CN105074436B - 表面增强拉曼散射单元及拉曼光谱分析方法 - Google Patents

表面增强拉曼散射单元及拉曼光谱分析方法 Download PDF

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Abstract

本发明的表面增强拉曼散射单元包括:测定用基板,其于测定时使用;表面增强拉曼散射元件,其具有基板、及形成于上述基板上产生表面增强拉曼散射的光学功能部并固定于上述测定用基板;及按压构件,其包含环状的接触部且固定于上述测定用基板,上述接触部接触上述表面增强拉曼散射元件的周缘部,且向上述测定用基板侧按压上述表面增强拉曼散射元件。

Description

表面增强拉曼散射单元及拉曼光谱分析方法
技术领域
本发明的一个侧面涉及表面增强拉曼散射单元及拉曼光谱分析方法。
背景技术
作为现有的表面增强拉曼散射单元,已知有将包含产生表面增强拉曼散射(SERS:Surface Enhanced Raman Scattering)的光学功能部的表面增强拉曼散射元件固定于载玻片上者(例如,参照非专利文献1)。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1:“Q-SERSTM G1substrate”,[online],Optoscience股份有限公司,[2013年3月21日检索],因特网<URL:http://www.optoscience.com/maker/nanova/pdf/Q-SERS_G1.pdf>
发明内容
[发明所要解决的问题]
在使用如上所述的表面增强拉曼散射单元进行溶液试样的测定的情形时,例如,考虑以包围表面增强拉曼散射元件的方式将环状的间隔件等配置于载玻片上,并在由该间隔件而形成的空间内配置溶液试样。在该情形时,由于由间隔件而形成的空间相对于表面增强拉曼散射元件的光学功能部变大,故而例如有如下情形:因溶液试样的蒸发而浓度变化、或因雾化的溶液试样而产生未意图的散射,从而对测定造成不良影响。为抑制此种不良影响,考虑利用溶液试样填充由间隔件而形成的空间,但在该情形时需要大量的溶液试样。
因此,本发明的一个侧面的目的在于提供一种无需使用大量的试样且可抑制对测定的不良影响的表面增强拉曼散射单元、及使用此种表面增强拉曼散射单元的拉曼光谱分析方法。
[解决问题的技术手段]
本发明的一个侧面的表面增强拉曼散射单元包括:测定用基板,在测定时使用;表面增强拉曼散射元件,具有基板、及形成于基板上产生表面增强拉曼散射的光学功能部,且固定于测定用基板上;及按压构件,其具有环状的接触部且固定于测定用基板,上述接触部接触表面增强拉曼散射元件的周缘部并向测定用基板侧按压表面增强拉曼散射元件。
在该表面增强拉曼散射单元中,按压构件的环状的接触部接触表面增强拉曼散射元件的周缘部,且向测定用基板侧按压表面增强拉曼散射元件。因此,可配置试样的空间由接触部而限制为除周缘部以外的表面增强拉曼散射元件上的空间。因此,可利用相对少量的溶液试样填充该空间。因此,根据该表面增强拉曼散射单元,无需使用大量的试样且可抑制对测定的不良影响。
在本发明的一个侧面的表面增强拉曼散射单元中,按压构件可机械性地固定于测定用基板。例如,在使用接合剂将按压构件固定于测定用基板的情形时,在接合剂硬化时、捆包保管时、及测定时,会因接合剂所含的成分而引起光学功能部的劣化。然而,根据本发明的一个侧面的表面增强拉曼散射单元,由于不使用接合剂,故而可抑制光学功能部的劣化。
在本发明的一个侧面的表面增强拉曼散射单元中,可为在测定用基板的表面设置有第1凹部,表面增强拉曼散射元件及按压构件收纳于第1凹部内。在该情形时,由第1凹部的内侧面保护按压构件,因此可较佳地保持由按压构件的接触部而形成的空间(配置试样的空间)。
在本发明的一个侧面的表面增强拉曼散射单元中,可为按压构件的顶部与测定用基板的表面为大致一个平面。在该情形时,例如,在测定时使用盖时,可由按压构件的顶部与测定用基板的表面稳定地支撑该盖。
在本发明的一个侧面的表面增强拉曼散射单元中,接触部的内侧面倾斜,从而由该内侧面所规定的空间成为随着远离表面增强拉曼散射元件而扩大的锥状。在该情形时,可使激发光向表面增强拉曼散射元件的入射角相对成为广角。另外,可抑制因于按压构件的接触部的光散射而引起的杂散光。
在本发明的一个侧面的表面增强拉曼散射单元中,可为在测定用基板设置有第2凹部,该第2凹部收纳表面增强拉曼散射元件的至少基板侧的一部分,且限制表面增强拉曼散射元件向与基板的厚度方向垂直的方向移动。在该情形时,可将表面增强拉曼散射元件相对于测定用基板定位。进而,可防止表面增强拉曼散射元件相对于测定用基板偏移。
在本发明的一个侧面的表面增强拉曼散射单元中,可为测定用基板由树脂而一体形成。在该情形时,由于不易产生碎屑(chipping),故而可确实地抑制因碎屑片的附着而导致光学功能部劣化。
在本发明的一个侧面的表面增强拉曼散射单元中,可为在测定用基板,以形成沿着与测定用基板的厚度方向垂直的方向延伸的壁部的方式设置有空心部。在该情形时,由于能够防止测定用基板产生翘曲,故而在进行拉曼光谱分析的情形时,将测定用基板配置于拉曼光谱分析装置的平台上时,可将激发光的焦点精度良好地对准光学功能部。
本发明的一个侧面的拉曼光谱分析方法包括:第1步骤,准备上述表面增强拉曼散射单元,将试样配置于光学功能部上;及第2步骤,其在第1步骤之后,将表面增强拉曼散射单元设置于拉曼光谱分析装置,对配置于光学功能部上的试样照射激发光,检测来自试样的拉曼散射光,由此进行拉曼光谱分析。
在该拉曼光谱分析方法中,由于使用上述表面增强拉曼散射单元,故而可精度良好地进行拉曼光谱分析。
[发明的效果]
