JP2014037975A - 表面増強ラマン散乱ユニット - Google Patents

Abstract

【課題】 表面増強ラマン散乱の特性を安定させることができる表面増強ラマン散乱ユニットを提供する。
【解決手段】 ＳＥＲＳユニット１においては、成形層５の微細構造部８上に導電体層６が形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部１０が構成されている。特に、成形層５の厚さが、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａにおいて相対的に厚く、外縁部分５ｂにおいて相対的に薄い。このため、例えばナノインプリント法によって成形層５を形成すべく、モールドＭを成形層５から離型するときに、外縁部分５ｂにおいて成形層５がモールドＭの離型に倣いやすいうえに、中央部分５ａにおいて形状が維持されやすい。したがって、中央部分５ａの凸部８１に損傷が生じることが抑制されるので、表面増強ラマン散乱の特性を安定させることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、表面増強ラマン散乱ユニットに関する。

従来の表面増強ラマン散乱ユニットとして、表面増強ラマン散乱（ＳＥＲＳ：Surface Enhanced Raman Scattering）を生じさせる微小金属構造体を備えるものが知られている（例えば、特許文献１及び非特許文献１参照）。このような表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、ラマン分光分析の対象となる試料が微小金属構造体に接触させられ、その状態で当該試料に励起光が照射されると、表面増強ラマン散乱が生じ、例えば１０^８倍程度にまで増強されたラマン散乱光が放出される。

上述した微小金属構造体の一例としては、例えば、シリコン基板上に順に積層されたフッ素含有シリカガラス膜及びシリカガラス膜をエッチングすることにより複数の微小突起部を形成した後に、スパッタ法により金属膜を成膜して製造されたもの（例えば特許文献２参照）が知られている。

特開２０１１−３３５１８号公報 特開２００９−２２２５０７号公報

"Q-SERSTM G1 Substrate"、［online］、株式会社オプトサイエンス、［平成２４年７月１９日検索］、インターネット<URL:http://www.optoscience.com/maker/nanova/pdf/Q-SERS_G1.pdf>

ところで、上述した特許文献２においては、微小金属構造体を製造する際に、その元となる微小突起部をエッチングによって形成しているが、例えばナノインプリント法を利用して微小突起部を形成してもよい。その場合には、例えば、ナノインプリントのためのレプリカモールドを微小突起部のための樹脂層から離型する際に、表面増強ラマン散乱に寄与する微小突起部に損傷を与えてしまい、結果として表面増強ラマン散乱の特性が不安定になるおそれがある。

本発明は、そのような事情に鑑みてなされたものであり、表面増強ラマン散乱の特性を安定させることができる表面増強ラマン散乱ユニットを提供することを課題とする。

上記課題を解決するために、本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットは、主面を有する基板と、基板の主面に沿って延在するように主面上に形成された支持部、及び、支持部上に形成された微細構造部を有する成形層と、微細構造部上に形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を構成する導電体層と、を備え、基板の主面に交差する方向についての成形層の厚さは、成形層における微細構造部が形成された微細構造エリアの中央部分よりも微細構造エリアの外縁部分において相対的に薄くなっている、ことを特徴とする。

この表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、成形層が微細構造部を有しており、その微細構造部上に導電体層が形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部が構成されている。特に、この表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、成形層の厚さが、微細構造部が形成された微細構造エリアの中央部分において相対的に厚く、外縁部分において相対的に薄く構成されている。このため、例えばナノインプリント法によって成形層を形成すべく、モールドを成形層から離型するときに、微細構造エリアの外縁部分において微細構造部がレプリカモールドの離型に倣いやすいうえに、微細構造エリアの中央部分において微細構造部の形状が維持されやすい。したがって、微細構造部に損傷が生じることが抑制されるので、表面増強ラマン散乱の特性を安定させることができる。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、微細構造部は、支持部上に形成された複数の凸部を含み、凸部の形成密度は、微細構造エリアの外縁部分よりも微細構造エリアの中央部分において相対的に小さくなっているものとすることができる。この場合、例えばナノインプリント法によって、その厚さが微細構造エリアの中央部分よりも外縁部分において相対的に薄くなるように、容易且つ確実に成形層を形成することが可能となる。

