JP2021086859A - 基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法 - Google Patents

基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】フラッシュ光で基板が湾曲形状となる場合でも、基板が割れることを抑制する。【解決手段】本願明細書に開示される技術に関する基板支持装置は、フラッシュ光の照射で加熱されることによって湾曲可能な基板に、対向するための保持プレートと、保持プレートに設けられ、かつ、基板を支持するための複数の基板支持ピンとを備え、複数の基板支持ピンは、保持プレートと湾曲していない状態の基板との間の空間の体積と、保持プレートと湾曲している状態の基板との間の空間の体積とが等しくなる位置に配置される。【選択図】図１４

Description

本願明細書に開示される技術は、基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法に関するものである。
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、不純物導入は半導体ウエハなどの薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する場合がある）内にｐｎ接合などを形成するための必要となる工程である。不純物導入は、イオン打ち込み法とその後のアニール法によってなされるものが一般的である。
イオン打ち込み法は、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）などの不純物の元素をイオン化させて高加速電圧で半導体ウエハに衝突させることによって、物理的に不純物注入を行う技術である。
注入された不純物は、アニール処理によって活性化される。この際に、アニール時間が数秒程度以上であると、打ち込まれた不純物が熱によって深く拡散し、その結果接合深さが要求よりも深くなり過ぎてしまうため、良好なデバイス形成に支障が生じるおそれがある。
そこで、極めて短時間で半導体ウエハを加熱するアニール技術として、フラッシュランプアニール（ｆｌａｓｈ ｌａｍｐ ａｎｎｅａｌ、すなわち、ＦＬＡ）が注目されている。ＦＬＡは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」と記載する場合には、キセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウエハの表面にフラッシュ光を照射することによって、不純物が注入された半導体ウエハの表面のみを極めて短時間（たとえば、数ミリ秒以下）で昇温させる熱処理技術である。
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、また、シリコンの半導体ウエハの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウエハにフラッシュ光を照射した場合には、透過光が少ないため、半導体ウエハを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウエハの表面近傍のみを選択的に昇温することができることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、不純物を深く拡散させずに、不純物活性化を実行することができる。
たとえば特許文献１には、処理チャンバーの下方に配置された加熱プレートによって半導体ウエハを予備加熱した後、処理チャンバーの上方に配置されたフラッシュランプから半導体ウエハの表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプアニール装置が開示されている。
特開２００４−１８６５４２号公報
ところで、フラッシュランプから照射されるフラッシュ光は高いエネルギーを有する光であるため、フラッシュ光が照射された半導体ウエハなどの基板の表面温度は短時間で上昇する。そして、基板のフラッシュ光が照射された表面に急激な熱膨張が生じると、当該表面が凸形状となるように基板が湾曲する場合がある。
そうすると、当該湾曲に起因して支持ピンに支持されている基板にぶれが生じ、当該ぶれによって支持ピンから基板が跳ねてしまう可能性がある。支持ピンから跳ねた基板は、再び支持ピンに接触する際などに割れてしまうことが懸念される。
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、フラッシュ光で基板が湾曲形状となる場合でも、基板が割れることを抑制するための技術である。
本願明細書に開示される技術の第１の態様は、フラッシュ光の照射で加熱されることによって湾曲可能な基板に、対向するための保持プレートと、前記保持プレートに設けられ、かつ、前記基板を支持するための複数の基板支持ピンとを備え、複数の前記基板支持ピンは、前記保持プレートと湾曲していない状態の前記基板との間の空間の体積と、前記保持プレートと湾曲している状態の前記基板との間の空間の体積とが等しくなる位置に配置される。
本願明細書に開示される技術の第２の態様は、第１の態様に関連し、前記基板支持ピンが、平面視において環状に配置される。
本願明細書に開示される技術の第３の態様は、第１または２の態様に関連し、前記基板は、平面視において円形である。
本願明細書に開示される技術の第４の態様は、第１から３のうちのいずれか１つの態様に関連し、平面視における、それぞれの前記基板支持ピンと円形の前記基板の中心部との間の距離ｒｐｉｎは、前記基板支持ピンの高さをｈｐｉｎとし、湾曲している状態の前記基板の曲率半径をＲとし、湾曲している状態の前記基板の高さをｈｂｏｗとし、湾曲していない状態の前記基板の直径をＤｗａｆｅｒとし、湾曲している状態の前記基板の平面視における直径をｃとする場合に、
Figure 2021086859
 を満たす。
本願明細書に開示される技術の第５の態様は、上記の基板支持装置と、前記基板に前記フラッシュ光を照射するためのフラッシュランプとを備える。
本願明細書に開示される技術の第６の態様は、フラッシュ光の照射で加熱されることによって湾曲可能な基板に、前記基板を支持する複数の基板支持ピンが設けられる保持プレートを対向させる工程と、複数の前記基板支持ピンを、前記保持プレートと湾曲していない状態の前記基板との間の空間の体積と、前記保持プレートと湾曲している状態の前記基板との間の空間の体積とが等しくなる位置に配置させる工程とを備える。
本願明細書に開示される技術の第７の態様は、上記の基板支持方法によって支持された前記基板に、フラッシュランプを用いて前記フラッシュ光を照射する工程を備える。
本願明細書に開示される技術の第１から７の態様によれば、フラッシュ光で半導体ウエハが湾曲形状となる場合でも、半導体ウエハが基板支持ピンから跳ねることを抑制することができるため、結果として半導体ウエハが割れることを抑制することができる。
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
