JP2015169871A - 画像形成装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 近接帯電方式の帯電手段によって負帯電を行った場合にも高い耐摩耗性を有する電子写真感光体を備え、形成される画像に高い画像安定性が得られる画像形成装置の提供。【解決手段】 電子写真感光体と、これの表面を負帯電させる近接帯電方式の帯電手段と、電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光手段と、静電潜像をトナーによって現像する現像手段と、トナー像を転写材に転写する転写手段と、トナー像を転写材上に定着させる定着手段と、電子写真感光体上の残留トナーを除去するクリーニング手段とを備え、電子写真感光体が、導電性支持体上に感光層が形成され、感光層上に保護層が形成されてなり、電子写真感光体を構成する保護層が、バインダー樹脂中にP型半導体粒子および絶縁性の架橋重合体よりなる架橋樹脂粒子が含有されてなるものであることを特徴とする。【選択図】 図1

Description

本発明は、電子写真感光体を備えた画像形成装置に関するものである。
電子写真方式の複写機やプリンターなどの画像形成装置を構成する電子写真感光体(以下、単に「感光体」ともいう。)においては、長寿命であることや、形成される画像の画質安定性が求められている。感光体においては、感光体表面の摩耗に伴って感光体の寿命が決定され、また、感光体表面の摩耗によって形成される微小な傷や減耗ムラによって画質劣化が引き起こされる。
近年、耐摩耗性、耐傷性および環境安定性に優れて長寿命化が図られる感光体として、導電性支持体上に有機感光層が積層され、さらに当該有機感光層上に硬化樹脂による保護層が形成された有機感光体が開発されている。
一方、従来、電子写真方式の画像形成装置に搭載される帯電手段としては、スコロトロン帯電器のようなコロナ放電現象を利用したものが多用されてきたが、コロナ放電現象を利用した帯電手段を用いる場合には、画像形成プロセスにおいてオゾンや窒素酸化物が発生してしまう、という問題がある。これに対して、最近、導電性の帯電ローラを感光体に近接または接触させて感光体の帯電を行う近接帯電方式の帯電手段を用いた場合には、オゾンや窒素酸化物の発生量を大幅に少なくすることができ、画像形成装置の小型化を図ることも容易であるなどの理由から、近接帯電方式の帯電手段が注目されている。
しかしながら、近接帯電方式の帯電手段を採用した画像形成装置においては、感光体表面に直接放電するために表面の劣化速度が速く、従ってスコロトロン帯電器のような非近接帯電方式のものを用いた場合と比較して感光体の摩耗が速く、その結果、クリーニング不良やトナーフィルミングなどが発生して、形成される画像に濃度ムラやスジとして現れてしまう、という問題がある。
従来の非近接帯電方式の帯電手段を採用した画像形成装置に搭載される感光体においては、耐摩耗性を向上させるために、例えば、感光体の保護層に強度が高い導電性フィラーを添加することや、ラジカル重合性基を有する電荷輸送剤をバインダー樹脂を形成するための多官能ラジカル重合性化合物と共に硬化処理することによってバインダー樹脂中に結合させることなどが行われている(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、上記のような導電性フィラーが保護層に添加された感光体を搭載した画像形成装置において近接帯電方式の帯電手段を採用した場合には、当該保護層の摩耗が誘発されることが判明した。これは、導電性フィラーに対して帯電手段からの放電が集中し、この放電による電子が保護層の内部に流れてしまうことによって、保護層の表面が摩耗するものと考えられる。
また、ラジカル重合性基を有する電荷輸送剤が硬化樹脂中に結合された感光体においては、摩耗による感光体の表面のリフレッシュの度合いが少なくなるために、保護層の表層において帯電手段からの放電によって劣化した電荷輸送剤が当該保護層の表層に残ったままとなり、画像安定性に問題が生じてしまう。
また、従来の非近接帯電方式の帯電手段を採用した画像形成装置に搭載される感光体においては、耐摩耗性および画像安定性を向上させるために、例えば、保護層にP型半導体粒子を含有させることが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、上記のようなP型半導体粒子が保護層に添加された感光体も、これを搭載した画像形成装置において近接帯電方式の帯電手段を採用した場合には、当該保護層の摩耗が誘発されることが判明した。
特開2008−233206号公報 特開2013−130603号公報
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、近接帯電方式の帯電手段によって負帯電を行った場合にも高い耐摩耗性を有する電子写真感光体を備え、形成される画像に高い画像安定性が得られる画像形成装置を提供することにある。
本発明の画像形成装置は、電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を負帯電させる近接帯電方式の帯電手段と、当該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光手段と、前記静電潜像をトナーによって現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を転写材に転写する転写手段と、前記転写材に転写されたトナー像を転写材上に定着させる定着手段と、電子写真感光体上の残留トナーを除去するクリーニング手段とを備え、
前記電子写真感光体が、導電性支持体上に感光層が形成され、当該感光層上に保護層が形成されてなり、
当該電子写真感光体を構成する保護層が、バインダー樹脂中にP型半導体粒子および絶縁性の架橋重合体よりなる架橋樹脂粒子が含有されてなるものであることを特徴とする。
本発明の画像形成装置においては、前記P型半導体粒子が、下記一般式(1)で表される化合物からなるものであることが好ましい。
一般式(1):CuMO2
〔式中、Mは、周期表の第13族の元素を表す。〕
本発明の画像形成装置においては、前記架橋樹脂粒子が、シリコーン樹脂粒子、メラミン−ホルムアルデヒド縮合樹脂粒子、ポリメタクリル酸メチルを含む架橋重合体による粒子のいずれかであることが好ましい。
本発明の画像形成装置においては、前記架橋樹脂粒子の数平均一次粒径Aの、前記P型半導体粒子の数平均一次粒径Bに対する大きさA/Bが、下記関係式(2)を満たすことが好ましい。
関係式(2):2≦A/B≦10
本発明の画像形成装置においては、前記電子写真感光体の保護層を構成するバインダー樹脂が、2個以上のラジカル重合性官能基を有する化合物を光重合反応することによって得られる硬化樹脂であることが好ましい。
本発明の画像形成装置によれば、バインダー樹脂中にP型半導体粒子および絶縁性の架橋重合体よりなる架橋樹脂粒子が含有された保護層を有する感光体を備えていることにより、近接帯電方式の帯電手段によって負帯電を行った場合にも感光体に高い耐摩耗性が得られ、その結果、形成される画像に高い画像安定性が得られる。
本発明の画像形成装置の構成の一例を示す説明用断面図である。 本発明の画像形成装置を構成する電子写真感光体の層構成の一例を示す部分断面図である。 図1に示す画像形成装置における帯電ローラの構成の一例を示す説明用断面図である。 図2の電子写真感光体の保護層を拡大して示す部分断面図である。
以下、本発明について具体的に説明する。
〔画像形成装置〕
本発明の画像形成装置においては、感光体の表面を負帯電させる近接帯電方式の帯電手段が用いられる。このような画像形成装置においては、帯電手段である帯電ローラが感光体に接触して設けられる構成であっても近接して設けられる構成であってもよい。
図1は、本発明の画像形成装置の構成の一例を示す説明用断面図である。
この画像形成装置は、静電潜像担持体であるドラム状の感光体10と、トナーと同極性のコロナ放電などによって当該感光体10の表面を一様な負帯電させる帯電ローラ11およびこれを清掃する清掃ローラ15を備える帯電手段と、一様に帯電された感光体10の表面上にポリゴンミラーなどによって画像データに基づいて像露光を行うことにより静電潜像を形成させる露光手段12と、回転される現像スリーブ13aを備え、これの上に保持されたトナーを感光体10の表面に搬送して前記静電潜像を顕像化してトナー像を形成する現像手段13と、当該トナー像を必要に応じて転写材Pに転写する転写手段14と、転写材P上のトナー像を定着させる定着手段17と、感光体10上の残留トナーを除去するクリーニングブレード18aを有するクリーニング手段18とを有するものである。
〔感光体〕
本発明の画像形成装置を構成する感光体は、導電性支持体上に有機感光層および保護層がこの順に積層されてなる有機感光体であって、具体的には下記(1)および(2)に示すような層構成が挙げられる。
(1)導電性支持体上に、中間層、有機感光層として電荷発生層および電荷輸送層、並びに保護層がこの順に積層されてなる層構成。
(2)導電性支持体上に、中間層、有機感光層として電荷発生物質および電荷輸送物質を含む単層、並びに保護層がこの順に積層されてなる層構成。
