JP2015168262A - 金属基板及びその製造方法 - Google Patents

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弘榮 李
Hung-Jung Lee
弘榮 李
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Azotek Co Ltd
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Abstract

【課題】金属基板を提供する。【解決手段】第１の改質表面及び第１の改質表面に対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、第１の改質表面に貼り合わせられ、第１の絶縁基材が第２の絶縁基材と第１の金属層との間に位置するようにする第２の絶縁基材と、第２の表面に対面する第１の金属層と、第２の絶縁基材の片側に位置し、第２の絶縁基材が第１の改質表面と第２の金属層との間に位置するようにする第２の金属層と、を備える。第１の改質表面は、第２の絶縁基材から引き離されると、第１の改質表面の初期表面粗さの変化量が実質的に１０％よりも小さい。【選択図】図１Ｄ

Description

本発明は、電子回路基板及びその製造方法に関し、特に、金属基板及びその製造方法に関する。
プリント回路基板は、電子製品における不可欠な材料であるが、消費者向け電子製品に対する需要の成長につれて、プリント回路基板に対する需要も徐々に増加している。フレキシブルプリント回路基板は、可撓性及び３次元配線可能性等の特性を有するため、科学技術的電子製品は、手軽、小型及び可撓性を強調する発展傾向にあり、現在、コンピュータ及びその周辺機器、通信製品及び消費者向け電子製品等に幅広く適用されている。
典型的なプリント回路基板としては、樹脂（Ｒｅｓｉｎ）、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ ｆｉｂｅｒ）又は他の可塑化された材質のような誘電体基板、及び銅箔（Ｃｏｐｐｅｒ ｆｏｉｌ）又は他の金属材料層のような高純度の導体層によって形成された複合構造（Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）である。例えば、フレキシブル銅箔基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）基材を誘電体基板の主成分とするものであり、塗布法（Ｃａｓｔｉｎｇ）又は熱圧法（Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）によって、接着剤無しの片面銅箔をポリイミド基材の表面に塗布又は貼り付ける。
現在、電子システムは、手軽、小型、且つ低コストの方向へ発展されるため、フレキシブルプリント回路基板の選用も、超薄、高密度及び多機能の方向へ発展される。しかしながら、単層のポリイミド基材で超薄のフレキシブルプリント回路基板を製造する技術を採用するため、基材の剛性が不足し、加工プロセスにおいて、折り傷、衝突損傷又はデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）の問題を引き起こしやすく、生産の歩留まりとサイズの安定性に影響を与えてしまう。これに鑑みて、現在、更に塗布又は転写法によって接着層を単層のポリイミド基材の表面に形成し、補強層で接着層を貼り覆い、ラミネートして当該補強層をポリイミド基材に緊密に接着させて、超薄の銅箔基板へ補強作用を提供し、超薄のフレキシブルプリント回路基板の歩留まりを向上させる複合構造を得る。
しかしながら、高圧高温の熱圧の作用で、接着剤は、ポリイミド基材と少し溶接作用を生じることにより、後で補強層を剥離する場合、接着剤が残りやすく、製品の不良率が高くなってしまう。補強層を保留すると、更にフレキシブルプリント回路基板の厚さを増加するにすぎない。このため、従来の技術が面する問題を解決する先進的なプリント回路基板及びその製造方法を提供する必要がある。
本発明の一側面は、第１の改質表面及び第１の改質表面に対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、第１の改質表面に貼り合わせられ、第１の絶縁基材が第２の絶縁基材と第１の金属層との間に位置するようにする第２の絶縁基材と、第２の表面に対面する第１の金属層と、第２の絶縁基材の片側に位置し、第２の絶縁基材が第１の改質表面と第２の金属層との間に位置するようにする第２の金属層と、を備える金属基板を提供することにある。第１の絶縁基材と第２の絶縁基材の材質は、それぞれポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、テフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ）、液晶高分子（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）、ポリエチレン（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ；ＰＰ）、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ；ＰＳ）、ポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ；ＰＶＣ）、ナイロン（Ｎｙｌｏｎ ｏｒ Ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ）、アクリル（Ａｃｒｙｌｉｃ）、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ‐Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ‐Ｓｔｙｒｅｎｅ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ Ｒｅｓｉｎｓ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、ポリエステル（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、シリコーン（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、ポリウレタン（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ；ＰＵ）、ポリアミド‐イミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ‐ｉｍｉｄｅ；ＰＡＩ）及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれたものである。第１の改質表面は、初期表面粗さを有し、第２の絶縁基材から引き離されると、第１の改質表面の初期表面粗さの変化量は、実質的に１０％よりも小さい。