実施の形態に関する、熱処理装置の構成の例を概略的に示す平面図である。 実施の形態に関する、熱処理装置の構成の例を概略的に示す正面図である。 実施の形態に関する、熱処理装置における熱処理部の構成を概略的に示す断面図である。 保持部の全体外観を示す斜視図である。 サセプタの平面図である。 サセプタ断面図である。 移載機構の平面図である。 移載機構の側面図である。 複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。 下部放射温度計とサセプタに保持された半導体ウエハとの位置関係を示す図である。 下部放射温度計、上部放射温度計および制御部関係性を示す機能ブロック図である。 半導体ウエハの処理手順を示すフローチャートである。 半導体ウエハの表面温度の変化を示す図である。 半導体ウエハが湾曲している状態におけるギャップ体積の概要を示す図である。 Ｖｄｏｍｅ、ＶｄｉｓｃおよびＶｔｏｔａｌの関係に関するシミュレーション結果の例を示す図である。 式（９）に従うｒｐｉｎの場合の、基板支持ピンに支持された半導体ウエハを試験的にジャンプさせた高さをそれぞれ示す図である。 式（９）に従うｒｐｉｎの場合の、基板支持ピンに支持された半導体ウエハを試験的にジャンプさせた高さをそれぞれ示す図である。 他のｒｐｉｎの場合の、基板支持ピンに支持された半導体ウエハを試験的にジャンプさせた高さをそれぞれ示す図である。 他のｒｐｉｎの場合の、基板支持ピンに支持された半導体ウエハを試験的にジャンプさせた高さをそれぞれ示す図である。
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。
また、以下に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合を含むものとする。
また、以下に記載される説明において、等しい状態であることを示す表現、たとえば、「同一」、「等しい」、「均一」または「均質」などは、特に断らない限りは、厳密に等しい状態であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において差が生じている場合を含むものとする。
また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。
また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体または下面自体に加えて、対象となる構成要素の上面または下面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。
＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法について説明する。
＜熱処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する熱処理装置１００の構成の例を概略的に示す平面図である。また、図２は、本実施の形態に関する熱処理装置１００の構成の例を概略的に示す正面図である。
図１に例が示されるように、熱処理装置１００は、基板として円板形状の半導体ウエハＷにフラッシュ光を照射して当該半導体ウエハＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。
処理対象となる半導体ウエハＷのサイズは特に限定されるものではないが、たとえばφ３００ｍｍまたはφ４５０ｍｍの円形である。
図１および図２に示されるように、熱処理装置１００は、未処理の半導体ウエハＷを外部から装置内に搬入するとともに、処理済みの半導体ウエハＷを装置外に搬出するためのインデクサ部１０１と、未処理の半導体ウエハＷの位置決めを行うアライメント部２３０と、加熱処理後の半導体ウエハＷの冷却を行う２つの冷却部１３０および冷却部１４０と、半導体ウエハＷにフラッシュ加熱処理を施す熱処理部１６０と、冷却部１３０、冷却部１４０および熱処理部１６０に対して半導体ウエハＷの受け渡しを行う搬送ロボット１５０とを備える。
また、熱処理装置１００は、上記の各処理部に設けられた動作機構および搬送ロボット１５０を制御して、半導体ウエハＷのフラッシュ加熱処理を進行させる制御部３を備える。
インデクサ部１０１は、複数のキャリアＣ（本実施の形態では２個）を並べて載置するロードポート１１０と、各キャリアＣから未処理の半導体ウエハＷを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの半導体ウエハＷを収納する受渡ロボット１２０とを備えている。
未処理の半導体ウエハＷを収容するキャリアＣは、無人搬送車（ＡＧＶ、ＯＨＴ）などによって搬送されてロードポート１１０に載置されるとともに、処理済みの半導体ウエハＷを収容するキャリアＣは、無人搬送車によってロードポート１１０から持ち去られる。
また、ロードポート１１０においては、受渡ロボット１２０がキャリアＣに対して任意の半導体ウエハＷの出し入れを行うことができるように、キャリアＣが図２の矢印ＣＵで示されるように昇降移動可能に構成されている。
なお、キャリアＣの形態としては、半導体ウエハＷを密閉空間に収納するｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ（ＦＯＵＰ）の他に、ｓｔａｎｄａｒｄ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｉｎｔｅｒ ｆａｃｅ（ＳＭＩＦ）ポッド、または、収納された半導体ウエハＷを外気に曝すｏｐｅｎ ｃａｓｓｅｔｔｅ（ＯＣ）であってもよい。
また、受渡ロボット１２０は、図１の矢印１２０Ｓによって示されるようなスライド移動、矢印１２０Ｒによって示されるような旋回動作および昇降動作が可能とされている。これによって、受渡ロボット１２０は、２つのキャリアＣに対して半導体ウエハＷの出し入れを行うとともに、アライメント部２３０および２つの冷却部１３０および冷却部１４０に対して半導体ウエハＷの受け渡しを行う。
受渡ロボット１２０によるキャリアＣに対する半導体ウエハＷの出し入れは、ハンド１２１のスライド移動、および、キャリアＣの昇降移動によって行われる。また、受渡ロボット１２０と、アライメント部２３０または冷却部１３０（冷却部１４０）との半導体ウエハＷの受け渡しは、ハンド１２１のスライド移動、および、受渡ロボット１２０の昇降動作によって行われる。
アライメント部２３０は、Ｙ軸方向に沿ったインデクサ部１０１の側方に接続されて設けられている。アライメント部２３０は、半導体ウエハＷを水平面内で回転させてフラッシュ加熱に適切な向きに向ける処理部である。アライメント部２３０は、アルミニウム合金製の筐体であるアライメントチャンバー２３１の内部に、半導体ウエハＷを水平姿勢に支持して回転させる機構、および、半導体ウエハＷの周縁部に形成されたノッチまたはオリフラなどを光学的に検出する機構などを設けて構成される。
