JP2014196981A - 表面増強ラマン散乱ユニット、及びラマン分光分析方法 - Google Patents

表面増強ラマン散乱ユニット、及びラマン分光分析方法 Download PDF

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    • G01N21/65Raman scattering
    • G01N21/658Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons

Abstract

【課題】 多量の試料を用いることなく測定への悪影響を抑制可能な表面増強ラマン散乱ユニット、及びそのような表面増強ラマン散乱ユニットを用いたラマン分光分析方法を提供する。
【解決手段】 SERSユニット1Aは、測定時に用いられる測定用基板3を備えているSERSユニット1Aは、基板21と、基板21上に形成され表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部20とを有し、測定用基板3に固定されたSERS素子2を備える。SERSユニット1Aは、SERS素子2の周縁部2aに接触してSERS素子2を測定用基板3側に押さえる環状の接触部41を有し、測定用基板3に固定された押さえ部材4を備える。
【選択図】図4

Description

本発明は、表面増強ラマン散乱ユニット、及びラマン分光分析方法に関する。
従来の表面増強ラマン散乱ユニットとして、表面増強ラマン散乱(SERS:Surface Enhanced Raman Scattering)を生じさせる光学機能部を有する表面増強ラマン散乱素子がスライドガラス上に固定されたものが知られている(例えば、非特許文献1参照)。
"Q-SERSTM G1 substrate"、[online]、株式会社オプトサイエンス、[平成25年3月21日検索]、インターネット<URL:http://www.optoscience.com/maker/nanova/pdf/Q-SERS_G1.pdf>
上述したような表面増強ラマン散乱ユニットを用いて溶液試料の測定を行う場合には、例えば、表面増強ラマン散乱素子を囲うように環状のスペーサ等をスライドガラス上に配置し、そのスペーサによって形成される空間内に溶液試料を配置することが考えられる。その場合には、スペーサによって形成される空間が表面増強ラマン散乱素子の光学機能部に対して広くなるので、例えば、溶液試料の蒸発により濃度が変化したり、ミスト化した溶液試料により意図しない散乱が生じたりして測定に悪影響を及ぼす場合がある。そのような悪影響を抑制するためには、スペーサによって形成される空間を溶液試料で充填することが考えられるが、その場合には多量の溶液試料が必要となる。
そこで、本発明は、多量の試料を用いることなく測定への悪影響を抑制可能な表面増強ラマン散乱ユニット、及びそのような表面増強ラマン散乱ユニットを用いたラマン分光分析方法を提供することを目的とする。
本発明の表面増強ラマン散乱は、測定時に用いられる測定用基板と、基板と、基板上に形成され表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部とを有し、測定用基板に固定された表面増強ラマン散乱素子と、表面増強ラマン散乱素子の周縁部に接触して表面増強ラマン散乱素子を測定用基板側に押さえる環状の接触部を有し、測定用基板に固定された押さえ部材と、を備える。
この表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、押さえ部材の環状の接触部が、表面増強ラマン散乱素子の周縁部に接触しつつ表面増強ラマン散乱素子を測定用基板側に押さえている。したがって、試料が配置され得る空間が、接触部によって、周縁部を除く表面増強ラマン散乱素子上の空間に制限される。このため、比較的少量の溶液試料によってその空間を充填することができる。したがって、この表面増強ラマン散乱ユニットによれば、多量の試料を用いることなく測定への悪影響を抑制することが可能となる。
本発明の表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、押さえ部材は、測定用基板に機械的に固定されているものとすることができる。例えば、測定用基板に対する押さえ部材の固定に接着剤を用いる場合、接着剤硬化時、梱包保管時、及び測定時において、接着剤に含まれる成分に起因する光学機能部の劣化が進行する。しかしながら、本発明の表面増強ラマン散乱ユニットによれば、接着剤を用いていないため、光学機能部の劣化を抑制することができる。
本発明の表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、測定用基板の表面には第1の凹部が設けられており、表面増強ラマン散乱素子及び押さえ部材は、第1の凹部内に収容されているものとすることができる。この場合、第1の凹部の内側面によって押さえ部材が保護されるため、押さえ部材の接触部によって形成される空間(試料が配置される空間)が好適に保持される。
本発明の表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、押さえ部材の頂部は、測定用基板の表面と略面一であるものとすることができる。この場合、例えば、測定時にカバーを用いる際に、そのカバーを押さえ部材の頂部と測定用基板の表面とによって安定して支持することが可能となる。
本発明の表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、接触部の内側面は、該内側面によって規定される空間が表面増強ラマン散乱素子から離れるにつれて拡大するテーパ状となるように傾斜しているものとすることができる。この場合、表面増強ラマン散乱素子への励起光の入射角を相対的に広角とすることができる。また、押さえ部材の接触部での光散乱による迷光を抑制することができる。
本発明の表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、測定用基板には、表面増強ラマン散乱素子の少なくとも基板側の一部を収容し、且つ基板の厚さ方向に垂直な方向への表面増強ラマン散乱素子の移動を規制する第2の凹部が設けられているものとすることができる。この場合、測定用基板に対して表面増強ラマン散乱素子を位置決めすることができる。更に、測定用基板に対して表面増強ラマン散乱素子がずれるのを防止することができる。
本発明の表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、測定用基板は、樹脂により一体的に形成されているものとすることができる。この場合、チッピングが発生し難くなるので、チッピング片の付着に起因する光学機能部の劣化を確実に抑制することができる。
