JP2015154061A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。
次に、本発明の実施形態の具体例を図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。また、本明細書中においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示す。また、負の指数については、結晶学上、”−”(バー)を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
まず、本発明の一実施形態である実施形態1に係る半導体装置の製造方法について説明する。図1を参照して、まず工程(S10)として半導体基板準備工程が実施される。この工程(S10)では、図2を参照して、たとえばポリタイプが4H型である炭化珪素(SiC)インゴット(図示しない)を所定厚みにスライスすることによりSiC基板10(半導体基板)が得られる。SiC基板10は、(0001)面(シリコン面)である主面10a(第1主面)と、当該主面10aと反対側の面であり、(000−1)面(カーボン面)である主面10b(第2主面)とを有する。
次に、本発明の他の実施形態である実施形態2について説明する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基本的には上記実施形態1に係る半導体装置の製造方法と同様の工程により実施され、かつ同様の効果を奏する。しかし、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、SiC基板10を載置する向きにおいて上記実施形態1の場合とは異なる。
10a,10b 主面
11 中央領域
12 外周領域
20 加熱ステージ
23,24 吸着電極
20a 加熱面
21,31 中央部分
22,32 外周部分
30 静電チャック
30a 載置面
H1,H2 ヒータ
ΔT1,ΔT2 温度差
h1,h2 長さ
Claims (12)
- 半導体基板を準備する準備工程と、
加熱面を有し、前記加熱面内に第1温度分布が形成された加熱ステージ上に前記半導体基板を載置して加熱する第1加熱工程と、
前記第1加熱工程で加熱された前記半導体基板を静電チャック上に載置して固定する固定工程と、
前記静電チャック上に固定された前記半導体基板を加熱する第2加熱工程と、
前記第2加熱工程で加熱された前記半導体基板を処理する処理工程とを備え、
前記第1加熱工程では、前記加熱面における前記半導体基板の中央領域が位置する部分と前記加熱面における前記半導体基板の外周領域が位置する部分との温度差が、前記第2加熱工程において前記静電チャックにおける前記半導体基板の前記中央領域が位置する部分と前記静電チャックにおける前記半導体基板の前記外周領域が位置する部分との温度差以上になるように前記第1温度分布が形成される、半導体装置の製造方法。 - 前記準備工程では、炭化珪素からなり、(0001)面を含む第1主面と、(000−1)面を含む第2主面とを有する前記半導体基板が準備され、
前記第1加熱工程では、前記第2主面が前記加熱面側に向いた状態で前記半導体基板が載置される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記準備工程では、炭化珪素からなり、(0001)面を含む第1主面と、(000−1)面を含む第2主面とを有する前記半導体基板が準備され、
前記第1加熱工程では、前記第1主面が前記加熱面側に向いた状態で前記半導体基板が載置される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1加熱工程では、前記加熱面には、前記半導体基板の前記中央領域が位置する前記部分から前記半導体基板の前記外周領域が位置する前記部分に向かって高温になる前記第1温度分布が形成される、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1加熱工程では、前記加熱面における前記半導体基板の前記中央領域が位置する前記部分と前記加熱面における前記半導体基板の前記外周領域が位置する前記部分との前記温度差が20℃以上である、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1加熱工程では、複数の加熱部材を用いて前記加熱面を加熱することにより前記第1温度分布が形成される、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1加熱工程で加熱された後の前記半導体基板は、前記加熱面上に載置された状態で前記中央領域が前記加熱面から離れるように反った形状を有する、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記準備工程では、100mm以上の径を有する前記半導体基板が準備される、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記準備工程では、550μm以下の厚みを有する前記半導体基板が準備される、請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記処理工程では、前記半導体基板に対してイオン注入が実施される、請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記処理工程後、前記静電チャックにおける前記半導体基板の載置面において前記第2加熱工程における前記載置面の温度分布と異なる第2温度分布を形成し、前記第2温度分布が形成された前記載置面上で加熱された前記半導体基板を前記静電チャックから搬出する搬出工程をさらに備える、請求項1〜請求項10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記搬出工程では、前記半導体基板の前記中央領域が位置する部分から前記半導体基板の前記外周領域が位置する部分に向かって低温になる前記第2温度分布が前記載置面に形成される、請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
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