本発明において、有機感光体とは、電子写真感光体の構成に必要不可欠な電荷発生機能および電荷輸送機能の少なくとも一方の機能が有機化合物により発揮されて構成されるものをいい、公知の有機電荷発生物質または有機電荷輸送物質から構成される有機感光層を有する感光体、電荷発生機能と電荷輸送機能とが高分子錯体により構成される有機感光層を有するものなど公知の有機感光体全てを含むものをいう。
以下、感光体が上記(1)の層構成である場合について具体的に説明する。
上記(1)の層構成を有する感光体としては、例えば、図2に示されるように、導電性支持体10a上に、中間層10b、電荷発生層10c、電荷輸送層10dおよび保護層10eがこの順に積層されて感光体1が形成されてなり、電荷発生層10cおよび電荷輸送層10dから有機感光体の構成に必要不可欠な有機感光層10fが構成されている。保護層10e中には、架橋樹脂粒子10eAとP型半導体粒子10eBとが含有されている(図4参照。)。
〔保護層10e〕
本発明に係る感光体を構成する保護層は、バインダー樹脂中にP型半導体粒子および絶縁性の架橋重合体よりなる架橋樹脂粒子が含有されてなるものである。
本発明の画像形成装置によれば、バインダー樹脂中にP型半導体粒子および架橋樹脂粒子が含有された保護層を有する感光体を備えていることにより、近接帯電方式の帯電手段によって負帯電を行った場合にも感光体に高い耐摩耗性が得られ、その結果、形成される画像に高い画像安定性が得られる。
これは、まず、P型半導体粒子の粉体抵抗は一般的な導電性フィラーに比べて高いことから、導電性フィラーが含有された従来の保護層と比較して保護層の内部に流れる電子量を減らすことができ、さらに、当該保護層にP型半導体粒子および架橋樹脂粒子が共存されていることにより、感光体の表面における帯電ローラからの放電点が減少され、従って、当該保護層の内部に流れる電子量がさらに減少されたことによるものと考えられる。
〔P型半導体粒子10eB〕
P型半導体粒子は、電荷を輸送するキャリアが正孔(ホール)である半導体粒子であって、画像安定性に寄与するものである。
本発明においては、P型半導体粒子として、下記一般式(1)で表される化合物からなるものが用いられることが好ましい。
一般式(1):CuMO2
〔式中、Mは、周期表の第13族の元素を表す。〕
周期表の第13族の元素としては、具体的には、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Tl)が挙げられ、本発明においては、アルミニウム、ガリウムまたはインジウムであることが好ましい。
本発明において、一般式(1)で表される化合物としては、例えば、CuAlO2 、CuGaO2 、CuInO2 が好ましく挙げられる。
P型半導体粒子の数平均一次粒径は、0.02〜0.1μmであることが好ましく、より好ましくは0.05〜0.1μmである。
P型半導体粒子の数平均一次粒径は、「JEM−2000FX」(日本電子(株)製)により、加速電圧80kVにて50,000倍で撮影し、写真画像をスキャナーにより取り込み、画像処理解析装置「LUZEX(登録商標) AP」((株)ニレコ製)を用いて、写真画像の粒子について2値化処理し、P型半導体粒子の任意の100個についての水平方向フェレ径を測定し、その平均値として算出する。ここで、水平方向フェレ径とは、P型半導体粒子の画像を2値化処理したときの外接長方形の、x軸に平行な辺の長さをいう。
P型半導体粒子は、例えばプラズマ法などを用いて生成することができる。プラズマ法としては、直流プラズマアーク法、高周波プラズマ法、プラズマジェット法などの方法が挙げられる。
直流プラズマアーク法においては、金属合金を消費アノード電極とし、カソード電極からプラズマフレームを発生させて、アノード電極側の金属合金を加熱、蒸発させ、金属合金の蒸気を酸化、冷却することにより、P型半導体粒子を得ることができる。
高周波プラズマ法においては、大気圧力下でガスを高周波誘導放電によって加熱したときに発生する熱プラズマを利用する。このうちプラズマ蒸発法では、不活性ガスプラズマ中心に固粒子を注入し、プラズマ中を通過する間に蒸発させ、この高温蒸気を急冷凝縮することによりP型半導体粒子を生成することができる。
プラズマ法においては、不活性ガスのアルゴン、および、2原子分子ガスである水素や窒素、酸素雰囲気中でアーク放電することによってアルゴンプラズマ、水素(窒素、酸素)プラズマなどが得られる。水素(窒素、酸素)プラズマは不活性ガスに比べて極めて反応性に富んでいるので、不活性ガスのプラズマと区別して反応性アークプラズマと呼ばれている。
P型半導体粒子を生成する方法としては、反応性アークプラズマのうち酸素プラズマを用いたプラズマ法を好適に用いることができる。
P型半導体粒子は、バインダー樹脂100質量部に対して20〜200質量部の割合で含有されることが好ましく、より好ましくは50〜150質量部である。
P型半導体粒子の含有割合がバインダー樹脂100質量部に対して20質量部以上であることにより、保護層に電荷輸送能が確実に得られる。一方、P型半導体粒子の含有割合がバインダー樹脂100質量部に対して200質量部以下であることにより、保護層を形成するときに塗布膜の形成が阻害されることを防止することができる。
〔表面処理されたP型半導体粒子〕
保護層に含有されるP型半導体粒子は、分散性の観点から表面処理剤で表面処理されたものであることが好ましく、さらに反応性有機基を有する表面処理剤で表面処理されたものであることがより好ましい。
表面処理剤としては、処理前のP型半導体粒子の表面に存在するヒドロキシ基などと反応する表面処理剤を用いることが好ましく、これらの表面処理剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤などが挙げられる。
また、本発明においては、保護層の硬度をさらに高める目的で、反応性有機基を有する表面処理剤を用いることが好ましく、反応性有機基がラジカル重合性反応基であるものを用いることがより好ましい。ラジカル重合性反応基を有する表面処理剤を用いることにより、保護層用バインダー樹脂が下記の重合性化合物による硬化樹脂である場合に当該重合性化合物とも反応するために強固な保護膜を形成することができる。
ラジカル重合性反応基を有する表面処理剤としては、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するシランカップリング剤を用いることが好ましく、このようなラジカル重合性反応基を有する表面処理剤としては、下記に記すような公知の化合物が例示される。
アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するシランカップリング剤としては、下記に記すような化合物が例示される。
S−1:CH2 =CHSi(CH3 )(OCH3 2
S−2:CH2 =CHSi(OCH3 3
S−3:CH2 =CHSiCl3
S−4:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(CH3 )(OCH3 2
S−5:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(OCH3 3
S−6:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(OC2 5 )(OCH3 2
S−7:CH2 =CHCOO(CH2 3 Si(OCH3 3
S−8:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(CH3 )Cl2
S−9:CH2 =CHCOO(CH2 2 SiCl3
S−10:CH2 =CHCOO(CH2 3 Si(CH3 )Cl2
S−11:CH2 =CHCOO(CH2 3 SiCl3
S−12:CH2 =C(CH3 )COO(CH2 2 Si(CH3 )(OCH3 2
S−13:CH2 =C(CH3 )COO(CH2 2 Si(OCH3 3
S−14:CH2 =C(CH3 )COO(CH2 3 Si(CH3 )(OCH3 2
S−15:CH2 =C(CH3 )COO(CH2 3 Si(OCH3 3
S−16:CH2 =C(CH3 )COO(CH2 2 Si(CH3 )Cl2
S−17:CH2 =C(CH3 )COO(CH2 2 SiCl3
S−18:CH2 =C(CH3 )COO(CH2 3 Si(CH3 )Cl2
S−19:CH2 =C(CH3 )COO(CH2 3 SiCl3
S−20:CH2 =CHSi(C2 5 )(OCH3 2
S−21:CH2 =C(CH3 )Si(OCH3 3
S−22:CH2 =C(CH3 )Si(OC2 5 3
S−23:CH2 =CHSi(OCH3 3
S−24:CH2 =C(CH3 )Si(CH3 )(OCH3 2
S−25:CH2 =CHSi(CH3 )Cl2
S−26:CH2 =CHCOOSi(OCH3 3
S−27:CH2 =CHCOOSi(OC2 5 3
S−28:CH2 =C(CH3 )COOSi(OCH3 3
S−29:CH2 =C(CH3 )COOSi(OC2 5 3
S−30:CH2 =C(CH3 )COO(CH2 3 Si(OC2 5 3
S−31:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(CH3 2 (OCH3
S−32:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(CH3 )(OCOCH3 2