本発明の表面増強ラマン散乱ユニットにおいては、測定用基板には、測定用基板の厚さ方向に垂直な方向に延在する壁部が形成されるように肉抜き部が設けられているものとすることができる。この場合、測定用基板に反りが生じることが防止されるため、ラマン分光分析を行う場合において、測定用基板をラマン分光分析装置のステージ上に配置するときに、光学機能部に励起光の焦点を精度よく合わせることができる。
本発明の表面増強ラマン散乱は、上述した表面増強ラマン散乱ユニットを用意し、光学機能部上に試料を配置する第1の工程と、第1の工程の後に、表面増強ラマン散乱ユニットをラマン分光分析装置にセットし、光学機能部上に配置された試料に励起光を照射して試料由来のラマン散乱光を検出することにより、ラマン分光分析を行う第2の工程と、を備える。
このラマン分光分析方法においては、上述した表面増強ラマン散乱ユニットが用いられるため、ラマン分光分析を精度よく行うことができる。
本発明によれば、多量の試料を用いることなく測定への悪影響を抑制可能な表面増強ラマン散乱ユニット、及びそのような表面増強ラマン散乱ユニットを用いたラマン分光分析方法を提供することができる。
本発明の第1実施形態の表面増強ラマン散乱ユニットの平面図である。 図1のII−II線に沿っての断面図である。 図1の表面増強ラマン散乱ユニットの底面図である。 図1のII−II線に沿っての拡大断面図である。 図1の表面増強ラマン散乱ユニットの光学機能部のSEM写真である。 図1の表面増強ラマン散乱ユニットがセットされたラマン分光分析装置の構成図である。 図1の表面増強ラマン散乱ユニットの変形例の拡大断面図である。 本発明の第2実施形態の表面増強ラマン散乱ユニットの平面図である。 図8のIX−IX線に沿っての拡大断面図である。 図8の表面増強ラマン散乱ユニットがセットされたラマン分光分析装置の構成図である。 図8の表面増強ラマン散乱ユニットの変形例の拡大断面図である。 図8の表面増強ラマン散乱ユニットの変形例の拡大断面図である。 図8の表面増強ラマン散乱ユニットの変形例の拡大断面図である。 図8の表面増強ラマン散乱ユニットの変形例の拡大断面図である。 本発明の他の実施形態の表面増強ラマン散乱ユニットの斜視図である。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一の要素同士、或いは、相当する要素同士には、互いに同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
[第1実施形態]
図1及び図2に示されるように、SERSユニット(表面増強ラマン散乱ユニット)1Aは、SERS素子(表面増強ラマン散乱素子)2と、測定時に用いられSERS素子2を支持する測定用基板3と、測定用基板3に機械的に固定された押さえ部材4とを備えている。なお、「機械的に」とは、「接着剤等によらずに、部材同士の嵌め合わせによって」との意味である。
測定用基板3の表面3aには、SERS素子2及び押さえ部材4を収容する凹部(第1の凹部)5が設けられている。一方、図3に示されるように、測定用基板3の裏面3bには、測定用基板3の厚さ方向に垂直な方向に延在する壁部6,7が形成されるように複数の肉抜き部8が設けられている。一例として、壁部6は、測定用基板3の外縁に沿って環状に形成されており、壁部7は、壁部6の内側において格子状に形成されている。一例として、測定用基板3は、長方形板状に形成されている。凹部5及び肉抜き部8は、直方体状に形成されている。このような測定用基板3は、樹脂(ポリプロピレン、スチロール樹脂、ABS樹脂、ポリエチレン、PET、PMMA、シリコーン、液晶ポリマー等)や、セラミック、ガラス、シリコン等の材質にて、成型、切削、エッチング等の手法を用いて一体的に形成されている。
図4に示されるように、SERS素子2は、基板21と、基板21上に形成された成形層22と、成形層22上に形成された導電体層23とを備えている。一例として、基板21は、シリコン又はガラス等によって矩形板状に形成されており、数百μm×数百μm〜数十mm×数十mm程度の外形及び100μm〜2mm程度の厚さを有している。
成形層22は、微細構造部24と、支持部25と、枠部26とを有している。微細構造部24は、周期的パターンを有する領域であり、成形層22の中央部において基板21と反対側の表層に形成されている。微細構造部24には、周期的パターンとして、数nm〜数百nm程度の太さ及び高さを有する複数のピラーが数十nm〜数百nm程度のピッチで周期的に配列されている。支持部25は、微細構造部24を支持する領域であり、基板21の表面21aに形成されている。枠部26は、支持部25を包囲する環状の領域であり、基板21の表面21aに形成されている。
一例として、微細構造部24は、測定用基板3の厚さ方向における一方の側から見た場合に、数百μm×数百μm〜数十mm×数十mm程度の矩形状の外形を有している。支持部25及び枠部26は、数十nm〜数十μm程度の厚さを有している。このような成形層22は、例えば、基板21上に配置された樹脂(アクリル系、フッ素系、エポキシ系、シリコーン系、ウレタン系、PET、ポリカーボネート若しくは無機有機ハイブリット材料等)又は低融点ガラスをナノインプリント法によって成形することにより、一体的に形成されている。
導電体層23は、微細構造部24から枠部26にわたって形成されている。微細構造部24においては、導電体層23は、基板21と反対側に露出する支持部25の表面に達している。一例として、導電体層23は、数nm〜数μm程度の厚さを有している。このような導電体層23は、例えば、ナノインプリント法によって形成された成形層22に金属(Au、Ag、Al、Cu又はPt等)等の導電体を蒸着することにより一体的に形成されている。
SERS素子2においては、微細構造部24の表面、及び基板21と反対側に露出する支持部25の表面にわたって形成された導電体層23によって、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部20が基板21上に形成されている。参考として、光学機能部20のSEM写真を示す。図5に示される光学機能部は、所定のピッチ(中心線間距離360nm)で周期的に配列された複数のピラー(直径120nm、高さ180nm)を有するナノインプリント樹脂製の微細構造部に、導電体層として、膜厚が50nmとなるようにAuを蒸着したものである。
