TWI594804B - Touch panel manufacturing method - Google Patents

Touch panel manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI594804B
TWI594804B TW101147156A TW101147156A TWI594804B TW I594804 B TWI594804 B TW I594804B TW 101147156 A TW101147156 A TW 101147156A TW 101147156 A TW101147156 A TW 101147156A TW I594804 B TWI594804 B TW I594804B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
nozzle
substrate
insulating film
film
landing
Prior art date
Application number
TW101147156A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201338872A (zh
Inventor
Yuji Okamoto
Keiji Iso
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries filed Critical Sumitomo Heavy Industries
Publication of TW201338872A publication Critical patent/TW201338872A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI594804B publication Critical patent/TWI594804B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate

Description

觸控面板之製造方法
本發明係有關一種使液滴著落於基板來形成絕緣膜之觸控面板的製造方法及基板製造裝置。
於第6圖A，表示出電容式輸入裝置(觸控面板)的電極圖案的俯視圖。觸控面板在玻璃基板80上包括延伸於橫向之複數個第1透明電極81及延伸於縱向之複數個第2透明電極82。
參閱第6圖B~第6圖D，說明有關電極圖案的形成方法。如第6圖B所示，在玻璃基板80上形成由銦錫氧化物(ITO)所構成之透明導電膜並進行圖案化。第1透明電極81包括向橫向排列之複數個菱形區域。第1透明電極81的相互鄰接之菱形區域，係藉由由透明導電膜所構成之連接區域而相互連接。第2透明電極82包括排列於縱向之複數個菱形區域。第2透明電極82的菱形區域，係藉由第1透明電極81的連接區域而相互分離。
如第6圖C所示，在第1透明電極81的連接區域上、第1透明電極81、第2透明電極82的菱形區域的一部分上、及菱形區域間的玻璃基板80上，形成長方形的絕緣膜83。
如第6圖D所示，在絕緣膜83上，形成相互電性連接第2透明電極82的菱形區域之由透明導電膜所構成之 連接區域。
於第6圖E，表示出第6圖D的單點鏈線6E-6E之剖面圖。於玻璃基板80上，依序，層積有第1透明電極81、絕緣膜83、第2透明電極82的連接區域。
接著，說明有關絕緣膜83之習知的形成方法。首先，形成第6圖B所示之菱形區域之後，在玻璃基板80的整個面上形成絕緣膜。絕緣膜係覆蓋由ITO所構成之菱形區域。之後，使用光刻蝕技術將絕緣膜圖案成形。藉此，形成絕緣膜83(第6圖C)(例如，參閱專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開2011-128674號公報
於第7圖A，表示噴嘴單元10的立體圖。安裝2個噴嘴頭10A、10B於噴嘴夾具(支撐構件)11上成排列於X方向上。噴嘴頭10A和10B具有相同構造。其中一方的噴嘴頭10A配置在比另一方的噴嘴頭10B更靠X軸的負側。於各噴嘴頭10A、10B，分別形成有複數個噴嘴孔10a、10b。從各噴嘴孔10a、10b朝向基板吐出光固化性(例如，紫外線固化性)的液狀絕緣材料(薄膜材料)。
在噴嘴頭10A與10B之間、比噴嘴頭10A更靠X軸 的負側、及比噴嘴頭10B更靠X軸的正側配置有光源13。光源13對基板照射固化用光(例如，紫外線)。
於第7圖B，表示噴嘴單元10的仰視圖。於噴嘴頭10A的底面，形成有2列噴嘴列。2列噴嘴列分別包括例如以間距(週期)169.2μm排列在Y方向之複數個噴嘴孔10a。其中一方的噴嘴列，係配置成相對於另一方的噴嘴列偏離於X軸的正方向，而且，於Y軸的正方向僅偏離84.6μm。亦即，噴嘴頭10A的噴嘴孔10a，係整體在Y方向上以84.6μm的間距等間隔分佈。該間距相當於300dpi的解析度。
噴嘴頭10B以相對於噴嘴頭10A於Y軸的正方向僅偏離42.3μm之方式被機械定位並安裝於噴嘴夾具11。
如第7圖C所示，將噴嘴頭10A、10B的噴嘴孔10a、10b垂直投影於與X軸垂直之虛擬平面16之影像15a、15b，係於Y方向以42.3μm的間距做等間隔排列。亦即，噴嘴單元10的噴嘴孔10a、10b，係整體於Y方向以42.3μm的間距做排列。該間距相當於600dpi的解析度。
於第8圖，表示出以與Y軸平行之視線觀察噴嘴單元10及基板90時的示意圖。於噴嘴夾具11，安裝有噴嘴頭10A、10B及光源13。作為薄膜的形成對象之基板90與噴嘴頭10A、10B對置。
安裝於噴嘴頭10A與10B之間的光源13，係照射固化用光到基板90的表面中對置於噴嘴頭10A之區域18A 與對置於噴嘴頭10B之區域18B之間的區域。被安裝在比噴嘴頭10A更靠X軸的負側之光源13，係照射固化用光到比區域18A更靠X軸的負側之區域。被安裝在比噴嘴頭10B更靠X軸的正側之光源13，係照射固化用光到比區域18B更靠X軸的正側之區域。
如此，使用噴嘴孔10a、10b的間距被固定之噴嘴頭10A、10B來形成薄膜時，為了調整薄膜的厚度，必須控制薄膜材料的液滴的體積。然而，難以自由調整液滴的體積。能夠藉由進行反覆塗布來加厚薄膜。但是，難以形成比由液滴的最小體積或噴嘴孔10a、10b的間距決定之最小厚度還要薄的膜。
本發明的目的，為提供一種絕緣膜的膜厚控制自由度較高之觸控面板的製造方法及基板製造裝置。本發明的另一目的，為提供一種可形成優質絕緣膜之觸控面板的製造方法及基板製造裝置。
依本發明的一個觀點，提供一種觸控面板的製造方法，其具有：(a)製程，在基板上，形成延伸於第1方向之複數個第1電極及排列於與前述第1方向交叉之第2方向且被第1電極分斷之複數個第2電極；(b)製程，在排列於前述第2方向之前述第2電極的列與前述第1電極交叉部位的前述第1電極上，形成絕 緣膜；及(c)製程，在前述絕緣膜上，形成連接被前述第1電極分斷之前述第2電極彼此之連接區域，前述(b)製程包括：(b1)製程，使從噴嘴孔吐出之液滴著落於應形成前述絕緣膜之區域內的複數個著落位置；及(b2)製程，在著落於前述著落位置之液滴彼此相互連續而形成液狀膜之狀態下，使前述液狀膜固化，前述著落位置配置為成為依據應形成之絕緣膜的厚度來確定之間隔。
依本發明的其他觀點，提供一種基板製造裝置，其具有：載物台，保持基板於保持面；噴嘴單元，朝向被保持於前述載物台之基板吐出絕緣膜材料的液滴；及移動機構，使前述載物台相對於前述噴嘴單元相對移動於與前述保持面平行之掃描方向，前述噴嘴單元包括：噴嘴夾具；第1噴嘴頭及第2噴嘴頭，係被安裝於前述噴嘴夾具並分別具有複數個噴嘴孔；及位置調整機構，改變前述第1噴嘴頭及前述第2噴嘴頭的相對位置，以使前述第1噴嘴頭的1個噴嘴孔與前述第2噴嘴頭的1個噴嘴孔在與前述掃描方向正交之方向上 的間隔發生變化。
依本發明的又一觀點，提供一種基板製造裝置，其具有：載物台，保持基板於保持面；噴嘴單元，朝向被保持於前述載物台之基板吐出絕緣膜材料的液滴；及移動機構，使前述載物台相對於前述噴嘴單元相對移動於與前述保持面平行之掃描方向，前述噴嘴單元包括：第1噴嘴頭，其具有在與前述掃描方向交叉之第1方向上以第1間隔排列之複數個噴嘴孔；及第2噴嘴頭，其具有在前述第1方向上以前述第1間隔排列之複數個噴嘴孔，在前述第1方向上，前述第2噴嘴頭的1個噴嘴孔配置於偏離連結前述第1噴嘴頭的相互鄰接之2個噴嘴孔之線段的中點之位置。