本発明の一実施例において、金属基板は、第１の絶縁基材と第１の金属層との間に位置する第１の接着剤層を更に備える。本発明の一実施例において、金属基板は、第２の絶縁基材と第２の金属層との間に位置する第２の接着剤層を更に備える。本発明の一実施例において、金属基板は、第１の絶縁基材と第１の金属層との間に位置する第１の接着剤層と、第２の絶縁基材と第２の金属層との間に位置する第２の接着剤層と、を更に備える。
本発明の一実施例において、第２の絶縁基材の第１の改質表面と貼り合わせた側に、第１の改質表面と同じ第２の改質表面を有する。
本発明の一実施例において、第１の改質表面は、‐ＣＨ３、‐ＣＨ２、‐Ｏ‐、‐ＣＯＯＨ、‐ＣＯＯＨＣＨ３、‐ＣＯＯＨＣ２Ｈ５、‐ＮＨ２、‐ＮＯ２、‐ＯＨ、‐ＣＯＮＨ２、‐ＣＯＮＨ、‐ＳｉＯ２及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を含む。
本発明の一実施例において、第１の改質表面の表面エネルギー（ｓｕｒｆａｃｅ ｅｎｅｒｇｙ）は、実質的に３ダイン／ｃｍ（ｄｙｎ／ｃｍ）よりも大きい。
本発明の一実施例において、第１の金属層及び第２の金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、鉛‐錫合金（Ｓｎ‐Ｐｂ Ａｌｌｏｙ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ステンレス鋼（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ）又はそれらの任意の組み合わせを含む。
本発明の別の側面は、まず、第１の表面、及び第１の表面と第１の金属層との間に位置し、第１の表面に対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、第１の金属層と、を備える第１の片面基板構造と、第２の絶縁基材と、第２の金属層と、を備える第２の片面基板構造を提供する工程と、同時に、第１の表面に対して第１の改質プロセスを行う工程と、次に、第１の片面基板構造と第２の片面基板構造を貼り合わせる工程と、を備える金属基板の製造方法を提供することにある。第２の絶縁基材は、第１の表面と第２の金属層との間に位置し、第１の絶縁基材及び第２の絶縁基材の材質は、それぞれポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、テフロン（登録商標）、液晶高分子、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ナイロン、アクリル、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、シリコーン、ポリウレタン、ポリアミド‐イミド及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれたものである。第１の表面は、初期表面粗さを有し、第２の絶縁基材から引き離されると、第１の表面の初期表面粗さの変化量は、実質的に１０％よりも小さい。
本発明の一実施例において、第１の片面基板構造を提供する工程では、第１の絶縁基材と第１の金属層との間に第１の接着剤層を提供することを更に含む。
本発明の一実施例において、第２の片面基板構造を提供する工程では、第２の絶縁基材と第２の金属層との間に第２の接着剤層を提供することを更に含む。
本発明の一実施例において、第１の片面基板構造と第２の片面基板構造を貼り合わせる前に、第２の絶縁基材の第１の表面に対面する表面に対して、第２の改質プロセスを行う工程を更に含む。
本発明の一実施例において、第１の改質プロセスは、プラズマ処理プロセス、紫外線照射プロセス又はアルカリ性溶液の浸潤プロセスを含む。
本発明の一実施例において、第１の表面は、‐ＣＨ３、‐ＣＨ２、‐Ｏ‐、‐ＣＯＯＨ、‐ＣＯＯＨＣＨ３、‐ＣＯＯＨＣ２Ｈ５、‐ＮＨ２、‐ＮＯ２、‐ＯＨ、‐ＣＯＮＨ２、‐ＣＯＮＨ、‐ＳｉＯ２及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を含む。
本発明の一実施例において、第１の表面は、実質的に３ダイン／ｃｍよりも大きい表面エネルギーを有する。
本発明の一実施例において、第１の金属層及び第２の金属層は、銅、アルミニウム、金、銀、錫、鉛、鉛‐錫合金、鉄、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、マンガン、コバルト、ステンレス鋼又はそれらの任意の組み合わせを含む。
上記実施例によれば、本発明は、それぞれ絶縁基材及び金属層を備える２つの片面基板構造の金属基板に対して、絶縁基材を互いに貼り合わせ、１つの片面基板構造の金属基板の絶縁基材の貼り合わせ界面で、改質プロセスを行って改質表面を有するようにする金属基板を提供する。この絶縁基材と別の絶縁基材を引き離す場合、この改質表面の表面粗さは、別の絶縁基材と貼り合わせていない初期表面粗さに比べて、その変化量が実質的に１０％よりも小さい。
この二重金属基板によってプリント回路基板を製造する場合、片面基板構造の金属基板の構造強度を補強するだけでなく、プリント回路基板のプロセスで折り傷、衝突損傷又はデラミネーションが発生しないようにして、プリント回路基板の歩留まりを向上させることができる。また、絶縁基材の改質表面の表面エネルギーが低く、接着剤残りがなく、別の絶縁基材と貼り合わせた後更に分離しやすくすることができる特性によって、２つの片面基板構造の金属基板を一時的にラミネートし、プリント回路基板の全体のプロセスを経た後更に分離させ、同時に片面基板構造を有する２つのプリント回路基板を製造することができ、このように、更にプリント回路基板プロセスの効率と生産能力を大幅に向上させることができる。
