JP2015167944A - 膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 膜を厚くしても、側面の傾斜が緩やかになりにくい膜形成方法を提供する。【解決手段】 基板の表面の、膜材料を塗布すべき被塗布領域の縁に沿って、膜材料を液滴化して塗布し、硬化させて外縁部を先に形成し、その後、外縁部よりも内側に、膜材料を液滴化して塗布し、硬化させることにより、内奥部を形成することにより、外縁部及び内奥部からなり、上面が窪んでいる単位層を形成する。単位層の上に、さらに、各々が外縁部と内奥部とからなる別の単位層を、最上層の単位層の上面が窪んだ形状を維持しながら、積み重ねる。【選択図】 図7

Description

本発明は、基板に、液滴化された膜材料を塗布し、硬化させることにより、膜を形成する方法、及び膜形成装置に関する。
ノズルヘッド(インクジェットヘッド)から液状の薄膜材料を吐出して、基板の表面に薄膜を形成する技術が知られている(例えば、特許文献1)。薄膜材料には、光硬化性樹脂(例えば、紫外線硬化性樹脂)が用いられる。基板に付着した薄膜材料に硬化用の光を照射することにより、薄膜材料を硬化させて薄膜を形成する。
特許文献2に開示された方法では、まず、薄膜を形成すべき領域の縁に、液滴化された薄膜材料を着弾させることにより、エッジパターンを形成する。エッジパターンを形成した後、薄膜を形成すべき領域の内側に薄膜材料を着弾させることにより、薄膜を形成すべき領域を液状の薄膜材料で覆う。その後、液状の薄膜材料に硬化用の光を照射することにより、薄膜材料を硬化させる。
エッジパターンが、液状の薄膜材料の流動を堰き止める。薄膜を形成すべき領域の内側においては、基板表面に着弾した薄膜材料が横方向に連続して、表面が平坦な液状の被膜が形成される。表面が平坦になった後、薄膜材料が硬化されるため、表面の平坦な薄膜を形成することができる。
特許第3544543号公報 国際公開第2013/011775号
大電流用の厚銅基板の銅膜の厚さは、50μm〜2mm程度である。厚銅基板の銅膜を形成するために、絶縁膜も同程度まで厚くしなければならない。従来のノズルヘッドを用いた薄膜形成方法で、このように厚い膜を形成すると、膜の側面が傾斜し、その斜面が緩やかになってしまう。本発明の目的は、膜を厚くしても、側面の傾斜が緩やかになりにくい膜形成方法、及び膜形成装置を提供することである。
本発明の一観点によると、
基板の表面の、膜材料を塗布すべき被塗布領域の縁に沿って、膜材料を液滴化して塗布し、硬化させて外縁部を先に形成し、その後、前記外縁部よりも内側に、前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させることにより、内奥部を形成することにより、前記外縁部及び前記内奥部からなり、上面が窪んでいる単位層を形成する工程と、
前記単位層の上に、さらに、各々が前記外縁部と前記内奥部とからなる別の単位層を、最上層の単位層の上面が窪んだ形状を維持しながら、積み重ねる工程と
を有する膜形成方法が提供される。
本発明の他の観点によると、
基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された前記基板に対向し、前記基板の表面に、光硬化性の膜材料を
液滴化して吐出する複数のノズル孔を有するノズルヘッドと、
前記基板に塗布された前記膜材料に硬化用の光を照射する光源と、
前記ノズルヘッド及び前記光源に対して前記基板を相対的に移動させる移動機構と、
前記ノズルヘッド及び前記移動機構を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記ノズルヘッド及び前記移動機構を制御して、
前記基板の表面の被塗布領域の縁に沿って、前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させて外縁部を先に形成し、その後、前記外縁部よりも内側に、前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させることにより、内奥部を形成することにより、前記外縁部及び前記内奥部からなり、上面が窪んでいる単位層を形成し、
前記単位層の上に、さらに、各々が前記外縁部と前記内奥部とからなる別の単位層を、最上層の単位層の上面が窪んだ形状を維持しながら、積み重ねる膜形成装置が提供される。
外縁部を形成した後に内奥部を形成することにより、内奥部を形成するときに塗布される膜材料が外縁部の外側に流れ出さない。単位層の上面が窪んでいるため、単位層の上に外縁部を形成するときに、膜材料の外側への流出量を少なくすることができる。これにより、膜を厚くしても、膜の側面が緩やかになることを抑制できる。
