JP2009177062A - 半導体製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】MSAプロセスにおいて、熱応力による反りに起因するウェーハの跳ねや割れを抑制し、製品歩留りの劣化を抑えることが可能な半導体製造方法と半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ14上に、ウェーハwを支持する支持部材15を配置し、支持部材15の上端を、所定条件におけるウェーハwの反りが最大となるときに、ウェーハwがステージ14と離間する高さに調整し、支持部材15の上端でウェーハwを支持し、ウェーハwを、所定条件でランプ12を用いてアニール処理することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】ステージ14上に、ウェーハwを支持する支持部材15を配置し、支持部材15の上端を、所定条件におけるウェーハwの反りが最大となるときに、ウェーハwがステージ14と離間する高さに調整し、支持部材15の上端でウェーハwを支持し、ウェーハwを、所定条件でランプ12を用いてアニール処理することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば半導体ウェーハの活性化アニール処理に用いられる半導体製造方法および半導体製造装置に関する。
近年、半導体装置の高集積化、高性能化に伴い、トランジスタの電流駆動力改善を図るために、ソース・ドレインの拡散層形成に極浅接合技術が要求されている。極浅接合において、不純物の深さ方向への拡散を抑え、イオン活性化を図るために、Milli Seconds Anneal(以下MSAと記す)プロセスが用いられている。
MSAプロセスは、例えばキセノンフラッシュランプなどの光源を用いて、高エネルギの光をウェーハにフラッシュ照射するプロセスであり、ウェーハの極浅領域を、1msec程度の短時間で1100℃以上の高温に昇温させることができる。このとき、ウェーハ表面が急激に熱膨張することにより、ウェーハに熱応力による反りが生じ、ステージなどの部材との接触により、ウェーハの跳ねや割れが発生する。
熱応力による反りに起因するウェーハの割れを防止する手法として、ウェーハより小径のサセプタで保持する手法が用いられている(例えば特許文献1など参照)。しかしながら、このような手法では、例えば、ウェーハ降温時や室温に戻ったときなどの熱応力により、ウェーハの反りが凸状から凹状となった場合、ウェーハの中央部が、浮いた状態からサセプタと接触した状態となるため、ウェーハの跳ねを抑制することが困難であるという問題がある。
特開2006−278806号公報([請求項1]、[0042]など)
本発明は、MSAプロセスにおいて、熱応力による反りに起因するウェーハの跳ねや割れを抑制し、製品歩留りの劣化を抑えることが可能な半導体製造方法と半導体製造装置を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様によれば、ステージ上に、ウェーハを支持する支持部材を配置し、前記支持部材の上端を、所定条件における前記ウェーハの反りが最大となるときに、前記ウェーハが前記ステージと離間する高さに調整し、前記支持部材の上端で前記ウェーハを支持し、前記ウェーハを、前記所定条件でランプアニール処理することを特徴とする半導体製造方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、ウェーハをアニールするためのランプと、前記ランプと対向するように設置されるステージと、前記ウェーハを上端で支持するために設けられ、前記ステージ上に配置され、上端の高さをアニール処理条件における前記ウェーハの反りが最大となるときに前記ウェーハが前記ステージから離間する高さに調整可能である支持部材を備えることを特徴とする半導体製造装置が提供される。
本発明の一実施態様によれば、MSAプロセスにおいて、熱応力による反りに起因するウェーハの跳ねや割れを抑制し、製品歩留りの劣化を抑えることが可能となる。
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
(実施形態1)
図1に本実施形態の半導体製造装置であるランプアニール装置の断面図を示す。図に示すように、ウェーハwをアニール処理するための反応室11の上部には、光源として例えばキセノンランプなどの複数のランプ12と、ランプ12と反応室11を分離する石英などからなる透光板13が設置されている。
図1に本実施形態の半導体製造装置であるランプアニール装置の断面図を示す。図に示すように、ウェーハwをアニール処理するための反応室11の上部には、光源として例えばキセノンランプなどの複数のランプ12と、ランプ12と反応室11を分離する石英などからなる透光板13が設置されている。
反応室11には、ランプ12と対向するように、ウェーハwを500℃程度に予備加熱するための加熱機構(図示せず)を備えたステージ14が設けられている。ステージ14には、その表面上に突出するように配置され、ウェーハwと同心円となる同一円上の3点以上、例えば4点でウェーハを支持するための支持部材15が設置されている。支持部材15は、例えば石英、SiCなどから形成されるピン状の部材であり、その下部がステージ14に形成された開孔部16を貫通し、支持部材15をウェーハwの面方向およびウェーハwの高さ方向に移動するための位置・高さ調整機構(図示せず)と接続されている。
ステージ14に形成された開孔部16は、支持部材15を後述するウェーハwにおける不変動点を支持するように配置するために、図2に示すような、ウェーハwの径方向に移動させるための径方向に伸延した形状を有している。尚、この支持部材15は、ウェーハwを搬入出する際にウェーハwを上下させるためのリフトピンとしての機能も有している。
さらに、反応室11にパージされるN2や、He、Arのなど不活性ガスといったプロセスガスを供給・排出するための機構(図示せず)と、ウェーハwを搬入・搬出するためのゲート(図示せず)が設置されている。