なお、ここでの凸部の形成密度とは、例えば、基準となる所定の領域内に形成された凸部の体積の総和によって規定されるものである。したがって、ここでの形成密度は、所定の領域内に形成された凸部の体積の総和が大きいときに大きくなり、所定の領域内に形成された凸部の体積の総和が小さいときに小さくなる。例えば、形成密度の比較の対象となる凸部の形状が均一であれば、形成密度の大小は、所定の領域内に形成された凸部の個数の大小に対応する。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、基板の主面に交差する方向についての成形層の厚さは、支持部の厚さの勾配によって、微細構造エリアの中央部分よりも微細構造エリアの外縁部分において相対的に薄くなっているものとすることができる。この場合にも、その厚さが微細構造エリアの中央部分よりも外縁部分において相対的に薄くなるように、容易且つ確実に成形層を形成することが可能となる。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、微細構造部は、基板の主面の全体にわたって形成されているものとすることができる。この場合には、基板の主面の全体において表面増強ラマン散乱を生じさせることが可能となる。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットは、基板の主面に沿って少なくとも支持部を囲むように基板の主面上に形成された枠部をさらに備えることができる。この場合には、枠部によって微細構造部を保護して信頼性を向上させることができる。

本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、基板の主面からの枠部の高さは、基板の主面からの微細構造部の高さよりも低いものとすることができる。この場合には、相対的に薄い（低い）枠部を、チップ化の際のカットラインを設定する領域として利用することができる。

本発明によれば、表面増強ラマン散乱の特性を安定させることができる表面増強ラマン散乱ユニットを提供することができる。

本発明の一実施形態に係る表面増強ラマン散乱ユニットの平面図である。 図１のII−II線に沿っての断面図である。 図２の領域ＡＲの模式的な拡大断面図である。 図１に示された表面増強ラマン散乱ユニットの製造方法の主要な工程を示す図である。 図３に示された成形層の変形例を示す拡大断面図である。 図５に示された成形層の変形例を示す拡大断面図である。 図３に示された成形層の変形例を示す拡大断面図である。 図３に示された成形層の変形例を示す拡大断面図である。 図８に示された成形層を形成するためのモールドを示す断面図である。 表面増強ラマン散乱ユニットの光学機能部の写真である。

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明の一実施形態に係る表面増強ラマン散乱ユニットの平面図であり、図２は、図１のII−II線に沿っての断面図である。図１，２に示されるように、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）１は、ハンドリング基板２と、ハンドリング基板２上に取り付けられたＳＥＲＳ素子（表面増強ラマン散乱素子）３とを備えている。ハンドリング基板２は、矩形板状のスライドガラス、樹脂基板、又はセラミック基板等である。ＳＥＲＳ素子３は、ハンドリング基板２の長手方向における一方の端部に片寄った状態で、ハンドリング基板２の表面２ａに配置されている。

ＳＥＲＳ素子３は、ハンドリング基板２上に取り付けられた基板４と、基板４の表面（主面）４ａ上に形成された成形層５と、成形層５上に形成された導電体層６とを備えている。基板４は、シリコン又はガラス等によって矩形板状に形成されており、数百μｍ×数百μｍ〜数十ｍｍ×数十ｍｍ程度の外形、及び１００μｍ〜２ｍｍ程度の厚さを有している。基板４の裏面４ｂは、ダイレクトボンディング、半田等の金属を用いた接合、共晶接合、レーザ光の照射等による溶融接合、陽極接合、又は、樹脂を用いた接合によって、ハンドリング基板２の表面２ａに固定されている。