S−33:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(CH3 )(ONHCH3 2
S−34:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(CH3 )(OC6 5 2
S−35:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(C1021)(OCH3 2
S−36:CH2 =CHCOO(CH2 2 Si(CH2 6 5 )(OCH3 2
表面処理剤としては、上記S−1からS−36以外にも、ラジカル重合反応を行うことができる反応性有機基を有するシラン化合物を用いることができる。これらの表面処理剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
また、表面処理剤の使用量は、特に制限されないが、処理前のP型半導体粒子100質量部に対して0.1〜100質量部であることが好ましい。
〔P型半導体粒子の表面処理方法〕
P型半導体粒子の表面処理は、具体的には、処理前のP型半導体粒子と表面処理剤とを含むスラリー(固体粒子の懸濁液)を湿式粉砕することにより、P型半導体粒子を微細化すると同時に粒子の表面処理を進行させ、その後、溶媒を除去して粉体化することによって行うことができる。
スラリーは、処理前のP型半導体粒子100質量部に対し、表面処理剤0.1〜100質量部、溶媒50〜5000質量部の割合で混合されたものであることが好ましい。
また、スラリーの湿式粉砕に用いる装置としては、湿式メディア分散型装置が挙げられる。
湿式メディア分散型装置とは、容器内にメディアとしてビーズを充填し、さらに回転軸と垂直に取り付けられた撹拌ディスクを高速回転させることにより、P型半導体粒子の凝集粒子を砕いて粉砕・分散する工程を有する装置であり、その構成としては、P型半導体粒子に表面処理を行う際にP型半導体粒子を十分に分散させ、かつ表面処理できる形式であれば問題なく、例えば、縦型・横型、連続式・回分式など、種々の様式のものを用いることができる。具体的には、サンドミル、ウルトラビスコミル、パールミル、グレンミル、ダイノミル、アジテータミル、ダイナミックミルなどを使用することができる。これらの分散型装置は、ボール、ビーズなどの粉砕媒体(メディア)を使用して衝撃圧壊、摩擦、剪断、ズリ応力などによって微粉砕および分散が行われる。
湿式メディア分散型装置で用いるビーズとしては、ガラス、アルミナ、ジルコン、ジルコニア、スチール、フリント石などを原材料としたボールを用いることができるが、特にジルコニア製やジルコン製のものを用いることが好ましい。また、ビーズの大きさとしては、通常、直径1〜2mm程度のものを使用するが、本発明では0.1〜1.0mm程度のものを用いることが好ましい。
湿式メディア分散型装置に使用するディスクや容器内壁には、ステンレス製、ナイロン製、セラミック製など種々の素材のものを使用することができるが、本発明では特にジルコニアまたはシリコンカーバイドといったセラミック製のディスクや容器内壁であることが好ましい。
〔架橋樹脂粒子10eA〕
架橋樹脂粒子は、シリコーン樹脂、メラミンとホルムアルデヒドとの重縮合物、ポリメタクリル酸メチルを含む架橋重合体などの樹脂からなる粒子であることが好ましい。
架橋樹脂粒子は、表面処理剤で表面処理されたものであってもよい。架橋樹脂粒子の表面処理に用いる表面処理剤は、反応性有機基を有する表面処理剤であってもよい。
架橋樹脂粒子の数平均一次粒径は、0.1〜1.0μmであることが好ましく、より好ましくは0.2〜0.5μmである。
架橋樹脂粒子の数平均一次粒径が上記範囲内であることにより、感光体の表面を適度に粗面化することができて良好なクリーニング性を確保することができる。
架橋樹脂粒子の数平均一次粒径は、P型半導体粒子と同様にして測定される。
本発明においては、この架橋樹脂粒子の数平均一次粒径Aの、上記のP型半導体粒子の数平均一次粒径Bに対する大きさA/Bが、2≦A/B≦10を満たすことが好ましく、より好ましくは5≦A/B≦10である。
図4(a)に示されるように、A/Bの値が2以上であることによって、A/Bの値が1である図4(b)に比べて保護層の表面に露出する絶縁性の架橋樹脂粒子が増えるため、相対的に放電点を減少させることができ、従って、当該保護層の内部に流れる電子量をさらに減少させることができる。
架橋樹脂粒子は、バインダー樹脂100質量部に対して10〜100質量部の割合で含有されることが好ましく、より好ましくは20〜50質量部である。
架橋樹脂粒子の含有割合がバインダー樹脂100質量部に対して10質量部以上であることにより、架橋樹脂粒子を確実に保護層の表面に露出させることができる。一方、架橋樹脂粒子の含有割合がバインダー樹脂100質量部に対して100質量部以下であることにより、保護層を形成するときに塗布膜の形成が阻害されることを防止することができる。
〔保護層用バインダー樹脂〕
保護層用バインダー樹脂は、熱可塑性樹脂または光硬化性樹脂であることが好ましく、特に、高い膜強度が得られることから、光硬化性樹脂であることがより好ましい。
保護層用バインダー樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂などを用いることができる。熱可塑性樹脂を用いる場合は、ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。また、光硬化性樹脂を用いる場合は、2個以上のラジカル重合性官能基を有する化合物(以下、「多官能ラジカル重合性化合物」ともいう。)を、紫外線や電子線などの活性線の照射により重合反応することによって得られる硬化樹脂であることが好ましい。
保護層用バインダー樹脂として挙げた上記のものは、1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
〔多官能ラジカル重合性化合物〕
多官能ラジカル重合性化合物としては、少ない光量あるいは短い時間での硬化が可能であることから、ラジカル重合性官能基としてアクリロイル基(CH2 =CHCO−)またはメタクリロイル基(CH2 =CCH3 CO−)を2個以上有するアクリル系モノマーまたはこれらのオリゴマーであることが特に好ましい。従って、硬化樹脂としてはアクリル系モノマーまたはそのオリゴマーにより形成されるアクリル樹脂であることが好ましい。
これらの多官能ラジカル重合性化合物としては、例えば以下の化合物を例示することができる。
Figure 2015169871
Figure 2015169871
ただし、上記の例示化合物M1〜M15を示す化学式において、Rはアクリロイル基(CH2 =CHCO−)を示し、R’はメタクリロイル基(CH2 =CCH3 CO−)を示す。
保護層には、上述のようなバインダー樹脂、P型半導体粒子および架橋樹脂粒子の他に、必要に応じて電荷輸送物質、重合開始剤、滑剤粒子などが含有されていてもよい。
〔電荷輸送物質〕
保護層に含有させることのできる電荷輸送物質としては、保護層を形成する際に、当該保護層を形成するための多官能ラジカル重合性化合物やP型半導体粒子や架橋樹脂粒子の表面処理に使用された表面処理剤の反応性有機基と反応する反応性基を有するものを用いてもよく、有さないものを用いてもよい。
電荷輸送物質は、保護層中の電荷キャリアを輸送する電荷輸送性を有するものであり、紫外光領域での吸収を実質的に示さず、かつ、分子量も450以下(好ましくは、320以上420以下)のものが多く、保護層のバインダー樹脂の空隙に入り込むことが可能である。このため、保護層の耐摩耗性を低下させることなく、電荷輸送層からのスムーズな電荷キャリアの注入を可能とし、保護層表面に電荷を輸送することができる。
〔重合開始剤〕
保護層に含有させることができる重合開始剤は、多官能ラジカル重合性化合物の重合反応を開始させるラジカル重合開始剤であって、熱重合開始剤や光重合開始剤などが挙げられる。
多官能ラジカル重合性化合物を重合反応させる方法としては、電子線開裂反応を利用する方法や、ラジカル重合開始剤の存在下で光や熱を利用する方法などを採用することができる。
熱重合開始剤としては、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルアゾビスバレロニリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)などのアゾ化合物;過酸化ベンゾイル(BPO)、ジ−tert−ブチルヒドロペルオキシド、tert−ブチルヒドロペルオキシド、過酸化クロロベンゾイル、過酸化ジクロロベンゾイル、過酸化ブロモメチルベンゾイル、過酸化ラウロイルなどの過酸化物などが挙げられる。