図4に示されるように、凹部5の底面5aには、SERS素子2の基板21側の一部を収容する凹部(第2の凹部)9が設けられている。凹部9は、SERS素子2の基板21側の一部と相補関係を有する形状に形成されており、基板21の厚さ方向に垂直な方向へのSERS素子2の移動を規制している。なお、SERS素子2は、任意の方法によって測定用基板3に固定されている。例えば、SERS素子2は、凹部9の内面に接着剤等により固定されていてもよいし、後述する押さえ部材4の接触部41によって凹部9の底面との間で挟持されて固定されていてもよい。
ここで、測定用基板3は、測定用基板3の厚さ方向から見た場合に測定用基板3の略中央に位置する第1の領域A1と、第1の領域A1を包囲する環状の第2の領域A2と、第2の領域A2を更に包囲する環状の第3の領域A3とを含む。凹部5は、第1の領域A1〜第3の領域A3にわたって設けられており、凹部9は、第1の領域A1及び第2の領域A2に形成されている。したがって、SERS素子2は、第1の領域A1及び第2の領域A2上に位置しており、光学機能部20は、第1の領域A1上に位置している。
押さえ部材4は、基板21の厚さ方向から見て環状に形成され、基板21の厚さ方向に厚みを有する接触部41と、接触部41の4つの角部のそれぞれから測定用基板3の裏面3b側に延在する脚部42とを有している。接触部41は、第2の領域A2及び第3の領域A3上に配置されており、第2の領域A2上においてSERS素子2(導電体層23)の周縁部2aの上面に接触している。したがって、接触部41は、基板21の厚さ方向から見た場合に、第1の領域A1上に位置する光学機能部20を包囲している。
このため、接触部41の内側面41sとSERS素子2の表面(導電体層23の表層)とによって、SERS素子2上に空間Sが形成されている。この空間Sは、測定時に試料(例えば溶液試料)が配置されるセル(チャンバ)として用いることができる。ここでは、接触部41が、第2の領域A2上においてSERS素子2の周縁部2aに乗り上げて光学機能部20を包囲しているため、測定時に試料が配置され得る空間が、周縁部2aを除くSERS素子2上の空間(すなわち、第1の領域A1上の空間)Sに制限される。つまり、接触部41は、測定時に試料が配置され得る空間を制限する制限手段として機能する。なお、ここでは、接触部41の内側面41sが、基板21の厚さ方向に沿って延在しているため、基板21の厚さ方向に垂直な方向から見た場合に、空間Sは長方形状となる。
凹部5の底面5aには、脚部42のそれぞれに対応するように篏合孔11が設けられている。各脚部42は、接触部41が光学機能部20を包囲し且つSERS素子2の周縁部2aにおいて導電体層23に接触した状態において、各嵌合孔11に嵌め合されている。このように、測定用基板3と別体に形成された押さえ部材4は、測定用基板3に機械的に固定されており、凹部9に配置されたSERS素子2(SERS素子2の周縁部2a)は、測定用基板3と押さえ部材4の接触部41とで挟持されて押さえられている(押圧されている)。なお、嵌合孔11は、測定用基板3を貫通しておらず、底を有している。
一例として、接触部41は、基板21の厚さ方向から見た場合に外縁及び内縁が矩形状となるように(すなわち全体として矩形環状となるように)形成されている。接触部41を矩形環状に形成することにより、基板21の厚さ方向から見て接触部41の幅を略一定にしつつ空間Sを形成することができる。なお、他の例として、接触部41は、基板21の厚さ方向から見た場合に外縁が矩形状となり且つ内縁が円形状となるように形成されてもよい。接触部41の内縁を円形状とすれば、SERS素子2への局所的な押圧力の作用が回避される。脚部42及び嵌合孔11は、円柱状に形成されている。このような接触部41及び脚部42を有する押さえ部材4は、樹脂(ポリプロピレン、スチロール樹脂、ABS樹脂、ポリエチレン、PET、PMMA、シリコーン、液晶ポリマー等)や、セラミック、ガラス、シリコン等の材質にて、成型、切削、エッチング等の手法を用いて一体的に形成されている。
更に、SERSユニット1Aは、光透過性を有するカバー12を備えている。カバー12は、凹部5の開口部に設けられた拡幅部13に配置されており、凹部5の開口部を覆っている。拡幅部13は、カバー12と相補関係を有する形状に形成されており、カバー12の厚さ方向に垂直な方向へのカバー12の移動を規制している。押さえ部材4の接触部41の表面41aは、拡幅部13の底面13aと略面一となっている。これにより、カバー12は、測定用基板3だけでなく押さえ部材4によっても支持されることになる。一例として、カバー12は、ガラス等によって矩形板状に形成されており、18mm×18mm程度の外形及び0.15mm程度の厚さを有している。なお、SERSユニット1Aの使用前には、カバー12を覆うように測定用基板3に仮固定フィルム14が張り付けられており、測定用基板3からのカバー12の脱落が防止されている。
次に、SERSユニット1Aを用いたラマン分光分析方法について説明する。ここでは、図6に示されるように、SERSユニット1Aを支持するステージ51と、励起光を出射する光源52と、励起光を光学機能部20に照射するのに必要なコリメーション、フィルタリング、集光等を行う光学部品53と、ラマン散乱光を検出器55に誘導するのに必要なコリメーション、フィルタリング等を行う光学部品54と、ラマン散乱光を検出する検出器55とを備えるラマン分光分析装置50において、ラマン分光分析方法が実施される。
まず、SERSユニット1Aを用意し、測定用基板3から仮固定フィルム14を剥がして、測定用基板3からカバー12を取り外す。そして、押さえ部材4の接触部41によって(制限されて)形成された空間Sに、溶液試料(或いは、水又はエタノールの溶液に紛体の試料を分散させたもの)を滴下することにより、光学機能部20上に溶液試料を配置する(第1工程)。ここでは、例えば、溶液試料によって空間Sを充填することにより、溶液試料を光学機能部20上に配置することができる。続いて、レンズ効果を低減させるために、測定用基板3の拡幅部13にカバー12を配置して、溶液試料にカバー12を密着させる。
その後に、ステージ51上に測定用基板3を配置して、SERSユニット1Aをラマン分光分析装置50にセットする。続いて、光源52から出射されて光学部品53を介した励起光を、光学機能部20上に配置された溶液試料に照射することで溶液試料を励起させる。このとき、ステージ51は、光学機能部20に励起光の焦点が合うように移動させられている。これにより、光学機能部20と溶液試料との界面まで表面増強ラマン散乱が生じ、溶液試料由来のラマン散乱光が例えば10倍程度にまで増強されて放出される。そして、放出されたラマン散乱光を、光学部品54を介して検出器55により検出することにより、ラマン分光分析を行う(第2工程)。