アライメント部２３０への半導体ウエハＷの受け渡しは、受渡ロボット１２０によって行われる。受渡ロボット１２０からアライメントチャンバー２３１へは、ウエハ中心が所定の位置に位置するように半導体ウエハＷが渡される。
アライメント部２３０では、インデクサ部１０１から受け取った半導体ウエハＷの中心部を回転中心として鉛直方向軸まわりで半導体ウエハＷを回転させ、ノッチ等を光学的に検出することによって半導体ウエハＷの向きを調整する。向き調整の終了した半導体ウエハＷは、受渡ロボット１２０によってアライメントチャンバー２３１から取り出される。
搬送ロボット１５０による半導体ウエハＷの搬送空間として、搬送ロボット１５０を収容する搬送チャンバー１７０が設けられている。その搬送チャンバー１７０の三方に熱処理部１６０のチャンバー６、冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１および冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１が連通接続されている。
熱処理装置１００の主要部である熱処理部１６０は、予備加熱（アシスト加熱）を行った半導体ウエハＷにキセノンフラッシュランプＦＬからの閃光（フラッシュ光）を照射してフラッシュ加熱処理を行う基板処理部である。この熱処理部１６０の構成についてはさらに後述する。
２つの冷却部１３０および冷却部１４０は、概ね同様の構成を備える。冷却部１３０および冷却部１４０はそれぞれ、アルミニウム合金製の筐体である第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１の内部に、金属製の冷却プレートと、その上面に載置された石英板とを備える（いずれも図示省略）。当該冷却プレートは、ペルチェ素子または恒温水循環によって常温（約２３℃）に温調されている。
熱処理部１６０においてフラッシュ加熱処理が施された半導体ウエハＷは、第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に搬入されて、当該石英板に載置されて冷却される。
第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１はともに、インデクサ部１０１と搬送チャンバー１７０との間において、それらの双方に接続されている。
第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１には、半導体ウエハＷを搬入出するための２つの開口が形設されている。第１クールチャンバー１３１の２つの開口のうちインデクサ部１０１に接続される開口は、ゲートバルブ１８１によって開閉可能とされている。
一方、第１クールチャンバー１３１の搬送チャンバー１７０に接続される開口は、ゲートバルブ１８３によって開閉可能とされている。すなわち、第１クールチャンバー１３１とインデクサ部１０１とはゲートバルブ１８１を介して接続され、第１クールチャンバー１３１と搬送チャンバー１７０とはゲートバルブ１８３を介して接続されている。
インデクサ部１０１と第１クールチャンバー１３１との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８１が開放される。また、第１クールチャンバー１３１と搬送チャンバー１７０との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８３が開放される。ゲートバルブ１８１およびゲートバルブ１８３が閉鎖されているときには、第１クールチャンバー１３１の内部が密閉空間となる。
また、第２クールチャンバー１４１の２つの開口のうちインデクサ部１０１に接続される開口はゲートバルブ１８２によって開閉可能とされている。一方、第２クールチャンバー１４１の搬送チャンバー１７０に接続される開口はゲートバルブ１８４によって開閉可能とされている。すなわち、第２クールチャンバー１４１とインデクサ部１０１とはゲートバルブ１８２を介して接続され、第２クールチャンバー１４１と搬送チャンバー１７０とはゲートバルブ１８４を介して接続されている。
インデクサ部１０１と第２クールチャンバー１４１との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８２が開放される。また、第２クールチャンバー１４１と搬送チャンバー１７０との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行う際には、ゲートバルブ１８４が開放される。ゲートバルブ１８２およびゲートバルブ１８４が閉鎖されているときには、第２クールチャンバー１４１の内部が密閉空間となる。
チャンバー６に隣接して設置された搬送チャンバー１７０に設けられた搬送ロボット１５０は、鉛直方向に沿った軸を中心に矢印１５０Ｒで示すように旋回可能とされる。搬送ロボット１５０は、複数のアームセグメントからなる２つのリンク機構を有し、それら２つのリンク機構の先端にはそれぞれ半導体ウエハＷを保持する搬送ハンド１５１ａおよび搬送ハンド１５１ｂが設けられている。これらの搬送ハンド１５１ａおよび搬送ハンド１５１ｂは上下に所定のピッチだけ隔てて配置され、リンク機構によってそれぞれ独立して同一水平方向に直線的にスライド移動可能とされている。
また、搬送ロボット１５０は、２つのリンク機構が設けられるベースを昇降移動することによって、所定のピッチだけ離れた状態のまま２つの搬送ハンド１５１ａおよび搬送ハンド１５１ｂを昇降移動させる。
搬送ロボット１５０が第１クールチャンバー１３１、第２クールチャンバー１４１または熱処理部１６０のチャンバー６を受け渡し相手として半導体ウエハＷの受け渡し（出し入れ）を行う際には、まず、両搬送ハンド１５１ａおよび搬送ハンド１５１ｂが受け渡し相手と対向するように旋回し、その後（または旋回している間に）昇降移動していずれかの搬送ハンドが受け渡し相手と半導体ウエハＷを受け渡しする高さに位置する。そして、搬送ハンド１５１ａ（１５１ｂ）を水平方向に直線的にスライド移動させて受け渡し相手と半導体ウエハＷの受け渡しを行う。
搬送ロボット１５０と受渡ロボット１２０との半導体ウエハＷの受け渡しは冷却部１３０および冷却部１４０を介して行うことができる。すなわち、冷却部１３０の第１クールチャンバー１３１および冷却部１４０の第２クールチャンバー１４１は、搬送ロボット１５０と受渡ロボット１２０との間で半導体ウエハＷを受け渡すためのパスとしても機能するものである。具体的には、搬送ロボット１５０または受渡ロボット１２０のうちの一方が第１クールチャンバー１３１または第２クールチャンバー１４１に渡した半導体ウエハＷを他方が受け取ることによって半導体ウエハＷの受け渡しが行われる。搬送ロボット１５０および受渡ロボット１２０によって半導体ウエハＷをキャリアＣから熱処理部１６０にまで搬送する搬送機構が構成される。