図３は、図２の領域ＡＲの模式的な拡大断面図である。図３においては、導電体層６が省略されている。図３に示されるように、成形層５は、基板４の表面４ａ上に形成された支持部７と、支持部７上に形成された微細構造部８とを有している。支持部７は、基板４の表面４ａの全体にわたって延在するように形成されている。支持部７の厚さＴ７は、支持部７の中央部分７ａから外縁部分７ｂに向かうにつれて徐々に薄くなるような勾配を有している。換言すれば、支持部７の厚さＴ７は、中央部分７ａよりも外縁部分７ｂにおいて相対的に薄くなっている。支持部７の厚さＴ７は、例えば、中央部分７ａにおいて２００ｎｍ程度であり、外縁部分７ｂにおいて１００ｎｍ程度である。

微細構造部８は、基板４の表面４ａの全体にわたって支持部７上に形成されている。微細構造部８は、支持部７と一体に形成されている。成形層５は、微細構造部８が形成された微細構造エリアＡ５を含む。ここでは、微細構造部８が基板４の表面４ａの全体にわたって形成されているので、微細構造エリアＡ５も、基板４の表面４ａの全体にわたって延在するエリアとなる。また、支持部７も基板４の表面４ａの全体にわたって形成されているので、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａ及び外縁部分５ｂは、それぞれ、支持部７の中央部分７ａ及び外縁部分７ｂと一致している。

微細構造部８は、支持部７上に形成された複数の凸部８１を含む。凸部８１は、支持部７から突設されており支持部７と一体に形成されている。凸部８１は、支持部７上（すなわち基板４の表面４ａ上）に二次元アレイ状に配列されている。互いに隣り合う凸部８１の間には支持部７の表面７ｓが露出している。凸部８１は、例えば円柱状を呈している。なお、凸部８１の配置は、マトリクス配置や三角配置、或いはハニカム配置等とすることができる。また、凸部８１の形状は、円柱状に限らず、楕円柱状や四角柱状や他の多角形柱状といった任意の柱形状、或いは、任意の錐形状としてもよい。

凸部８１の形成密度は、微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂよりも微細構造エリアＡ５の中央部分５ａにおいて相対的に小さくなっている。つまり、微細構造部８は、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａを含む領域であって、凸部８１の形成密度が相対的に小さい低密度領域８ａと、微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂを含むように低密度領域８ａを包囲する領域であって、凸部８１の形成密度が相対的に大きい高密度領域８ｂとを有している。

ここで、凸部８１の形成密度とは、例えば、基準となる所定の領域Ｒ内に形成された凸部８１の体積の総和によって規定されるものである。したがって、ここでの形成密度は、所定の領域Ｒ内に形成された凸部８１の体積の総和が大きいときに大きくなり、所定の領域Ｒ内に形成された凸部の体積の総和が小さいときに小さくなる。ここでは、形成密度の比較の対象となる凸部８１の形状が均一であるので、形成密度の大小は、所定の領域Ｒ内に形成された凸部８１の個数に対応している。

凸部８１は、例えば、１２０ｎｍ程度の柱径で形成されている。低密度領域８ａにおける凸部８１のピッチは、例えば４５０ｎｍ程度である。一方、高密度領域８ｂにおける凸部８１のピッチは、低密度領域８ａのピッチよりも狭く、例えば２５０ｎｍ程度である。凸部８１の高さＨ８１は、高密度領域８ａ及び低密度領域８ｂにおいて略一定であり（形状が均一である）、例えば１８０ｎｍ程度である。つまり、微細構造部８の厚さＴ８は、微細構造エリアＡ５の全体にわたって略一定である。

微細構造部８の厚さＴ８が一定であり、支持部７の厚さＴ７が勾配を有していることから、成形層５の全体の厚さＴ５は、支持部７の厚さＴ７に応じた勾配を有している。より具体的には、成形層５の厚さＴ５は、支持部７の厚さＴ７の勾配によって、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａよりも微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂにおいて相対的に薄くなっている。換言すれば、成形層５の厚さＴ５は、支持部７の厚さＴ７の勾配に応じて、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａから外縁部分５ｂに向かうにつれて徐々に薄くなるような勾配を有している。

以上のような成形層５は、例えば、基板４の表面４ａ上に配置された樹脂（アクリル系、フッ素系、エポキシ系、シリコーン系、ウレタン系、ＰＥＴ、ポリカーボネート、無機有機ハイブリッド材料等）や低融点ガラスをナノインプリント法によって成形することによって、一体的に形成される。