このようなランプアニール装置を用いて、以下のようにしてウェーハwの表面がランプアニールされる。
先ず、テスト用のウェーハwを搬送アーム(図示せず)により反応室11のゲート(図示せず)から搬入し、支持部材15の上端に載置する。このとき、支持部材15は、予め経験的に反りが生じてもウェーハwがステージ14に接しない位置、高さとなるように、略調整されている。そして、予備的にウェーハwの処理条件でMSA処理を行う。この予備MSA処理による反りが凹状、凸状でそれぞれ最大となるときのウェーハwの形状を求める。
図3に示すように、求めた形状より、ウェーハwの振幅が最小となる場合において、ウェーハwが上下に動かない点(不変動点A)を求める。そして、位置・高さ調整機構(図示せず)により、支持部材15を開孔部16内で移動させて、不変動点Aを支持するように配置する。さらに、支持部材15上端の高さを、ウェーハwの中心およびエッジの反りが最大となる場合においても、ステージ14に接しない高さとなるように調整する。このとき、ステージ14からの予備加熱を効率的に行うために、できるだけ低い位置になるように調整することが好ましい。
このようにして、位置・高さ調整機構(図示せず)により支持部材15の位置を調整した後、同様にウェーハwを搬送アーム(図示せず)により反応室11のゲート(図示せず)から搬入する。このとき、ステージ14は、予め例えば500℃となるように加熱されており、搬入されたウェーハwは、不純物の拡散が抑制される温度で予備加熱される。そして、ウェーハwを支持部材15の上端に載置し、位置・高さ調整機構(図示せず)により支持部材15の上端が先に求めた高さとなるように調整する。
次いで、反応室11内に例えばN2などの所定のプロセスガスをパージし、ランプ12により高エネルギの光を、透光板13を介してウェーハwにフラッシュ照射することにより、MSA処理が行われる。そして、MSA処理されたウェーハwは反応室のゲート(図示せず)より搬出され、これを繰り返すことにより、同様に複数のウェーハがMSA処理される。
このようにして、MSA処理が施されることにより、ウェーハwの極浅領域が、1msec程度の短時間で1100℃以上の高温に昇温されるため、ウェーハwは、熱応力により凸状に反る。しかしながら、ウェーハwのエッジ部分は、ステージ14に接することがないため、そのまま支持部材15上に保持され、割れや跳ねが抑制される。さらに、MSA処理完了後、上方の熱源(ランプ)からの加熱がなくなるため、ウェーハwには加熱時と逆の熱応力が生じ、凹状に反る。しかしながら、ウェーハwの中央部は、同様に、ステージ14に接することがないため、そのまま支持部材15上に保持され、割れや跳ねが抑制される。従って、MSAプロセスにおけるウェーハのダメージが抑制され、製品歩留りの劣化を抑えることが可能となる。
また、支持部材15を不変動点Aを支持するように配置することにより、ウェーハwの振幅を抑え、ステージ14に最も近い位置でウェーハwを保持することが可能となり、効率的に予備加熱を行うことができる。
さらに、本実施形態においては、支持部材15は、リフトピンの上下に動かす機能に、面方向に動かす機能を付加することにより構成されているため、支持部材15の導入、支持位置、高さの微調整を容易に行うことが可能である。
(実施形態2)
図4に本実施形態の半導体製造装置であるランプアニール装置の断面図を示す。本実施形態は実施形態1と同様の構成であるが、ステージ44および支持部材45とその位置・高さの調整方法が異なっている。
図4に本実施形態の半導体製造装置であるランプアニール装置の断面図を示す。本実施形態は実施形態1と同様の構成であるが、ステージ44および支持部材45とその位置・高さの調整方法が異なっている。
図1と同様に、ウェーハwをアニール処理するための反応室41の上部には、光源として例えばキセノンランプなどの複数のランプ42と、ランプ42と反応室41を分離する石英などからなる透光板43が設置されている。
反応室41には、ランプ42と対向するように、ウェーハwを500℃程度に予備加熱するための加熱機構(図示せず)を備えたステージ44が設けられている。ステージ44には、ウェーハwと同心円となる同一円上の3点以上、例えば4点でウェーハを支持するための支持部材45が設置されている。支持部材45は、例えば石英、SiCなどから形成されるピン状の部材であり、図5に示すようなステージ44に形成された複数の差し込み孔46に差し込まれることにより固定されている。差し込み孔46は、支持部材45を所望の位置で固定するために選択できるように、中心からの距離が異なる複数の位置に形成されている。
さらに、同様に、反応室41にパージされるプロセスガスを供給・排出するための機構(図示せず)と、ウェーハwを搬入・搬出するためのゲート(図示せず)が設置されている。
このようなランプアニール装置を用いて、以下のようにしてウェーハwの表面がランプアニールされる。
実施形態1と同様に、先ず、テスト用のウェーハwを搬送アーム(図示せず)により反応室41のゲート(図示せず)から搬入し、直接、あるいは必要に応じてリフトピン(図示せず)を用いて、支持部材45の上端に載置する。このとき、支持部材45は、予め経験的に反りが生じてもウェーハwがステージ44に接しない位置、高さとなるように、およその位置と、高さのものが選択されている。そして、予備的にウェーハwの処理条件でMSA処理を行う。この予備MSA処理による反りが凹状、凸状でそれぞれ最大となるときのウェーハwの形状を求める。
実施形態1と同様に、求めた形状より、ウェーハwの振幅が最小となる場合において上下に動かない点(不変動点A)を求める。そして、支持部材45上端の高さが、ウェーハwの中心およびエッジの反りが最大となる場合においても、ステージ44に接しない高さとなるように、支持部材45の長さを選択・調整する。このとき、ステージ14からの予備加熱を効率的に行うために、できるだけ低い位置になるように、選択・調整することが好ましい。さらに、所定の長さとなるように選択・調整された支持部材45が、不変動点Aを支持するように配置されるように、差し込み孔46を選択し、支持部材45を差し込み孔46に差し込み、固定する。