光重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1(「イルガキュアー369」(BASFジャパン社製))、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、2−メチル−2−モルフォリノ(4−メチルチオフェニル)プロパン−1−オン、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシムなどのアセトフェノン系またはケタール系光重合開始剤;ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのベンゾインエーテル系光重合開始剤;ベンゾフェノン、4−ヒドロキシベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、2−ベンゾイルナフタレン、4−ベンゾイルビフェニル、4−ベンゾイルフェニールエーテル、アクリル化ベンゾフェノン、1,4−ベンゾイルベンゼンなどのベンゾフェノン系光重合開始剤;2−イソプロピルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサントンなどのチオキサントン系光重合開始剤などが挙げられる。
その他の光重合開始剤としては、エチルアントラキノン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド(「イルガキュアー819」(BASFジャパン社製))、ビス(2,4−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシエステル、9,10−フェナントレン、アクリジン系化合物、トリアジン系化合物、イミダゾール系化合物などが挙げられる。また、光重合促進効果を有するものを単独で、または上記光重合開始剤と併用して用いることもできる。光重合促進効果を有するものとしては、例えば、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸(2−ジメチルアミノ)エチル、4,4’−ジメチルアミノベンゾフェノンなどが挙げられる。
重合開始剤としては、光重合開始剤を用いることが好ましく、アルキルフェノン系化合物、フォスフィンオキサイド系化合物を用いることがより好ましく、α−ヒドロキシアセトフェノン構造、あるいはアシルフォスフィンオキサイド構造を有する光重合開始剤を用いることがさらに好ましい。
これらの重合開始剤は、1種単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。
重合開始剤の使用割合は、多官能ラジカル重合性化合物100質量部に対して0.1〜40質量部であり、好ましくは0.5〜20質量部である。
〔滑剤粒子〕
滑剤粒子としては、例えばフッ素原子含有樹脂粒子が挙げられる。フッ素原子含有樹脂粒子としては、四フッ化エチレン樹脂、三フッ化塩化エチレン樹脂、六フッ化塩化エチレンプロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、二フッ化二塩化エチレン樹脂などが挙げられ、これらの共重合体は1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中では特に四フッ化エチレン樹脂およびフッ化ビニリデン樹脂を用いることが好ましい。
保護層の層厚は、0.2〜10μmであることが好ましく、より好ましくは0.5〜6μmである。
〔保護層の形成〕
保護層は、多官能ラジカル重合性化合物、P型半導体粒子および架橋樹脂粒子、並びに、必要に応じて公知の樹脂、重合開始剤、滑剤粒子、酸化防止剤などを溶媒に添加して調製した塗布液を、公知の方法により感光層の表面に塗布して塗布膜を形成し、硬化処理することにより、作製することができる。
〔溶媒〕
保護層の形成に使用される溶媒としては、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、2−メチル−2−プロパノール、ベンジルアルコール、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、メチレンクロライド、酢酸エチル、酢酸ブチル、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、1−ジオキサン、1,3−ジオキソラン、ピリジンおよびジエチルアミンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらは、1種単独で、または2種以上を混合して使用することができる。
硬化処理においては、塗布膜に活性線を照射してラジカルを発生して重合し、かつ分子間および分子内で架橋反応による架橋結合を形成して硬化し、バインダー樹脂を生成することが好ましい。活性線としては、紫外線、可視光などの光や電子線を用いることが好ましく、使い易さなどの観点から、紫外線を利用することが特に好ましい。
紫外線の光源としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、フラッシュ(パルス)キセノン、紫外線LEDなどを用いることができる。照射条件は、それぞれのランプによって異なるが、活性線の照射量は、通常1〜20mJ/cm2 、好ましくは5〜15mJ/cm2 である。光源の出力電圧は、好ましくは0.1〜5kWであり、特に好ましくは、0.5〜3kWである。
電子線源としては、例えばカーテンビーム方式の電子線照射装置を好ましく用いることができる。電子線を照射の際の加速電圧は、100〜300kVであることが好ましい。吸収線量としては0.005Gy〜100kGy(0.5〜10Mrad)であることが好ましい。
活性線の照射時間は、活性線の必要照射量が得られる時間であればよく、具体的には0.1秒間〜10分間が好ましく、硬化効率または作業効率の観点から1秒間〜5分間がより好ましい。
塗布膜は、活性線の照射前後および活性線の照射中に乾燥処理してもよい。乾燥処理を行うタイミングは、活性線の照射条件と組み合わせて適宜選択することができる。保護層の乾燥条件は、塗布液に使用する溶媒の種類や保護層の膜厚などにより適宜選択することができる。また、乾燥温度は、室温〜180℃が好ましく、80〜140℃が特に好ましい。また、乾燥時間は、1〜200分間が好ましく、5〜100分間が特に好ましい。このような乾燥条件で塗布膜を乾燥することにより、保護層に含有される溶媒量を20ppmから75ppmの範囲に制御することができる。
以下、保護層以外の感光体の構成につき、上記(1)の層構成である場合について説明する。
〔導電性支持体10a〕
導電性支持体は、導電性を有するものであればよく、例えば、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、亜鉛およびステンレスなどの金属をドラムまたはシート状に成形したもの、アルミニウムや銅などの金属箔をプラスチックフィルムにラミネートしたもの、アルミニウム、酸化インジウム、酸化スズなどをプラスチックフィルムに蒸着したもの、導電性物質を単独またはバインダー樹脂と共に塗布して導電層を設けた金属、プラスチックフィルムおよび紙などが挙げられる。
〔中間層10b〕
中間層は、導電性支持体と有機感光層との間にバリアー機能と接着機能とを付与するものである。種々の故障防止などの観点から、このような中間層を設けることが好ましい。
このような中間層は、例えば、バインダー樹脂および必要に応じて導電性粒子や金属酸化物粒子が含有されてなるものである。
バインダー樹脂としては、例えば、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ゼラチンなどが挙げられる。これらのなかでもアルコール可溶性のポリアミド樹脂が好ましい。
中間層には、抵抗調整の目的で各種の導電性粒子や金属酸化物粒子を含有させることができる。例えば、アルミナ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマスなどの各種金属酸化物粒子を用いることができる。スズをドープした酸化インジウム、アンチモンをドープした酸化スズおよび酸化ジルコニウムなどの超微粒子を用いることができる。
このような金属酸化物粒子の数平均一次粒径は、0.3μm以下であることが好ましく、より好ましくは0.1μm以下である。
金属酸化物粒子は1種単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合した場合には、固溶体または融着の形をとってもよい。
導電性粒子または金属酸化物粒子の含有割合は、バインダー樹脂100質量部に対して20〜400質量部であることが好ましく、より好ましくは50〜200質量部である。
以上のような中間層は、例えば、バインダー樹脂を公知の溶媒に溶解し、必要に応じて導電性粒子または金属酸化物粒子を分散させて中間層形成用塗布液を調製し、この中間層形成用塗布液を導電性支持体の表面に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を乾燥することにより形成することができる。
中間層の形成に用いられる溶媒としては、特に限定されず、例えばn−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、1,2−ジクロロプロパン、1,1,2−トリクロロエタン、1,1,1−トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブなどを用いることができ、これらの中でもトルエン、テトラヒドロフラン、ジオキソランなどが好ましく用いられる。これらの溶媒は1種単独であるいは2種以上の混合溶媒として用いることができる。
導電性粒子や金属酸化物粒子の分散手段としては、超音波分散機、ボールミル、サンドグラインダーおよびホモミキサーなどを用いることができる。
