２Ｓを凹部３３の底面３３ｓに押さえ付ける。これにより、ＳＥＲＳ素子２Ｓは、ハンドリングプレート３Ｓに固定される。

つまり、このＳＥＲＳユニット１Ｓにおいても、ＳＥＲＳ素子２Ｓが第１の磁石部４Ｓと第２の磁石部５Ｓとの間の磁力Ｍによってハンドリングプレート３Ｓに固定されている。特に、ＳＥＲＳユニット１Ｓにおいては、ＳＥＲＳ素子２Ｓは、第１の磁石部４Ｓ（第１の部分４ａ）と第２の磁石部５Ｓとの間に挟持された状態において、ハンドリングプレート３Ｓに固定されている。その状態において、ＳＥＲＳ素子２Ｓの光学機能部１０は、第１の磁石部４Ｓの互いに対向する第１の部分４ａの間から露出している。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｓによれば、広範囲にわたって光学機能部１０のための領域を確保できることに関する効果を除いて、第１実施形態に係るＳＥＲＳユニット１と同様の効果を奏することができる。さらに、このＳＥＲＳユニット１Ｓによれば、第１の磁石部４ＳをＳＥＲＳ素子２Ｓに設ける（ＳＥＲＳ素子２Ｓに含める）必要がないので、ＳＥＲＳ素子２Ｓ及びＳＥＲＳユニット１Ｓの製造工程が簡略化される。

図１７は、図１６に示された表面増強ラマン散乱ユニットの変形例を示す模式的な断面図である。図１６に示されるように、ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１Ｔは、図１６に示されたＳＥＲＳユニット１Ｓと比較して、ハンドリングプレート３Ｓに代えてハンドリングプレート（支持部材）３Ｔを備える点、第１の磁石部４Ｓに代えて第１の磁石部４Ｔを備える点、及び、第２の磁石部５Ｓに代えて第２の磁石部５Ｔを備えるでＳＥＲＳユニット１Ｓと相違している。

ハンドリングプレート３Ｔは、主面３１と裏面３２とを含み、長方形板状を呈している。主面３１には、凹部３３及び凹部３５が形成されており、それらの凹部３３及び凹部３５により凹部４０が構成されている。ハンドリングプレート３Ｔは、永久磁石（又は一時磁石）を含む。或いは、ハンドリングプレート３Ｔは、永久磁石（又は一時磁石）から構成される。したがって、ハンドリングプレート３Ｔは、ＳＥＲＳ素子２Ｓの支持部材としての機能に加えて、第２の磁石部５Ｔとしての機能を有する。換言すれば、ハンドリングプレート３Ｔは、第２の磁石部５Ｔとして構成されている。第２の磁石部５Ｔは、第２の磁石部５と同様の材料から構成される。

ＳＥＲＳ素子２Ｓは、このようなハンドリングプレート３Ｔ（第２の磁石部５Ｓ）の凹部３３に配置されている。より具体的には、ＳＥＲＳ素子２Ｓは、基板２１の裏面２１ｂが凹部３３の底面３３ｓ側になるように配置されている。一例として、ＳＥＲＳ素子２Ｓは、基板２１の裏面２１ｂが凹部３３の底面３３ｓに接触するように底面３３ｓ上に配置されている。ここでは、ＳＥＲＳ素子２Ｓの全体が凹部４０内に収容されている。

第１の磁石部４Ｔは、例えば矩形環状に形成されている。第１の磁石部４Ｔは、凹部４０に配置されている。ここでは、第１の磁石部４Ｔの全体が凹部４０内に収容されている。第１の磁石部４Ｔは、ＳＥＲＳ素子２Ｓの表面（基板２１の主面２１ａ側の表面）２ａの外縁上に配置されている。第１の磁石部４Ｔは、第２の磁石部５Ｔとの間の磁力Ｍによって、凹部３３の底面３３ｓ側に引きつけられている。このため、第１の磁石部４ＴがＳＥＲＳ素子２Ｓの表面２ａの外縁に接触し、ＳＥＲＳ素子２Ｓを凹部３３の底面３３ｓに押さえ付ける。これにより、ＳＥＲＳ素子２Ｓは、ハンドリングプレート３Ｔに固定される。