導電体層６は、微細構造部８上に形成されている。導電体層６は、凸部８１の表面に加えて、凸部８１の間に露出した支持部７の表面７ｓにも達している。したがって、導電体層６は、成形層５の微細構造部８に対応するような微細構造を有している。導電体層６は、例えば数ｎｍ〜数μｍ程度の厚さを有している。

このような導電体層６は、例えば、上述したようにナノインプリント法によって成形された成形層５に金属（Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ又はＰｔ等）等の導電体を蒸着することで形成される。ＳＥＲＳ素子３においては、微細構造部８、及び、支持部７の表面７ａ上に形成された導電体層６によって、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部１０が構成されている。

引き続いて、ＳＥＲＳユニット１の使用方法について説明する。まず、ＳＥＲＳユニット１を用意する。続いて、ピペット等を用いて、溶液の試料（或いは、水又はエタノール等の溶液に紛体の試料を分散させたもの（以下同様））を滴下し、光学機能部１０上に試料を配置する。なお、試料は、支持部７の表面７ｓ及び微細構造部８の凸部８１の表面上に形成された導電体層６の上に配置される。なお、溶液の試料を滴下するに際し、予め、試料セルを形成するためにシリコーン等からなるスペーサをハンドリング基板２の上に配置してもよい。

続いて、必要に応じて、レンズ効果を低減させるために、光学機能部１０上にカバーガラスを載置し（スペーサを用いる場合にはスペーサ上に載置することができる）、溶液の試料と密着させる。続いて、ＳＥＲＳユニット１をラマン分光分析装置にセットし、光学機能部１０上に配置された試料に、カバーガラスを介して励起光を照射する。これにより、光学機能部１０と試料との界面で表面増強ラマン散乱が生じ、試料由来のラマン散乱光が例えば１０^８程度まで増強されて放出される。よって、ラマン分光分析装置では、高感度・高精度なラマン分光分析が可能となる。

なお、光学機能部１０上への試料の配置の方法には、上述した方法の他に、次のような方法がある。例えば、ハンドリング基板２を把持して、溶液である試料に対してＳＥＲＳ素子３を浸漬させて引き上げ、ブローして試料を乾燥させてもよい。また、溶液である試料を光学機能部１０上に微量滴下し、試料を自然乾燥させてもよい。さらに、紛体である試料をそのまま光学機能部１０上に分散させてもよい。

引き続いて、図４を参照してＳＥＲＳユニット１の製造方法の一例について説明する。この製造方法では、まず、図４の（ａ）に示されるように、モールドＭを用意する。モールドＭは、上述した成形層５の微細構造部８と逆のパターンを有している。より具体的には、モールドＭは、相対的に大きい柱径の凸部Ｍ８１を形成した中央部分の高密度領域Ｍ８ａと、相対的に小さい柱径の凸部Ｍ８２を形成した外縁部分の低密度領域Ｍ８ｂとを有している。

モールドＭにおいては、互いに隣り合う凸部Ｍ８１，Ｍ８２によって規定される凹部Ｍ８３が、成形層５における凸部８１に対応する。成形層５の凸部８１の柱径Ｄ８１が一定であるので、モールドＭにおける凹部Ｍ８３の幅も一定である。したがって、相対的に大きな凸部Ｍ８１が形成されたモールドＭの高密度領域Ｍ８ａにおいては、凹部Ｍ８３同士の間隔が広くなり凹部Ｍ８３の体積の総和が相対的に小さくなる。これに対して、相対的に小さい凸部Ｍ８２が形成されたモールドＭの低密度領域Ｍ８ｂにおいては、凹部Ｍ８３同士の間隔が狭くなり凹部Ｍ８３の体積の総和が相対的に大きくなる。