中間層形成用塗布液の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、浸漬塗布法、スプレーコーティング法などが挙げられる。
塗布膜の乾燥方法は、溶媒の種類や形成する中間層の膜厚に応じて公知の乾燥方法を適宜に選択することができ、特に熱乾燥することが好ましい。
中間層の層厚は、0.1〜15μmであることが好ましく、0.3〜10μmであることがより好ましい。
〔電荷発生層10c〕
電荷発生層は、電荷発生物質およびバインダー樹脂(以下、「電荷発生層用バインダー樹脂」ともいう。)が含有されてなるものである。
電荷発生物質としては、例えば、スーダンレッド、ダイアンブルーなどのアゾ原料、ピレンキノン、アントアントロンなどのキノン顔料、キノシアニン顔料、ペリレン顔料、インジゴおよびチオインジゴなどのインジゴ顔料、ピランスロン、ジフタロイルピレンなどの多環キノン顔料、フタロシアニン顔料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのなかでも、多環キノン顔料、チタニルフタロシアニン顔料が好ましい。これらの電荷発生物質は1種単独でまたは2種以上を混合して用いてもよい。
電荷発生層用バインダー樹脂としては、公知の樹脂を用いることができ、例えば、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、並びにこれらの樹脂の内2個以上を含む共重合体樹脂(例えば、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂)、ポリ−ビニルカルバゾール樹脂などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのなかでも、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。
電荷発生層中の電荷発生物質の含有割合は、電荷発生層用バインダー樹脂100質量部に対して1〜600質量部であることが好ましく、より好ましくは50〜500質量部である。
バインダー樹脂と電荷発生物質との混合割合は、バインダー樹脂100質量部に対して電荷発生物質が20〜600質量部とされることが好ましく、さらに好ましくは50〜500質量部である。バインダー樹脂と電荷発生物質との混合割合が上記の範囲にあることにより、後述する電荷発生層形成用塗布液に高い分散安定性が得られ、かつ、形成された感光体において電気抵抗が低く抑制されて繰り返し使用に伴う残留電位の増加を極めて抑制することができる。
以上のような電荷発生層は、例えば、電荷発生物質を、公知の溶媒で溶解したバインダー樹脂中に添加して分散させて電荷発生層形成用塗布液を調製し、この電荷発生層形成用塗布液を中間層の表面に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を乾燥することにより形成することができる。
電荷発生層の形成に用いられる溶媒としては、電荷発生層用バインダー樹脂を溶解させることができるものを用いればよく、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノンなどのケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジグライムなどのエーテル系溶媒、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブタノールなどのアルコール系溶媒、その酢酸エチル、酢酸t−ブチルなどのエステル系溶媒、トルエン、クロロベンゼンなどの芳香属溶媒、ジクロロエタン、トリクロロエタンなどのハロゲン系溶媒など多数を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これらは1種単独でまたは2種以上を混合して用いることができる。
電荷発生物質の分散手段としては、中間層形成用塗布液における導電性粒子や金属酸化物粒子の分散手段と同じ方法を挙げることができる。
また、電荷発生層形成用塗布液の塗布方法としては、中間層形成用塗布液の塗布方法として挙げた方法と同じ方法を挙げることができる。
電荷発生層の層厚は、電荷発生物質の特性、電荷発生層用バインダー樹脂の特性や含有割合などによっても異なるが、好ましくは0.1〜2μm、より好ましくは0.15〜1.5μmである。
〔電荷輸送層10d〕
電荷輸送層は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂(以下、「電荷輸送層用バインダー樹脂」ともいう。)が含有されてなるものである。
電荷輸送層の電荷輸送物質としては、電荷を輸送する物質として、例えば、トリフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、ブタジエン化合物などが挙げられる。
電荷輸送層用バインダー樹脂は、公知の樹脂を用いることができ、ポリカーボネート樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−アクリルニトリル共重合体樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、スチレン−メタクリル酸エステル共重合体樹脂などが挙げられるが、ポリカーボネート樹脂が好ましい。さらにはBPA(ビスフェノールA)型、BPZ(ビスフェノールZ)型、ジメチルBPA型、BPA−ジメチルBPA共重合体型のポリカーボネート樹脂などが耐クラック、耐磨耗性、帯電特性の点で好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有割合は、電荷輸送層用バインダー樹脂100質量部に対して10〜500質量部であることが好ましく、より好ましくは20〜250質量部である。
電荷輸送層中には、酸化防止剤、電子導電剤、安定剤、シリコーンオイルなどが添加されていてもよい。酸化防止剤については特開2000−305291号公報、電子導電剤は特開昭50−137543号公報、同58−76483号公報などに開示されているものが好ましい。
電荷輸送層の層厚は、電荷輸送物質の特性、電荷輸送層用バインダー樹脂の特性および含有割合などによって異なるが、5〜40μmであることが好ましく、よりに好ましくは10〜30μmである。
以上のような電荷輸送層は、例えば、電荷輸送物質(CTM)を、公知の溶媒で溶解したバインダー樹脂中に添加して分散させて電荷輸送層形成用塗布液を調製し、この電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の表面に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を乾燥することにより形成することができる。
電荷輸送層の形成において用いられる溶媒としては、電荷発生層の形成に用いられる溶媒と同じものを挙げることができる。
また、電荷輸送層形成用塗布液の塗布方法としても、電荷発生層形成用塗布液の塗布方法として挙げた方法と同じ方法を挙げることができる。
〔帯電ローラ〕
帯電ローラ11は、感光体の表面を負帯電させる近接帯電方式の帯電手段であって、図3に示されるように、芯金11aの表面上に積層された、帯電音を低減させると共に弾性を付与して感光体10に対する均一な密着性を得るための弾性層11bの表面上に、必要に応じて帯電ローラ11が全体として高い均一性の電気抵抗を得るための抵抗制御層11cが積層され、当該抵抗制御層11c上に表面層11dが積層されたものが、押圧バネ11eによって感光体10の方向に付勢されて感光体10の表面に対して所定の押圧力で圧接されて帯電ニップ部が形成された状態とされる構成とされており、感光体10の回転に従動して回転される。
芯金11aは、例えば、鉄、銅、ステンレス、アルミニウムおよびニッケルなどの金属、あるいはこれらの金属の表面に、防錆性や耐付傷性を得るために導電性を損なわない範囲においてメッキ処理したものからなり、その外径は例えば3〜20mmとされる。
弾性層11bは、例えば、ゴムなどの弾性材料中にカーボンブラック、カーボングラファイトなどよりなる導電性微粒子やアルカリ金属塩、アンモニウム塩などよりなる導電性塩微粒子などが添加されたものからなる。弾性材料の具体例としては、例えば、天然ゴム、エチレンプロピレンジエンメチレンゴム(EPDM)、スチレン−ブタジエンゴム(SBR)、シリコーンゴム、ウレタンゴム、エピクロルヒドリンゴム、イソプレンゴム(IR)、ブタジエンゴム(BR)、ニトリル−ブタジエンゴム(NBR)およびクロロプレンゴム(CR)などの合成ゴムや、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂およびフッ素樹脂などの樹脂、あるいは発泡スポンジなどの発泡体などを挙げることができる。弾性の大きさは、プロセス油、可塑剤などを弾性材料中に添加することにより調整することができる。
弾性層11bは、その体積抵抗率が1×10〜1×1010Ω・cmの範囲であることが好ましい。また、その層厚は500〜5000μmであることが好ましく、より好ましくは500〜3000μmである。
弾性層11bの体積抵抗率は、JIS K 6911に準拠して測定された値である。
抵抗制御層11cは、帯電ローラ11を全体として均一な電気抵抗を有する目的などにより設けられるものであるが、なくてもよい。この抵抗制御層11cは、適度な導電性を有する材料を塗工すること、あるいは適度な導電性を有するチューブを被覆させることによって設けることができる。