以本發明的又一觀點，提供一種基板製造裝置，其具有：載物台，保持基板於保持面；噴嘴單元，朝向被保持於前述載物台之基板吐出絕緣膜材料的液滴；及移動機構，使前述載物台相對於前述噴嘴單元相對移動於與前述保持面平行之掃描方向，前述噴嘴單元包括： 第1噴嘴頭，其具有在與前述掃描方向交叉之第1方向上以第1間隔排列之複數個噴嘴孔；第2噴嘴頭，其具有在前述第1方向上以前述第1間隔排列之複數個噴嘴孔；及位置調整機構，針對前述第1噴嘴頭及前述第2噴嘴頭，改變以與前述保持面正交之軸為旋轉中心之旋轉方向的姿勢。
利用決定著落位置的間隔並在已被決定之間隔的條件下使液滴著落的方式，而能夠提高絕緣膜的膜厚的自由度。
〔實施例1〕
於第1圖，表示出基於實施例1之基板製造裝置70的俯視圖。基板製造裝置70，係包括液滴吐出裝置73及紫外線照射裝置74。液滴吐出裝置73及紫外線照射裝置74被收容在筐體71的內部。於筐體71，設置有基板搬入口71a及基板搬出口71b。另外，基板製造裝置70，係包括作為輸送裝置之輸送機72a、72b。輸送機72a，係透過基板搬入口71a從筐體71的外部朝內部搬入薄膜形成對象物，例如基板80。另外，在筐體71的內部，輸送基板80至液滴吐出裝置73。基板80，係例如如第6圖B所示 那樣形成有被圖案化之透明電極膜之玻璃基板。使用基於實施例1之基板製造裝置70，在基板80上(玻璃基板上及透明導電膜上)形成如第6圖C中所示之長方形的絕緣膜83。
液滴吐出裝置73，係於基板80上的指定區域，吐出紫外線固化型樹脂等絕緣材料來作為液滴。附著有被吐出之液滴之基板80，係藉由輸送機72b輸送。於輸送機72b的輸送徑路的上方，配置有紫外線照射裝置74。紫外線照射裝置74，係經由向連續複數個液滴而形成有液狀膜之基板80照射紫外線的方式來使液狀膜固化。紫外線照射裝置74，係擔負有作為使附著於基板80之液狀膜固化之液滴固化裝置的作用。經由紫外線的照射，附著於基板80上之液滴固化，在基板80上形成絕緣膜83。
液狀膜固化之絕緣膜83具有絕緣性，但固化之前的液狀材料未必一定要有絕緣性。
形成有絕緣膜83之基板80，係藉由輸送機72b，從基板搬出口71b搬出到筐體71的外部。基板製造裝置70亦可為不包括筐體71之結構。
基於實施例1之基板製造裝置70，係進一步包括控制裝置33及記憶裝置34。控制裝置33，係控制液滴吐出裝置73、紫外線照射裝置74及輸送機72a、72b的動作。於記憶裝置34，記憶有例如以液滴吐出裝置73朝向基板80吐出薄膜材料之後到薄膜材料利用紫外線照射裝置74所射出之紫外光而固化為止之時間，作為一例，記 憶有100秒。控制裝置33，係控制基板80之基於輸送機72b所致之輸送速度，以使朝向基板80吐出薄膜材料後到附著於基板80之薄膜材料固化為止之時間與記憶於記憶裝置34之到固化為止之時間相等。
在絕緣膜83(第6圖C)的形成製程中，例如要求將1片基板80的處理時間為30秒以下。另外，以液滴吐出裝置73塗布薄膜材料到1片基板80所需之時間，例如為30秒。於輸送機72b上，以每30秒一片的比例載置附著有從液滴吐出裝置73吐出之薄膜材料之基板80。在從液滴吐出裝置73至紫外線照射裝置74的輸送路徑(輸送機72b)上，附著有薄膜材料之複數個基板80在被輸送之同時待機至固化處理。亦即，在對某基板執行固化處理期間，其他至少一片基板結束薄膜材料的塗布而處於輸送中。基板80以每30秒一片的比例通過紫外線照射裝置74的下方，藉此固化附著於基板80之薄膜材料。薄膜材料被固化而形成絕緣膜83(第6圖C)之基板80，係以每30秒1片的比例藉由輸送機72b朝筐體71的外部搬出。
若著眼於1片基板80，則從搬入到液滴吐出裝置73之後開始到從基板搬出口71b搬出為止之時間，比所要求之處理時間(例如30秒)還要長。但是，由於複數個基板80在輸送機72b上待機直到被固化為止，因此如上述那樣，可按每一片的目標處理時間搬出1片基板80。
於第2圖，表示出基於實施例1之基板製造裝置70 所包括之液滴吐出裝置73的示意圖。於平板20上，利用移動機構21保持有載物台(保持機構)25。移動機構21，係包括X方向移動機構22、Y方向移動機構23及θ方向旋轉機構24。定義將水平面為XY平面，並將垂直方向設為Z方向之XYZ正交座標系。X方向移動機構22，係使Y方向移動機構23移動在X方向。Y方向移動機構23，係使θ方向旋轉機構24移動在Y方向。θ方向旋轉機構24，係以與Z軸平行之軸為旋轉中心，改變載物台25的旋轉方向的姿勢。載物台25，係保持作為薄膜形成對象之基板80。載物台25，係例如利用真空卡盤吸附基板80。
在平板20的上方，藉由支柱30支撐有橫樑31。於橫樑31，安裝有噴嘴單元40及拍攝裝置32。噴嘴單元40及拍攝裝置32，係與保持於載物台25之基板80對置。
噴嘴單元40以能夠移動於Z方向的方式支撐於橫樑31。對應基板80的厚度，使噴嘴單元40向Z方向移動，藉此能夠使噴嘴單元40與基板80的間隔保持為恆定。另外，支柱30支撐橫樑31成可以移動於Z方向，藉此還能夠調整噴嘴單元40與保持於載物台25之基板80的間隔。
拍攝裝置32，係對形成於基板80的表面之透明導電膜圖案、對準標誌等進行拍攝。拍攝結果被輸入於控制裝置33。噴嘴單元40，係從複數個噴嘴孔朝向基板80，吐 出紫外線固化型樹脂等絕緣材料作為液滴。吐出之液滴，附著於基板80的表面(包括作為基板材料之玻璃表面及透明導電膜表面之區域)。
使基板80相對於噴嘴單元40移動於X方向之同時，從噴嘴孔吐出絕緣材料的液滴，藉此能夠形成具有所希望之平面形狀之絕緣膜。將使基板80移動於X方向之同時從噴嘴孔吐出絕緣材料的液滴之動作稱為“掃描”。
以往，藉由利用光刻蝕技術進行圖案化來形成了長方形的絕緣膜83(第6圖C)，但若使用基於實施例1之基板製造裝置，則能夠藉由使被液滴化之絕緣材料僅附著於基板80中所希望之區域並使其固化來形成絕緣膜83(第6圖C)。因此，形成絕緣膜83時，能夠縮短形成所需時間，並且能夠減少絕緣材料的使用量。
控制裝置33，係控制：X方向移動機構22、Y方向移動機構23、θ方向旋轉機構24、載物台25、拍攝裝置32及噴嘴單元40。另外，液滴吐出裝置73亦可設為不包括拍攝裝置32之結構。此時，透明導電膜圖案、對準標誌等的拍攝，在基板製造裝置外進行，拍攝結果輸入於控制裝置33。
於記憶裝置34，記憶有應形成之圖案，例如形成絕緣膜83之區域的圖像資料。
在第2圖中，相對於平板20固定噴嘴單元40，並以使載物台25移動之方式配置移動機構21，但是亦可使噴嘴單元40相對於載物台25移動。
於第3圖A及第3圖B，分別表示出噴嘴單元40的立體圖及仰視圖。噴嘴單元40，係包括支撐於噴嘴夾具41之噴嘴頭42A及42B。於噴嘴頭42A、42B，分別形成有複數個噴嘴孔42a、42b。噴嘴夾具41、噴嘴頭42A、42B、噴嘴孔42a、42b的結構，係與第7圖A及第7圖B中所示之噴嘴夾具11、噴嘴頭10A、10B、噴嘴孔10a、10b的結構相同。基於實施例1之噴嘴單元40不包括光源13(第7圖A、第7圖B)。
如第3圖C所示，將噴嘴頭42A、42B(第3圖B)的噴嘴孔42a、42b垂直投影於與X軸垂直之虛擬平面56之影像55a、55b，係於Y方向，以42.3μm的間距等間隔排列。噴嘴單元40，係可在1次掃描中，在Y方向上以600dpi的解析度形成絕緣膜。
另外，噴嘴頭42A、42B(第3圖B)，係包括與噴嘴孔42a、42b對應而配置之壓電元件。藉由控制裝置33的控制對壓電元件施加帶有一種時間波形之電壓。對應於被施加之電壓波形，從噴嘴孔42a、42b吐出液滴。吐出間隔係依賴於被施加之電壓波形的頻率，能夠藉由施加較高頻率的電壓波形來縮短吐出間隔。因此，能夠藉由提高施加之電壓波形的頻率來提高X方向的解析度。
於第4圖A，表示出從液滴著落於基板80(第2圖)之時刻開始的經過時間與附著於基板80上之液狀膜的膜厚的關係。第4圖A的橫軸係以單位“秒”表示從著落時刻開始的經過時間，縱軸係以單位“μm”表示液 狀膜的膜厚。曲線a係表示基於著落於由ITO構成之透明導電膜(導電膜表面)之液滴之膜的厚度，曲線b係表示基於著落於基板80的玻璃表面之液滴之膜的厚度。將Y方向(第3圖B)上的著落位置的間隔設為50μm。