根据本发明的一个侧面,可提供一种无需使用大量的试样且可抑制对测定的不良影响的表面增强拉曼散射单元、及使用此种表面增强拉曼散射单元的拉曼光谱分析方法。
附图说明
图1是本发明的一个侧面的第1实施方式的表面增强拉曼散射单元的俯视图。
图2是沿着图1的II-II线的剖面图。
图3是图1的表面增强拉曼散射单元的仰视图。
图4是沿着图1的II-II线的放大剖面图。
图5是图1的表面增强拉曼散射单元的光学功能部的SEM照片。
图6是设置有图1的表面增强拉曼散射单元的拉曼光谱分析装置的构成图。
图7是图1的表面增强拉曼散射单元的变化例的放大剖面图。
图8是本发明的一个侧面的第2实施方式的表面增强拉曼散射单元的俯视图。
图9是沿着图8的IX-IX线的放大剖面图。
图10是设置有图8的表面增强拉曼散射单元的拉曼光谱分析装置的构成图。
图11是图8的表面增强拉曼散射单元的变化例的放大剖面图。
图12是图8的表面增强拉曼散射单元的变化例的放大剖面图。
图13是图8的表面增强拉曼散射单元的变化例的放大剖面图。
图14(a)、(b)是图8的表面增强拉曼散射单元的变化例的放大剖面图。
图15是本发明的一个侧面的另一实施方式的表面增强拉曼散射单元的立体图。
具体实施方式
以下,参照附图就本发明的一个侧面的一实施方式进行详细说明。再者,在附图的说明中,有对相同要素彼此或相当的要素彼此相互标注相同符号,并省略重复的说明的情形。
[第1实施方式]
如图1及图2所示,SERS单元(表面增强拉曼散射单元)1A包括:SERS元件(表面增强拉曼散射元件)2;测定用基板3,其在测定时使用且支撑SERS元件2;及按压构件4,其机械性地固定于测定用基板3。再者,所谓“机械性”是指“不利用接合剂等,而利用构件彼此的嵌合”的意思。
在测定用基板3的表面3a,设置有收纳SERS元件2及按压构件4的凹部(第1凹部)5。另一方面,如图3所示,在测定用基板3的背面3b,以形成沿着与测定用基板3的厚度方向垂直的方向延伸的壁部6、7的方式,设置有多个空心部8。作为一例,壁部6沿着测定用基板3的外缘形成环状,壁部7于壁部6的内侧形成格子状。作为一例,测定用基板3形成长方形板状。凹部5及空心部8形成长方体状。此种测定用基板3由树脂(聚丙烯、聚苯乙烯、ABS树脂、聚乙烯、PET、PMMA、硅酮、液晶聚合物等)或陶瓷、玻璃、硅等材质,利用成型、切削、蚀刻等方法而一体形成。
如图4所示,SERS元件2包括基板21、形成于基板21上的成形层22、及形成于成形层22上的导电体层23。作为一例,基板21由硅或玻璃等而形成为矩形板状,且具有数百μm×数百μm~数十mm×数十mm左右的外形及100μm~2mm左右的厚度。
成形层22具有微细构造部24、支撑部25、及框部26。微细构造部24为具有周期性图案的区域,且在成形层22的中央部形成于与基板21为相反侧的表层。在微细构造部24,作为周期性图案的具有数nm~数百nm左右的粗度及高度的多个支柱(pillar)以数十nm~数百nm左右的间距周期性地排列。支撑部25为支撑微细构造部24的区域,且形成于基板21的表面21a。框部26为包围支撑部25的环状的区域,且形成于基板21的表面21a。
作为一例,微细构造部24在自测定用基板3的厚度方向的一侧观察时,具有数百μm×数百μm~数十mm×数十mm左右的矩形状的外形。支撑部25及框部26具有数十nm~数十μm左右的厚度。此种成形层22例如由将配置于基板21上的树脂(丙烯酸系、氟系、环氧系、硅酮系、胺基甲酸酯系、PET、聚碳酸酯或无机有机混合(hybrid)材料等)或低熔点玻璃利用纳米压印法成形,而一体形成。
导电体层23为自微细构造部24遍及至框部26而形成。在微细构造部24,导电体层23到达至在与基板21相反的侧露出的支撑部25的表面。作为一例,导电体层23具有数nm~数μm左右的厚度。此种导电体层23例如由将金属(Au、Ag、Al、Cu或Pt等)等导电体蒸镀于利用纳米压印法形成的成形层22而一体形成。
SERS元件2中,由遍及微细构造部24的表面、以及在与基板21相反的侧露出的支撑部25的表面所形成的导电体层23,而在基板21上形成产生表面增强拉曼散射的光学功能部20。作为参考,示出光学功能部20的SEM照片。图5所示的光学功能部是在具有以特定间距(中心线间距360nm)周期性地排列的多个支柱(直径120nm,高度180nm)的纳米压印树脂制的微细构造部,以膜厚成为50nm的方式蒸镀Au作为导电体层而成的。
如图4所示,在凹部5的底面5a,设置有收纳SERS元件2的基板21侧的一部分的凹部(第2凹部)9。凹部9形成为与SERS元件2的基板21侧的一部分具有互补关系的形状,限制SERS元件2向与基板21的厚度方向垂直的方向移动。再者,SERS元件2利用任意的方法而固定于测定用基板3。例如,SERS元件2既可利用接合剂等而固定于凹部9的内表面,也可由下述按压构件4的接触部41而夹持并固定于其与凹部9的底面之间。
此处,测定用基板3包含在自测定用基板3的厚度方向观察时位于测定用基板3的大致中央的第1区域A1、包围第1区域A1的环状的第2区域A2、进而包围第2区域A2的环状的第3区域A3。凹部5遍及第1区域A1~第3区域A3而设置,凹部9形成于第1区域A1及第2区域A2。因此,SERS元件2位于第1区域A1及第2区域A2上,光学功能部20位于第1区域A1上。
按压构件4自基板21的厚度方向观察时形成环状,且包括:接触部41,其在基板21的厚度方向具有厚度;及脚部42,其自接触部41的4个角部的各个向测定用基板3的背面3b侧延伸。接触部41配置于第2区域A2及第3区域A3上,且在第2区域A2上接触SERS元件2(导电体层23)的周缘部2a的上表面。因此,接触部41在自基板21的厚度方向观察时包围位于第1区域A1上的光学功能部20。