図1は、実施例による膜形成装置の概略図である。 図2Aは、実施例による膜形成装置のノズルヘッドを含むノズルユニットの斜視図であり、図2Bは、ノズルユニットの底面図である。 図3は、実施例による膜形成装置のステージ及びノズルユニットの平面図である。 図4Aは、膜を形成するときに膜材料を塗布すべき領域(被塗布領域)の平面形状の一部分を示す平面図であり、図4Bは、被塗布領域の形状を定義する画像データの一部分を示す図である。 図5Aは、外縁部を形成するときに膜材料を塗布する対象となる画素を示す図であり、図5B〜図5Dは、外縁部を形成する工程の途中段階、及び形成後の基板及び外縁部の断面図である。 図6Aは、内奥部を形成するときに膜材料を塗布する対象となる画素を示す図であり、図6B〜図6Cは、内奥部を形成する工程の途中段階、及び形成後の基板、外縁部、及び内奥部の断面図である。 図7A〜図7Dは、膜を形成する工程の途中段階、及び形成後の基板及び膜の断面図である。 図8A〜図8Fは、実施例による膜形成方法の効果を説明するための、膜形成の途中段階における基板及び膜の断面図である。 図9A及び図9Bは、厚銅基板を製造する方法を説明するための、製造途中段階における厚銅基板の断面図である。
図1に、実施例による膜形成装置の概略図を示す。基台10の上に移動機構11を介してステージ12が支持されている。x軸及びy軸が水平方向を向き、z軸が鉛直上方を向くxyz直交座標系を定義する。移動機構11は、制御装置30により制御されて、ステージ12をx方向及びy方向に移動させる。
ステージ12の上面(保持面)に、膜を形成すべき基板50が保持される。基板50は、例えば真空チャックによりステージ12に固定される。ステージ12の上方にノズルヘ
ッド20が、昇降可能に支持されている。ノズルヘッド20は、基板50に対向する複数のノズル孔を有する。各ノズル孔から、基板50の表面に向かって光硬化性(例えば紫外線硬化性)の膜材料が液滴化されて吐出される。薄膜材料の吐出は、制御装置30によって制御される。
図1では、基台10に対してノズルヘッド20を静止させ、基板50を移動させる例を示したが、その逆に、基台10に対して基板50を静止させ、ノズルヘッド20を移動させてもよい。このように、基板50とノズルヘッド20との一方を他方に対して相対的に移動させる構成とすることも可能である。
図2Aに、ノズルヘッド20を含むノズルユニット21の斜視図を示す。ベースプレート22に、複数、例えば2個のノズルヘッド20が、y方向に並んで取り付けられている。ノズルヘッド20の各々は、x方向に並んだ複数のノズル孔23を有する。y方向に隣り合う2つのノズルヘッド20の間、及び両端のノズルヘッド20よりもさらに外側に、それぞれ硬化用光源24が取り付けられている。硬化用光源24は、基板50(図1)に塗布された膜材料に硬化用の光(例えば紫外光)を照射する。
図2Bに、ノズルユニット21の底面図を示す。2つのノズルヘッド20がy方向に並んで配置されている。2つのノズルヘッド20の間、及び最も外側のノズルヘッド20よりもさらに外側に、それぞれ硬化用光源24が配置されている。ノズルヘッド20の各々のノズル孔23は、x方向に千鳥配列している。1つのノズルヘッド20に着目すると、一例として、x方向に関してノズル孔23が300dpiに相当するピッチで配置されている。一方のノズルヘッド20は、他方のノズルヘッド20に対して、ノズルピッチの半分だけx方向にずれて配置されている。このため、2つのノズルヘッド20のノズル孔23は、全体として、x方向に関して600dpiに相当するピッチで配置される。
図3に、ステージ12、基板50、及びノズルユニット21の平面図を示す。ステージ12の保持面に基板50が保持されている。基板50の上方にノズルユニット21が支持されている。ノズルユニット21のベースプレート22に、ノズルヘッド20及び硬化用光源24が取り付けられている。移動機構11が、制御装置30から制御されることにより、ステージ12をx方向及びy方向に移動させる。
制御装置30に、形成すべき膜の平面形状を定義する画像データが記憶されている。画像データは、例えば二次元に配列した複数の画素を含む。制御装置30は、この画像データに基づいてノズルヘッド20からの膜材料の吐出のタイミング制御を行う。