無論是著落於透明導電膜表面時，還是著落於玻璃表面時，著落後經過0.1秒後的膜厚為12μm。之後，著落於透明導電膜表面之液滴，比著落於玻璃表面之液滴更迅速擴散。液滴在透明導電膜表面和玻璃表面上擴散之速度不同是因為透明導電膜表面的潤濕性和玻璃表面的潤濕性不同。
在透明導電膜表面，藉由液滴的著落而形成之膜的厚度，係在著落開始後經過20秒後成為2.0μm。在玻璃表面，膜的厚度，係在著落後經過30秒後成為2.0μm。無論是著落於透明導電膜表面之液滴，還是著落於玻璃表面之液滴，均繼續逐漸擴散，隨著時間的經過，膜厚接近1.5μm，但不會成為小於1.5μm。
該膜厚的漸進值(1.5μm)為藉由從液滴吐出裝置73吐出之液滴的著落位置的間隔而決定之值。若舉出另一例，液滴的著落位置的Y方向上的間隔為40μm時，膜厚的漸進值成為3.0μm。
藉由著落於透明導電膜表面之液滴形成之膜的厚度，係隨著時間的經過漸進至1.5μm。藉由著落於玻璃表面之液滴形成之膜的厚度，亦隨著時間的經過漸進至1.5μm，但在著落開始後超過180秒之時刻，膜厚開始增 加。這是因為在具有高疏水性之玻璃表面，已擴散之液滴由於表面張力以圓狀隆起。
如第4圖A所示那樣的表示著落開始後的經過時間與液狀膜的厚度的關係之資料，係本案發明人獨自研究結果而獲得。另外，膜厚的漸進值依賴於液滴著落位置的間隔，能夠藉由改變著落位置的間隔來控制膜厚，這一見解亦是本案發明人深刻研究的產物。
於第4圖B，表示出基於著落於橫跨玻璃表面和透明導電膜表面之區域之液滴之膜的概略的俯視圖。在第4圖B中，按時間經過的順序以α~δ來表示隨著時間的經過在玻璃表面及透明導電膜表面擴散之液滴的平面形狀。
平面形狀α，係從著落時刻開始經過15秒後的形狀。在透明導電膜表面，液滴以與玻璃表面相比較快之速度擴散，膜厚相對變薄。在玻璃表面，液滴擴散之速度相對較慢，膜厚相對較厚。在透明導電膜表面和玻璃表面，液滴擴散之範圍的面積及膜厚產生較大的差異。
平面形狀β，係從著落時刻開始經過25秒後的形狀。與平面形狀α比較時，液滴在透明導電膜表面和玻璃表面擴散之範圍的面積之比接近1，膜厚之差變小。
平面形狀γ，係從著落時刻開始經過30秒以上180秒以下的時間後的形狀。液滴著落後經過30秒以上180秒以下的任意時間之後，液滴在透明導電膜表面和玻璃表面擴散之範圍的面積及膜厚大致相等。
平面形狀δ係從著落時刻開始經過200秒後的形狀。 在玻璃表面，已擴散之液滴由於表面張力而隆起，膜厚再次變厚，並且液滴的擴散範圍變窄。
參閱第5圖A~第5圖C，說明有關基於實施例1之基板製造方法。基於實施例1之基板製造方法，係使用第1圖中所示之基板製造裝置並在控制裝置33的控制下實施。基於實施例1之基板製造方法中，首先，決定形成於基板80上之絕緣膜83的膜厚。例如，將應形成之絕緣膜83的目標膜厚設為2μm以下。如此，膜厚的決定還包括膜厚範圍的決定。另外，關於絕緣膜83的目標膜厚，具體而言，例如可在玻璃表面設定為2μm，亦可在透明導電膜表面設定為2μm。
另外，可以以形成於玻璃表面之絕緣膜83的膜厚與形成於透明導電膜表面之絕緣膜83的膜厚之差成為預定值例如0.5μm以下之方式，確定形成於包括基板80的玻璃表面及透明導電膜表面這兩者之區域之絕緣膜的膜厚。在該情況下，決定膜厚之差的目標值。
還能夠在決定目標膜厚之前、或與目標膜厚的決定一同、或者在決定目標膜厚之後決定規定膜厚的漸進值之液滴的著落位置的間隔。例如若將Y方向上的著落位置的間隔設為50μm，則膜厚的漸進值成為1.5μm。
預先準備如第4圖A所示般之表示液滴著落於基板80之後的經過時間與液滴所形成之膜的厚度的關係之資料(經過時間膜厚對應資料)。參閱經過時間膜厚對應資料，對應已決定之目標膜厚，決定在基板上著落液滴後到 使液滴固化為止的經過時間。另外，可以考慮到液滴著落於基板上之時刻與從噴嘴吐出液滴之時刻相同。
依第4圖A中所示之曲線圖，若從著落到固化為止的經過時間在30秒以上180秒以下的話，則無論是在玻璃表面還是在透明導電膜表面，均可將絕緣膜的膜厚設為2μm以下。另外，若在著落開始後經過30秒以上180秒以下的時間之任意時機使液滴固化，則如第4圖B所示之平面形狀γ，液滴在透明導電膜表面和玻璃表面擴散之範圍的面積及膜厚變得大致相等(膜厚差變成0.5μm以下)。因此，能夠形成優質絕緣膜83。
作為屬於30秒以上180秒以下的範圍之經過時間，例如採用100秒。已決定之經過時間，係記憶於記憶裝置34。
接著，以基板80的表面上的液滴的著落位置在Y方向上間隔成為50μm之方式，從噴嘴單元40(噴嘴頭42A、42B)朝向基板80吐出液滴。
實施例1中，如第5圖A所示，從在Y方向上以126.9μm間隔配置之噴嘴孔42a、42b朝向基板80吐出液滴，並使液滴著落於基板80的指定區域。在第5圖A中，塗黑表示吐出液滴之噴嘴孔42a、42b。對於噴嘴頭42A、42B分別具有2列之各個噴嘴列進行觀察時，在各噴嘴列中，於吐出液滴之噴嘴孔之間，配置2個不吐出液滴之噴嘴孔。
如第5圖B所示，控制裝置33藉由移動機構21使保 持於載物台25之基板80移動於X軸的正方向。噴嘴單元40，係相對於基板80相對移動於X軸的負方向。控制噴嘴單元40，例如以X方向上的著落位置的間隔成為50μm之方式吐出液滴。第5圖B中，以帶箭頭之虛線表示在該掃描製程中液滴著落之位置的軌跡。
接著，控制裝置33，係在停止液滴的吐出之狀態下，藉由移動機構21使基板80向Y軸的負方向移動50μm。噴嘴單元40，係相對於基板80向Y軸的正方向僅相對移動50μm。之後，使噴嘴單元40相對於基板80相對移動於X軸的正方向之同時，控制噴嘴單元40，例如以在X方向上的著落位置的間隔成為50μm之方式吐出液滴。第5圖B中，以帶箭頭之實線表示在該掃描製程中液滴著落之位置的軌跡。在基板80的表面，液滴的著落位置在Y方向上的間隔(2條軌跡的間隔)成為50μm。
若使液滴著落於Y方向上的間隔成為50μm之2個著落位置，則液滴向面內方向擴散而2個液滴相互連續。藉此，在包括間隔50μm的2個著落位置之間在內的區域形成未固化狀態的絕緣膜83。控制裝置33，係控制輸送機72b的輸送速度，以使附著於基板80之液狀膜在液滴向基板80著落時刻(從噴嘴單元40吐出液滴之時刻)開始經過100秒之後被固化。
附著有絕緣材料之基板80，係在液滴的著落時刻開始經過100秒之後通過紫外線照射裝置74的下方。藉此，附著於基板80之液狀絕緣材料，係在著落時刻開始 經過100秒之後被固化。
使液狀膜在著落開始經過100秒之後固化，藉此如第5圖C所示，基板80的表面上在包括以50μm的間隔分佈之著落位置之區域中，無論是在玻璃表面還是在透明導電膜表面，均形成具有大致相等之為2μm以下的膜厚之絕緣膜83。
依基於實施例1之基板製造方法，控制使液滴著落於基板80上之後到固化(照射紫外線)為止之時間，藉此可將絕緣膜83設為所希望之膜厚。依基於實施例1之基板製造方法及基板製造裝置，能夠以較高之膜厚控制自由度形成絕緣膜83。還能夠輕鬆地實現絕緣膜83的薄膜化。另外，即使是使液滴附著於露出有潤濕性不同之材料之區域時，實施例1中為使液滴附著於玻璃表面與透明導電膜表面的境界，亦能夠形成膜厚大致均等之優質絕緣膜。
例如，基於實施例1之基板製造方法，係不僅可適用於觸控面板的製造，還可適用於在印刷基板形成絕緣膜(阻焊抗蝕劑)之製程。當製造觸控面板時，形成第6圖B~第6圖D所示之製程中第6圖C的絕緣膜83時，應用基於實施例1之基板製造方法即可。
例如，首先，如第6圖B所示，在玻璃基板80的表面，形成第1透明電極(第1電極)81及第2透明電極(第2電極)82。第1透明電極81，係包括在基板80表面配置成行列狀之複數個菱形區域，和電性連接相同行的 複數個菱形區域之連接區域。第2透明電極(第2電極)82，係包括配置成行列狀之複數個菱形區域。第2透明電極82的菱形區域，係配置於第1透明電極81的配置成行列狀之菱形區域的行與行之間、及列與列之間。第2透明電極82的相同列內的菱形區域被第1透明電極81的連接區域分斷。
接著，如第6圖C所示，至少在基板80及第1透明電極81的局部區域形成絕緣膜83。此時，使用例如基於實施例1之基板製造方法。形成絕緣膜83之後，如第6圖D所示，在絕緣膜83上形成透明導電膜，並電性連接第2透明電極82的相同列的菱形區域彼此。