因此,由接触部41的内侧面41s与SERS元件2的表面(导电体层23的表层),而在SERS元件2上形成空间S。该空间S可用作测定时配置试样(例如溶液试样)的槽(腔室)。此处,由于接触部41在第2区域A2上搭在SERS元件2的周缘部2a上并包围光学功能部20,故而在测定时可配置试样的空间被限制为除周缘部2a以外的SERS元件2上的空间(即,第1区域A1上的空间)S。即,接触部41作为限制测定时可配置试样的空间的限制机构而发挥功能。再者,此处由于接触部41的内侧面41s沿着基板21的厚度方向延伸,故而在自与基板21的厚度方向垂直的方向观察时空间S成为长方形状。
在凹部5的底面5a,以与脚部42的各个对应的方式设置有嵌合孔11。各脚部42在接触部41包围光学功能部20且于SERS元件2的周缘部2a接触导电体层23的状态下嵌合于各嵌合孔11。如此,与测定用基板3形成为独立个体的按压构件4机械性地固定于测定用基板3,配置于凹部9的SERS元件2(SERS元件2的周缘部2a)由测定用基板3与按压构件4的接触部41夹持并按压(按压)。再者,嵌合孔11未贯通测定用基板3而具有底部。
作为一例,接触部41在自基板21的厚度方向观察时以外缘及内缘成为矩形状的方式(即,整体成为矩形环状的方式)形成。通过将接触部41形成为矩形环状,可使自基板21的厚度方向观察时的接触部41的宽度大致固定且形成空间S。再者,作为另一例,接触部41也可在自基板21的厚度方向观察时以外缘成为矩形状且内缘成为圆形状的方式形成。若使接触部41的内缘为圆形状,则避免对SERS元件2作用局部的按压力。脚部42及嵌合孔11形成为圆柱状。包含此种接触部41及脚部42的按压构件4是由树脂(聚丙烯、聚苯乙烯、ABS树脂、聚乙烯、PET、PMMA、硅酮、液晶聚合物等)或陶瓷、玻璃、硅等材质,利用成型、切削、蚀刻等方法而一体形成。
进而,SERS单元1A包括具有透光性的盖12。盖12配置于设置在凹部5的开口部的扩宽部13,且覆盖凹部5的开口部。扩宽部13形成为与盖12具有互补关系的形状,限制盖12向与盖12的厚度方向垂直的方向移动。按压构件4的接触部41的表面41a与扩宽部13的底面13a为大致一个平面。由此,盖12不仅由测定用基板3支撑也由按压构件4支撑。作为一例,盖12由玻璃等而形成为矩形板状,且具有18mm×18mm左右的外形及0.15mm左右的厚度。再者,在SERS单元1A的使用前,以将盖12覆盖的方式在测定用基板3贴附暂时固定膜14,以防止盖12自测定用基板3脱落。
其次,就使用SERS单元1A的拉曼光谱分析方法进行说明。此处,如图6所示,在拉曼光谱分析装置50中实施拉曼光谱分析方法,该拉曼光谱分析装置50包括:平台51,其支撑SERS单元1A;光源52,其射出激发光;光学零件53,其进行将激发光照射至光学功能部20所需的准直、滤色、聚光等;光学零件54,其进行将拉曼散射光引导至检测器55所需的准直、滤色等;及检测器55,其检测拉曼散射光。
首先,准备SERS单元1A,自测定用基板3剥离暂时固定膜14,自测定用基板3卸除盖12。继而,在利用按压构件4的接触部41而(限制)形成的空间S,滴下溶液试样(或者,在水或乙醇的溶液中分散粉体的试样而成的试样),由此在光学功能部20上配置溶液试样(第1步骤)。此处,例如可由利用溶液试样填充空间S,而将溶液试样配置于光学功能部20上。继而,为减少透镜效应,将盖12配置于测定用基板3的扩宽部13,使盖12密接于溶液试样。
其后,将测定用基板3配置于平台51上,将SERS单元1A设置于拉曼光谱分析装置50。继而,将自光源52射出且经过光学零件53的激发光,照射至配置于光学功能部20上的溶液试样,由此激发溶液试样。此时,使平台51以激发光的焦点对准光学功能部20的方式移动。由此,在光学功能部20与溶液试样的界面产生表面增强拉曼散射,来自溶液试样的拉曼散射光被增强至例如108倍左右后被释放出。继而,使所释放出的拉曼散射光经过光学零件54而由检测器55检测,由此进行拉曼光谱分析(第2步骤)。
再者,在光学功能部20上配置试样的方法除上述方法以外,也存在如下的方法。例如,也可抓持测定用基板3,将SERS元件2浸渍于溶液试样(或者,在水或乙醇等溶液中分散粉体的试样而成的试样)后提起,进行吹风而使该试样干燥。另外,也可将溶液试样(或者,在水或乙醇等溶液中分散粉体的试样而成的试样)微量滴下至光学功能部20上,使该试样自然干燥。另外,也可使粉体的试样直接分散于光学功能部20上。
其次,就利用SERS单元1A所发挥的效果进行说明。在SERS单元1A中,按压构件4的环状的接触部41接触SERS元件2的周缘部2a且向测定用基板3侧按压SERS元件2。因此,可配置试样的空间由接触部41限制为除周缘部2a以外的SERS元件2上的空间S。因此,可利用相对少量的溶液试样填充该空间S。因此,根据该SERS单元1A,无需使用大量的试样且可抑制对测定的不良影响。
另外,在SERS单元1A中,由于由按压构件4的接触部41限制可配置试样的空间(空间S),故而在将溶液试样滴下至光学功能部20上的情形或使粉体的试样分散于光学功能部20上的情形时,也抑制这些试样配置于光学功能部20以外的区域。
另外,在SERS单元1A中,按压构件4机械性地固定于测定用基板3。因此,例如与使用接合剂将按压构件4固定于测定用基板3的情形相比,可抑制因接合剂所含的成分而导致光学功能部20劣化。再者,于SERS单元1A中,环状的接触部41接触SERS元件2的周缘部2a且按压周缘部2a。因此,在将溶液试样填充至由接触部41而形成的空间S的情形时,该溶液试样也不易自空间S泄漏至外部。因此,即便使用接合剂将按压构件4与测定用基板3固定或将SERS元件2与测定用基板3固定,该接合剂的影响亦相对较小。