基板50をy方向に移動させながら、ノズル孔23(図2B)から膜材料を液滴化して吐出することにより、x方向に関して600dpiの解像度で、膜材料を基板50に塗布することができる。基板50に塗布された膜材料は、基板50の移動方向の前方に位置する硬化用光源24から放射された光により硬化される。基板50をy方向に移動させながら、ノズル孔23から膜材料を液滴化して吐出する処理を、「基板の走査」ということとする。基板50を、600dpiに相当する間隔の1/4だけx方向にずらして4回の基板の走査を行うことにより、x方向に関して2400dpiの解像度で、膜材料を基板50に塗布することができる。4回の基板の走査において、片方向走査を行ってもよいし、往復走査を行ってもよい。
4回の基板の走査によって膜材料を塗布することができる領域を、1つの経路(パス)ということとする。1つの経路のx方向の幅が、基板50のx方向の寸法より狭い場合、基板50の表面を複数の経路に区分することにより、基板50の全域に膜材料を塗布することができる。
形成すべき膜に要求される解像度が600dpiである場合には、1回の基板の走査で1つの経路の処理を完了することができる。また、2400dpiに相当するノズルピッチを有するノズルヘッド20を用いると、1回の基板の走査で1つの経路の処理を完了することができる。
図4Aに、膜を形成するときに膜材料を塗布すべき領域(被塗布領域)の平面形状の一部分を示す。基板50の表面に、y方向に伸びる複数の被塗布領域52が画定されている。この被塗布領域52に膜材料を塗布して硬化させることにより、膜が形成される。なお、被塗布領域52は、x方向に伸びるストライプ状の形状であってもよいし、x方向及びy方向に対して斜め方向に伸びるストライプ状の形状であってもよいし、曲線に沿うストライプ状の形状であってもよいし、不定形であってもよい。
図4Bに、被塗布領域52を定義する画像データの一例を示す。この画像データは、二次元(x方向及びy方向)に配列した複数の画素53からなる。複数の画素53が、膜材料を塗布する対象の画素と、塗布する対象ではない画素とに区分されている。図4Bにおいて、膜材料を塗布する対象の画素53にハッチングが付されている。図4Bのハッチングが付された画素53の集合により、被塗布領域52が定義される。
図5A〜図7Dを参照して、実施例による膜形成方法について説明する。実施例による膜形成方では、同一の平面形状を有する単位層を積み重ねることにより、厚さ50μm〜2mm程度の膜が形成される。この厚さは、いわゆる「厚膜」と呼ばれる範囲に属する。単位層の各々の形成工程では、まず外縁部が形成され、その後内奥部が形成される。図5A〜図6Cが、1つの単位層を形成する工程を示しており、そのうち図5A〜図5Dが、外縁部を形成する工程を示しており、図6A〜図6Cが、内奥部を形成する工程を示している。図7A〜図7Dが、2層目以降の単位層を形成する工程を示している。
図5Aに、外縁部を形成するときに膜材料を塗布する対象となる画素53aを示す。図5Aにおいて、塗布対象の画素53aにハッチングが付されている。外縁部の形成時には、被塗布領域52の縁に沿う一列の画素53aが塗布対象として選択される。なお、隣接する複数列の画素53を塗布対象として選択してもよい。
図5Bに示すように、基板50を走査することにより、図5Aに示した塗布対象の画素53aに、膜材料を塗布し、硬化させる。これにより、外縁部の下層の一部分55aが形成される。ノズル孔23(図2B)のピッチと、塗布対象の画素53aのピッチとに基づいて、基板50の走査回数が決定される。
図5Cに示すように、外縁部の一部分55aの上に、さらに、膜材料と塗布し、硬化させることにより、外縁部の一部分55aを高くする。図5Bに示した基板50の走査時の塗布対象の画素53aと、図5Cに示した基板50の走査時の塗布対象の画素53aとは、同一である。すなわち、外縁部の一部分55aの直上に、新たに膜材料が塗布される。
図5Dに示すように、さらに基板50の走査を繰り返して外縁部の一部分55aを高くすることにより、目標の高さの外縁部55を形成する。
図6Aに、内奥部を形成するときに膜材料を塗布する対象となる画素53bを示す。図6Aにおいて、塗布対象の画素53bにハッチングが付されている。内奥部の形成時には、外縁部55の形成時に塗布対象となった画素53aの列よりも内側の画素53bが塗布対象として選択される。
図6Bに示すように、基板50を走査することにより、図6Aに示した塗布対象の画素53bに、膜材料を塗布し、硬化させる。これにより、内奥部の下層の一部分56aが形成される。ノズル孔23(図2B)のピッチと、塗布対象の画素53bのピッチとに基づいて、基板50の走査回数が決定される。