この抵抗制御層11cを構成する具体的な材料としては、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂;エピクロルヒドリンゴム、ウレタンゴム、クロロプレンゴムおよびアクリロニトリル系ゴムなどのゴム類などの基礎材料中に、カーボンブラック、カーボングラファイトなどよりなる導電性微粒子;導電性酸化チタン、導電性酸化亜鉛、導電性酸化スズなどよりなる導電性金属酸化物微粒子;アルカリ金属塩、アンモニウム塩などよりなる導電性塩微粒子などの導電剤が添加されたものが挙げられる。
抵抗制御層11cは、その体積抵抗率が1×10−2〜1×1014Ω・cmの範囲であることが好ましく、より好ましくは1×10〜1×1010Ω・cmである。また、その層厚は0.5〜100μmであることが好ましく、より好ましくは1〜50μm、さらに好ましくは1〜20μmである。
抵抗制御層11cの体積抵抗率は、JIS K 6911に準拠して測定された値である。
表面層11dは、弾性層11b中の可塑剤などの得られる帯電ローラの表面へのブリードアウトを防止する目的や帯電ローラの表面の滑り性や平滑性を得る目的、あるいは感光体10上にピンホールなどの欠陥があった場合にもリークの発生を防止する目的などにより設けられるものであって、適度な導電性を有する材料を塗工すること、あるいは適度な導電性を有するチューブを被覆させることによって設けられる。
表面層11dを材料の塗工により設ける場合は、具体的な材料としては、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂およびシリコーン樹脂などの樹脂、エピクロルヒドリンゴム、ウレタンゴム、クロロプレンゴムおよびアクリロニトリル系ゴムなどの基礎材料中に、カーボンブラック、カーボングラファイトなどよりなる導電性微粒子;導電性酸化チタン、導電性酸化亜鉛、導電性酸化スズなどよりなる導電性金属酸化物微粒子などの導電剤が添加されたものが挙げられる。塗工方法としては、浸漬塗工法、ロール塗工法およびスプレー塗工法などが挙げられる。
また、表面層11dをチューブの被覆により設ける場合は、具体的なチューブとしては、ナイロン12、4フッ化エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂(PFA)、ポリフッ化ビニリデン、4フッ化エチレン−6フッ化プロピレン共重合樹脂(FEP);ポリスチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系およびポリアミド系などの熱可塑性エラストマーなどに上記の導電剤が添加されたものがチューブ状に成形されたものが挙げられる。このチューブは熱収縮性のものでもよく、非熱収縮性のものでもよい。
表面層11dは、その体積抵抗率が1×10〜1×10Ω・cmの範囲であることが好ましく、より好ましくは1×10〜1×10Ω・cmである。また、その層厚は0.5〜100μmであることが好ましく、より好ましく1〜50μm、さらに好ましくは1〜20μmである。
表面層11dの体積抵抗率は、JIS K 6911に準拠して測定された値である。
また、表面層11dは、その表面粗さRzが1〜30μmのものが好ましく、より好ましくは2〜20μm、さらに好ましくは5〜10μmである。
以上のような帯電ローラ11においては、帯電ローラ11の芯金11aに電源S1より帯電バイアス電圧が印加されることにより、感光体10の表面が所定の極性の所定の電位に帯電される。ここに、帯電バイアス電圧は、例えば直流電圧のみとしてもよいが、帯電の均一性に優れることから、直流電圧に交流電圧が重畳された振動電圧とすることが好ましい。
帯電バイアス電圧は、例えば−2.5〜−1.5kV程度とすることができる。
図3に示した帯電ローラによる帯電条件の一例を示すと、帯電バイアス電圧を形成する直流電圧(Vdc)が−500V、交流電圧(Vac)が周波数1000Hz、ピーク間電圧1300Vの正弦波であり、この帯電バイアス電圧が印加されることにより、感光体10の表面が−500Vに一様に帯電される。
この帯電ローラ11は、感光体10の長手方向長さに基づいた長さとされ、長手方向の長さは例えば320mmとすることができる。
この画像形成装置においては、感光体10が回転駆動され、当該感光体10の表面が、電源S1から帯電バイアス電圧が印加された状態の帯電ローラ11によって所定の電位に一様に帯電される。
次いで、一様に帯電された感光体10が露光手段12によって露光されて静電潜像が形成され、当該静電潜像が現像手段13によって現像されることによってトナー像が形成される。感光体10上に形成されたトナー像は、タイミングを合わせて搬送される転写材P上に転写手段14により転写され、分離手段(図示せず)によって感光体10から分離されて定着手段17において定着されることにより、可視画像が形成される。
感光体10上に残留したトナー等は、クリーニング手段18のクリーニングブレード18aによって除去され、除去されたトナー等は貯留部18bに溜められる。
本発明の画像形成装置は、上記のような構成のものに限定されず、複数の感光体に係る画像形成ユニットが中間転写体に沿って設けられた構成を有するカラー画像形成装置であってもよい。
このような複数の感光体に係る画像形成ユニットが設けられたカラー画像形成装置においては、複数の感光体のうち、全ての感光体が上記の感光体から構成されていることが好ましいが、複数の感光体のうち少なくとも1つが上記の感光体から構成されていれば、近接帯電方式の帯電手段によって負帯電を行った場合にも感光体に高い耐摩耗性が得られて形成される画像に高い画像安定性が得られる効果を得ることができる。
〔トナーおよび現像剤〕
本発明の画像形成装置に用いられるトナーは、負帯電性トナーである。本発明の画像形成装置に用いられるトナーは、粉砕トナーであっても重合トナーであってもよいが、本発明の画像形成装置においては、高い画質の画像が得られる観点から、重合法で作製された重合トナーを用いることが好ましい。
重合トナーとは、トナーを形成するバインダー樹脂の生成とトナー粒子形状の形成が、バインダー樹脂を得るための原料モノマーの重合と、必要によりその後の化学的処理とにより並行して行われて得られるトナーを意味する。
より具体的には、懸濁重合、乳化重合などの重合反応により樹脂微粒子を得る工程と、必要によりその後に行われる樹脂微粒子同士を融着させる工程を経て形成されるトナーを意味する。
トナーの体積平均粒径、すなわち、上記50%体積粒径(Dv50)は2〜9μm、より好ましくは3〜7μmであることが望ましい。この範囲とすることにより、解像度を高くすることができる。さらに上記の範囲と組み合わせることにより、小粒径トナーでありながら、微細な粒径のトナーの存在量を少なくすることができ、長期に亘ってドット画像の再現性が改善され、鮮鋭性の良好な、安定した画像を形成することができる。
本発明に係るトナーは、それのみで一成分現像剤として用いてもよく、キャリアと混合して二成分現像剤として用いてもよい。
一成分現像剤として用いる場合は、非磁性一成分現像剤、あるいはトナー中に0.1〜0.5μm程度の磁性粒子を含有させ磁性一成分現像剤としたものが挙げられ、いずれも使用することができる。
また、キャリアと混合して二成分現像剤として用いる場合は、キャリアの磁性粒子として、鉄、フェライト、マグネタイトなどの金属、それらの金属とアルミニウム、鉛などの金属との合金などの従来から公知の材料を用いることができ。特にフェライト粒子が好ましい。上記磁性粒子は、その体積平均粒径としては15〜100μm、より好ましくは25〜80μmのものがよい。
キャリアの体積平均粒径の測定は、代表的には湿式分散機を備えたレーザー回折式粒度分布測定装置「ヘロス(HELOS)」(シンパティック(SYMPATEC)社製)により測定することができる。
キャリアは、磁性粒子がさらに樹脂により被覆されているもの、あるいは樹脂中に磁性粒子を分散させたいわゆる樹脂分散型キャリアが好ましい。コーティング用の樹脂組成としては、特に限定はないが、例えば、オレフィン系樹脂、スチレン系樹脂、スチレンアクリル樹脂、シリコーン系樹脂、エステル系樹脂或いはフッ素含有重合体系樹脂などが用いられる。また、樹脂分散型キャリアを構成するための樹脂としては、特に限定されず公知のものを使用することができ、例えば、スチレンアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、フェノール樹脂などを使用することができる。
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明の実施形態は上記の例に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
〔P型半導体粒子の作製例1:CuAlO2
Al2 3 (純度99.9%)およびCu2 O(99.9%)を1:1のモル比で混合し、Ar雰囲気中で1100℃で4日間仮焼した後、ペレット状に成型し、1100℃で二日間焼結することによって焼結体を得た。その後、この焼結体を数100μmまで粗粉砕した後、得られた粗粒子と溶媒とを用いて、湿式メディア分散型装置を使用して、数平均一次粒径が0.05μmの未処理のCuAlO2 を得た。