なお、光学機能部20上への試料の配置の方法には、上述した方法の他に、次のような方法がある。例えば、測定用基板3を把持して、溶液試料(或いは、水又はエタノール等の溶液に紛体の試料を分散させたもの)に対してSERS素子2を浸漬させて引き上げ、ブローして当該試料を乾燥させてもよい。また、溶液試料(或いは、水又はエタノール等の溶液に紛体の試料を分散させたもの)を光学機能部20上に微量滴下し、当該試料を自然乾燥させてもよい。また、紛体である試料をそのまま光学機能部20上に分散させてもよい。
次に、SERSユニット1Aによって奏される効果について説明する。SERSユニット1Aにおいては、押さえ部材4の環状の接触部41が、SERS素子2の周縁部2aに接触しつつSERS素子2を測定用基板3側に押さえている。したがって、試料が配置され得る空間が、接触部41によって、周縁部2aを除くSERS素子2上の空間Sに制限される。このため、比較的少量の溶液試料によってその空間Sを充填することができる。したがって、このSERSユニット1Aによれば、多量の試料を用いることなく測定への悪影響を抑制することが可能となる。
また、SERSユニット1Aにおいては、押さえ部材4の接触部41によって試料が配置され得る空間が(空間Sに)制限されるため、溶液試料を光学機能部20上に滴下する場合や紛体である試料を光学機能部20上に分散させる場合にも、それらの試料が光学機能部20以外の領域に配置されることが抑制される。
また、SERSユニット1Aにおいては、押さえ部材4が、測定用基板3に機械的に固定されている。このため、例えば、測定用基板3に対する押さえ部材4の固定に接着剤を用いる場合と比較して、接着剤に含まれる成分に起因する光学機能部20の劣化が抑制される。なお、SERSユニット1Aにおいては、環状の接触部41が、SERS素子2の周縁部2aに接触しつつ周縁部2aを押さえている。このため、接触部41によって形成される空間Sに溶液試料を充填した場合にも、その溶液試料が空間Sから外に漏れにくい。したがって、押さえ部材4との測定用基板3との固定や、SERS素子2と測定用基板3との固定に接着剤を用いたとしても、その接着剤の影響が比較的小さい。
また、SERSユニット1Aにおいては、押さえ部材4の接触部41が、SERS素子2を測定用基板3側に押さえている。このため、測定用基板3におけるSERS素子2の保持の確実化を図ることができる。さらに、SERS素子2において基板21上に形成された成形層22及び導電体層23が基板21から剥離するのを防止することができる。
また、SERSユニット1Aにおいては、測定用基板3に、SERS素子2及び押さえ部材4を収容する凹部5が形成されている。このため、凹部5の内側面によって押さえ部材4の接触部41の外側面が保護されるので、接触部41によって形成される空間Sが好適に保持される。
また、SERSユニット1Aにおいては、測定用基板3に(凹部5の底面5aに)、SERS素子2の基板21側の一部を収容し、且つ基板21の厚さ方向に垂直な方向へのSERS素子2の移動を規制する凹部9が設けられている。このため、測定用基板3に対してSERS素子2を位置決めすることができる。更に、測定用基板3に対してSERS素子2がずれるのを防止することができる。
また、SERSユニット1Aにおいては、測定用基板3が、樹脂により一体的に形成されている。このため、チッピングが発生し難くなるので、チッピング片の付着に起因する光学機能部20の劣化を確実に抑制することができる。更に、測定用基板3の外表面にエンボス加工を施したり、測定用基板3の材料に光吸収色の樹脂を用いたりすることにより、ラマン分光分析時に迷光が生じるのを抑制することができる。
更に、SERSユニット1Aにおいては、測定用基板3に、測定用基板3の厚さ方向に垂直な方向に延在する壁部6,7が形成されるように複数の肉抜き部8が設けられている。これにより、測定用基板3に反りが生じることが防止されるため、ラマン分光分析を行う場合において、測定用基板3をラマン分光分析装置50のステージ51上に配置するときに、光学機能部20に励起光の焦点を精度よく合わせることができる。
なお、仮に、接触部41によって形成される空間Sの外側の領域に溶液試料が染み出たとしても、測定用基板3の凹部5の底面5aに設けられた嵌合孔11が底を有しているので、凹部5の外側に溶液試料が染み出すのを防止することができる。
次に、SERSユニット1Aの変形例について説明する。図7に示されるように、SERSユニット1Aにおいては、測定用基板3の表面3aに凹部5を設けると共に、凹部5の底面5aに凹部9を設けないようにしてもよい。この場合には、SERS素子2及び押さえ部材4は凹部5内に収容され、SERS素子2は凹部5の底面5a上に配置される。また、押さえ部材4の頂部(接触部41の表面41a)は、測定用基板3の表面3aと略面一とされている。
この構成によっても、凹部5の内側面によって押さえ部材4の接触部41の外側面が保護されるので、接触部41によって形成される空間Sが好適に保持される。また、カバー12を押さえ部材4の頂部(接触部41の表面41a)と測定用基板3の表面3aとによって安定して支持することが可能となる。
[第2実施形態]
図8及び図9に示されるように、SERSユニット1Bは、測定用基板3に凹部5(及び凹部9)が設けられていない点で、上述したSERSユニット1Aと相違している。SERSユニット1Bにおいては、測定用基板3の表面3a上にSERS素子2が配置されて測定用基板3に固定されている(SERS素子2の基板21の下面が測定用基板3の表面3aに当接する)。また、測定用基板3の表面3aには、脚部42のそれぞれに対応するように嵌合孔11が設けられている。各脚部42は、接触部41が光学機能部20を包囲し且つSERS素子2の周縁部2aにおいて導電体層23に接触した状態において、各嵌合孔11に嵌め合されている。
つまり、SERSユニット1Bにおいても、押さえ部材4は、測定用基板3に機械的に固定されており、測定用基板3の表面3a上に配置されたSERS素子2(SERS素子2の周縁部2a)は、測定用基板3と押さえ部材4の接触部41とで挟持されて押さえられている(押圧されている)。なお、この場合にも、嵌合孔11は、測定用基板3を貫通しておらず、底を有している。また、カバー12は、基板21の厚さ方向から見た場合に、押さえ部材4の接触部41の外形と略同一の外形とされており、接触部41の表面41a(押さえ部材4の頂部)のみによって支持されている。