本発明の一実施例に示すプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の一実施例に示すプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の一実施例に示すプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の一実施例に示すプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の一実施例に示すプリント回路基板の製造プロセスの構造断面模式図である。 本発明の別の実施例に示す両面基板構造の金属基板の構造断面図である。 本発明のさらに他の実施例に示す両面基板構造の金属基板の構造断面図である。 本発明のさらに１つの実施例に示す両面基板構造の金属基板の構造断面図である。
本発明は、絶縁基材で互いに貼り合わせられた２つの片面基板構造の金属基板を含む両面基板構造の金属基板を提供する。１つの片面基板構造の金属基板の絶縁材が一時的に別の絶縁貼付層と貼り合わせ／離型（ｂｏｎｄ／ｄｅｂｏｎｄ）可能な特性を有することで、プロセスで基材が折り傷、衝突損傷又はデラミネーション等が発生しやすい問題を解決し、更にプロセスの歩留まりと効率を大幅に向上させることができる。本発明の上記又は他の目的、特徴、及びメリットをより分かりやすくするために、下文では、特に、複数の金属基板及びその製造方法を好ましい実施例として挙げて、添付の図面に合わせて、下記のように詳しく説明する。
図１Ａ〜１Ｅを参照すると、図１Ａ〜１Ｅは、本発明の一実施例に示す両面基板構造の金属基板１００の製造プロセスの構造断面模式図である。両面基板構造の金属基板１００を製造する方法は、まず、互いに対向する第１の表面１０１ａと第２の表面１０１ｂを有する第１の絶縁基材１０１を提供する（図１Ａに示すように）工程を備える。
本発明のある実施例において、第１の絶縁基材１０１は、ベークライトプレート、ガラス繊維板又は様々なプラスチック板材であってもよい。例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、テフロン（登録商標）、液晶高分子、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ナイロン、アクリル、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、シリコーン、ポリウレタン、ポリアミド‐イミド及びそれらの任意の組み合わせである。
本発明の一実施例において、第１の絶縁基材１０１は、ガラス繊維、不織布材料、及び樹脂からなる絶縁部分、更にエポキシ樹脂と銅箔によってプレスされてなるプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）であってもよい。本発明の別の実施例において、第１の絶縁基材１０１は、フレキシブルポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム又はテフロン（登録商標）フィルムであってもよい。本実施例において、第１の絶縁基材１０１は、厚さが実質的に５μｍ〜２００μｍであるポリイミドフィルムであることが好ましい。第１の絶縁基材１０１は、１００℃〜２００℃での熱線膨張係数が実質的に５ｐｐｍ／℃〜６０ｐｐｍ／℃であり、ガラス転移温度（Ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｔｇ）が実質的に２００℃〜４５０℃である。
このポリイミドフィルムを形成する方式としては、二無水物化合物、ジアミン化合物モノマー及びポリアミド酸溶液を含む溶剤によって合成する。二無水物化合物は、２，２‐ビス（３，４‐ジカルボン酸）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、４‐（２，５‐ジオキソテトラヒドロフラン‐３‐イル）‐１，２，３，４‐テトラヒドロナフタレン‐１，２‐ジカルボン酸二無水物（ＴＤＡ）、ピロメリット酸二無水物（１，２，４，５‐ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅ ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＢＴＤＡ）、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（Ｂｉｐｈｅｎｙｌｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＢＰＤＡ）、４，４，‐オキシジフタル酸二無水物（４，４，‐Ｏｘｙｄｉｐｈｔｈａｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；４，４，‐ＯＤＰＡ）、３，４，‐オキシジフタル酸二無水物（３，４，‐Ｏｘｙｄｉｐｈｔｈａｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；３，４，‐ＯＤＰＡ）、ビス‐ジカルボキシフェニルジメチルシラン二無水物（ｂｉｓ ｄｉｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＳｉＤＡ）、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物（Ｂｉｓ（ｄｉｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｏｘｙ）ｄｉｐｈｅｎｙｌ ｓｕｌｆｉｄｅ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＢＤＳＤＡ）、１，４，５，８‐ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（１，４，５，８‐Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＮＴＣＤＡ）、ハイドロキノンジフタル酸無水物（ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｎｏｎｅ ｄｉｐｈｔａｌｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＨＱＤＡ）、ビスフェノールＡ二無水物（４，４’‐ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ Ａ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＢＰＡＤＡ）、１，３‐ジヒドロ‐１，３‐ジオキソ‐５‐イソベンゾフランカルボン酸フェニレンエステル（１，３‐ｄｉｈｙｄｒｏ‐１，３‐ｄｉｏｘｏ‐５‐ｉｓｏｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ａｃｉｄ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｅｓｔｅｒ；ＴＡＨＱ）、３，３’，４，４’‐ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（３，３’，４，４’‐Ｄｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｅ ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＤＳＤＡ）、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ｓｕｌｆｏｎｙｌｄｉｐｈｔｈａｌｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＳＯ ２ ＤＰＡ）、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物（Ｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ‐１，２，３，４‐ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ；ＣＢＤＡ）、（イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸無水物）（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌｉｄｅｎｅ ｄｉ‐ｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｉｓ（ｐｈｔｈａｌｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）；６ＨＢＤＡ）等の１種又は多種を含むが、これらに限定されるものではない。
ジアミン化合物は、４，４‐ジアミノジフェニルエーテル（４，４’‐ｏｘｙｄｉａｎｉｌｉｎｅ；４，４’‐ＯＤＡ）、３，４‐ジアミノジフェニルエーテル（３，４’‐Ｏｘｙｄｉａｎｉｌｉｎｅ；３，４’‐ＯＤＡ）、３，３’‐ジヒドロキシ‐４，４’‐ジアミノビフェニル（３，３’‐ｄｉｈｙｄｒｏｘｙ‐４，４’‐ｄｉａｍｉｎｏ‐ｂｉｐｈｅｎｙｌ；ＨＡＢ）、パラフェニレンジアミン（ｐａｒａ‐ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ；ｐ‐ＰＤＡ）、ｍ‐フェニレンジアミン（ｍ‐ＰＤＡ）、ｐ‐メチレンジアミン（ｐＭＤＡ）、ｍ‐メチレンジアミン（ｍＭＤＡ）、ビスアミノフェノキシベンゼン（Ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ ｂｅｎｚｅｎｅ、１３３ＡＰＢ、１３４ＡＰＢ）、ビスアミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ ｐｈｅｎｙｌ ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ、４ＢＤＡＦ）、ビスアミノフェニルヘキサフルオロプロパン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ、３３‐６Ｆ、４４‐６Ｆ）、ジアミノジフェニルスルホン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ ｓｕｌｆｏｎｅ、４ＤＤＳ、３ＤＤＳ）、２，２‐ビス（４‐［４‐アミノフェノキシ］フェニル）プロパン（２，２‐Ｂｉｓ（４‐［４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ］ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐａｎｅ；ＢＡＰＰ）、２，２‐ビス（４‐［３‐アミノフェノキシ］フェニル）スルホン（２，２‐Ｂｉｓ（４‐［３‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ］ｐｈｅｎｙｌ）ｓｕｌｆｏｎｅ；ｍ‐ＢＡＰＳ）、１，４‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン（１，４‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｅｎｅ、ＴＰＥ‐Ｑ）、１，３‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン（１，３‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｅｎｅ、ＴＰＥ‐Ｒ）、１，３‐ビス（３‐アミノフェノキシ）ベンゼン（１，３‐Ｂｉｓ（３‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｅｎｅ；ＡＰＢ）、４，４‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ビフェニル（４，４’‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ；ＢＡＰＢ）、１，４‐ビス（４‐アミノフェノキシ）‐２，５‐ジ‐ｔ‐ブチルベンゼン（１，４‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）‐２，５‐ｄｉ‐ｔ‐ｂｕｔｙｌｂｅｎｚｅｎｅ、ＤＴＢＡＢ）、４，４’‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゾフェノン（４，４’‐Ｂｉｓ（４‐ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅ、ＢＡＰＫ）、ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（Ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ；ＴＦＤＢ）、シクロヘキサンジアミン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅｄｉａｍｉｎｅ、１３ＣＨＤ、１４ＣＨＤ）、ビスアミノフェノキシフェニルプロパン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ ｐｈｅｎｙｌ ｐｒｏｐａｎｅ、６ＨＭＤＡ）、ビスアミノヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン（Ｂｉｓ ａｍｉｎｏｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ、ＤＢＯＨ）、ビスアミノフェノキシジフェニルスルホン（ｂｉｓ ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ ｄｉｐｈｅｎｙｌ ｓｕｌｆｏｎｅ、ＤＢＳＤＡ）等の１種又は多種を含むが、これらに限定されるものではない。