なお、モールドＭは、ナノインプリント用のマスターモールドであってもよいし、そのマスターモールドを用いて形成されたレプリカモールドであってもよい。また、モールドＭは、例えば、ＰＥＴ、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ、ポリイミド、シリコーン等からなるフィルムモールドであってもよいし、フィルムモールドに限らず、石英モールドやニッケルモールド、シリコンモールド等であってもよい。

続いて、基板４を含むウエハ４０を用意し、その表面４０ａ上にナノインプリント樹脂５０を配置する。ナノインプリント樹脂５０としては、例えば、ＵＶ硬化性樹脂（アクリル系、フッ素系、エポキシ系、シリコーン系、ウレタン系、ＰＥＴ、ポリカーボネート、無機有機ハイブリッド材料等）や低融点ガラスを用いることができる。

続いて、図４の（ｂ）に示されるように、ウエハ４０上のナノインプリント樹脂５０にモールドＭを押し当てて加圧する。これにより、モールドＭの各凹部Ｍ８３にナノインプリント樹脂５０が充填される（完全に充填されない場合もある）。このとき、モールドＭの高密度領域Ｍ８ａにおいては、凹部Ｍ８３の体積の総和が相対的に小さいので、少ない樹脂量でその凹部Ｍ８３を充填することができる。これに対して、モールドＭの低密度領域Ｍ８ｂにおいては、凹部Ｍ８３の体積の総和が相対的に大きいので、その凹部Ｍ８３を充填するために必要な樹脂量が相対的に多くなる。

そのような状況の下で、モールドＭのパターンをナノインプリント樹脂５０に転写して成形層５を形成すると、上述したようにモールドＭをナノインプリント樹脂５０に押圧した際に、高密度領域Ｍ８ａの凹部Ｍ８３の充填には相対的に少ない樹脂量ですみ、低密度領域Ｍ８ｂの凹部Ｍ８３の充填には相対的に多くの樹脂量を要することに起因して、それぞれの領域Ｍ８ａ，Ｍ８ｂに対応するように支持部７の形成に利用される樹脂量に勾配が生じ、結果として、支持部７の厚さに上述したような勾配が設けられる。その後、例えばＵＶ照射等によってナノインプリント樹脂５０を硬化し、図４の（ｃ）に示されるように、モールドＭを成形層５から離型する。

このように、微細構造部８に低密度領域８ａと高密度領域８ｂとを設定すれば、高密度領域８ｂの凸部８１を形成するために必要な樹脂量（モールドＭの低密度領域Ｍ８ａの凹部Ｍ８３を充填するための樹脂量）が、低密度領域８ａの凸部８１を形成するために必要な樹脂量（モールドＭの高密度領域Ｍ８ｂの凹部Ｍ８３を充填するための樹脂量）よりも多いことに起因して、容易且つ確実に、厚さに勾配を有する成形層５（支持部７）を形成することが可能となる。

ここで、図４の（ａ）〜（ｃ）に示されるナノインプリント工程は、ウエハサイズのモールドＭを用いることにより、複数の成形層５をウエハレベルで一括して形成するように実施してもよいし、ウエハよりも小さいサイズのモールドＭを繰り返し用いることにより、複数の成形層５を順々に形成してもよい（ステップ＆リピート）。

その後、金属（Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ又はＰｔ等）等の導電体を成形層５（微細構造部８）上に蒸着して導電体層６を形成し、光学機能部１０を構成する。これにより、ＳＥＲＳ素子３が構成される。そして、ＳＥＲＳ素子３ごとにウエハ４０をダイシングし、切り出されたＳＥＲＳ素子３をハンドリング基板２に固定してＳＥＲＳユニット１を得る。

以上説明したように、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、成形層５が微細構造部８を有しており、その微細構造部８上に導電体層６が形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部１０が構成されている。特に、このＳＥＲＳユニット１においては、成形層５の厚さが、微細構造部８が形成された微細構造エリアＡ５の中央部分５ａにおいて相対的に厚く、外縁部分５ｂにおいて相対的に薄く構成されている。