以上のように構成されたSERSユニット1Bにおいても、上述したSERSユニット1Aと同様に、押さえ部材4の環状の接触部41が、SERS素子2の周縁部2aに接触しつつSERS素子2を測定用基板3側に押さえている。したがって、試料が配置され得る空間が、接触部41によって周縁部2aを除くSERS素子2上の空間Sに制限される。このため、比較的少量の溶液試料によってその空間Sを充填することができる。したがって、このSERSユニット1Bによっても、多量の試料を用いることなく測定への悪影響を抑制することが可能となる。
また、SERSユニット1Bにおいては、SERS素子2が測定用基板3の表面3a上に配置されており、測定用基板3に凹部5が設けられていない。このため、測定用基板3の強度の低下を抑制することができる。更に、測定用基板3に対してSERS素子2及び押さえ部材4を収容するスペース(凹部5等)を設けないので、測定用基板3を相対的に薄く構成して材料費を低減することができる。
また、SERSユニット1Bにおいては、図10に示されるように、ラマン分光分析を行う場合において、SERSユニット1Bをラマン分光分析装置50の押さえ機構56にセットして接触部41をラマン分光分析装置50のホルダ57に当接させるときに、接触部41を、光学機能部20に励起光の焦点を合わせるためのスペーサとして利用することができる。このとき、接触部41によって、物理的な接触による光学機能部20の破損も防止される。
次に、SERSユニット1Bの変形例について説明する。図11に示されるように、SERSユニット1Bにおいては、押さえ部材4の各脚部42に対して、ストッパ42aを形成してもよい。この構成によれば、ストッパ42aが測定用基板3に接触するまで脚部42を嵌合孔11に嵌め込むことにより、接触部41の接触によってSERS素子2に作用する押圧力が略一定となるため、当該押圧力がSERS素子2に必要以上に作用することを回避することができる。
また、図12に示されるように、SERSユニット1Bにおいては、押さえ部材4の接触部41の内側面41sは、該内側面41sによって規定(形成)される空間SがSERS素子2から離れるにつれて拡大するテーパ状となるように傾斜させることができる。この場合、には、接触部41によって基板21の厚さ方向に垂直な方向から見た場合に、空間Sは台形状となる。この構成によれば、ラマン分光分析の際に、SERS素子2への励起光の入射角を相対的に広角とすることができる。また、押さえ部材4の接触部41での光散乱による迷光を抑制することができる。
以上の実施形態は、本発明の一実施形態を説明したものである。したがって、本発明は、上記実施形態に限定されない。本発明は、各請求項の要旨を変更しない範囲において、上記実施形態を任意に変更したものとすることができる。
例えば、SERSユニット1Bにおいて、図13に示されるように、SERS素子2及び押さえ部材4を収容する凹部5を設けることなく、SERS素子2の基板21側の一部を収容し、且つ基板21の厚さ方向に垂直な方向へのSERS素子2の移動を規制する凹部9のみを測定用基板3に設けてもよい。
その場合には、図14の(a)に示されるように、測定用基板3に設けられた凹部9の側面に、押さえ部材4の脚部42が配置されるガイド溝15を更に設けることができる。この構成によれば、脚部42を嵌合孔11に容易に且つ確実に嵌め合わせることができる。なお、この場合には、各脚部42によってSERS素子2を位置決めすることが可能である。また、ガイド溝15が設けられている場合にも、図14の(b)に示されるように、凹部9によってSERS素子2を位置決めすることが可能である。
また、図15に示されるように、測定用基板3上に複数のSERS素子2が配置され、当該SERS素子2のそれぞれの光学機能部20に対応する複数の開口4a(例えば接触部41の内側面41aにより形成される開口)を有する押さえ部材4が測定用基板3に取り付けられていてもよい。このように構成されたSERSユニット1Cによれば、複数の試料についてラマン分光分析を効率よく行うことができる。
また、測定用基板3の材料は、低融点ガラスやセラミック等であってもよい。測定用基板3が低融点ガラスである場合にも、樹脂である場合と同様に、一体成型によって測定用基板3を形成することができる。測定用基板3の材料がセラミックである場合には、例えば焼成によって測定用基板3を形成することができる。その他、SERSユニット1A〜1Cの各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を適用することができる。例えば、環状とは、矩形環状や円環状に限定されず、その他の形状の環状を含む。
さらに、光学機能部20が形成される領域は、基板21の厚さ方向から見てSERS素子2の略中央の領域(第1の領域A1上の領域)に限らない。すなわち、光学機能部20は、SERS素子2の周縁部2aを含む領域(すなわち第2の領域A2上の領域)にもさらに形成されてもよい。
1A,1B…SERSユニット(表面増強ラマン散乱ユニット)、2…SERS素子(表面増強ラマン散乱素子)、2a…周縁部、3…測定用基板、3a…表面、4…押さえ部材、5…凹部(第1の凹部)、6,7…壁部、8…肉抜き部、9…凹部(第2の凹部)、20…光学機能部、41…接触部、41s…内側面、50…ラマン分光分析装置、S…空間。

Claims (9)

  1. 測定時に用いられる測定用基板と、
    基板と、前記基板上に形成され表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部とを有し、前記測定用基板に固定された表面増強ラマン散乱素子と、
    前記表面増強ラマン散乱素子の周縁部に接触して前記表面増強ラマン散乱素子を前記測定用基板側に押さえる環状の接触部を有し、前記測定用基板に固定された押さえ部材と、
    を備える表面増強ラマン散乱ユニット。
  2. 前記押さえ部材は、前記測定用基板に機械的に固定されている、請求項1に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  3. 前記測定用基板の表面には第1の凹部が設けられており、