上述したように、第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１とインデクサ部１０１との間にはそれぞれゲートバルブ１８１またはゲートバルブ１８２が設けられている。また、搬送チャンバー１７０と第１クールチャンバー１３１および第２クールチャンバー１４１との間にはそれぞれゲートバルブ１８３またはゲートバルブ１８４が設けられている。さらに、搬送チャンバー１７０と熱処理部１６０のチャンバー６との間にはゲートバルブ１８５が設けられている。熱処理装置１００内において半導体ウエハＷが搬送される際には、適宜これらのゲートバルブが開閉される。
図３は、本実施の形態に関する熱処理装置１００における熱処理部１６０の構成を概略的に示す断面図である。
図３に例が示されるように、熱処理部１６０は、基板としての円板形状の半導体ウエハＷに対してフラッシュ光照射を行うことによって、その半導体ウエハＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。
処理対象となる半導体ウエハＷのサイズは特に限定されるものではないが、たとえばφ３００ｍｍまたはφ４５０ｍｍである（本実施の形態ではφ３００ｍｍ）。
熱処理部１６０は、半導体ウエハＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４とを備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。
また、熱処理部１６０は、チャンバー６の内部に、半導体ウエハＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行う移載機構１０とを備える。
さらに、熱処理部１６０は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウエハＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。
チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。
チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英によって形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英によって形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８および反射リング６９は、ともに円環状に形成されている。
上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８および反射リング６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。
チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１、反射リング６８および反射リング６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
チャンバー側部６１に反射リング６８および反射リング６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８および反射リング６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。
凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウエハＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８および反射リング６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（たとえば、ステンレススチール）で形成されている。
また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウエハＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は、凹部６２の外周面に連通接続されている。
このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウエハＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウエハＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａおよび貫通孔６１ｂが穿設されている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの上面から放射された赤外光を上部放射温度計２５の赤外線センサー２９に導くための円筒状の孔である。一方、貫通孔６１ｂは、半導体ウエハＷの下面から放射された赤外光を下部放射温度計２０の赤外線センサー２４に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａおよび貫通孔６１ｂは、それらの貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。
赤外線センサー２９は、たとえば、量子型赤外線センサーなどである。また、赤外線センサー２４は、たとえば、焦電効果を利用する焦電センサー、ゼーベック効果を利用するサーモパイル、または、熱による半導体の抵抗変化を利用するボロメータなどの熱型赤外線センサーである。
貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、上部放射温度計２５が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化カルシウム材料からなる透明窓２６が装着されている。また、貫通孔６１ｂの熱処理空間６５に臨む側の端部には、下部放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。
また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていてもよい。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。
ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。
緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、たとえば窒素（Ｎ２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施の形態では窒素ガス）。
一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていてもよい。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。
なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていてもよいし、スリット状のものであってもよい。また、処理ガス供給源８５および排気部１９０は、熱処理部１６０に設けられた機構であってもよいし、熱処理部１６０が設置される工場のユーティリティであってもよい。