ポリアミド酸溶液を含む溶剤は、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン（Ｎ‐ｍｅｔｈｙｌ‐２‐ｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ；ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド（Ｎ，Ｎ‐ｄｉｍｅｔｈｙｌａｃｅｔａｍｉｄｅ、ＤＭＡｃ）、γ‐ブチロラクトン（γ‐ｂｕｔｙｒｏｌａｃｔｏｎｅ、ＧＢＬ）、ジメチルホルムアミド（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ；ＤＭＦ）、２‐ブトキシエタノール（２‐Ｂｕｔｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）、２‐エトキシエタノール（２‐Ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）等の１種又は多種の溶剤の組み合わせを含むが、これらに限定されるものではない。
本発明のある好ましい実施例において、ポリイミドフィルムは、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、フェニレンジアミン（ＰＤＡ）及びジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）によって合成されたものであり、この三者の好ましいモル分率は、１：０．５：０．５、１：０．７：０．３又は１：０．３：０．７であってもよい。
その後、第１の絶縁基材１０１の第２の表面１０１ｂに第１の接着剤層１０３を形成する。更に第１の接着剤層１０３の片側に第１の金属層１０２を形成し、当該第１の接着剤層１０３が第１の絶縁基材１０１の第２の表面１０１ｂと第１の金属層１０２との間に位置するようにして、三層の複合構造を構成する（図１Ｂに示すように）。
本発明のある実施例において、第１の金属層１０２は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、鉛‐錫合金（Ｓｎ‐Ｐｂ Ａｌｌｏｙ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ステンレス鋼（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ）又はそれらの任意の組み合わせを含む。例えば、本実施例において、第１の金属層１０２は、厚さが実質的に３μｍ〜２１０μｍである銅箔層であってもよい。それは、熱圧法により、熱可塑性の第１の接着剤層１０３によって、高温高圧で第１の金属層１０２を第１の絶縁基材１０１の第２の表面１０１ｂに貼り付ける。第１の接着剤層１０３は、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ）、フェノキシ樹脂（Ｐｈｅｎｏｘｙ Ｒｅｓｉｎ）、アクリル樹脂（Ａｃｒｙｌｉｃ Ｒｅｓｉｎ）、ウレタン樹脂（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ Ｒｅｓｉｎ）、シリコーンゴム（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ Ｒｕｂｂｅｒ）系樹脂、パリレン（Ｐｏｌｙ‐ｐａｒａ‐ｘｙｌｙｌｅｎｅ；Ｐａｒｙｌｅｎｅ）系樹脂、ビスマレイミド樹脂（Ｂｉｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｒｅｓｉｎ）又はそれらの混合物を含む。
次に、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａで改質プロセス１０４を行うことで、改質表面１０１ｃを形成し、接着剤付き片面基板構造の金属基板１０の製造が完了する（図１Ｃに示すように）。本発明のある実施例において、改質プロセス１０４は、プラズマ処理プロセスであってもよい。例えば、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の反応雰囲気によって、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａの改質を行う。ガス流量は、実質的に５０リットル／分（Ｌ／ｍｉｎ）〜１００リットル／分であり、アルゴンと窒素の含有量比は、実質的に１：１〜１：２０であり、動作電圧は、実質的に３００ボルト（Ｖ）〜６００ボルトであり、操作時間は、実質的に１０秒〜５０秒である。本発明の好ましい実施例において、改質プロセス１０４におけるガス流量は、実質的に７０リットル／分であり、アルゴンと窒素の含有量比が実質的に３：８であり、動作電圧が実質的に５００ボルトであり、操作時間が２０秒である。
本発明の別のある実施例において、改質プロセス１０４は、紫外線照射プロセスであってもよい。例えば、真空度が実質的に２ｔｏｒｒである条件で、波長が実質的に１８０ｎｍ〜２７０ｎｍである紫外線によって、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａを照射し、照射時間が実質的に２０秒〜８０秒である。本発明のある実施例において、好ましくは波長が１８２ｎｍ、１８４ｎｍ又は２５４ｎｍである紫外線で、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａを６０秒照射する。その中に、波長が１８２ｎｍである紫外線の効果が特に好ましい。