如此，能夠製造膜厚控制自由度較高且具有優質絕緣膜之觸控面板。
另外，實施例1中，吐出液滴到玻璃表面及透明導電膜表面。基於實施例1之方法，係不限於玻璃表面和透明導電膜表面，還能夠適用於吐出液滴到露出通常具有不同潤濕性之異種材料之區域並形成絕緣膜之情況。
如在第4圖A中例示那樣的液滴著落於基板之後的經過時間與液狀膜的厚度的關係，因液狀絕緣材料的黏性而不同。作為一例，使用與第4圖A中所示之絕緣材料不同黏性之絕緣材料時，得知為了在玻璃表面、透明導電膜表面這兩者獲得3μm以下的膜厚的絕緣膜，自液狀絕緣材料著落起，經過180秒以上360秒以下的時間之後照射紫外光來使液狀膜固化即可。使液狀膜在從著落時刻開 始經過不到180秒的時間之時刻固化時，玻璃表面的膜厚超過3μm，並且玻璃表面與透明導電膜表面的膜厚產生不能說是均等之差異。若在著落時刻開始經過超過360秒之時間之後照射紫外光，則由於液滴的表面張力，在玻璃表面的膜變厚之狀態下進行固化，因此無法獲得3μm以下的膜厚的絕緣膜。
另外，實施例1中，在露出有不同之2種材料之區域塗布液狀材料來形成絕緣膜83，但也能夠在僅露出有玻璃之區域或僅露出有透明導電膜之區域附著液狀材料來形成絕緣膜。作為一例，在透明導電膜表面形成厚度2.0μm以下的絕緣膜時，將液滴著落後到固化為止之時間設為20秒以上即可。
〔實施例2〕
參閱第9圖~第12圖B，說明有關基於實施例2之基板製造方法。以下，說明與實施例1的不同點，對相同結構省略說明。使從噴嘴單元40(第3圖A)吐出之液滴著落於基板80之位置的間隔不同來形成絕緣膜，並進行了調查著落位置的間隔與絕緣膜的厚度的關係之評價實驗。
於第9圖，表示出評價實驗的結果。第9圖的橫軸係以單位「μm」表示著落位置的間隔，縱軸係以單位「μm」表示形成於基板上之絕緣膜的膜厚的漸進值。其中，「膜厚的漸進值」是指，在從第4圖A中所示之著 落時刻開始的經過時間與膜厚的關係中，膜厚隨著經過時間的增加而漸進之值。
評價實驗中，如第3圖B所示，將噴嘴孔42a、42b的排列方向設為Y方向，使基板向X方向相對移動之同時，從噴嘴孔42a、42b吐出液滴。在橫軸所示之著落位置的間隔，係表示Y方向上之著落位置的間隔。另外，使X方向上之著落位置的間隔與Y方向上之著落位置的間隔相等。因此，著落位置的間隔為10μm是指在X方向及Y方向這兩個方向上，液滴的著落位置的間隔為10μm。即使著落位置的間隔改變，分別從噴嘴孔42a、42b吐出之液滴的體積亦為恆定。
在X方向上之著落位置的間隔與Y方向上之著落位置的間隔相等之條件下，可預測形成於基板上之絕緣膜的膜厚，係與著落位置的間隔的平方成反比。然而，如第9圖所示，膜厚的漸進值並不與著落位置的間隔的平方成反比。著落位置的間隔為10μm、20μm、40μm、50μm時，膜厚的漸進值係分別為25μm、12μm、3μm、1.5μm。
本案發明人理解為，由於附著於基板表面之複數個液滴相互連續之後，在超過一定範圍而不擴散之狀態下固化，因此才得到了第9圖所示之相關關係。例如，對形成在寬度方向上包括2個著落位置之帶狀薄膜之例子進行研究。著落位置的間隔從10μm變為20μm時，若形成之帶狀薄膜的寬度成為2倍，則薄膜的厚度成為1/4倍。但 是，如以下說明，帶狀薄膜的寬度不會成為2倍。
假設當著落位置的間隔為10μm及20μm時形成之薄膜的寬度分別為(10+a)μm及(20+b)μm。其中，a及b是指液狀薄膜材料向寬度方向擴散而引起之寬度的增加量。若寬度的增加量b為a的2倍，則當著落位置的間隔從10μm變為20μm時，所形成之帶狀薄膜的寬度變為2倍。但是，實際上，增加量b小於增加量a的2倍。因此，即使將著落位置的間隔設為2倍，薄膜的寬度亦不會成為2倍。
當所形成之薄膜的寬度較窄時，亦有可能在寬度方向上僅包括有1個著落位置。亦即，有時藉由使液滴著落於1列著落位置來形成帶狀薄膜。薄膜的厚度，係依賴於長度方向上的著落位置的間隔。此時，可獲得與表示長度方向上的著落位置的間隔與薄膜的膜厚的漸進值之間的關係之第9圖同等的曲線圖。
於第10圖，顯示出表示膜厚的漸進值與著落位置間隔的關係之曲線圖的另一例子的概略形狀。第10圖的橫軸及縱軸與第9圖的橫軸及縱軸相同，表示著落位置的間隔及膜厚的漸進值。第9圖的曲線圖係在X方向上的著落位置的間隔與Y方向上的著落位置的間隔相等之條件下獲得，但第10圖所示之結果係在將X方向上的著落位置的間隔設為恆定之條件下獲得者。
在將X方向上的著落位置的間隔設為恆定之條件下，可預測形成於基板上之絕緣膜的膜厚的漸進值與著落 位置的間隔成反比。然而，如第10圖所示，依實驗結果，膜厚與著落位置的間隔的關係並未成為反比的關係。
本案發明人如此著眼於著落位置的間隔與膜厚的關係來進行研究，並製作了表示兩者關係之資料，例如第9圖、第10圖中例示之資料。依據這些資料，進行了有關膜厚控制的自由度較高之薄膜形成方法之發明。
參閱第11圖A~第11圖D，說明有關基於實施例2之基板製造方法。基於實施例2之基板製造方法，係利用第2圖所示之基板製造裝置，並在控制裝置33的控制下實施。基於實施例2之基板製造方法中，首先，確定形成於基板80上之絕緣膜83的膜厚。例如，將絕緣膜83的目標膜厚設為25μm。利用在第4圖A中所示之膜厚的漸進值成為2.5μm之條件下進行成膜的方式，能夠形成厚度為25μm的絕緣膜38。此時，利用調整從液滴著落到固化為止之時間的方式，能夠形成具有25μm以上的膜厚之絕緣膜83。如此，決定絕緣膜83的目標膜厚亦能夠說是決定應形成之絕緣膜83的膜厚的範圍。
基於實施例2之方法中，準備如第9圖或第10圖所示那樣的表示液滴著落位置的間隔與絕緣膜83的膜厚的漸進值之間的關係之資料(以下稱為「膜厚-著落位置間隔對應資料」。)。依據該膜厚-著落位置間隔對應資料及已決定之目標膜厚，求出著落位置的間隔。例如，以膜厚的漸進值成為目標膜厚之方式決定著落位置的間隔。膜厚的漸進值為25μm時，從第9圖所示之膜厚-著落位置 間隔對應資料，求出著落位置的間隔(第3圖B中所示之噴嘴孔42a、42b的排列方向)為10μm。所求出之著落位置的間隔記憶於記憶裝置34。從著落到固化為止之時間能夠由第4圖A中所示之膜厚-經過時間對應資料來決定。
亦可準備表示有使附著於基板80上之液滴在指定時機固化時的液滴著落位置的間隔與膜厚本身的關係之資料。此時，決定所形成之絕緣膜83的具體膜厚，而不是膜厚的漸進值。決定具體膜厚之後，依據表示著落位置的間隔與膜厚本身的關係之資料及已決定之膜厚，決定液滴著落位置的間隔。
接著，從噴嘴單元40(噴嘴頭42A、42B)朝向基板80吐出液滴，以使著落位置的間隔成為被決定之值，實施例2中為10μm。
如第11圖A所示，控制裝置33藉由移動機構21(第2圖)使保持於載物台25之基板80移動於X軸的正方向。噴嘴單元40，係相對於基板80，相對移動於X軸的負方向。如此使噴嘴單元40一邊相對於基板80移動一邊控制噴嘴單元40，以X方向上的著落位置的間隔成為10μm之方式吐出液滴。
接著，控制裝置33，係在停止液滴吐出之狀態下，如第11B所示般，藉由移動機構21(第2圖)使基板80向Y軸的負方向移動10μm。噴嘴單元40，係相對於基板80向Y軸的正方向僅相對移動10μm。之後，使噴嘴 單元40相對於基板80相對移動於X軸的正方向之同時，控制噴嘴單元40，以X方向上的著落位置的間隔成為10μm之方式吐出液滴。於第11圖B，以虛線表示第11圖A中所示之掃描製程(去程)時的液滴的著落位置的軌跡，以實線表示第11圖B中所示之掃描製程(回程)時的液滴的著落位置的軌跡。在Y方向上，液滴著落位置的軌跡的間隔成為10μm。
另外，不依據往返掃描，而是如第11圖C所示般，可藉由向相同方向(例如X軸的正方向)對基板80進行2次掃描，來使液滴著落於基板80。
以液滴著落位置的間隔在Y方向上成為10μm的方式，使液滴著落於基板80，藉此如第11圖D所示，基板80上形成具有包括被著落位置包圍之區域之平面形狀之絕緣膜83。實施例2中，1個長方形絕緣膜83藉由從噴嘴單元40的相同噴嘴孔吐出之液滴而形成。
實施例2中，形成絕緣膜83的1個圖案時進行了複數次掃描。作為實施例2的變形例，可將噴嘴頭42A和42B向Y方向僅偏離10μm而組裝於噴嘴夾具41(第3圖A)，並以1次掃描形成1個絕緣膜83。