このため、例えばナノインプリント法によって成形層５を形成すべく、モールドＭを成形層５から離型するときに、微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂにおいて微細構造部８がレプリカモールドの離型に倣いやすいうえに、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａにおいて微細構造部８の形状が維持されやすい。したがって、微細構造部８（凸部８１）に損傷が生じることが抑制されるので、表面増強ラマン散乱の特性を安定させることができる。

また、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、成形層５の厚さＴ５が、微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂ（ここでは成形層５の外縁部分）において相対的に薄くなっているので、その外縁部分５ｂを、チップ化の際のカットラインを設定する領域として利用することができるうえに、チップ化のためのダイシングの際に剥がれにくくなる。

また、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、微細構造部８が複数の凸部８１を含み、凸部８１の形成密度が、微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂよりも中央部分５ａにおいて相対的に小さくなっている。このような成形層５は、例えば上述したようなモールドＭを用いたナノインプリント法によって、その厚さＴ５が微細構造エリアＡ５の中央部分５ａよりも外縁部分５ｂにおいて相対的に薄くなるように、容易且つ確実に形成することが可能である。これは、支持部７の厚さＴ７に上述したような勾配を設ける場合も同様である。

さらに、本実施形態に係るＳＥＲＳユニット１においては、成形層５が、基板４の表面４ａに沿って延在する支持部７を有しており、微細構造部８（凸部８１）がその支持部７と一体に構成されている。このため、微細構造部８の剥離（凸部８１の倒れや抜け）が抑制されるので、信頼性が向上する。

以上の実施形態は、本発明に係る表面増強ラマン散乱ユニットの一実施形態を説明したものである。したがって、本発明は、上述したＳＥＲＳユニット１に限定されず、各請求項の要旨を変更しない範囲においてＳＥＲＳユニット１を任意に変更したものとすることができる。

例えば、ＳＥＲＳユニット１は、上述した成形層５に代えて、図５に示されるような成形層５Ａを備えることができる。成形層５Ａにおいては、支持部７及び微細構造部８は、基板４の表面４ａの中央部分に形成されている。したがって、成形層５Ａの微細構造エリアＡ５は、基板４の表面４ａの全体ではなく中央部分のみとなる。

この場合にも、微細構造部８の厚さＴ８が一定であり、支持部７の厚さＴ７が勾配を有していることから、成形層５Ａの全体の厚さＴ５は、支持部７の厚さＴ７に応じた勾配を有している。より具体的には、成形層５Ａの厚さＴ５は、支持部７の厚さＴ７の勾配によって、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａよりも微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂにおいて相対的に薄くなっている。換言すれば、成形層５Ａの厚さＴ５は、支持部７の厚さＴ７の勾配に応じて、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａから外縁部分５ｂに向かうにつれて徐々に薄くなるような勾配を有している。

さらに、成形層５Ａは、基板４の表面４ａ上に形成された枠部９を有している。枠部９は、支持部７から連続しており支持部７と一体に形成されている。枠部９は、基板４の表面４ａの外周部分に配置されており、基板４の表面４ａに沿って微細構造部８の支持部７側の一部及び支持部７を囲うように環状に形成されている。基板４の表面４ａからの枠部９の高さＨ９は、基板４の表面４ａからの微細構造部８の高さ（支持部７の厚さＴ７と微細構造部８の厚さＴ８とを合わせたもの）よりも低い。

このように、基板４の外周部分に枠部９を設ければ、微細構造部８が保護されるので、信頼性が向上する。また、枠部９を、実装用のアライメントマークを設置するためのスペースとして使用したり、チップを識別するためのマーキングを施すためのスペースとして使用したり、チップ化の際のカットラインを設定する領域として利用したりすることができる。また、ＳＥＲＳ素子３にチッピングが生じても枠部９で留まり、微細構造部８を含む有効エリアの損傷を回避することができる。

なお、成形層５Ａにおいては、凸部８１の形成密度が微細構造エリアＡ５内において一定であるが、枠部９を相対的に大きな単一の凸部とみなすことができるので、その枠部９が高密度領域８ｂとして機能する（すなわち、微細構造エリアＡ５全体が低密度領域５ａとして機能する）。このため、成形層５を形成した場合と同様に、成形層５ＡのためのモールドＭを用意してナノインプリント樹脂５０に押し当てて加圧すると、枠部９を形成するために多くの樹脂が必要となる。その結果、支持部７を形成するための樹脂の一部が枠部９の形成に利用されるので、支持部７に勾配を設けることができる。