また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。
図４は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英で形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英で形成されている。
基台リング７１は、円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図３を参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施の形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
サセプタ７４は、基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図５は、サセプタ７４の平面図である。また、図６は、サセプタ７４の断面図である。
サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英で形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は、半導体ウエハＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウエハＷよりも大きな平面サイズを有する。
保持プレート７５の上面周縁部には、ガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウエハＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。たとえば、半導体ウエハＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。
ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英で形成される。
ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしてもよいし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしてもよい。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしてもよい。
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウエハＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が設けられている。本実施の形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に合計１２個の基板支持ピン７７が環状に立設されている。
１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウエハＷの径よりも小さく、半導体ウエハＷの径がφ３００ｍｍであればφ２１０ｍｍ〜φ２８０ｍｍである。基板支持ピン７７は、３本以上設けられる。それぞれの基板支持ピン７７は石英で形成されている。
複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしてもよいし、保持プレート７５と一体に加工するようにしてもよい。
図４に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
チャンバー６に搬入された半導体ウエハＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢で載置されて保持される。このとき、半導体ウエハＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウエハＷの下面に接触して当該半導体ウエハＷを支持する。
１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウエハＷを水平姿勢に支持することができる。
また、半導体ウエハＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウエハＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
また、図４および図５に示されるように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、下部放射温度計２０が半導体ウエハＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、下部放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ｂに装着された透明窓２１を介して半導体ウエハＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウエハＷの温度を測定する。
さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウエハＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
図７は、移載機構１０の平面図である。また、図８は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。
それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英で形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウエハＷの移載を行う移載動作位置（図７の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウエハＷと平面視で重ならない退避位置（図７の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。
水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであってもよいし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであってもよい。
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置において上昇させると、合計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図４および図５参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置において下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。