    前記表面増強ラマン散乱素子及び前記押さえ部材は、前記第1の凹部内に収容されている、請求項1又は2に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  4. 前記押さえ部材の頂部は、前記測定用基板の前記表面と略面一とされている、請求項3に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  5. 前記接触部の内側面は、該内側面によって規定される空間が前記表面増強ラマン散乱素子から離れるにつれて拡大するテーパ状となるように傾斜している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  6. 前記測定用基板には、前記表面増強ラマン散乱素子の少なくとも前記基板側の一部を収容し、且つ前記基板の厚さ方向に垂直な方向への前記表面増強ラマン散乱素子の移動を規制する第2の凹部が設けられている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  7. 前記測定用基板は、樹脂により一体的に形成されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  8. 前記測定用基板には、前記測定用基板の厚さ方向に垂直な方向に延在する壁部が形成されるように肉抜き部が設けられている、請求項7に記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  9. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱ユニットを用意し、前記光学機能部上に試料を配置する第1の工程と、
    前記第1の工程の後に、前記表面増強ラマン散乱ユニットをラマン分光分析装置にセットし、前記光学機能部上に配置された前記試料に励起光を照射して前記試料由来のラマン散乱光を検出することにより、ラマン分光分析を行う第2の工程と、
    を備えるラマン分光分析方法。
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EP13828081.3A EP2884265A4 (en) 2012-08-10 2013-08-09 SURFACE-REINFORCED RAM SPREADING ELEMENT
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106153598A (zh) * 2015-04-23 2016-11-23 北京信智天成科技有限公司 薄片固定装置及快速检测拉曼光谱仪
JP2017003500A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
JP2017009344A (ja) * 2015-06-18 2017-01-12 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
JPWO2014156329A1 (ja) * 2013-03-29 2017-02-16 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びラマン分光分析方法
US9863883B2 (en) 2012-08-10 2018-01-09 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced raman scattering element
US9863884B2 (en) 2012-08-10 2018-01-09 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced Raman scattering element, and method for producing same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018017129A1 (en) * 2016-07-22 2018-01-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Activatable surface enhanced raman spectroscopy sensor stage
GB201704128D0 (en) * 2017-03-15 2017-04-26 Univ Swansea Method and apparatus for use in diagnosis and monitoring of colorectal cancer

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040023046A1 (en) * 1998-08-04 2004-02-05 Falko Schlottig Carrier substrate for Raman spectrometric analysis
JP2007538264A (ja) * 2004-05-19 2007-12-27 ブィピー ホールディング、エルエルシー Sersによる化学基の増強検出のための層状プラズモン構造をもつ光センサ
JP2009103643A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Fujifilm Corp 表面増強ラマン分光装置
US20110166045A1 (en) * 2009-12-01 2011-07-07 Anuj Dhawan Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same
JP2012233707A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Nano Photon Kk 観察試料密閉容器
WO2014025033A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びその使用方法
WO2014156329A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びラマン分光分析方法
JP2014196974A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450251A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Tomoegawa Paper Co Ltd Optical information recording medium
JPH07260646A (ja) 1994-03-17 1995-10-13 Nikon Corp 試料容器
US20030235520A1 (en) * 2002-06-21 2003-12-25 Shea Laurence R. Array assay devices and methods of using the same
US7460224B2 (en) * 2005-12-19 2008-12-02 Opto Trace Technologies, Inc. Arrays of nano structures for surface-enhanced Raman scattering