この未処理のCuAlO2 100質量部、表面処理剤:「KBM−503」30質量部およびメチルエチルケトン1000質量部を、湿式サンドミル(径0.5mmのアルミナビーズ)に入れ、30℃にて6時間混合し、その後、メチルエチルケトンとアルミナビーズを濾別し、60℃にて乾燥することにより、表面処理されたCuAlO2 を得た。これをP型半導体粒子〔1〕とする。
〔P型半導体粒子の作製例2:CuAlO2
P型半導体粒子の作製例1において、湿式メディア分散型装置の粉砕条件を、得られる未処理のCuAlO2 の数平均一次粒径が0.1μmとなるよう変更したことの他は同様にして、未処理のCuAlO2 を得、P型半導体粒子の作製例1と同様にして表面処理を行うことにより、表面処理されたCuAlO2 を得た。これをP型半導体粒子〔2〕とする。
〔P型半導体粒子の作製例3:CuAlO2
P型半導体粒子の作製例1において、湿式メディア分散型装置の粉砕条件を、得られる未処理のCuAlO2 の数平均一次粒径が0.2μmとなるよう変更したことの他は同様にして、未処理のCuAlO2 を得、P型半導体粒子の作製例1と同様にして表面処理を行うことにより、表面処理されたCuAlO2 を得た。これをP型半導体粒子〔3〕とする。
〔P型半導体粒子の作製例4:CuInO2
In2 3 (純度99.9%)およびCu2 O(99.9%)を1:1のモル比で混合し、Ar雰囲気中で1100℃で4日間仮焼した後、ペレット状に成型し、1100℃で二日間焼結することによって焼結体を得た。その後、この焼結体を数100μmまで粗粉砕した後、得られた粗粒子と溶媒とを用いて、湿式メディア分散型装置を使用して、数平均一次粒径が0.1μmの未処理のCuInO2 を得た。
この未処理のCuInO2 100質量部、表面処理剤:「KBM−503」30質量部およびメチルエチルケトン1000質量部を、湿式サンドミル(径0.5mmのアルミナビーズ)に入れ、30℃にて6時間混合し、その後、メチルエチルケトンとアルミナビーズを濾別し、60℃にて乾燥することにより、表面処理されたCuInO2 を得た。これをP型半導体粒子〔4〕とする。
〔P型半導体粒子の作製例5:CuInO2
P型半導体粒子の作製例4において、湿式メディア分散型装置の粉砕条件を、得られる未処理のCuInO2 の数平均一次粒径が0.02μmとなるよう変更したことの他は同様にして、未処理のCuInO2 を得、P型半導体粒子の作製例4と同様にして表面処理を行うことにより、表面処理されたCuInO2 を得た。これをP型半導体粒子〔5〕とする。
〔感光体の作製例1〕
(1)導電性支持体の作製
ドラム状のアルミニウム支持体(外径30mm、長さ360mm)の表面を切削加工し、表面粗さRz=1.5(μm)の導電性支持体〔1〕を作製した。
(2)中間層の形成
下記原料を分散機としてサンドミルを用いて、バッチ式により10時間の分散を行い、中間層形成用塗布液〔1〕を調製した。
・バインダー樹脂:ポリアミド樹脂「X1010」(ダイセルデグサ社製) 1質量部
・溶媒:エタノール 20質量部
・金属酸化物微粒子:数平均一次粒径0.035μmの酸化チタン微粒子「SMT500SAS」(テイカ社製) 1.1質量部
上記導電性支持体〔1〕上に、この中間層形成用塗布液〔1〕を浸漬塗布法により塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を110℃で20分間乾燥し、層厚2μmの中間層〔1〕を形成した。
(3)電荷発生層の形成
下記原料を分散機としてサンドミルを用いて、10時間の分散を行い、電荷発生層形成用塗布液〔1〕を調製した。
・電荷発生物質:チタニルフタロシアニン顔料(Cu−Kα特性X線回折スペクトル測定で、少なくとも27.3°の位置に最大回折ピークを有するもの) 20質量部
・バインダー樹脂:ポリビニルブチラール樹脂「#6000−C」(電気化学工業社製)
10質量部
・溶媒:酢酸t−ブチル 700質量部
・溶媒:4−メトキシ−4−メチル−2−ペンタノン 300質量部
上記中間層〔1〕の上に、この電荷発生層形成用塗布液〔1〕を浸漬塗布法によりで塗布して塗布膜を形成し、層厚0.3μmの電荷発生層〔1〕を形成した。
(4)電荷輸送層の形成
下記原料を混合して溶解し、電荷輸送層形成用塗布液〔1〕を調製した。
・電荷輸送物質:下記式(A)に示す化合物 150質量部
・バインダー樹脂:ポリカーボネート樹脂「Z300」(三菱ガス化学社製)
300質量部
・溶媒:トルエン/テトラヒドロフラン=1/9体積% 2000質量部
・酸化防止剤:「Irganox1010」(日本チバガイギー社製) 6質量部
・レベリング剤:シリコーンオイル「KF−54」(信越化学社製) 1質量部
上記電荷発生層〔1〕上に、この電荷輸送層形成用塗布液〔1〕を浸漬塗布法により塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を120℃で70分間乾燥し、層厚20μmの電荷輸送層〔1〕を形成した。
Figure 2015169871
(5)保護層の形成
・P型半導体粒子〔1〕 100質量部
・架橋樹脂粒子(メラミン−ホルムアルデヒド樹脂粒子「エポスターS6(数平均一次粒径0.5μm)」(日本触媒(株)製)) 30質量部
・重合性化合物(例示化合物(M1)) 100質量部
・重合開始剤(「イルガキュアー819」:BASFジャパン社製) 15質量部
・溶媒:sec−ブタノール 400質量部
・溶媒:メチルイソプロピルケトン 100質量部
からなる塗布液組成物を混合撹拌して十分に溶解・分散し、保護層形成用塗布液〔1〕を調製した。
この保護層形成用塗布液〔1〕を円形スライドホッパー塗布機を用いて電荷輸送層上に塗布し、メタルハライドランプを用いて紫外線を1分間照射することにより、乾燥膜厚3.0μmの保護層〔1〕を形成した。
〔感光体の作製例2〜10〕
感光体の作製例1における保護層の形成工程において、表1の処方に変更したことの他は同様にして、感光体〔2〕〜〔10〕を作製した。
Figure 2015169871
表1中、
「架橋樹脂粒子〔1〕」:メラミン−ホルムアルデヒド樹脂粒子「エポスターS6(数平均一次粒径0.5μm)」(日本触媒(株)製)
「架橋樹脂粒子〔2〕」:メラミン−ホルムアルデヒド樹脂粒子「エポスターS(数平均一次粒径0.2μm)」(日本触媒(株)製)
「架橋樹脂粒子〔3〕」:メラミン−ホルムアルデヒド樹脂粒子「エポスターS12(数平均一次粒径1.0μm)」(日本触媒(株)製)
「架橋樹脂粒子〔4〕」:シリコーン樹脂粒子「X−52−854(数平均一次粒径0.8μm)」(信越化学(株)製)
「架橋樹脂粒子〔5〕」:架橋PMMA樹脂粒子「SA PMMA」(三好化成(株)製)
「無機粒子〔x〕SnO2 」:例示化合物(S−15)に示す表面処理剤で表面処理された数平均一次粒径20nmの酸化スズ微粒子
「無機粒子〔y〕」:アルミナ粒子(個数平均一次粒径0.03μm)(Nano Tec社製)
「M4」:例示化合物(M4)で表される重合性化合物
「Z300」:ポリカーボネート樹脂「Z300」(三菱ガス化学社製)
「M12」:例示化合物(M12)で表される重合性化合物
「M13」:例示化合物(M13)で表される重合性化合物
「重合開始剤(Irg819)」:「イルガキュアー819」(BASFジャパン社製)
「電荷輸送剤(RCTM)」:下記式(B)に示す電荷輸送物質
である。
Figure 2015169871
〔実施例1〜7、比較例1〜3〕
基本的に図1に示す画像形成装置と同様の構成を有する、市販のフルカラー複合機「bizhub C554」(コニカミノルタ社製)の、画像形成ユニットの帯電手段を帯電ローラ用に改造した改造機に、上記の感光体〔1〕〜〔10〕をそれぞれ搭載することにより、画像形成装置〔1〕〜〔10〕を得た。
この画像形成装置〔1〕〜〔10〕について、耐摩耗性並びに画像安定性(濃度ムラおよびスジの発生)の評価を行った。
(1)耐摩耗性の評価
低温低湿環境下(温度10℃、湿度20%RH)において、帯電ローラに印加する電流を通常の2倍に設定した状態で、印字率5%相当の文字チャートを10万枚出力する摩耗試験を行った後、保護層の膜厚を膜厚測定機によって測定し、摩耗量を算出した。
結果を表2に示す。本発明においては、摩耗量が1.0μm未満である場合を合格として判断した。
(2)画像安定性(濃度ムラ)
上記と同様の摩耗試験を行った後、室温環境下(温度20℃、湿度50%RH)においてA3紙全面に透過濃度0.29のハーフトーン画像を20枚出力し、20枚目のハーフトーン画像を目視で観察し、横方向の濃度ムラについて下記評価基準に従って評価した。
−評価基準−
○:濃度ムラが見られない(合格)
△:若干濃度ムラが見られるが実用上問題ない(合格)
×:濃度ムラが激しく見られる(不合格)
(3)画像安定性(スジ)
上記と同様の摩耗試験を行った後、室温環境下(温度20℃、湿度50%RH)においてA3紙全面に黒ベタ画像を20枚出力し、その直後にA3紙全面にハーフトーン画像を出力し、このハーフトーン画像を目視で観察し、縦方向の帯状のスジについて下記評価基準に従って評価した。
−評価基準−
○:スジが見られない(合格)
△:若干スジが見られるが実用上問題ない(合格)
×:スジが激しく見られる(不合格)
Figure 2015169871
10 感光体
10a 導電性支持体
10b 中間層
10c 電荷発生層
10d 電荷輸送層
10e 保護層