能夠使液滴著落位置的間隔連續地發生變化。因此，根據基於實施例2之基板製造方法，將從噴嘴單元40的各噴嘴孔吐出之液滴量設為恆定，並控制著落位置的間隔，藉此能夠使絕緣膜83的膜厚連續地發生變化。藉由基於實施例2之基板製造方法及基板製造裝置，能夠提高 膜厚控制的自由度。
基於實施例2之基板製造方法，係除了觸控面板的製造之外，還可利用於印刷基板上的絕緣膜(阻焊抗蝕劑)的形成中。
〔實施例3〕
參閱第12圖A~第14圖，說明有關基於實施例3之基板製造裝置。以下，說明與實施例1的不同點，對相同結構省略說明。
於第12圖A，表示出實施例3中使用之噴嘴單元40的立體圖。安裝2個噴嘴頭42A、42B於噴嘴夾具41成排列於X方向上。2個噴嘴頭42A、42B，係具有相同結構。第12圖A中所示之例子中，噴嘴頭42A配置在比噴嘴頭42B更靠X軸的負側。噴嘴頭42A、42B上沿Y方向分別形成有1列複數噴嘴孔42a、42b。相互鄰接之噴嘴孔42a的間隔為相等，例如為70.556μm。該間隔相當於360dpi的解析度。
在噴嘴頭42A與42B之間、於比噴嘴頭42A更靠近X軸的負側、及比噴嘴頭42B更靠近X軸的正側，配置有固化用光源43。光源43係照射紫外線到基板80。以第1圖中所示之紫外線照射裝置74固化液狀膜時，不使用組裝於噴嘴單元40之光源43。
於第12圖B，表示出噴嘴單元40的仰視圖。噴嘴頭42B，係相對於噴嘴頭42A於Y軸的正方向僅偏離84.667 μm而被固定於噴嘴夾具41。84.667μm相當於300dpi的解析度。
如第12圖C所示，將噴嘴頭42A、42B的噴嘴孔42a、42b垂直投影於與X軸垂直之虛擬平面56之影像55a、55b的間隔，為p1或p2。相互鄰接之影像55a、55b中，令Y軸負側的影像55a與Y軸正側的影像55b的間隔為p1，令Y軸正側的影像55a與Y軸負側的影像55b的間隔為p2。間隔p1為14.111μm，間隔p2為56.445μm。並且，噴嘴頭42A的Y軸負側起第n個噴嘴孔42a的影像55a與噴嘴頭42B的Y軸負側起第n個噴嘴孔42b的影像55b的間隔為84.667μm。這樣，在Y方向上，1個噴嘴孔42b配置於偏離連結相互鄰接之2個噴嘴孔42a之線段的中點之位置。
參閱第13圖，說明有關基於實施例3之基板製造方法。基於實施例3之基板製造方法中，由絕緣膜83的形成區域的大小或膜厚等條件，來決定液滴著落位置的間隔。作為一例，求出在Y方向上著落位置的間隔的最佳值為84.667μm。
實施例3中，以應著落液滴之位置在Y方向上的間隔與噴嘴孔在Y方向上間隔一致之方式，規定噴嘴頭42A、42B的相對位置。亦即，噴嘴頭42A、42B，係對應於液滴的著落位置的間隔，於Y方向相互僅偏離84.667μm，而被安裝於噴嘴夾具41。
基於實施例3之基板製造方法中，將於Y方向僅偏 離84.667μm之2個噴嘴孔42a、42b作為一組(一單位)。藉由從該一組噴嘴孔吐出之液滴形成1個長方形的絕緣膜83。於第13圖，塗黑表示吐出液滴之噴嘴孔42a、42b。在噴嘴頭42A、42B的這兩者上，當將k設為0以上的整數時，從Y軸負側起第(4k+1)個噴嘴孔42a、42b吐出液滴。以移動機構21使以載物台25(第2圖)所保持之基板80被移動於X方向之同時，從被選噴嘴孔42a、42b吐出液滴，藉此形成絕緣膜83。此時，液滴的著落位置在Y方向上的間隔成為84.667μm。
在實施例3中，以在基板80上形成絕緣膜83時的最佳著落位置的間隔與吐出液滴之噴嘴孔(分別從設置於噴嘴頭42A、42B上之複數個噴嘴孔中選擇之1個噴嘴孔)的間隔一致之方式，配置噴嘴頭42A、42B。因此，能夠以向X方向的1次掃描形成在基板80上排列成行列狀之絕緣膜83。藉此，能夠提高形成絕緣膜83之製程的生產率。此外，由於使最佳著落位置的間隔與吐出液滴之噴嘴孔的間隔一致，因此可抑制多餘液滴材料的使用，能夠以低成本形成絕緣膜。而且，可防止絕緣膜83的厚膜化，能夠形成適當厚度之優質的絕緣膜83。還能夠使絕緣膜83變薄。
如實施例3，液滴的著落位置的間隔(吐出液滴之噴嘴孔的間隔)為84.667μm(相當於300dpi的解析度之噴嘴間隔)時，能夠以1次掃描來形成Y方向的寬度為100μm~180μm左右的長方形絕緣膜83。當長方形絕緣膜 83在Y方向上的寬度大於100μm~180μm左右時，使噴嘴頭42A、42B以於Y方向僅相對偏離與其寬度相應之偏離量的方式組裝於噴嘴夾具41(第3圖A)即可。還能夠將3個以上的噴嘴孔設為一組並以從這些噴嘴孔吐出之液滴形成1個長方形絕緣膜83。利用設為一組之2個噴嘴孔42a、42b時，亦可以移動機構21(第2圖)改變噴嘴單元40與基板80在Y方向上的相對位置並改變著落位置，以複數次掃描形成長方形絕緣膜83。
並且，示於第12圖B之例子中，噴嘴頭42A、42B係以於Y方向相互僅偏離84.667μm的方式被固定於噴嘴夾具41，但向Y方向之偏離量可以為產生84.667μm的噴嘴孔間隔之距離，例如14.111μm。但是，利用具有360dpi的解析度之噴嘴頭42A、42B進行與其相比低解析度之例如300dpi的描繪時，為了有效活用端部的噴嘴孔42a、42b，使偏離量大於相當於360dpi之間隔(70.556μm)為較佳。
而且，基於實施例3之基板製造裝置中，使用以相當於360dpi的間隔排列有噴嘴孔之噴嘴頭42A、42B來達成300dpi的解析度。因此，以300dpi的解析度形成絕緣膜時，能夠藉由選擇靠近目標著落位置之噴嘴孔來將著落位置的絕對位置精確度設為相當於360dpi之精確度。因此能夠形成優質的絕緣膜。
實施例3中，利用了具備1列噴嘴列之噴嘴頭42A、42B(第12圖B)，但亦可藉由使用具備2列以上噴嘴列 之噴嘴頭，例如示於第3圖B之噴嘴頭42A、42B，以300dpi的解析度實現能夠形成絕緣膜之基板製造裝置。
另外，基於實施例3之基板製造裝置的噴嘴單元40(第12圖A)，係藉由在噴嘴夾具41組裝2個噴嘴頭42A、42B而構成，但亦可組裝3個以上噴嘴頭而構成。例如，於Y軸正方向依次僅偏離84.667μm而於X方向排列具有360dpi的解析度之3個噴嘴頭。並且由3個噴嘴頭中從Y軸負側起第(4k+1)個噴嘴孔吐出液滴，藉此能夠形成具有第13圖所示之長方形絕緣膜83的約2倍寬度之長方形絕緣膜。
基於實施例3之基板製造裝置中，如第12圖C所示，噴嘴孔42a、42b以交替出現間隔p1和p2之非等間隔排列。亦即，在Y方向上以互不相同之複數個間隔排列有噴嘴孔42a、42b。因此解析度設定的自由度(設定從噴嘴孔朝向基板吐出之絕緣性液滴的著落位置的間隔之自由度)較高。例如，噴嘴頭42B相對噴嘴頭42A僅偏離噴嘴孔42b的排列間距(70.556μm)的一半，且向Y方向以等間隔間距(35.278μm)排列噴嘴孔42a，42b之噴嘴單元中，僅以1次掃描無法實現以300dpi的解析度形成絕緣膜之製程。實施例3中，由於解析度設定的自由度較高，因此膜厚控制的自由度亦較高。
而且，噴嘴頭42A、42B(第12圖B)向Y方向的相對偏離量能夠在向噴嘴夾具41組裝之時刻自由設定。因此，能夠連續自由設定解析度來形成絕緣膜。
〔實施例3的變形例1〕
於第14圖，表示出基於實施例3的變形例1之基板製造裝置的噴嘴單元40的仰視圖。實施例3中，噴嘴頭42A、42B固定組裝於噴嘴夾具41(第12圖B)，但實施例3的變形例1中，其中一方的噴嘴頭42A固定組裝於噴嘴夾具41，而另一方的噴嘴頭42B以能夠調整Y方向的位置的方式組裝於噴嘴夾具41。其他結構與基於實施例3之基板製造裝置相同。
示於第14圖之例子中，作為調整噴嘴頭42B在Y方向上的位置之位置調整機構使用螺絲45。能夠藉由以螺絲45向Y方向移動噴嘴頭42B來調整噴嘴頭42B在Y方向上的位置。因此，能夠連續地、任意地改變噴嘴頭42A、42B的Y方向的偏離量。例如，藉由將噴嘴頭42B配置成相對噴嘴頭42A於Y軸正方向僅偏離84.667μm，能夠得到與實施例3相同之效果。
而且，實施例3的變形例1中，能夠在將噴嘴頭42A、42B組裝於噴嘴夾具41之後連續地改變2個噴嘴頭42A、42B向Y方向的偏離量。因此，能夠進一步提高解析度設定的自由度(設定從噴嘴孔朝向基板吐出之絕緣性液滴的著落位置間隔的自由度)或膜厚控制的自由度。