また、成形層５Ａにおいては、図６に示されるように、枠部９の高さＨ９を、微細構造部８の高さ（支持部７の厚さＴ７と微細構造部８の厚さＴ８とを合わせたもの）よりも高くし、枠部９が支持部７及び微細構造部８を囲うようにしてもよい。その場合には、枠部９と支持部７とによって凹部Ｃが形成され、その凹部Ｃの底面（支持部７の表面７ｓ）に微細構造部８が形成されることとなる。したがって、微細構造部８が確実に保護される。また、枠部９を高く設定することにより、基板４と成形層５との熱膨張差による歪みを緩和することができるため温度サイクル等による成形層５の剥離等を防止できる。

また、その凹部Ｃに溶液の試料を留めることができるので、微細構造部８への（微細構造部８上の導電体層６への）試料の付着率を向上させることができる。また、枠部９にカバーガラスを載せてラマン分光分析を行うことができるので、溶液の揮発を防止すると共に、微細構造部８を保護（不純物の混入を阻止）しつつ当該分析を行うことができる。また、配置したカバーガラスと微細構造部８との距離を、異なる素子間で一定に保つことができ、安定した計測が実現できる（距離変動による測定ばらつきを抑制できる）。また、フラットなカバーガラスを配置することにより、溶液の試料のレンズ効果を抑制することができるので、適切な計測が可能となる。

ここで、ＳＥＲＳユニット１は、成形層５に代えて、図７に示されるような成形層５Ｂを備えることができる。成形層５Ｂは、微細構造部８に代えて微細構造部８Ｂを有している。微細構造部８Ｂは、基板４の表面４ａの全体わたって形成されているので、微細構造エリアＡ５も、基板４の表面４ａの全体にわたって延在するエリアとなる。微細構造部８Ｂは、支持部７から突設された複数の凸部８１，８２を有している。

凸部８１は、凸部８２に比べて小さな柱径を有し、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａに形成されている。凸部８２は、微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂに形成されている。互いに隣り合う凸部８１間のスペースは、互いに隣り合う凸部８２間のスペースよりも大きい。したがって、凸部８１の形成密度は、凸部８２の形成密度よりも小さい。換言すれば、微細構造部８Ｂも、微細構造部８と同様に、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａを含む領域であって、凸部８１の形成密度が相対的に小さい低密度領域８ａと、微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂを含むように低密度領域８ａを包囲する領域であって、凸部８２の形成密度が相対的に大きい高密度領域８ｂとを有している。

また、成形層５Ｂにおいても、微細構造部８Ｂの厚さＴ８が一定であり、支持部７の厚さＴ７が勾配を有していることから、成形層５Ｂの全体の厚さＴ５は、支持部７の厚さＴ７に応じた勾配を有している。より具体的には、成形層５Ｂの厚さＴ５は、支持部７の厚さＴ７の勾配によって、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａよりも微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂにおいて相対的に薄くなっている。換言すれば、成形層５Ａの厚さＴ５は、支持部７の厚さＴ７の勾配に応じて、微細構造エリアＡ５の中央部分５ａから外縁部分５ｂに向かうにつれて徐々に薄くなるような勾配を有している。

このように、微細構造部８Ｂの低密度領域８ａと高密度領域８ｂとで凸部の形状（柱径）を変更してもよい。この場合にも、成形層５ＢのためのモールドＭを用意してナノインプリント樹脂５０に押し当てて加圧すると、凸部８２を形成するために必要な樹脂量が、凸部８１を形成するための樹脂量よりも大きいことに起因して、支持部７に勾配を設けることができる。