このようにして、支持部材45を所定の位置で、所定の高さとした後、同様にウェーハwを搬送アーム(図示せず)により反応室41のゲート(図示せず)から搬入し、直接、あるいは必要に応じてリフトピン(図示せず)を用いて、ウェーハwを支持部材45の上端に載置する。このとき、ステージ44は、予め例えば500℃となるように加熱されており、搬入されたウェーハwは、不純物の拡散が抑制される温度で予備加熱される。
次いで、実施形態1と同様に、反応室41内に例えばN2などの所定のプロセスガスをパージし、ランプ42により高エネルギの光を、透光板43を介してウェーハwにフラッシュ照射することにより、MSA処理が行われる。そして、MSA処理されたウェーハwは反応室のゲート(図示せず)より搬出され、これを繰り返すことにより、同様に複数のウェーハがMSA処理される。
このようにして、MSA処理が施されることにより、実施形態1と同様に、ウェーハwの極浅領域が、1msec程度の短時間で1100℃以上の高温に昇温されるため、ウェーハwは、熱応力により凸状に反る。しかしながら、ウェーハwのエッジ部分は、ステージ44に接することがないため、そのまま支持部材45上に保持され、割れや跳ねが抑制される。さらに、MSA処理完了後、上方の熱源(ランプ)からの加熱がなくなるため、ウェーハwには加熱時と逆の熱応力が生じ、凹状に反る。しかしながら、ウェーハwの中央部は、同様に、ステージ44に接することがないため、そのまま支持部材45上に保持され、割れや跳ねが抑制される。従って、MSAプロセスにおけるウェーハのダメージが抑制され、製品歩留りの劣化を抑えることが可能となる。
また、実施形態1と同様に、支持部材45を不変動点Aを支持するように配置することにより、ウェーハwの振幅を抑え、ステージ44に最も近い位置でウェーハwを保持することが可能となり、効率的に予備加熱を行うことができる。
また、本実施形態においては、実施形態1と異なり、リフトピンは必要に応じて独立して設けられている。従って、例えば、搬入アームを挿入するための間隙を要するなど、リフトピンの機能により制限されることなく、支持部材45を配置することが可能である。例えば、より安定して保持することができるように、支持部材を同一円周上に多数設けたり、リング状のもの、あるいはこれを複数に分割したものを設置することも可能である。また、差し込み孔46はステージ44を貫通していないので、下部からのウェーハw裏面への汚染を抑えることが可能である。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
w…ウェーハ
11、41…反応室
12、42…ランプ
13、43…透光板
14、44…ステージ
15、45…支持部材
16、46…開孔部
11、41…反応室
12、42…ランプ
13、43…透光板
14、44…ステージ
15、45…支持部材
16、46…開孔部
Claims (5)
- ステージ上に、ウェーハを支持する支持部材を配置し、
前記支持部材の上端を、所定条件における前記ウェーハの反りが最大となるときに、前記ウェーハが前記ステージと離間する高さに調整し、
前記支持部材の上端で前記ウェーハを支持し、
前記ウェーハを、前記所定条件でランプアニール処理することを特徴とする半導体製造方法。 - 前記所定条件における前記ウェーハの振幅が最も小さくなるときの前記ウェーハの不変動点を求め、
前記支持部材を、前記不変動点において前記ウェーハを支持するように配置することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造方法。 - ウェーハをアニールするためのランプと、
前記ランプと対向するように設置されるステージと、
前記ウェーハを上端で支持するために設けられ、前記ステージ上に配置され、高さ調整可能である支持部材を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記支持部材は、アニール処理条件における前記ウェーハの振幅が最も小さくなるときの前記ウェーハの不変動点を支持するように配置されることが可能であることを特徴とする請求項3に記載の半導体製造装置。
- 前記支持部材は、3点以上のピン状あるいはリング状であることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の半導体製造装置。
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JP2008016206A JP2009177062A (ja) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013168462A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2015154061A (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-24 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2021086859A (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法 |
-
2008
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JP7336369B2 (ja) | 2019-11-25 | 2023-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法 |
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