另外,在SERS单元1A中,按压构件4的接触部41向测定用基板3侧按压SERS元件2。因此,可谋求将SERS元件2确实地保持于测定用基板3。进而,可防止SERS元件2中形成于基板21上的成形层22及导电体层23自基板21剥离。
另外,在SERS单元1A中,在测定用基板3,形成有收纳SERS元件2及按压构件4的凹部5。因此,由凹部5的内侧面保护按压构件4的接触部41的外侧面,故而较佳地保持由接触部41而形成的空间S。
另外,在SERS单元1A中,在测定用基板3(凹部5的底面5a)设置有凹部9,该凹部9收纳SERS元件2的基板21侧的一部分,且限制SERS元件2向与基板21的厚度方向垂直的方向移动。因此,可将SERS元件2相对于测定用基板3定位。进而,可防止SERS元件2相对于测定用基板3偏移。
另外,在SERS单元1A中,测定用基板3由树脂而一体形成。因此,不易产生碎屑,故而可确实地抑制因碎屑片的附着而导致光学功能部20的劣化。进而,由对测定用基板3的外表面实施压纹加工、或者测定用基板3的材料使用光吸收色的树脂,可抑制于拉曼光谱分析时产生杂散光。
进而,在SERS单元1A中,在测定用基板3,以形成沿着与测定用基板3的厚度方向垂直的方向延伸的壁部6、7的方式设置有多个空心部8。由此,防止测定用基板3产生翘曲,故而在进行拉曼光谱分析的情形时,将测定用基板3配置于拉曼光谱分析装置50的平台51上时,可将激发光的焦点精度良好地对准光学功能部20。
再者,即便假设溶液试样渗出至由接触部41而形成的空间S的外侧的区域,也由于设置于测定用基板3的凹部5的底面5a的嵌合孔11具有底部,故而可防止溶液试样渗出至凹部5的外侧。
其次,就SERS单元1A的变化例进行说明。如图7所示,在SERS单元1A中,也可在测定用基板3的表面3a设置凹部5,并且在凹部5的底面5a未设置凹部9。在该情形时,SERS元件2及按压构件4收纳于凹部5内,SERS元件2配置于凹部5的底面5a上。另外,按压构件4的顶部(接触部41的表面41a)与测定用基板3的表面3a为大致一个平面。
根据该构成,由凹部5的内侧面保护按压构件4的接触部41的外侧面,因此较佳地保持由接触部41而形成的空间S。另外,可由按压构件4的顶部(接触部41的表面41a)与测定用基板3的表面3a稳定地支撑盖12。
[第2实施方式]
如图8及图9所示,SERS单元1B在如下所述方面与上述SERS单元1A不同,即,在测定用基板3未设置凹部5(及凹部9)。在SERS单元1B中,SERS元件2配置于测定用基板3的表面3a上并固定于测定用基板3(SERS元件2的基板21的下表面抵接于测定用基板3的表面3a)。另外,在测定用基板3的表面3a,以与脚部42的各个对应的方式设置有嵌合孔11。各脚部42在接触部41包围光学功能部20且在SERS元件2的周缘部2a接触导电体层23的状态下嵌合于各嵌合孔11。
即,在SERS单元1B中,也为按压构件4机械性地固定于测定用基板3,配置于测定用基板3的表面3a上的SERS元件2(SERS元件2的周缘部2a)由测定用基板3与按压构件4的接触部41夹持并压紧(按压)。再者,在该情形时,嵌合孔11也未贯通测定用基板3而具有底部。另外,在自基板21的厚度方向观察时,盖12形成为与按压构件4的接触部41的外形大致相同的外形,且仅由接触部41的表面41a(按压构件4的顶部)支撑。
在以如上方式构成的SERS单元1B中,也与上述SERS单元1A同样地,按压构件4的环状的接触部41接触SERS元件2的周缘部2a且向测定用基板3侧按压SERS元件2。因此,可配置试样的空间由接触部41限制为除周缘部2a以外的SERS元件2上的空间S。因此,可利用相对少量的溶液试样填充该空间S。因此,根据该SERS单元1B,也无需使用大量的试样且可抑制对测定的不良影响。
另外,在SERS单元1B中,SERS元件2配置于测定用基板3的表面3a上,且在测定用基板3未设置凹部5。因此,可抑制测定用基板3的强度的降低。进而,由于在测定用基板3未设置收纳SERS元件2及按压构件4的空间(凹部5等),故而可使测定用基板3相对较薄地构成而减少材料费。
另外,在SERS单元1B中,如图10所示,在进行拉曼光谱分析的情形时,将SERS单元1B设置于拉曼光谱分析装置50的按压机构56并使接触部41抵接于拉曼光谱分析装置50的保持器57时,可将接触部41用作用以将激发光的焦点对准光学功能部20的间隔件。此时,由接触部41也防止因物理接触而引起光学功能部20的破损。
其次,就SERS单元1B的变化例进行说明。如图11所示,在SERS单元1B中,也可在按压构件4的各脚部42形成止动部42a。根据该构成,通过将脚部42嵌入嵌合孔11直至止动部42a接触测定用基板3为止,从而由接触部41的接触而作用于SERS元件2的按压力大致固定,因此可避免该按压力过度地作用于SERS元件2。
另外,如图12所示,在SERS单元1B中,按压构件4的接触部41的内侧面41s可以设为倾斜,从而由该内侧面41s所规定(形成)的空间S成为随着远离SERS元件2而扩大的锥状。在该情形时,在自与基板21的厚度方向垂直的方向观察时,根据接触部41的空间S成为梯形形状。根据该构成,在拉曼光谱分析时,可使激发光向SERS元件2的入射角相对成为广角。另外,可抑制因于按压构件4的接触部41的光散射而引起的杂散光。
以上的实施方式为就本发明的一个侧面的一实施方式进行说明者。因此,本发明的一个侧面并不限定于上述实施方式。本发明的一个侧面可为在不变更各技术方案的主旨的范围内任意地变更上述实施方式而成者。