CN101057132B (zh) 2004-11-04 2012-04-18 雷尼绍诊断有限公司 用于增强的拉曼光谱学的金属纳米孔光子晶体
GB0424458D0 (en) 2004-11-04 2004-12-08 Mesophotonics Ltd Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy
US7245370B2 (en) * 2005-01-06 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanowires for surface-enhanced Raman scattering molecular sensors
JP4491616B2 (ja) * 2005-10-25 2010-06-30 国立大学法人九州大学 ラマン分光分析に用いる分析用基板及び分析用基板組合体
US9267894B2 (en) * 2012-08-10 2016-02-23 Hamamatsu Photonics K.K. Method for making surface enhanced Raman scattering device
US7388661B2 (en) 2006-10-20 2008-06-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanoscale structures, systems, and methods for use in nano-enhanced raman spectroscopy (NERS)
JP2008196992A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 National Institute Of Information & Communication Technology 表面プラズモンの電場増強構造
JP5397577B2 (ja) 2007-03-05 2014-01-22 オムロン株式会社 表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ
JP2008268059A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 St Japan Inc 試料ホルダ
JP4993360B2 (ja) 2007-06-08 2012-08-08 富士フイルム株式会社 微細構造体及びその製造方法、光電場増強デバイス
JP2009047623A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Jiyasuko Eng Kk 透過測定用ホルダ
US20110143332A1 (en) * 2007-11-26 2011-06-16 National Yang-Ming University Method for identifying microorganism or detecting its morphology alteration using surface enhanced raman scattering (sers)
JP2009222507A (ja) 2008-03-14 2009-10-01 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 微量物質検出素子
JP2009236830A (ja) 2008-03-28 2009-10-15 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 被分析物担体、及び、その製造方法
CN101281133B (zh) 2008-05-12 2010-08-18 中国科学院合肥物质科学研究院 具有大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法
US8547549B2 (en) 2008-11-17 2013-10-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Substrate for surface enhanced Raman scattering (SERS)
EP2419733A4 (en) * 2009-04-13 2013-12-25 Univ Leland Stanford Junior METHODS AND DEVICES FOR DETECTING THE PRESENCE OF AN ANALYTE IN A SAMPLE
JP2011021085A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Yokohama Rubber Co Ltd:The 空気入りタイヤ用ゴム組成物
EP2459975A4 (en) * 2009-07-30 2013-10-23 Hewlett Packard Development Co NANODRAHT BASED SYSTEMS FOR RAMAN SPECTROSCOPY
JP2011033518A (ja) 2009-08-04 2011-02-17 Toray Res Center:Kk 表面増強ラマン分光分析方法
US8559003B2 (en) 2009-09-17 2013-10-15 Huei Pei Kuo Electrically driven devices for surface enhanced raman spectroscopy
TWI407092B (zh) * 2009-09-24 2013-09-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 拉曼散射基底及具該拉曼散射基底之檢測系統
JP2011075348A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Nidek Co Ltd 試験片の製造方法
CN101672784B (zh) * 2009-10-22 2011-01-12 郑州大学 一种#字形纳米电磁超介质表面增强拉曼散射衬底
EP2491372B1 (en) 2009-10-23 2021-07-21 Danmarks Tekniske Universitet Surface enhanced raman scattering substrates consumables for raman spectroscopy
EP2494400B1 (en) * 2009-10-28 2021-12-08 Alentic Microscience Inc. Microscopy imaging