ここで、上記実施形態においては、成形層５を、凸部８１の形成密度が互いに異なる低密度領域８ａ及び高密度領域８ｂを有する微細構造部８を含むものとし、ナノインプリント法によって成形層５を形成する際に、その凸部８１の形成密度の大小に起因して（必要な樹脂量の大小に起因して）成形層５の厚さＴ５（支持部７の厚さＴ７）に勾配を設けるようにしたが、成形層５の厚さＴ５に勾配を設ける方法はこれに限定されない。

すなわち、図８に示されるように、凸部８１の形成密度が一様である微細構造部８Ｃを含む成形層５Ｃであっても、図９に示されるように、その形成に用いるモールドＭの支持部Ｍ７の厚さＴＭ７に予め対応する勾配を設けておけば、同様のナノインプリント法によって、成形層５Ｃの厚さＴ５に対して（すなわち支持部７の厚さＴ７に対して）微細構造エリアＡ５の中央部分５ａから外縁部分５ｂに向かって徐々に薄くなるような勾配を設けることができる。

さらに言えば、ＳＥＲＳユニット１における成形層は、微細構造部８が形成された微細構造エリアＡ５の中央部分５ａよりも外縁部分５ｂにおいて相対的に薄ければよく、中央部分５ａから外縁部分５ｂに向けて段階的（例えば２段階や３段階等）に薄くなる態様でもよいし、ナノインプリント法で形成されるものでなくてもよい。

また、成形層５においては、微細構造部８における凸部８１の形成密度を、高密度と低密度の２段階としたが、凸部８１の形成密度は、微細構造エリアＡ５の外縁部分５ｂよりも中央部分５ａにおいて相対的に小さければよく、３段階以上の形成密度差を設けてもよい。

また、導電体層６は、成形層５（微細構造部８）上に直接的に形成されたものに限定されず、成形層５（微細構造部８）に対する金属の密着性を向上させるためのバッファ金属（Ｔｉ、Ｃｒ等）層等、何らかの層を介して、成形層５（微細構造部８）上に間接的に形成されたものであってもよい。

さらに、上述したＳＥＲＳユニット１の各構成の材料及び形状は、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を適用することができる。

図１０に示される光学機能部は、所定のピッチ（中心線間距離３６０ｎｍ）で周期的に配列された複数のピラー（直径１２０ｎｍ、高さ１８０ｎｍ）を有するナノインプリント樹脂製の微細構造部に、導電体層として、膜厚が５０ｎｍとなるようにＡｕを蒸着したものである。

１…ＳＥＲＳユニット（表面増強ラマン散乱ユニット）、４…基板、４ａ…表面（主面）、５…成形層、５ａ…中央部分、５ｂ…外縁部分、６…導電体層、７…支持部、８…微細構造部、９…枠部、１０…光学機能部、８１…凸部、Ａ５…微細構造エリア。

Claims (6)

1. 主面を有する基板と、
   前記基板の前記主面に沿って延在するように前記主面上に形成された支持部、及び、前記支持部上に形成された微細構造部を有する成形層と、
   前記微細構造部上に形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を構成する導電体層と、を備え、
   前記基板の前記主面に交差する方向についての前記成形層の厚さは、前記成形層における前記微細構造部が形成された微細構造エリアの中央部分よりも前記微細構造エリアの外縁部分において相対的に薄くなっている、
   ことを特徴とする表面増強ラマン散乱ユニット。
2. 前記微細構造部は、前記支持部上に形成された複数の凸部を含み、
   前記凸部の形成密度は、前記微細構造エリアの前記外縁部分よりも前記微細構造エリアの前記中央部分において相対的に小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
3. 前記基板の前記主面に交差する方向についての前記成形層の厚さは、前記支持部の厚さの勾配によって、前記微細構造エリアの前記中央部分よりも前記微細構造エリアの前記外縁部分において相対的に薄くなっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
4. 前記微細構造部は、前記基板の前記主面の全体にわたって形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
5. 前記基板の前記主面に沿って少なくとも前記支持部を囲むように前記基板の前記主面上に形成された枠部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
6. 前記基板の前記主面からの前記枠部の高さは、前記基板の主面からの前記微細構造部の高さよりも低いことを特徴とする請求項５に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。