除了螺絲45以外，亦可使用分厘卡、彈簧、墊片等作為位置調整機構。此外，實施例3的變形例1中，將其中一方的噴嘴頭42A固定組裝於噴嘴夾具41，但是亦可 在噴嘴頭42A設置位置調整機構來調整噴嘴頭42A的Y方向的位置。
〔實施例3的變形例2〕
於第15圖，表示出基於實施例3的變形例2之基板製造裝置的噴嘴單元40的仰視圖。在實施例3的變形例1中，噴嘴頭42B(第14圖)以能夠調整Y方向的位置之方式組裝於噴嘴夾具41。在實施例3的變形例2中，噴嘴頭42A、42B組裝成能夠調整Y方向的位置，並且組裝成通過各噴嘴頭42A、42B各自的Y軸負側的端部周圍的中心並將與Z軸平行之軸作為旋轉中心而能夠調整旋轉方向的姿勢。
作為調整噴嘴頭42A、42B的Y方向的位置及旋轉方向的姿勢之位置調整機構，使用於第15圖中所示之例子中的螺絲45。在第15圖中所示之例子中，噴嘴孔42a、42b的排列方向是以Y軸正方向為基準向逆時針呈角度θ。而且，將噴嘴孔42a、42b垂直投影於與X軸垂直之虛擬平面之影響的間隔成p3。間隔p3為35.278×(cos θ)μm。
以p(=70.556μm)表示噴嘴頭42A中鄰接之噴嘴孔42a的間隔，以θ表示噴嘴頭42A的噴嘴孔42a的排列方向與Y方向(與掃描方向垂直之方向)所呈之角度。垂直投影於與X軸垂直之虛擬平面之鄰接之噴嘴孔42a的影像的間隔成為p×cos θ，因此噴嘴頭42A的解析度提高至 1/(cos θ)倍。將噴嘴孔42b的排列方向與Y方向所呈之角度設為θ，以噴嘴孔42a與噴嘴孔42b於Y方向交替排列之方式調整噴嘴頭42A、42B的Y方向的位置，藉此與1個噴嘴頭42A相比較時，能夠將作為2個噴嘴頭42A、42B整體之解析度提高至2/(cos θ)倍。
作為一例，以噴嘴頭42A、42B從Y方向僅傾斜呈cos θ=2/3之角度θ且噴嘴孔42a與噴嘴孔42b於Y方向交替排列之方式調整噴嘴頭42A、42B在Y方向上的位置，藉此能夠將噴嘴單元40的解析度設為噴嘴頭42A的解析度的3倍。進行噴嘴頭42A、42B在Y方向上的位置的調整且並不進行旋轉方向的姿勢調整之實施例3的變形例1中，噴嘴孔42a、42b的排列方向與Y方向平行。因此，實施例3的變形例1中，以噴嘴孔42a、42b在Y方向上的間隔變得相等之方式進行了噴嘴頭42A、42B的位置調整時，能夠得到1個噴嘴頭42A的解析度的2倍的解析度。與此相對，實施例3的變形例2中，能夠實現與其相比更高之解析度。
基於實施例3的變形例2之基板製造裝置中，能夠在順時針方向小於90°、逆時針方向小於90°之大小的範圍內連續地、任意地調整角度θ。因此，能夠將解析度連續地設定為任意值。由於能夠連續地改變液滴的著落密度，因此絕緣膜的膜厚亦能夠連續地改變。在低解析度區域內連續地改變解析度，這在進行絕緣膜的薄膜化時發揮效果。
實施例3的變形例2中，當配置第7圖B中所示之光源13(第7圖B)時，光源13可相對噴嘴夾具41(第3圖A、第3圖B)固定配置，亦可設為能夠與噴嘴頭42A、42B一同或與噴嘴頭42A、噴嘴頭42B獨立地調整Y方向上的位置及旋轉方向的姿勢。
參閱第16圖A~第16圖C，說明有關對從Y方向僅傾斜角度θ而配置噴嘴頭42A、42B時的絕緣膜的形成方法。
於第16圖A中，表示出應形成之絕緣膜的圖案的一例。在第16圖A中塗黑表示之區域吐出液滴來形成絕緣膜。控制裝置33(第2圖)，係從記憶於記憶裝置34(第2圖)之第16圖A中所示之圖案的資料生成如第16圖B所示那樣僅歪斜角度θ(已進行歪斜校正)之圖案的資料。依據已歪斜校正之圖案的資料，控制來自噴嘴單元40(噴嘴孔42a、42b)之液滴的吐出。進行資料的歪斜校正，係取決於噴嘴孔42a、42b的排列方向與Y方向不平行。另外，依據已進行歪斜校正之圖案的資料之控制液滴吐出是指，使液滴著落於與Y方向平行之直線上時，使從噴嘴頭42A的噴嘴孔42a吐出液滴之時機在所有噴嘴孔42a中並不一致，在各噴嘴孔42a中不同。關於噴嘴頭42B亦相同。藉由在該種控制下吐出液滴，能夠在基板上形成如第16圖C中所示那樣的與第16圖A中所示之圖案對應之絕緣膜。
基於實施例3及其變形例1、2之方法，不僅能夠利 用於觸控面板的製造，還能夠利用於印刷基板上的絕緣膜(焊接掩模)的形成。
〔實施例4〕
參閱第17圖A~第17圖C，說明有關基於實施例4之基板製造方法。實施例4中，對以基於實施例1~實施例3之方法形成之絕緣膜與利用習知之光刻蝕技術形成之絕緣膜進行比較。
於第17圖A，表示出第1透明電極81、第2透明電極82及絕緣膜83的俯視圖。該結構，係與第6圖D中所示之觸控面板的結構相同。第17圖A中，於橫向延伸有第1透明電極81，於縱向相互隔開間隔排列有第2透明電極82的菱形區域82A。於縱向鄰接之2個菱形區域82A藉由連接區域82B電性連接。連接區域82B配置於絕緣膜83上。菱形區域82A與連接區域82B構成第2透明電極82。
於第17圖B，表示出沿第17圖A的單點鏈線17B-17B之剖面圖。玻璃基板80上隔開間隔形成有第2透明電極82的菱形區域82A。第1透明電極81，為於與紙面垂直之方向通過2個菱形區域82A之間。於2個菱形區域82A之間形成有絕緣膜83。絕緣膜83在第17圖B中所示之剖面中覆蓋第1透明電極81，絕緣膜83的兩端分別與第2透明電極82的一部份重疊。
絕緣膜83上形成有由ITO構成之連接區域82B。連 接區域82B在其兩端延伸至菱形區域82A上，並與菱形區域82A電性連接。以基於實施例1~實施例3之方法形成之絕緣膜83的上表面，在外周圍部附近傾斜。
於第17圖C，表示出藉由使用習知之光刻蝕技術圖案形成絕緣膜的方式，來形成之觸控面板的剖面圖。使用光刻蝕技術形成之絕緣膜83的上表面亦在外周圍部附近傾斜，但其傾斜角度接近90°。若傾斜角產生較大台階落差，則在其台階落差的位置，連接區域82B的機械強度下降。藉此，由於外部應力的施加易產生斷線。
與此相對，基於實施例1~實施例3之方法中，如第17圖B中所示般，絕緣膜83的上表面在其外周部附近緩慢傾斜。因此，可抑制連接區域82B的機械強度的下降，並能夠實現對於外部之應力之可靠性較高之觸控面板。
〔實施例5〕
參閱第18圖A~第18圖D，說明有關基於實施例5之基板製造方法。以下，針對與實施例1~實施例3的不同點進行說明，對於相同的結構則省略說明。
第18圖A及第18圖B，係相當於沿第17圖A的單點鏈線18A-18A之剖面圖。如第18圖A所示，在玻璃基板80上，形成第1透明電極81。之後，在應形成絕緣膜83(第17圖A)之區域，按絕緣膜83的每1圖案著落複數個液滴85。在第18圖A中所示之例子中，在連接區域82B的寬度方向(與應連接之菱形區域82A所排列之方向 正交之方向)上，著落複數個例如2個液滴。著落於基板之液滴向面內方向擴展而相互連續之後，使絕緣膜的液狀材料固化。藉此，如第18圖B所示那樣，形成絕緣膜83。在連接區域82B的寬度方向上著落複數個液滴，因此在絕緣膜83的上表面在連接區域82B的寬度方向上形成大致平坦之區域。絕緣膜83中在大致平坦之區域上形成連接區域82B。
於第18圖C，表示出在連接區域82B的寬度方向上著落1個液滴85之例子。此時，如第18圖D所示，絕緣膜83的上表面在寬度方向上難以形成平坦之區域。即使形成了平坦之區域，其寬度變得比第18圖B中所示之大致平坦之區域的寬度窄。
若在絕緣膜83的上表面形成大致平坦之區域，則能夠在其之上穩定地形成連接區域82B。為了在絕緣膜83的上表面在連接區域82B的寬度方向上形成大致平坦之區域，在寬度方向上著落2個以上液滴為較佳。
根據以上實施例對本發明進行了說明，但是本發明不限於此。例如，能夠進行各種變更、改良、組合等，這對本案發明所屬技術領域中具有通常知識者來講是顯而易見的。
10A、10B‧‧‧噴嘴頭
10a、10b‧‧‧噴嘴孔
11‧‧‧噴嘴夾具
13‧‧‧光源
15a、15b‧‧‧噴嘴孔的影像
16‧‧‧虛擬平面
18A、18B‧‧‧與噴嘴頭對置之區域
20‧‧‧平板
21‧‧‧移動機構
22‧‧‧X方向移動機構
23‧‧‧Y方向移動機構
24‧‧‧θ方向旋轉機構
25‧‧‧載物台
30‧‧‧支柱
31‧‧‧橫樑
32‧‧‧拍攝裝置
33‧‧‧控制裝置
34‧‧‧記憶裝置
40‧‧‧噴嘴單元
41‧‧‧噴嘴夾具
42A、42B‧‧‧噴嘴頭
42a、42b‧‧‧噴嘴孔
43‧‧‧光源