つまり、このＳＥＲＳユニット１Ｔにおいても、ＳＥＲＳ素子２Ｓが第１の磁石部４Ｔと第２の磁石部５Ｔとの間の磁力によってハンドリングプレート３Ｔに固定されている。特に、ＳＥＲＳユニット１Ｔにおいては、ＳＥＲＳ素子２Ｓは、第１の磁石部４Ｔと第２の磁石部５Ｔとの間に挟持された状態において、ハンドリングプレート３Ｔに固定されている。その状態において、ＳＥＲＳ素子２Ｓの光学機能部１０は、第１の磁石部４Ｔの互いに対向する部分の間から露出している。

このようなＳＥＲＳユニット１Ｔによれば、ＳＥＲＳユニット１Ｓと同様の効果を奏することができる。また、ＳＥＲＳユニット１Ｔによれば、ＳＥＲＳユニット１Ｒと同様に、次のような効果を奏することができる。すなわち、第２の磁石部５Ｔとしてのハンドリングプレート３Ｔと測定装置Ｄの電磁石Ｅとの間の磁力ＭＤによって、測定装置ＤとＳＥＲＳユニット１Ｔとを互いに引き付けることができる。これにより、例えば電磁石Ｅが主面３１（ガイド溝３１ｇの底面）に接触するまで測定装置ＤとＳＥＲＳユニット１Ｔとが近づいたときに、測定装置Ｄの光学系の焦点位置ＰがＳＥＲＳ素子２Ｓの光学機能部１０に一致するように、自動的にアライメントを行うことが可能となる。

さらに、ＳＥＲＳユニット１Ｔにおいては、ハンドリングプレート３Ｔの主面３１の適切な位置（例えば主面３１に交差する方向からみて電磁石Ｅに重複する位置）に電磁石Ｅのガイド溝３１ｇを設ければ、電磁石Ｅがガイド溝３１ｇの内側面にガイドされながらガイド溝３１ｇに入り込むことにより、ハンドリングプレート３Ｔの主面３１に沿った方向におけるＳＥＲＳユニット１Ｔの配置を確実にアライメントすることが可能である。

なお、本実施形態においては、ハンドリングプレートが第２の磁石部として構成される場合について説明した。しかしながら、ハンドリングプレートとは別に構成された第２の磁石部がハンドリングプレートに保持されていてもよい。その場合、ＳＥＲＳ素子と第２の磁石部との間にハンドリングプレートの一部分等が介在してもよい。つまり、第１の磁石部及び第２の磁石部は、互いの間にＳＥＲＳ素子以外の別の要素（例えばハンドリングプレートの一部分）を介在させた状態において、ＳＥＲＳ素子を挟持してハンドリングプレートに固定することができる。換言すれば、第１の磁石部と第２の磁石部とによってＳＥＲＳ素子を挟持するに際して、第１の磁石部及び第２の磁石部がＳＥＲＳ素子に接していなくてもよい。
［ＳＥＲＳ素子の変形例］

引き続いて、以上の実施形態に係るＳＥＲＳユニットに適用されるＳＥＲＳ素子の変形例について説明する。

図１８〜２０は、図２に示された表面増強ラマン散乱素子の変形例を示す模式的な断面図である。図１８の（ａ）は、上述したＳＥＲＳ素子２である。ＳＥＲＳ素子２においては、上述したように、第１の磁石部４が基板２１の裏面２１ｂ上に設けられている。したがって、ＳＥＲＳ素子２においては、基板２１の裏面２１ｂ側に第２の磁石部５を配置する場合に、第２の磁石部５と第１の磁石部４とを互いに近接（或いは接触）させることが可能となり、ＳＥＲＳ素子２の固定を強固にすることが可能となる。