本発明のさらに他の実施例において、改質プロセス１０４は、アルカリ性溶液の浸潤プロセスであってもよい。例えば、重量パーセント濃度（％）が実質的に５よりも大きいヒドラジン（Ｈｙｄｒａｚｉｎｅ、Ｎ２Ｈ４）、水酸化カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ；ＫＯＨ）、水酸化ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ；ＮａＯＨ）水溶液又はそれらの組み合わせによって、第１の絶縁基材１０１の第１の表面１０１ａを浸潤し、反応時間が実質的に２０秒〜８０秒である。
改質プロセス１０４で処理された改質表面１０１ｃは、導電率が約０．０５５μＳ／ｃｍ（２５℃）であり、比抵抗値（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が実質的に１８ＭΩ・ｃｍ（２５℃）である脱イオン純水に対して、実質的に３ダイン／ｃｍ〜３０ダイン／ｃｍであり、好ましくは実質的に１５ダイン／ｃｍ〜２５ダイン／ｃｍである表面エネルギーを有する。改質表面１０１ｃの粗さは、実質的に３μｍよりも小さい。
次に、第１の絶縁基材１０１の改質表面１０１ｃに、少なくとも第２の絶縁基材１０６と第２の金属層１０７を含む片面基板構造の金属基板１１を付着する。熱圧プロセス１０９により、片面基板構造の金属基板１１の第２の絶縁基材１０６は、片面基板構造の金属基板１０の改質表面１０１ｃに緊密に貼り合わせられて、両面基板構造の金属基板１００を完成し、第１の絶縁基材１０１の改質表面１０１ｃと第２の金属層１０７との間に位置するようにする（図１Ｄに示すように）。
本実施例において、片面基板構造の金属基板１１は、片面基板構造の金属基板１０と同様に、いずれも接着剤付き片面基板構造の金属基板である。片面基板構造の金属基板１１は、第２の金属層１０７と第２の絶縁基材１０６を貼り合わせるための、第２の絶縁基材１０６と第２の金属層１０７との間に位置する第２の接着剤層１０８を更に備える。
本発明のある実施例において、熱圧プロセス１０９は、ラミネート温度が実質的に５０℃よりも大きく、１２０℃〜５００℃であることが好ましく、２５０℃であることがより好ましいホットプレートラミネートプロセスであってもよい。ラミネート圧力は、実質的に０．３キログラム／ｃｍ２（ｋｇ／ｃｍ２）よりも大きく、実質的に１５キログラム／ｃｍ２〜９０キログラム／ｃｍ２であることが好ましく、２０キログラム／ｃｍ２であることがより好ましい。本発明のある実施例において、熱圧プロセス１０９は、ラミネート温度が実質的に５０℃よりも大きく、１５０℃〜３８０℃であることが好ましく、２５０℃であることがより好ましいホットローララミネートプロセスであってもよい。ラミネート圧力は、実質的に３ｋＮ／ｃｍよりも大きく、実質的に３ｋＮ／ｃｍ〜３０ｋＮ／ｃｍであることが好ましく、２０ｋＮ／ｃｍであることがより好ましい。ラミネート張力は、実質的に０．５ｋｇよりも大きい。
注意すべきなのは、第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃに貼り付けられる片面基板構造の金属基板は、第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃと同じ第２の改質表面を有してもよいことである。例えば、図２を参照すると、図２は、本発明の別の実施例に示す両面基板構造の金属基板２００の構造断面図である。両面基板構造の金属基板２００は、図１Ｄの両面基板構造の金属基板１００の構造と類似し、いずれも２つの接着剤付き片面基板構造の金属基板１０と２１（第２の絶縁基材２０６、第２の接着剤層２０８及び第２の金属層２０７を含む）により構成されたものであるが、片面基板構造の金属基板２１の第２の絶縁基材２０６の第１の改質表面１０１ｃに貼り付けられた側に、第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃと同じ第２の改質表面２０６ｃを有することのみで異なっている。片面基板構造の金属基板１０の構造と製造方法は、前記のように詳しく説明したため、具体的なフローについて、ここで繰り返して説明せず、同じ素子は、同じ素子符号で記述される。
また、注意すべきなのは、上記実施例において、両面基板構造の金属基板は、いずれも２つの接着剤付き片面基板構造の金属基板により構成されることであるが、本発明のある実施例において、両面基板構造の金属基板の１つ又は２つは、接着剤無しの片面基板構造の金属基板であってもよい。
例えば、図３を参照すると、図３は、本発明のさらに他の実施例に示す両面基板構造の金属基板３００の構造断面図である。両面基板構造の金属基板３００は、図１Ｄの両面基板構造の金属基板１００の構造と類似し、いずれも２つの片面基板構造の金属基板１０と３０により構成されたものであるが、第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃに貼り付けられた片面基板構造の金属基板３０が、接着剤無しの片面基板構造の金属基板であることのみで異なっている。片面基板構造の金属基板３０は、第２の絶縁基材３０６と、第２の絶縁基材３０６面の片側に直接に貼り付けられた第２の金属層３０７とを備え、当該第２の絶縁基材３０６が第２の金属層３０７と第１の絶縁基材１０１の第１の改質表面１０１ｃとの間に位置する。片面基板構造の金属基板１０の構造と製造方法は、前記のように詳しく説明したため、具体的なフローについて、ここで繰り返して説明せず、同じ素子は、同じ素子符号で記述される。
例えば、図４を参照すると、図４は、本発明のさらに１つの実施例に示す両面基板構造の金属基板４００の構造断面図である。両面基板構造の金属基板４００は、図１Ｄの両面基板構造の金属基板１００の構造と類似し、いずれも２つの片面基板構造の金属基板４０と４１により構成されたものであるが、両面基板構造の金属基板４００を構成する２つの片面基板構造の金属基板４０と４１が、いずれも接着剤無しの片面基板構造の金属基板であることのみで異なっている。片面基板構造の金属基板４０は、第１の絶縁基材４０１と、第１の絶縁基材４０１の第１の改質表面４０１ｃに対向する側に直接に貼り付けられた第１の金属層４０２と、を備え、片面基板構造の金属基板４１は、第２の絶縁基材４０６と、第２の絶縁基材４０６の片側に直接に貼り付けられた第２の金属層４０７と、を備え、第２の絶縁基材４０６は、第２の金属層４０７と第１の絶縁基材４０１の第１の改質表面１０１ｃとの間に位置する。