45‧‧‧螺絲
55a、55b‧‧‧影像
56‧‧‧虛擬平面
70‧‧‧基板製造裝置
71‧‧‧筐體
71a‧‧‧基板搬入口
71b‧‧‧基板搬出口
72a、72b‧‧‧輸送機
73‧‧‧液滴吐出裝置
74‧‧‧紫外線照射裝置
80‧‧‧玻璃基板
81‧‧‧第1透明電極
82‧‧‧第2透明電極
82A‧‧‧菱形區域
82B‧‧‧連接區域
83‧‧‧絕緣膜
85‧‧‧液滴
90‧‧‧基板
〔第1圖〕第1圖係基於實施例1之基板製造裝置的概要俯視圖。
〔第2圖〕第2圖係包括於基於實施例1之基板製造裝置之液滴吐出裝置的示意圖。
〔第3圖〕第3圖A及第3圖B分別係噴嘴單元的立體圖及仰視圖，第3圖C係表示將噴嘴頭的噴嘴孔垂直投影於與X軸垂直之虛擬平面之影像之圖。
〔第4圖〕第4圖A係表示從液滴吐出裝置吐出而著落於基板之液滴所形成之絕緣膜的厚度與距著落的經過時間的關係之曲線圖，第4圖B係表示著落於橫跨玻璃與ITO膜之區域之液滴的擴散方式之俯視圖。
〔第5圖〕第5圖A~第5圖C係用於說明基於實施例之基板製造方法之示意圖。
〔第6圖〕第6圖A係表示電容式輸入裝置(觸控面板)的電極圖案之概要俯視圖，第6圖B~第6圖D係用於說明電極圖案形成方法之基板的俯視圖，第6圖E係沿第6圖D的一點虛線6E-6E之剖面圖。
〔第7圖〕第7圖A係習知之噴嘴單元的立體圖，第7圖B係習知之噴嘴單元的仰視圖，第7圖C係表示將噴嘴頭的噴嘴孔垂直投影於與X軸垂直之虛擬平面之影像之圖。
〔第8圖〕第8圖係以與Y軸平行之視線觀察噴嘴單元及基板時的示意圖。
〔第9圖〕第9圖係表示絕緣膜的膜厚與液滴著落位置的間隔之間的關係之曲線圖。
〔第10圖〕第10圖係表示絕緣膜的膜厚與液滴著落 位置的間隔之間的關係之曲線圖。
〔第11圖〕第11圖A~第11圖C係表示以基於實施例2之基板製造方法形成絕緣膜時的基板與噴嘴單元的位置關係之俯視圖，第11圖D係形成之絕緣膜的俯視圖。
〔第12圖〕第12圖A係基於實施例3之基板製造裝置的噴嘴單元的立體圖，第12圖B係噴嘴單元的仰視圖，第12圖C係表示噴嘴孔及噴嘴孔影像的位置關係之線圖。
〔第13圖〕第13圖係表示以基於實施例3之基板製造方法吐出液滴之噴嘴孔與所形成之絕緣膜的關係之線圖。
〔第14圖〕第14圖係基於實施例3的變形例1之基板製造裝置的噴嘴單元的仰視圖。
〔第15圖〕第15圖係基於實施例3的變形例2之基板製造裝置的噴嘴單元的仰視圖。
〔第16圖〕第16圖A係表示應以基於實施例3之方法形成之薄膜圖案的一例之圖，第16圖B係表示進行歪斜校正之圖案資料之圖，第16圖C係所形成之絕緣膜的俯視圖。
〔第17圖〕第17圖A係以基於實施例4之方法製造之觸控面板的俯視圖，第17圖B係沿第17圖A的單點鏈線17B-17B之剖面圖，第17圖C係以基於比較例之方法形成之觸控面板的剖面圖。
〔第18圖〕第18圖A~第18圖D係沿第17圖A的單點鏈線18A-18A之剖面圖，第18圖A係採用基於實施例5之方法時的吐出液滴期間的剖面圖，第18圖B係以基於實施例5之方法製造之觸控面板的剖面圖，第18圖C係採用基於參考例之方法時的吐出液滴期間的剖面圖，第18圖D係以基於參考例之方法製造之觸控面板的剖面圖。
25‧‧‧載物台
40‧‧‧噴嘴單元
41‧‧‧噴嘴夾具
42A、42B‧‧‧噴嘴頭
42a、42b‧‧‧噴嘴孔
80‧‧‧玻璃基板
83‧‧‧絕緣膜

Claims (5)

  1. 一種觸控面板的製造方法，其具有：(a)製程，在玻璃基板上，形成延伸於第1方向之複數個第1電極及排列於與前述第1方向交叉之第2方向且被第1電極分斷之複數個第2電極；(b)製程，在排列於前述第2方向之前述第2電極的列與前述第1電極的交叉部位的前述第1電極上，位於包含前述玻璃基板、前述第1電極及前述第2電極的區域，形成絕緣膜；及(c)製程，在前述絕緣膜上，形成連接被前述第1電極分斷之前述第2電極彼此之連接區域；前述(b)製程包括：(b1)製程，使從噴嘴孔吐出之液滴著落於應形成前述絕緣膜之前述區域內的複數個著落位置；及(b2)製程，在著落於前述著落位置之液滴彼此相互連續而形成液狀膜之狀態下，使前述液狀膜固化；前述(b2)製程，乃是在直至前述區域內的前述玻璃基板、前述第1電極及前述第2電極上的膜的膜厚為相等的時機為止待機指定時間後，用光固化手段使前述液狀的膜硬化之製程；前述著落位置配置為成為依據應形成之絕緣膜的厚度來決定之間隔；在前述(b1)製程與前述(b2)製程之間，包括將前述基板從執行前述(b1)製程之場所輸送至執行前述 (b2)製程之場所之製程；在對某一基板執行前述(b2)製程期間，其他至少一片基板結束前述(b1)製程後處於輸送中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板的製造方法，其中，前述(b1)製程包括依據應形成之絕緣膜的厚度來決定前述著落位置的間隔之製程。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之觸控面板的製造方法，其中，絕緣膜的厚度與前述著落位置的間隔的第1關係被預先求出，依據應形成之絕緣膜的厚度與前述第1關係決定前述著落位置的間隔。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之觸控面板的製造方法，其中，前述(b1)製程包括；(b11)製程，使前述液滴以前述液滴的著落位置相對於前述第2電極的1個列描繪與前述第2方向平行之1條軌跡的方式著落；及(b12)製程，在前述(b11)製程之後，使前述液滴以在從前述(b11)製程形成之軌跡於前述第1方向僅偏離前述著落位置的間隔之位置形成前述液滴的著落位置的軌跡之方式著落，在前述(b12)製程後執行前述(b2)製程。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之觸控面板的製 造方法，其中，前述(b1)製程包括：調整製程，對第1噴嘴頭與第2噴嘴頭的相對位置進行調整，以使形成有複數個噴嘴孔之前述第1噴嘴頭的1個噴嘴孔與形成有複數個噴嘴孔之前述第2噴嘴頭的1個噴嘴孔在前述第1方向上的間隔與依據應形成之絕緣膜的厚度決定之間隔相等；及著落製程，使前述第1噴嘴頭及前述第2噴嘴頭相對於前述基板向前述第2方向相對移動之同時，從前述第1噴嘴頭的噴嘴孔及前述第2噴嘴頭的噴嘴孔吐出前述液滴，藉此使前述液滴著落於前述著落位置。
TW101147156A 2011-12-14 2012-12-13 Touch panel manufacturing method TWI594804B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011272964 2011-12-14
JP2011272965 2011-12-14
JP2011272963 2011-12-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201338872A TW201338872A (zh) 2013-10-01
TWI594804B true TWI594804B (zh) 2017-08-11

Family

ID=48612497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101147156A TWI594804B (zh) 2011-12-14 2012-12-13 Touch panel manufacturing method

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5797277B2 (zh)
TW (1) TWI594804B (zh)
WO (1) WO2013089049A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6173988B2 (ja) * 2014-08-28 2017-08-02 株式会社ジャパンディスプレイ 電極基板の製造方法、電極基板、表示装置および入力装置
JP6700010B2 (ja) * 2015-09-03 2020-05-27 日鉄日新製鋼株式会社 インクジェット印刷装置およびエッチング金属板の製造装置