図１８の（ｂ）に示されるように、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２Ａは、ＳＥＲＳ素子２と同様に、基板２１、成形層２２（微細構造部２４）、導電体層２３、及び第１の磁石部４を含む。また、ＳＥＲＳ素子２Ａは、光学機能部１０を含む。ただし、ＳＥＲＳ素子２Ａにおいては、基板２１の主面２１ａと成形層２２（微細構造部２４）との間に、第１の磁石部４が設けられている。第１の磁石部４は、膜状に形成されている。

このＳＥＲＳ素子２Ａによれば、第１の磁石部４を励起光の反射層として利用することが可能となる。また、例えば、シリコンからなる基板２１の主面２１ａに比べて、蒸着等により形成される第１の磁石部４の表面の方が粗い場合がある。このため、このＳＥＲＳ素子２Ａによれば、成形層２２（微細構造部２４）と第１の磁石部４とをジッパー効果（ファスナー効果）により強固に接合することができる。

図１８の（ｃ）に示されるように、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２Ｂは、ＳＥＲＳ素子２と同様に、基板２１、成形層２２（微細構造部２４）、導電体層２３、及び第１の磁石部４を含む。また、ＳＥＲＳ素子２Ｂは、光学機能部１０を含む。ただし、ＳＥＲＳ素子２Ｂにおいては、成形層２２（微細構造部２４）と導電体層２３との間に第１の磁石部４が設けられている。ここでは、一例として、微細構造部２４の各ピラーの表面と基板２１の反対側に露出する支持部２５の表面とに第１の磁石部４が設けられている（すなわち、成形層２２の全体を覆うように第１の磁石部４が設けられている）。

このＳＥＲＳ素子２Ｂによれば、第１の磁石部４を励起光の反射層として効率的に利用することが可能となる。また、ＳＥＲＳ素子２Ｂにおいては、第１の磁石部４がＳＥＲＳ素子２Ｂの表面（基板２１の主面２１ａ側の表面）２ａ近くに配置されるので、基板２１の主面２１ａ側に第２の磁石部５を配置する場合に、第１の磁石部４と第２の磁石部５とを比較的近接させることが可能となり、ＳＥＲＳ素子２Ｂの固定を強固にすることが可能となる。

図１８の（ｄ）に示されるように、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２Ｃは、ＳＥＲＳ素子２と同様に、基板２１、成形層２２（微細構造部２４）、導電体層２３、及び第１の磁石部４を含む。また、ＳＥＲＳ素子２Ｃは、光学機能部１０を含む。ただし、ＳＥＲＳ素子２Ｃにおいては、第１の磁石部４は、ＳＥＲＳ素子２の側面２ｓ上に設けられている。ＳＥＲＳ素子２の側面２ｓは、基板２１の側面、成形層２２の側面、及び導電体層２３の側面であり、基板２１の主面２１ａに交差する方向に沿って基板２１から導電体層２３にわたって延びる面である。

このＳＥＲＳ素子２Ｃにおいては、ＳＥＲＳ素子２Ｃの側面２ｓ側に第２の磁石部５を配置する場合に、第１の磁石部４と第２の磁石部５とを互いに近接（或いは接触）させることが可能となり、ＳＥＲＳ素子２Ｃの固定を強固にすることが可能となる。このため、ＳＥＲＳ素子２Ｃをハンドリングプレート３に固定するに際して、第１の磁石部４及び第２の磁石部５をＳＥＲＳユニット１の厚さ方向に配列する必要がないので、ＳＥＲＳユニット１の厚さを低減することが可能となる。また、第２の磁石部５をハンドリングプレート（例えばハンドリングプレート３Ｇ，３Ｈ）の厚さ方向に移動させる場合に、ＳＥＲＳ素子２Ｃの追従性が向上してＳＥＲＳ素子２Ｃを所望の位置に配置させやすい。