10f 有機感光層
10eA 架橋樹脂粒子
10eB P型半導体粒子
11 帯電ローラ
11a 芯金
11b 弾性層
11c 抵抗制御層
11d 表面層
11e 押圧バネ
12 露光手段
13 現像手段
13a 現像スリーブ
14 転写手段
15 清掃ローラ
17 定着手段
18 クリーニング手段
18a クリーニングブレード
18b 貯留部
P 転写材

Claims (5)

  1. 電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を負帯電させる近接帯電方式の帯電手段と、当該電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する露光手段と、前記静電潜像をトナーによって現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を転写材に転写する転写手段と、前記転写材に転写されたトナー像を転写材上に定着させる定着手段と、電子写真感光体上の残留トナーを除去するクリーニング手段とを備え、
    前記電子写真感光体が、導電性支持体上に感光層が形成され、当該感光層上に保護層が形成されてなり、
    当該電子写真感光体を構成する保護層が、バインダー樹脂中にP型半導体粒子および絶縁性の架橋重合体よりなる架橋樹脂粒子が含有されてなるものであることを特徴とする画像形成装置。
  2. 前記P型半導体粒子が、下記一般式(1)で表される化合物からなるものであることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
    一般式(1):CuMO2
    〔式中、Mは、周期表の第13族の元素を表す。〕
  3. 前記架橋樹脂粒子が、シリコーン樹脂粒子、メラミン−ホルムアルデヒド縮合樹脂粒子、ポリメタクリル酸メチルを含む架橋重合体による粒子のいずれかであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の画像形成装置。
  4. 前記架橋樹脂粒子の数平均一次粒径Aの、前記P型半導体粒子の数平均一次粒径Bに対する大きさA/Bが、下記関係式(2)を満たすことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の画像形成装置。
    関係式(2):2≦A/B≦10
  5. 前記電子写真感光体の保護層を構成するバインダー樹脂が、2個以上のラジカル重合性官能基を有する化合物を光重合反応することによって得られる硬化樹脂であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の画像形成装置。

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020003528A (ja) * 2018-06-25 2020-01-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170046468A (ko) 2015-10-21 2017-05-02 에스프린팅솔루션 주식회사 감광층 상에 형성된 보호층을 포함하는 감광체
CN112534356A (zh) * 2019-07-17 2021-03-19 富士电机株式会社 电子照相用感光体、其制造方法以及电子照相装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002258506A (ja) * 2000-12-25 2002-09-11 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジ
JP2008076435A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Ricoh Co Ltd 電子写真装置
JP2012063674A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Sanyo Chem Ind Ltd 電子写真感光体及び画像形成装置、画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP2013130603A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Konica Minolta Business Technologies Inc 電子写真感光体
JP2014021133A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Konica Minolta Inc 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、電子写真画像形成方法及び電子写真画像形成装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5399452A (en) * 1992-01-27 1995-03-21 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor
US5449906A (en) * 1994-01-03 1995-09-12 Xerox Corporation Corona generating electrode replacement tool
US5485253A (en) * 1994-01-03 1996-01-16 Xerox Corporation Corona generating device having replaceable shield members
US5994014A (en) * 1998-02-17 1999-11-30 Lexmark International, Inc. Photoconductor containing silicone microspheres
EP1383009B1 (en) * 2002-07-15 2007-12-19 Canon Kabushiki Kaisha electrophotographic photosensitive member, electrophotographic apparatus, and process cartridge
JP2010014792A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、像保持体装置及び画像形成装置
US8859171B2 (en) * 2010-03-03 2014-10-14 Xerox Corporation Charge transport particles
US8119314B1 (en) * 2010-08-12 2012-02-21 Xerox Corporation Imaging devices comprising structured organic films

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002258506A (ja) * 2000-12-25 2002-09-11 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジ
JP2008076435A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Ricoh Co Ltd 電子写真装置
JP2012063674A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Sanyo Chem Ind Ltd 電子写真感光体及び画像形成装置、画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP2013130603A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Konica Minolta Business Technologies Inc 電子写真感光体
JP2014021133A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Konica Minolta Inc 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、電子写真画像形成方法及び電子写真画像形成装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020003528A (ja) * 2018-06-25 2020-01-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法
JP7086748B2 (ja) 2018-06-25 2022-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体および電子写真感光体の製造方法

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Publication number Publication date
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