例如,在SERS单元1B中,如图13所示,也可不设置收纳SERS元件2及按压构件4的凹部5,而在测定用基板3仅设置凹部9,该凹部9收纳SERS元件2的基板21侧的一部分,且限制SERS元件2向与基板21的厚度方向垂直的方向移动。
在该情形时,如图14(a)所示,可在设置在测定用基板3的凹部9的侧面,进而设置配置按压构件4的脚部42的导引槽15。根据该构成,可将脚部42容易且确实地嵌合于嵌合孔11。再者,在该情形时,可由各脚部42而将SERS元件2定位。另外,在设置有导引槽15的情形时,也可如图14(b)所示,由凹部9而将SERS元件2定位。
另外,如图15所示,也可在测定用基板3上配置多个SERS元件2,将具有与该SERS元件2的各个的光学功能部20对应的多个开口4a(例如由接触部41的内侧面41a而形成的开口)的按压构件4安装于测定用基板3。根据如此构成的SERS单元1C,可对多个试样效率良好地进行拉曼光谱分析。
另外,测定用基板3的材料也可为低熔点玻璃或陶瓷等。在测定用基板3为低熔点玻璃的情形时,也与树脂的情形同样地,可由一体成型而形成测定用基板3。在测定用基板3的材料为陶瓷的情形时,例如可由煅烧而形成测定用基板3。此外,SERS单元1A~1C的各构成的材料及形状并不限于上述材料及形状,可应用各种材料及形状。例如,所谓环状并不限定于矩形环状或圆环状,包含其他形状的环状。
进而,形成光学功能部20的区域并不限于自基板21的厚度方向观察时的SERS元件2的大致中央的区域(第1区域A1上的区域)。即,光学功能部20也可进而形成于包含SERS元件2的周缘部2a的区域(即,第2区域A2上的区域)。
进而,在上述实施方式中,微细构造部24形成于成形层22的与基板21为相反侧的表层。然而,微细构造部24的形成态样并不限定于此。例如,微细构造部24也可不介有成形层22(支撑部25),而直接形成于基板21的表面21a。在该情形时,例如可将导电体层23形成于基板21的表面21a及微细构造部24上。
[产业上的可利用性]
根据本发明的一个侧面,可提供一种无需使用大量的试样且可抑制对测定的不良影响的表面增强拉曼散射单元、及使用此种表面增强拉曼散射单元的拉曼光谱分析方法。
符号说明
1A、1B SERS单元(表面增强拉曼散射单元)
2 SERS元件(表面增强拉曼散射元件)
2a 周缘部
3 测定用基板
3a 表面
4 按压构件
5 凹部(第1凹部)
6、7 壁部
8 空心部
9 凹部(第2凹部)
20 光学功能部
41 接触部
41s 内侧面
50 拉曼光谱分析装置
S 空间

Claims (18)

1.一种表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
具备:
测定用基板,在测定时使用;
表面增强拉曼散射元件,具有基板、及形成于所述基板上并产生表面增强拉曼散射的光学功能部,且固定于所述测定用基板上;及
按压构件,其具有环状的接触部且固定于所述测定用基板,所述接触部接触所述表面增强拉曼散射元件的周缘部并向所述测定用基板侧按压所述表面增强拉曼散射元件,
所述测定用基板由树脂形成,
所述表面增强拉曼散射元件的所述基板的下表面的全体抵接于所述测定用基板的表面,
在所述按压构件,通过内侧面形成有开口,所述光学功能部通过该开口而露出至所述按压构件的外部。
2.如权利要求1所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述按压构件机械性地固定于所述测定用基板。
3.如权利要求1所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
在所述测定用基板的表面设置有第1凹部,
所述表面增强拉曼散射元件及所述按压构件,收纳于所述第1凹部内。
4.如权利要求2所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
在所述测定用基板的表面设置有第1凹部,
所述表面增强拉曼散射元件及所述按压构件,收纳于所述第1凹部内。
5.如权利要求3所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述按压构件的顶部与所述测定用基板的所述表面为大致一个面。
6.如权利要求4所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述按压构件的顶部与所述测定用基板的所述表面为大致一个面。
7.如权利要求1至6中任一项所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述接触部的内侧面倾斜,从而由该内侧面规定的空间成为随着远离所述表面增强拉曼散射元件而扩大的锥状。
8.如权利要求1至6中任一项所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
在所述测定用基板设置有第2凹部,该第2凹部收纳所述表面增强拉曼散射元件的至少所述基板侧的一部分,且限制所述表面增强拉曼散射元件向与所述基板的厚度方向垂直的方向的移动。
9.如权利要求7所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
在所述测定用基板设置有第2凹部,该第2凹部收纳所述表面增强拉曼散射元件的至少所述基板侧的一部分,且限制所述表面增强拉曼散射元件向与所述基板的厚度方向垂直的方向的移动。
10.如权利要求1至6中任一项所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述测定用基板由树脂一体成形。