以上のＳＥＲＳ素子２〜２Ｃのように、ＳＥＲＳ素子の種々の箇所に第１の磁石部４を設けることができる。また、ＳＥＲＳ素子の複数の箇所に同時に第１の磁石部４を設けてもよい。すなわち、第１の磁石部４は、裏面２１ｂ上、主面２１ａと微細構造部２４（成形層２２）との間、微細構造部２４（成形層２２）と導電体層２３との間、及び、主面２１ａに交差する方向に延びるＳＥＲＳ素子の側面２ｓ上の少なくともいずれかに設けられていればよい。

図１９の（ａ）に示されるように、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２Ｄは、ＳＥＲＳ素子２と同様に、基板２１、成形層２２（微細構造部２４）、導電体層２３、及び第１の磁石部４を含む。また、ＳＥＲＳ素子２Ｄは、光学機能部１０を含む。ただし、ＳＥＲＳ素子２Ｄにおいては、基板２１が一時磁石（又は永久磁石）から構成されている。或いは、ＳＥＲＳ素子２Ｄにおいては、基板２１が一時磁石（又は永久磁石）を含む。つまり、ＳＥＲＳ素子２Ｄにおいては、基板２１が第１の磁石部４として構成されている。このＳＥＲＳ素子２Ｄによれば、基板２１と別個に第１の磁石部４を設ける場合と比較して、小型化（薄化）が可能であると共に、部材数の削減によりコストを低減可能である。

また、ＳＥＲＳ素子２Ｄにおいては、ＳＥＲＳ素子２と同様に、基板２１の裏面２１ｂ側に第２の磁石部５を配置する場合に、第１の磁石部４と第２の磁石部５とを互いに近接（或いは接触）させることが可能となり、ＳＥＲＳ素子２Ｄの固定を強固にすることが可能となる。また、ＳＥＲＳ素子２Ｄにおいては、ＳＥＲＳ素子２Ａと同様に、基板２１を励起光の反射層として利用することが可能となる。また、ＳＥＲＳ素子２Ｄにおいては、ＳＥＲＳ素子２Ａと同様に、ジッパー効果（ファスナー効果）により基板２１と成形層２２（微細構造部２４）とを強固に接合することができる。

特に、ＳＥＲＳ素子２Ｄにおいては、第１の磁石部４としての基板２１を、可撓性を有するフィルムとして構成すれば、ＳＥＲＳ素子２Ｄの製造に際してロールtｏロール方式を利用することが可能となり、生産性が向上する。また、基板２１を、可撓性を有するフィルムとして構成すれば、ＳＥＲＳ素子２Ｄが固定されるハンドリングプレート３の凹凸に対しての追従性が増す。これにより、ハンドリングプレート３におけるＳＥＲＳ素子２Ｄの固定面（接触面）が曲面状であっても、ＳＥＲＳ素子２Ｄの固定が可能となる。さらに、ハンドリングプレート３の曲面状の固定面（接触面）に追従させてＳＥＲＳ素子２Ｄを変形させることにより、微細構造部２４の周期的パターンを変形して表面増強ラマン散乱の強度を調節可能である。

図１９の（ｂ）に示されるように、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２Ｅは、ＳＥＲＳ素子２と同様に、基板２１、成形層２２（微細構造部２４）、導電体層２３、及び第１の磁石部４を含む。また、ＳＥＲＳ素子２Ｅは、光学機能部１０を含む。ただし、ＳＥＲＳ素子２Ｅにおいては、成形層２２（微細構造部２４）が一時磁石（又は永久磁石）から構成されている。或いは、ＳＥＲＳ素子２Ｅにおいては、成形層２２（微細構造部２４）は一時磁石（又は永久磁石）を含む。つまり、ＳＥＲＳ素子２Ｅにおいては、成形層２２（微細構造部２４）が第１の磁石部４として構成されている。

このＳＥＲＳ素子２Ｅによれば、ＳＥＲＳ素子２Ｂと同様に、成形層２２（微細構造部２４）を励起光の反射層として効率的に利用することが可能となる。また、ＳＥＲＳ素子２Ｅにおいては、ＳＥＲＳ素子２Ｂと同様に、第１の磁石部４がＳＥＲＳ素子２Ｅの表面（基板２１の主面２１ａ側の表面）２ａ近くに配置されるので、基板２１の主面２１ａ側に第２の磁石部５を配置する場合に、第１の磁石部４と第２の磁石部５とを比較的近接させることが可能となり、ＳＥＲＳ素子２Ｅの固定を強固にすることが可能となる。

さらに、ＳＥＲＳ素子２Ｅにおいては、成形層２２を樹脂や低融点ガラスで構成する場合と比較して、成形層２２と基板２１との間の熱膨張係数差を緩和できる場合がある。成形層２２を構成する一時磁石（又は永久磁石）として基板２１との熱膨張係数差が小さい材料を選択するか、或いは、成形層２２に含まれる一時磁石（又は永久磁石）の原料が、成形層２２の材料（例えば樹脂や低融点ガラス）と基板２１の材料との間の熱膨張係数差を緩和するフィラーとして機能することで、この効果が得られる。これにより、熱応力に伴って成形層２２と基板２１との間の剥離が生じるリスクを低減することができる。

図１９の（ｃ）に示されるように、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２Ｆは、ＳＥＲＳ素子２と同様に、基板２１、成形層２２（微細構造部２４）、導電体層２３、及び第１の磁石部４を含む。また、ＳＥＲＳ素子２Ｆは、光学機能部１０を含む。ただし、ＳＥＲＳ素子２Ｆにおいては、導電体層２３が一時磁石（又は永久磁石）から構成されている。或いは、ＳＥＲＳ素子２Ｆにおいては、導電体層２３が一時磁石（又は永久磁石）を含む。つまり、ＳＥＲＳ素子２Ｆにおいては、導電体層２３が第１の磁石部４として構成されている。

このＳＥＲＳ素子２Ｆによれば、基板２１の主面２１ａ側に第２の磁石部５を配置する場合に、第１の磁石部４と第２の磁石部５とを互いに近接（或いは接触）させることが可能となり、ＳＥＲＳ素子２Ｆの固定を強固にすることが可能となる。また、導電体層２３と第１の磁石部４とが単一の工程により形成される。したがって、ＳＥＲＳ素子２Ｆの製造に際して工程数を削減し、コストを低減することが可能となる。

以上のＳＥＲＳ素子２Ｄ〜２Ｆのように、ＳＥＲＳ素子の各部材を第１の磁石部４として構成することができる。また、ＳＥＲＳ素子の複数の部材を第１の磁石部４として構成してもよい。すなわち、基板２１、成形層２２（微細構造部２４）、及び、導電体層２３の少なくともいずれかを第１の磁石部４として構成することができる。

図２０の（ａ）に示されるように、ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）２Ｇは、成形層２２（微細構造部２４）、導電体層２３、及び第１の磁石部４を含む。また、ＳＥＲＳ素子２Ｇは、光学機能部１０を含む。ただし、ＳＥＲＳ素子２Ｇは、ＳＥＲＳ素子２〜２Ｆと異なり、基板２１を含まない。また、ＳＥＲＳ素子２Ｇにおいては、ＳＥＲＳ素子２Ｅと同様に、成形層２２（微細構造部２４）が一時磁石（又は永久磁石）から構成されている。或いは、ＳＥＲＳ素子２Ｇにおいては、成形層２２（微細構造部２４）が一時磁石（又は永久磁石）を含む。つまり、ＳＥＲＳ素子２Ｇにおいては、成形層２２（微細構造部２４）が第１の磁石部４として構成されている。このＳＥＲＳ素子２Ｇによれば、ＳＥＲＳ素子２Ｂ，２Ｅと同様に、第１の磁石部４を励起光の反射層として効率的に利用することが可能となる。