JP5544836B2 (ja) 2009-11-19 2014-07-09 オムロン株式会社 表面プラズモン共鳴チップ
US9182338B2 (en) 2010-05-21 2015-11-10 The Trustees Of Princeton University Structures for enhancement of local electric field, light absorption, light radiation, material detection and methods for making and using of the same
WO2012063535A1 (ja) * 2010-11-10 2012-05-18 三菱電機株式会社 識別装置および識別方法
WO2012077756A1 (ja) * 2010-12-08 2012-06-14 公立大学法人大阪府立大学 金属ナノ粒子集積構造体を利用した被検出物質の検出装置および方法
WO2013015810A2 (en) 2011-07-27 2013-01-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Surface enhanced raman spectroscopy employing a nanorod in a surface indentation
JP2014025033A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Sumitomo Rubber Ind Ltd トレッド用ゴム組成物及び空気入りタイヤ
TWI469917B (zh) 2012-08-09 2015-01-21 Nat Univ Tsing Hua 具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置
CN104508466B (zh) * 2012-08-10 2018-07-17 浜松光子学株式会社 表面增强拉曼散射元件
US10551322B2 (en) * 2012-08-10 2020-02-04 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced Raman scattering unit including integrally formed handling board
JP6294797B2 (ja) * 2014-09-10 2018-03-14 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040023046A1 (en) * 1998-08-04 2004-02-05 Falko Schlottig Carrier substrate for Raman spectrometric analysis
JP2007538264A (ja) * 2004-05-19 2007-12-27 ブィピー ホールディング、エルエルシー Sersによる化学基の増強検出のための層状プラズモン構造をもつ光センサ
JP2009103643A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Fujifilm Corp 表面増強ラマン分光装置
US20110166045A1 (en) * 2009-12-01 2011-07-07 Anuj Dhawan Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same
JP2012233707A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Nano Photon Kk 観察試料密閉容器
WO2014025033A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びその使用方法
WO2014156329A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びラマン分光分析方法
JP2014196974A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9863883B2 (en) 2012-08-10 2018-01-09 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced raman scattering element
US9863884B2 (en) 2012-08-10 2018-01-09 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced Raman scattering element, and method for producing same
JPWO2014156329A1 (ja) * 2013-03-29 2017-02-16 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びラマン分光分析方法
US9952158B2 (en) 2013-03-29 2018-04-24 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced raman scattering unit and raman spectroscopic analysis method
US10281404B2 (en) 2013-03-29 2019-05-07 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced raman scattering unit and raman spectroscopic analysis method
CN106153598A (zh) * 2015-04-23 2016-11-23 北京信智天成科技有限公司 薄片固定装置及快速检测拉曼光谱仪
CN106153598B (zh) * 2015-04-23 2024-02-13 北京嘉信怡达科技有限公司 用于快速检测的薄片固定装置及快速检测拉曼光谱仪
JP2017003500A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
JP2017009344A (ja) * 2015-06-18 2017-01-12 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット

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