11.如权利要求7所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述测定用基板由树脂一体成形。
12.如权利要求8所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述测定用基板由树脂一体成形。
13.如权利要求9所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述测定用基板由树脂一体成形。
14.如权利要求10所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述测定用基板中,以形成沿着与所述测定用基板的厚度方向垂直的方向延伸的壁部的方式设置有空心部。
15.如权利要求11所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述测定用基板中,以形成沿着与所述测定用基板的厚度方向垂直的方向延伸的壁部的方式设置有空心部。
16.如权利要求12所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述测定用基板中,以形成沿着与所述测定用基板的厚度方向垂直的方向延伸的壁部的方式设置有空心部。
17.如权利要求13所述的表面增强拉曼散射单元,其特征在于,
所述测定用基板中,以形成沿着与所述测定用基板的厚度方向垂直的方向延伸的壁部的方式设置有空心部。
18.一种拉曼光谱分析方法,其包括:
第1步骤,准备如权利要求1至17中任一项所述的表面增强拉曼散射单元,在所述光学功能部上配置试样;及
第2步骤,在所述第1步骤之后,将所述表面增强拉曼散射单元设置于拉曼光谱分析装置,对配置于所述光学功能部上的所述试样照射激发光,检测来自所述试样的拉曼散射光,由此进行拉曼光谱分析。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104520696B (zh) 2012-08-10 2018-01-12 浜松光子学株式会社 表面增强拉曼散射元件及其制造方法
US9863883B2 (en) 2012-08-10 2018-01-09 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced raman scattering element
JP6230596B2 (ja) * 2013-03-29 2017-11-15 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びラマン分光分析方法
CN106153598B (zh) * 2015-04-23 2024-02-13 北京嘉信怡达科技有限公司 用于快速检测的薄片固定装置及快速检测拉曼光谱仪
JP6441172B2 (ja) * 2015-06-12 2018-12-19 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
JP6441174B2 (ja) * 2015-06-18 2018-12-19 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
CN109073558B (zh) 2016-07-22 2021-02-12 惠普发展公司,有限责任合伙企业 可激活的表面增强拉曼光谱传感器平台
GB201704128D0 (en) * 2017-03-15 2017-04-26 Univ Swansea Method and apparatus for use in diagnosis and monitoring of colorectal cancer

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1374989A2 (en) * 2002-06-21 2004-01-02 Agilent Technologies, Inc. Array assay devices and methods of using the same
CN101672784A (zh) * 2009-10-22 2010-03-17 郑州大学 一种#字形纳米电磁超介质表面增强拉曼散射衬底
CN102472665A (zh) * 2009-07-30 2012-05-23 惠普开发有限公司 用于进行拉曼光谱学的基于纳米线的系统

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450251A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Tomoegawa Paper Co Ltd Optical information recording medium
JPH07260646A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Nikon Corp 試料容器
US20040023046A1 (en) * 1998-08-04 2004-02-05 Falko Schlottig Carrier substrate for Raman spectrometric analysis
US7460224B2 (en) * 2005-12-19 2008-12-02 Opto Trace Technologies, Inc. Arrays of nano structures for surface-enhanced Raman scattering