特に、ＳＥＲＳ素子２Ｇにおいては、第１の磁石部４としての成形層２２を、可撓性を有するフィルムとして構成すれば、ＳＥＲＳ素子２Ｇの製造に際してロールtｏロール方式を利用することが可能となり、生産性が向上する。また、成形層２２を、可撓性を有するフィルムとして構成すれば、ＳＥＲＳ素子２Ｇが固定されるハンドリングプレート３の凹凸に対しての追従性が増す。これにより、ハンドリングプレート３におけるＳＥＲＳ素子２Ｇの固定面（接触面）が曲面状であっても、ＳＥＲＳ素子２Ｇの固定が可能となる。また、ハンドリングプレート３の曲面状の固定面（接触面）に追従させてＳＥＲＳ素子２Ｇを変形させることにより、微細構造部２４の周期的パターンを変形して表面増強ラマン散乱の強度を調節可能である。

また、ＳＥＲＳ素子２Ｇは、第１の磁石部４としての成形層２２（微細構造部２４）と導電体層２３とのみからなる。このため、基板２１を有する形態に比べて部材数が少ないので、部材管理の利便性の向上やコスト低減を実現可能である。また、ＳＥＲＳ素子２Ｇは、同様の理由から、基板２１を有する形態に比べて全体の薄化が可能であり、結果として、ＳＥＲＳユニット１のコンパクト化が可能となる。さらに、同様の理由から、例えば複数のＳＥＲＳ素子２Ｇが一括して形成された基材から、それぞれのＳＥＲＳ素子２Ｇをチップ化する際に、基板２１を有する形態に比べてチップ端面の破損リスクを低減可能である。

図２０の（ｂ）に示されるように、ＳＥＲＳ素子２Ｈは、第１の磁石部４のみからなる。第１の磁石部４は、成形層２２及び導電体層２３と同様の構成を有している。すなわち、第１の磁石部４は、微細構造部２４を含み、光学機能部１０を構成する。このように、ＳＥＲＳ素子２Ｈを単一の部材から構成すれば、部材管理の利便性の向上やコスト低減を実現可能である。また、ＳＥＲＳ素子２Ｈは、単一の材質により形成可能であるので、少ない工程数により製造され得る。

以上のＳＥＲＳ素子は、ＳＥＲＳユニットの形態に応じて適宜選択し得る。例えば、第１実施形態に係るＳＥＲＳユニット１，１Ａ，１Ｂ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｋ、及び、第２実施形態に係るＳＥＲＳユニット１Ｍ，１Ｎ，１Ｒは、ＳＥＲＳ素子の基板の裏面側（光学機能部と反対側）に第２の磁石部を配置する形態である。したがって、これらのＳＥＲＳユニットにおいては、ＳＥＲＳ素子２，２Ｄ，２Ｇ，２Ｈを用いると比較的強固な固定が可能である。

また、第１実施形態に係るＳＥＲＳユニット１Ｃ及び第２実施形態に係るＳＥＲＳユニット１Ｐは、ＳＥＲＳ素子の基板の主面側（光学機能部側）に第２の磁石部を配置する形態である。したがって、これらのＳＥＲＳユニットにおいては、ＳＥＲＳ素子２Ａ，２Ｂ，２Ｅ，２Ｆ，２Ｇ，２Ｈを用いると比較的強固な固定が可能である。

さらに、第１実施形態に係るＳＥＲＳユニット１Ｇ，１Ｈ、及び、第２実施形態に係るＳＥＲＳユニット１Ｎ，１Ｑは、ＳＥＲＳ素子の側面側に第２の磁石部を配置する形態である。したがって、これらのＳＥＲＳユニットにおいては、ＳＥＲＳ素子２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，２Ｇ，２Ｈを用いると比較的強化固定が可能である。