図6Cに示すように、内奥部の一部分56aの上に、さらに、膜材料と塗布し、硬化させることにより、内奥部の一部分56aを厚くする。図6Bに示した基板50の走査時の塗布対象の画素53bと、図6Cに示した基板50の走査時の塗布対象の画素53bとは、同一である。さらに基板50の走査を繰り返すことにより、内奥部の一部分56aを目標の厚さまで厚くし、内奥部56を形成する。外縁部55と内奥部56とにより、単位層57が構成される。単位層57の上面が窪むように、内奥部56の厚さ及び外縁部55の高さが調整されている。具体的には、内奥部56を形成するときの基板50の走査回数を、外縁部55を形成するときの基板50の走査回数より少なくすることにより、上面が窪んだ単位層57を形成することができる。
図7Aに示すように、1層目の単位層57の上に、さらに外縁部55を形成する。この外縁部55の形成方法は、図5B〜図5Dに示した1層目の単位層57の外縁部55の形成方法と同一である。なお、外縁部55の高さは、同一でなくてもよい。すなわち、外縁部55を形成するときの基板50の走査回数は同一でなくてもよい。
図7Bに示すように、1層目の単位層57の上に、2層目の内奥部56を形成する。2層目の内奥部56の形成方法は、図6B〜図6Cに示した1層目の単位層57の内奥部56の形成方法と同一である。なお、内奥部56の厚さは、同一でなくてもよい。すなわち、内奥部56を形成するときの基板50の走査回数は同一でなくてもよい。これにより、1層目の単位層57の上に形成された外縁部55及び内奥部56からなる2層目の単位層57が形成される。2層目の単位層57の上面も窪んでいる。1層目の単位層57の上面が窪んでいるため、2層目の内奥部56の厚さを、2層目の外縁部55の高さとほぼ同一にしてもよい。
図7Cに示すように、2層目の単位層57の上に、3層目の外縁部55及び内奥部56を形成することにより、3層目の単位層57を形成する。
図7Dに示すように、すでに形成されている単位層57の上に、別の単位層57を積み重ねる。このとき、最上層の単位層57の上面が窪んだ状態を維持しながら、単位層57を積み重ねる。複数の単位層57が目標の高さまで積み重ねられた後、最上層の単位層57の上面の窪みを膜材料で埋め込むことにより、ほぼ平坦な上面を有する平坦化層58を形成する。ここまでの工程で、積み重ねられた複数の単位層57、及び平坦化層58からなる膜60が形成される。
図8A〜図8Dを参照して、上記実施例の効果について説明する。図8Aに、1層目の外縁部55が形成された後、1層目の内奥部56(図6B)の形成を開始した時点の基板50及び外縁部55の概略図を示す。
基板50の表面に塗布された膜材料の液滴は、基板50の面内方向に広がるため、外縁部55の幅は、外縁部55を形成するときに塗布対象となる画素53a(図5A)からなる画素列の幅よりも広くなる。内奥部56の形成時に塗布対象となる画素53b(図6A)のうち最も外側の画素53bに塗布される液滴化された膜材料61が、1層目の外縁部55と重なり、かつ外縁部55の頂上よりも、被塗布領域52の内側に着弾する。
図8Bに示すように、外縁部55の頂上よりも内側に着弾した膜材料61は、低い方に
流れる。すなわち、膜材料61は、被塗布領域52の内側に向かって流れる。外縁部55の外側の側面には、膜材料61はほとんど流出しない。
図8Cに示すように、内奥部の一部分56aを厚くする工程(図6C)においても、液滴化された膜材料61が、外縁部55の頂上よりも内側に着弾する。このため、図8Dに示すように、膜材料61が外縁部55の頂上から、被塗布領域52の内側に向かって流れる。
上述のように、内奥部56(図6C)を形成するときに、膜材料が外縁部55の外側の側面に流れ出さない。このため、膜60(図7D)の側面の傾斜が緩やかになることを抑制できる。
図8Eに示すように、単位層57を積み重ねる工程において、現時点における最上層の単位層57の外縁部55の直上に、さらに、外縁部55を形成するための膜材料61が着弾する。図8Fに示すように、単位層57の上面が窪んでいるため、外縁部55を形成するための膜材料61が、その下の外縁部55の頂上より外側のみではなく、内側にも流れる。単位層57の上面が窪んでいない場合には、その上に外縁部を形成する際に、塗布された膜材料の大部分が外側に向かって流れてしまう。上述の実施例では、最上層の単位層57の上面が窪んでいるため、外縁部55(図7A)を形成するときにも、膜60(図7D)の側面への流出を少なくすることができる。これにより、膜60(図7D)の側面の傾斜が緩やかになることを抑制できる。
図9A及び図9Bを参照して、上記実施例による方法で形成された膜60(図7D)を用いた厚銅基板の製造方法について説明する。
図9Aに示すように、基板50の表面の、厚銅を配置する領域63以外の領域に、上述の実施例による方法で膜60を形成する。図9Bに示すように、膜60が形成されていない領域63に銅を埋め込むことにより、厚銅64を形成する。