KR101168654B1 (ko) * 2004-05-19 2012-07-25 브이피 호울딩 엘엘씨 표면 증강 라만 산란에 의한 화학기의 증강된 검출을 위한 층상의 플라즈몬 구조를 가진 광센서
GB0424458D0 (en) 2004-11-04 2004-12-08 Mesophotonics Ltd Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy
CN101057132B (zh) 2004-11-04 2012-04-18 雷尼绍诊断有限公司 用于增强的拉曼光谱学的金属纳米孔光子晶体
US7245370B2 (en) * 2005-01-06 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanowires for surface-enhanced Raman scattering molecular sensors
EP1950556A4 (en) * 2005-10-25 2014-07-02 Univ Kyushu Nat Univ Corp ANALYSIS SUBSTRATE FOR USE IN RAMAN SPECTROSCOPY ANALYSIS AND ANALYSIS SUBSTRATE CONSTRUCTION
US9267894B2 (en) * 2012-08-10 2016-02-23 Hamamatsu Photonics K.K. Method for making surface enhanced Raman scattering device
US7388661B2 (en) 2006-10-20 2008-06-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanoscale structures, systems, and methods for use in nano-enhanced raman spectroscopy (NERS)
JP2008196992A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 National Institute Of Information & Communication Technology 表面プラズモンの電場増強構造
JP5397577B2 (ja) 2007-03-05 2014-01-22 オムロン株式会社 表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ
JP2008268059A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 St Japan Inc 試料ホルダ
JP4993360B2 (ja) 2007-06-08 2012-08-08 富士フイルム株式会社 微細構造体及びその製造方法、光電場増強デバイス
JP2009047623A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Jiyasuko Eng Kk 透過測定用ホルダ
JP2009103643A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Fujifilm Corp 表面増強ラマン分光装置
US20110143332A1 (en) 2007-11-26 2011-06-16 National Yang-Ming University Method for identifying microorganism or detecting its morphology alteration using surface enhanced raman scattering (sers)
JP2009222507A (ja) 2008-03-14 2009-10-01 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 微量物質検出素子
JP2009236830A (ja) 2008-03-28 2009-10-15 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 被分析物担体、及び、その製造方法
CN101281133B (zh) 2008-05-12 2010-08-18 中国科学院合肥物质科学研究院 具有大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法
KR20110097834A (ko) 2008-11-17 2011-08-31 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 표면 증강 라만 산란을 위한 기판
JP2012523576A (ja) * 2009-04-13 2012-10-04 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 試料中の分析物の存在を検出するための方法および装置
JP2011021085A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Yokohama Rubber Co Ltd:The 空気入りタイヤ用ゴム組成物
JP2011033518A (ja) 2009-08-04 2011-02-17 Toray Res Center:Kk 表面増強ラマン分光分析方法