ただし、上述したＳＥＲＳユニットとＳＥＲＳ素子との組み合わせは一例であって、ＳＥＲＳユニットとＳＥＲＳ素子との組み合わせはそれらに限定されない。すなわち、第１の磁石部の材料や第２の磁石部の材料を選択することによって第１の磁石部と第２の磁石部との間の磁力を調節すれば、上述した全てのＳＥＲＳユニットに対して全てのＳＥＲＳ素子を用いることが可能である。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ，１Ｋ，１Ｍ，１Ｎ，１Ｐ，１Ｑ，１Ｒ，１Ｓ，１Ｔ…ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）、２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，２Ｆ，２Ｇ，２Ｈ，２Ｓ…ＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）、３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ，３Ｇ，３Ｈ，３Ｋ，３Ｍ，３Ｎ，３Ｐ，３Ｑ，３Ｒ，３Ｓ，３Ｔ…ハンドリングプレート（支持部材）、４，４Ｓ，４Ｔ…第１の磁石部、５，５Ａ，５Ｃ，５Ｇ，５Ｎ，５Ｑ，５Ｒ，５Ｓ，５Ｔ…第２の磁石部、１０…光学機能部、２１…基板、２１ａ…主面、２１ｂ…裏面、２３…導電体層、２４…微細構造部、３１，７１…主面（第１の面）、３２，７２…裏面（第２の面）、３３，３７，４４，４６…凹部、３３ｓ，３７ｓ，４４ｓ…底面（第１の面）、３４ｓ，３６ｓ，４１ｓ，４５ｓ…底面（第２の面）、４６ａ…内側面（第１の面）、Ｓ３ａ…内側面（第２の面）、Ｓ４ａ…内側面（第２の面）。

Claims (10)

1. 表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を有する表面増強ラマン散乱素子と、
   前記表面増強ラマン散乱素子を支持する支持部材と、を備え、
   前記表面増強ラマン散乱素子は、磁力により前記支持部材に固定されている、
   表面増強ラマン散乱ユニット。
2. 前記磁力は、引力である、
   請求項１に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
3. 前記表面増強ラマン散乱素子は、前記支持部材に設けられた凹部に配置されている、
   請求項１又は２に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
4. 互いの間に前記磁力を生じさせる第１の磁石部及び第２の磁石部を備え、
   前記第１の磁石部は、前記表面増強ラマン散乱素子に設けられており、
   前記表面増強ラマン散乱素子は、前記第２の磁石部と離間した状態において、前記磁力により前記支持部材に固定されている、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
5. 前記支持部材は、第１の面と前記第１の面の反対側の第２の面とを有し、
   前記表面増強ラマン散乱素子は、前記第１の面上に配置されており、
   前記第２の磁石部は、前記第２の面上に配置されており、
   前記第２の面上に沿った前記第２の磁石部の移動に応じて前記第１の面に沿って前記表面増強ラマン散乱素子が可動とされている、
   請求項４に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
6. 互いの間に前記磁力を生じさせる第１の磁石部及び第２の磁石部を備え、
   前記第１の磁石部は、前記表面増強ラマン散乱素子に設けられており、
   前記表面増強ラマン散乱素子は、前記第２の磁石部に接触した状態において、前記磁力により前記支持部材に固定されている、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
7. 互いの間に前記磁力を生じさせる第１の磁石部及び第２の磁石部を備え、
   前記表面増強ラマン散乱素子は、前記第１の磁石部と前記第２の磁石部との間に挟持された状態において、前記磁力により前記支持部材に固定されている、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
8. 前記支持部材は、前記第２の磁石部として構成されている、
   請求項６又は７に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
9. 前記表面増強ラマン散乱素子は、主面及び前記主面の反対側の裏面を含む基板と、前記主面上に設けられた微細構造部と、前記微細構造部上に設けられ前記光学機能部を構成する導電体層と、を有し、
   前記第１の磁石部は、前記裏面上、前記主面と前記微細構造部との間、前記微細構造部と前記導電体層との間、及び、前記主面に交差する方向に延びる前記表面増強ラマン散乱素子の側面上の少なくともいずれかに設けられている、
   請求項４〜６のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
10. 前記表面増強ラマン散乱素子は、主面及び前記主面の反対側の裏面を含む基板と、前記主面上に設けられた微細構造部と、前記微細構造部上に設けられ前記光学機能部を構成する導電体層と、を有し、
    前記基板、前記微細構造部、及び、前記導電体層の少なくともいずれかは、前記第１の磁石部として構成されている、
    請求項４〜６のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。