上記実施例では、単位層57(図7D)を積み重ねることにより、膜60を50μm〜2mm程度まで厚くすることができる。このため、厚さ50μm〜2mm程度の厚銅64を形成することができる。さらに、膜60の側面の傾斜を急峻にすることができるため、厚銅64の断面積を大きくすることができる。これにより、大電流を流す用途に適した厚銅64が得られる。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
10 基台
11 移動機構
12 ステージ
20 ノズルヘッド
21 ノズルユニット
22 ベースプレート
23 ノズル孔
24 硬化用光源
30 制御装置
50 基板
52 被塗布領域
53 画素
53a 外縁部形成時の塗布対象の画素
53b 内奥部形成時の塗布対象の画素
55 外縁部
55a 外縁部の一部分
56 内奥部
56a 内奥部の一部分
57 単位層
58 平坦化層
60 膜
61 膜材料
63 厚銅を配置する領域
64 厚銅

Claims (6)

  1. 基板の表面の、膜材料を塗布すべき被塗布領域の縁に沿って、膜材料を液滴化して塗布し、硬化させて外縁部を先に形成し、その後、前記外縁部よりも内側に、前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させることにより、内奥部を形成することにより、前記外縁部及び前記内奥部からなり、上面が窪んでいる単位層を形成する工程と、
    前記単位層の上に、さらに、各々が前記外縁部と前記内奥部とからなる別の単位層を、最上層の単位層の上面が窪んだ形状を維持しながら、積み重ねる工程と
    を有する膜形成方法。
  2. 1つの前記単位層の前記外縁部を形成する工程において、前記被塗布領域の縁に沿って、前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させて前記外縁部の一部分を形成し、前記外縁部の一部分の上に、さらに前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させて、前記外縁部の一部分を高くすることにより前記外縁部を形成する請求項1に記載の膜形成方法。
  3. 前記被塗布領域の形状が、複数の画素からなる画像データにより定義されており、
    前記外縁部の一部分を高くするときに、下側の前記一部分を形成するときに前記膜材料を塗布した前記画素と同一の画素に、さらに、前記膜材料を塗布する請求項2に記載の膜形成方法。
  4. 基板を保持するステージと、
    前記ステージに保持された前記基板に対向し、前記基板の表面に、光硬化性の膜材料を液滴化して吐出する複数のノズル孔を有するノズルヘッドと、
    前記基板に塗布された前記膜材料に硬化用の光を照射する光源と、
    前記ノズルヘッド及び前記光源に対して前記基板を相対的に移動させる移動機構と、
    前記ノズルヘッド及び前記移動機構を制御する制御装置と
    を有し、
    前記制御装置は、前記ノズルヘッド及び前記移動機構を制御して、
    前記基板の表面の被塗布領域の縁に沿って、前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させて外縁部を先に形成し、その後、前記外縁部よりも内側に、前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させることにより、内奥部を形成することにより、前記外縁部及び前記内奥部からなり、上面が窪んでいる単位層を形成し、
    前記単位層の上に、さらに、各々が前記外縁部と前記内奥部とからなる別の単位層を、最上層の単位層の上面が窪んだ形状を維持しながら、積み重ねる膜形成装置。
  5. 前記制御装置は、前記ノズルヘッド及び前記移動機構を制御して、1つの前記単位層の前記外縁部を形成するときに、前記被塗布領域の縁に沿って、前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させて前記外縁部の一部分を形成し、前記外縁部の一部分の上に、さらに前記膜材料を液滴化して塗布し、硬化させて、前記外縁部の一部分を高くすることにより前記外縁部を形成する請求項4に記載の膜形成装置。
  6. 前記制御装置は、複数の画素からなる画像データにより定義された前記被塗布領域の形状を記憶しており、
    前記外縁部の一部分を高くするときに、下側の前記一部分を形成するときに前記膜材料を塗布した前記画素と同一の画素に、さらに、前記膜材料を塗布する請求項5に記載の膜形成装置。
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