EP2478343A1 (en) 2009-09-17 2012-07-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electrically driven devices for surface enhanced raman spectroscopy
TWI407092B (zh) 2009-09-24 2013-09-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 拉曼散射基底及具該拉曼散射基底之檢測系統
JP2011075348A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Nidek Co Ltd 試験片の製造方法
US8767202B2 (en) 2009-10-23 2014-07-01 Danmarks Tekniske Universitet SERS substrate and a method of providing a SERS substrate
US9041790B2 (en) * 2009-10-28 2015-05-26 Alentic Microscience Inc. Microscopy imaging
JP5544836B2 (ja) 2009-11-19 2014-07-09 オムロン株式会社 表面プラズモン共鳴チップ
US20110166045A1 (en) * 2009-12-01 2011-07-07 Anuj Dhawan Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same
WO2012024006A2 (en) 2010-05-21 2012-02-23 Princeton University Structures for enhancement of local electric field, light absorption, light radiation, material detection and methods for making and using of the same
JP5611364B2 (ja) * 2010-11-10 2014-10-22 三菱電機株式会社 識別装置および識別方法
JP5822239B2 (ja) * 2010-12-08 2015-11-24 公立大学法人大阪府立大学 金属ナノ粒子集積構造体を利用した被検出物質の検出装置および方法
JP5779963B2 (ja) * 2011-04-28 2015-09-16 ナノフォトン株式会社 観察試料密閉容器
WO2013015810A2 (en) 2011-07-27 2013-01-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Surface enhanced raman spectroscopy employing a nanorod in a surface indentation
JP2014025033A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Sumitomo Rubber Ind Ltd トレッド用ゴム組成物及び空気入りタイヤ
TWI469917B (zh) 2012-08-09 2015-01-21 Nat Univ Tsing Hua 具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置
CN104520694B (zh) * 2012-08-10 2018-05-15 浜松光子学株式会社 表面增强拉曼散射单元及其使用方法
JP6080648B2 (ja) * 2013-03-29 2017-02-15 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
WO2014025034A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
US9863883B2 (en) * 2012-08-10 2018-01-09 Hamamatsu Photonics K.K. Surface-enhanced raman scattering element
JP6230596B2 (ja) * 2013-03-29 2017-11-15 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット及びラマン分光分析方法
JP6294797B2 (ja) * 2014-09-10 2018-03-14 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1374989A2 (en) * 2002-06-21 2004-01-02 Agilent Technologies, Inc. Array assay devices and methods of using the same
CN102472665A (zh) * 2009-07-30 2012-05-23 惠普开发有限公司 用于进行拉曼光谱学的基于纳米线的系统
CN101672784A (zh) * 2009-10-22 2010-03-17 郑州大学 一种#字形纳米电磁超介质表面增强拉曼散射衬底

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