図１Ｄを再び参照すると、後で、２つの接着剤付き片面基板構造の金属基板１０と１１を有する両面基板構造の金属基板１００に対して、露光、現像、エッチング、膜除去及びメッキ加工のようなウェットプロセス加工、高温域の後加工を含むフレキシブルプリント回路基板の全体のプロセス加工、を行って、両面プリント回路基板を形成し、更に、２つの接着剤付きプリント回路基板を引き離して、２つの接着剤付き片面フレキシブルプリント回路基板（不図示）を同時に形成し、更にフレキシブルプリント回路基板のプロセス効率と生産能力を大幅に向上させることができる。
本発明のある実施例において、機械力によって、両面基板構造の金属基板１００を構成する２つの片面基板構造の金属基板１０又は１１を引き離すことができる（図１Ｅに示すように）。本発明の実施例において、両面基板構造の金属基板１００の２つの片面基板構造の金属基板１０又は１１への分離に必要な剥離強度は、実質的に８０ｇｆ／ｃｍよりも大きく、１００ｇｆ／ｃｍ〜６００ｇｆ／ｃｍであることが好ましい。
熱圧プロセス１０９によって形成された両面基板構造の金属基板１００は、片面基板構造の金属基板１０又は１１に比べて、厚さを提供し、片面基板構造の金属基板１０又は１１の剛性を補強し、片面基板構造の金属基板１０又は１１により優れた機械性質を付与することができるため、金属基板は、曝光、現像、エッチング、膜除去及びメッキ加工のようなウェットプロセス加工、及びベーキング、高速プレス、被覆層の老化及び表面の取付／貼り合わせのような高温域の加工を含むフレキシブルプリント回路基板の全体プロセス加工等の過程において、折り傷、衝突損傷又はデラミネーション等の問題が発生しないようにすることができる。
更に、第１の絶縁基材１０１の改質表面１０１ｃの表面エネルギーは、実質的に一般的な接着剤の表面エネルギー（約３ダイン／ｃｍよりも大きい）よりも小さいため、第２の絶縁基材１０６から引き離されやすく、接着剤残りがなく、更に片面基板構造の金属基板１０又は１１を互いに引き離し、フレキシブルプリント回路基板プロセスのプロセス歩留まりを向上させることができる。本発明の実施例において、引き離された２つの片面基板構造の金属基板１０と１１の第１の絶縁基材１０１及び第２の絶縁基材１０６の厚さは、片面基板構造の金属基板１０と１１が貼り合わせられていない第１の絶縁基材１０１と第２の絶縁基材１０６の初期厚さに比べて、その変化量が実質的に１０％よりも小さい。また、第１の絶縁基材１０の第１の改質表面１０１ｃの表面粗さは、第２の絶縁基材１０６と貼り合わせていない初期表面粗さに比べて、その変化量が実質的に１０％よりも小さい。
上記実施例によれば、本発明は、それぞれ絶縁基材と金属層を備える２つの片面基板構造の金属基板の絶縁基材を互いに貼り合わせ、１つの片面基板構造の金属基板の絶縁基材の貼り合わせ界面で、改質プロセスを行って改質表面を有するようにする金属基板を提供する。この絶縁基材と別の絶縁基材を引き離す場合、この改質表面の表面粗さは、別の絶縁基材と貼り合わせていない初期表面粗さに比べて、その変化量が実質的に１０％よりも小さい。
この二重金属基板によってプリント回路基板を製造する場合、片面基板構造の金属基板の構造強度を補強するだけでなく、プリント回路基板のプロセスで折り傷、衝突損傷又はデラミネーションが発生しないようにして、プリント回路基板の歩留まりを向上させることができる。また、絶縁基材の改質表面の表面エネルギーが低く、接着剤残りがなく、別の絶縁基材と貼り合わせた後更に分離しやすくすることができる特性によって、２つの片面基板構造の金属基板を一時的にラミネートし、プリント回路基板の全体のプロセスを経た後更に分離させ、同時に片面基板構造を有する２つのプリント回路基板を製造することができ、このように、更にプリント回路基板プロセスの効率と生産能力を大幅に向上させることができる。
本発明を好ましい実施例で前述の通り開示したが、これは本発明を限定するためのものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の保護範囲は、添付の特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
１０、１１、２１、３０、４０、４１ 片面基板構造の金属基板
１００、２００、３００、４００ 両面基板構造の金属基板
１０１、４０１ 第１の絶縁基材
１０１ａ 第１の絶縁基材の第１の表面
１０１ｂ 第１の絶縁基材の第２の表面
１０１ｃ、４０１ｃ 第１の改質表面
１０２、４０２ 第１の金属層
１０３ 第１の接着剤層
１０４ 改質プロセス
１０６、２０６、３０６、４０６ 第２の絶縁基材
１０７、２０７、３０７、４０７ 第２の金属層
１０８、２０８ 第２の接着剤層
１０９ 熱圧プロセス
２０６ｃ 第２の改質表面

Claims (16)

  1. 金属基板であって、
    第１の改質表面及び前記第１の改質表面に対向する第２の表面を有する第１の絶縁基材と、
    前記第２の表面に対面する第１の金属層と、
    前記第１の改質表面に貼り合わせられ、前記第１の絶縁基材が第２絶縁基材と前記第１の金属層との間に位置するようにする第２の絶縁基材と、
    前記第２の絶縁基材の片側に位置し、前記第２の絶縁基材が前記第１の改質表面と第２金属層の間に位置するようにする第２の金属層と、を備え、
    前記第１の絶縁基材及び前記第２の絶縁基材の材質は、それぞれポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、テフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ）、液晶高分子（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）、ポリエチレン（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ；ＰＰ）、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ；ＰＳ）、ポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ；ＰＶＣ）、ナイロン（Ｎｙｌｏｎ ｏｒ Ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ）、アクリル（Ａｃｒｙｌｉｃ）、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ‐Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ‐Ｓｔｙｒｅｎｅ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ Ｒｅｓｉｎｓ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、ポリエステル（Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、シリコーン（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、ポリウレタン（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ；ＰＵ）、ポリアミド‐イミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ‐ｉｍｉｄｅ；ＰＡＩ）及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれたものであり、前記第１の改質表面は、初期表面粗さを有し、前記第２の絶縁基材から引き離されると、前記初期表面粗さは、実質的に１０％よりも小さい変化量を有する金属基板。
  2. 前記第１の絶縁基材と前記第１の金属層との間に位置する第１の接着剤層を更に備える請求項１に記載の金属基板。
  3. 前記第２の絶縁基材と前記第２の金属層との間に位置する第２の接着剤層を更に備える請求項１に記載の金属基板。
  4. 前記第１の絶縁基材と前記第１の金属層との間に位置する第１の接着剤層と、
    前記第２の絶縁基材と前記第２の金属層との間に位置する第２の接着剤層と、を更に備える請求項１に記載の金属基板。
  5. 前記第２の絶縁基材の前記第１の改質表面に貼り合わせられた側に、前記第１の改質表面と同じ第２の改質表面を有する請求項１に記載の金属基板。
  6. 前記第１の改質表面は、‐ＣＨ３、‐ＣＨ２、‐Ｏ‐、‐ＣＯＯＨ、‐ＣＯＯＨＣＨ３、‐ＣＯＯＨＣ２Ｈ５、‐ＮＨ２、‐ＮＯ２、‐ＯＨ、‐ＣＯＮＨ２、‐ＣＯＮＨ、‐ＳｉＯ２及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を含む請求項１に記載の金属基板。
  7. 前記第１の改質表面は、実質的に３ダイン／ｃｍ（ｄｙｎ／ｃｍ）よりも大きい表面エネルギー（ｓｕｒｆａｃｅ ｅｎｅｒｇｙ）を有する請求項１に記載の金属基板。
  8. 前記第１の金属層及び前記第２の金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、鉛‐錫合金（Ｓｎ‐Ｐｂ Ａｌｌｏｙ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ステンレス鋼（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ）又はそれらの任意の組み合わせを含む請求項１に記載の金属基板。
  9. 金属基板の製造方法であって、
    第１の表面、及び前記第１の表面と前記第１の金属層との間に位置し、前記第１の表面に対向する第２の表面と、を有する第１の絶縁基材と、第１の金属層と、を備える第１の片面基板構造を提供する工程と、
    前記第１の表面に対して第１の改質プロセスを行う工程と、
    第２の絶縁基材及び第２の金属層を備える第２の片面基板構造を提供する工程と、
    前記第１の片面基板構造と前記第２の片面基板構造を貼り合わせる工程と、を備え、
    前記第２の絶縁基材は、前記第１の表面と前記第２の金属層との間に位置し、
    前記第１の絶縁基材及び前記第２の絶縁基材の材質は、それぞれポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、テフロン（登録商標）、液晶高分子、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ナイロン、アクリル、アクリロニトリルブタジエンスチレンプラスチック、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、シリコーン、ポリウレタン、ポリアミド‐イミド及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれたものであり、前記第１の表面は、初期表面粗さを有し、前記第２の絶縁基材から引き離されると、前記初期表面粗さは、実質的に１０％よりも小さい変化量を有する金属基板の製造方法。
  10. 前記第１の片面基板構造を提供する工程では、前記第１の絶縁基材と前記第１の金属層との間に第１の接着剤層を提供することを更に含む請求項９に記載の金属基板の製造方法。
  11. 前記第２の片面基板構造を提供する工程では、前記第２の絶縁基材と前記第２の金属層との間に第２の接着剤層を提供することを更に含む請求項９に記載の金属基板の製造方法。
  12. 前記第１の片面基板構造と前記第２の片面基板構造を貼り合わせる前に、前記第２の絶縁基材の前記第１の表面に対面する表面に対して、第２の改質プロセスを行う工程を更に含む請求項９に記載の金属基板の製造方法。
  13. 前記第１の改質プロセスは、プラズマ処理プロセス、紫外線照射プロセス又はアルカリ性溶液の浸潤プロセスを含む請求項９に記載の金属基板の製造方法。
  14. 前記第１の表面は、‐ＣＨ３、‐ＣＨ２、‐Ｏ‐、‐ＣＯＯＨ、‐ＣＯＯＨＣＨ３、‐ＣＯＯＨＣ２Ｈ５、‐ＮＨ２、‐ＮＯ２、‐ＯＨ、‐ＣＯＮＨ２、‐ＣＯＮＨ、‐ＳｉＯ２及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選ばれた少なくとも１つの官能基を含む請求項９に記載の金属基板の製造方法。
  15. 前記第１の表面は、実質的に３ダイン／ｃｍよりも大きい表面エネルギーを有する請求項９に記載の金属基板の製造方法。
  16. 前記第１の金属層及び前記第２の金属層は、銅、アルミニウム、金、銀、錫、鉛、鉛‐錫合金、鉄、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、マンガン、コバルト、ステンレス鋼又はそれらの任意の組み合わせを含む請求項９に記載の金属基板の製造方法。
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