JP2019022868A (ja) * 2015-12-18 2019-02-14 コニカミノルタ株式会社 透明導電センサーフィルムの製造方法及び透明導電センサーフィルム
JP6925746B2 (ja) 2017-12-15 2021-08-25 住友重機械工業株式会社 膜形成装置及び膜形成方法
CN113970982B (zh) * 2018-07-04 2023-08-01 合肥元顿传感科技有限公司 基于自动加工设备的触控膜加工方法
CN111176493B (zh) * 2018-11-12 2023-10-10 上海大我科技有限公司 一种导电膜/触控传感器及其制作方法器
CN115815056A (zh) * 2023-02-13 2023-03-21 苏州希盟科技股份有限公司 一种喷胶装置及屏幕加工设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002316420A (ja) * 2001-02-13 2002-10-29 Seiko Epson Corp インクジェットヘッドユニットおよびこれを備えたインクジェット印刷装置、並びにインクジェットヘッドユニットの組立方法
JP2005296904A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Ishii Hyoki Corp 膜形成方法及び膜形成装置
JP2005296854A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Sharp Corp 膜形成装置及び膜形成方法
JP2010231287A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp タッチパネルとその製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401991A (en) * 1981-10-08 1983-08-30 International Business Machines Corporation Variable resolution, single array, interlace ink jet printer
JP3798396B2 (ja) * 2003-10-17 2006-07-19 ニチハ株式会社 建築板印刷装置
JP2006272035A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Canon Inc 膜の形成方法及び電子源基板の製造方法
JP2010244120A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Seiko Epson Corp タッチパネルの製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法
JP2010250733A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Seiko Epson Corp タッチパネルの製造方法、絶縁膜形成インク
JP2011076155A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Seiko Epson Corp タッチパネル、タッチパネルの製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2011200763A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Nisshin Steel Co Ltd 活性エネルギー線硬化型インクジェットインキによって、樹脂皮膜でマスクされた金属板を製造する方法
JP2011143721A (ja) * 2011-02-04 2011-07-28 Seiko Epson Corp 印刷方法、印刷装置およびプログラム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002316420A (ja) * 2001-02-13 2002-10-29 Seiko Epson Corp インクジェットヘッドユニットおよびこれを備えたインクジェット印刷装置、並びにインクジェットヘッドユニットの組立方法
JP2005296854A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Sharp Corp 膜形成装置及び膜形成方法
JP2005296904A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Ishii Hyoki Corp 膜形成方法及び膜形成装置
JP2010231287A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp タッチパネルとその製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5797277B2 (ja) 2015-10-21
JPWO2013089049A1 (ja) 2015-04-27
WO2013089049A1 (ja) 2013-06-20
TW201338872A (zh) 2013-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI594804B (zh) Touch panel manufacturing method
JP5714110B2 (ja) 基板製造装置及び基板製造方法
TW201946697A (zh) 油墨塗佈裝置及油墨塗佈方法
JP2010005619A (ja) 溶液の塗布装置及び塗布方法
TWI471908B (zh) Film forming method and thin film forming apparatus
US20080175981A1 (en) Pattern formation method
KR102563456B1 (ko) 막형성방법 및 막형성장치
JP2004141758A (ja) 液滴吐出装置のドット位置補正方法、アライメントマスク、液滴吐出方法、電気光学装置およびその製造方法、並びに電子機器
KR101496031B1 (ko) 필름 형성 방법
JP2013030571A (ja) 液滴吐出装置及び液滴吐出方法
TWI688431B (zh) 膜形成方法及膜形成裝置
WO2013069256A1 (ja) インクジェット塗布装置及びインクジェット塗布方法
JP5693943B2 (ja) 配向膜形成液の塗布装置および配向膜形成基板の製造方法
JP4325868B2 (ja) 配線パターン形成方法および表示装置の製造装置
KR101986892B1 (ko) 기능액 토출 장치 및 기능액 토출 위치 보정 방법
KR101713813B1 (ko) 막 형성방법 및 막 형성장치
JP2007034300A (ja) インクジェットヘッドの整列装置及びこれを含むインクジェット配向膜印刷装置、そしてこれを利用したインクジェットヘッドの整列方法
TW201420208A (zh) 基板製造方法及基板製造裝置
JP6289880B2 (ja) 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
TWI771005B (zh) 油墨塗佈裝置、其控制裝置及油墨塗佈方法
JP2010201288A (ja) 溶液の塗布方法及び装置
JP2013086463A (ja) インクジェット記録ヘッドの製造方法及びインクジェット記録ヘッド
JP2014099520A (ja) 基板製造方法及び基板製造装置
JP2007193180A (ja) 液晶表示セルの透明基板へのスペーサ散布方法及び装置並びに液晶表示セル
JP2010020144A (ja) スペーサ形成検査装置、スペーサ形成装置及び表示用パネル製造方法