一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。
図３に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施の形態では３０本）のフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２とを備えて構成される。
また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英によって形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。
フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウエハＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。
フラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。
キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。
このようなフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。
なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板で形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面、すなわち、上面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施の形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウエハＷを加熱する。
図９は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウエハＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
また、図９に示されるように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウエハＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウエハＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように合計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。
したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウエハＷへの放射効率が優れたものとなる。
また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図３）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
図３に示されるように、チャンバー６には、上部放射温度計２５および下部放射温度計２０の２つの放射温度計（本実施の形態ではパイロメーター）が設けられている。上部放射温度計２５はサセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの斜め上方に設置されるとともに、下部放射温度計２０はサセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの斜め下方に設けられている。
図１０は、下部放射温度計２０とサセプタ７４に保持された半導体ウエハＷとの位置関係を示す図である。
下部放射温度計２０の赤外線センサー２４の半導体ウエハＷに対する受光角θは６０°以上８９°以下である。受光角θは、下部放射温度計２０の赤外線センサー２４の光軸と半導体ウエハＷの法線（主面に対して垂直な線）とのなす角度である。また、同様に、上部放射温度計２５の赤外線センサー２９の半導体ウエハＷに対する受光角θも６０°以上８９°以下である。なお、下部放射温度計２０の赤外線センサー２４の半導体ウエハＷに対する受光角と、上部放射温度計２５の赤外線センサー２９の半導体ウエハＷに対する受光角とは、等しい角度でなくともよい。
制御部３は、熱処理部１６０に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理部１６０における処理が進行する。
図１１は、下部放射温度計２０、上部放射温度計２５および制御部３の関係性を示す機能ブロック図である。
半導体ウエハＷの斜め下方に設けられて半導体ウエハＷの下面の温度を測定する下部放射温度計２０は、赤外線センサー２４および温度測定ユニット２２を備える。
赤外線センサー２４は、サセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を受光する。赤外線センサー２４は、温度測定ユニット２２と電気的に接続されており、受光に応答して生じた信号を温度測定ユニット２２に伝達する。
温度測定ユニット２２は、図示を省略する増幅回路、Ａ／Ｄコンバータおよび温度変換回路などを備えており、赤外線センサー２４から出力された赤外光の強度を示す信号を温度に変換する。温度測定ユニット２２によって求められた温度が半導体ウエハＷの下面の温度である。
一方、半導体ウエハＷの斜め上方に設けられて半導体ウエハＷの上面の温度を測定する上部放射温度計２５は、赤外線センサー２９および温度測定ユニット２７を備える。赤外線センサー２９は、サセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの上面から放射された赤外光を受光する。赤外線センサー２９は、フラッシュ光が照射された瞬間の半導体ウエハＷの上面の急激な温度変化に対応できるように、ＩｎＳｂ（インジウムアンチモン）の光学素子を備えている。赤外線センサー２９は、温度測定ユニット２７と電気的に接続されており、受光に応答して生じた信号を温度測定ユニット２７に伝達する。温度測定ユニット２７は、赤外線センサー２９から出力された赤外光の強度を示す信号を温度に変換する。温度測定ユニット２７によって求められた温度が半導体ウエハＷの上面の温度である。
下部放射温度計２０および上部放射温度計２５は、熱処理部１６０全体のコントローラである制御部３と電気的に接続されており、下部放射温度計２０および上部放射温度計２５によってそれぞれ測定された半導体ウエハＷの下面および上面の温度は制御部３に伝達される。
制御部３は、温度算定部３１を備える。温度算定部３１は、制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって実現される機能処理部である。温度算定部３１の処理内容についてはさらに後述する。
また、制御部３には表示部３３および入力部３４が接続されている。制御部３は、表示部３３に種々の情報を表示する。入力部３４は、熱処理装置１００のオペレータが制御部３に種々のコマンドまたはパラメータを入力するための機器である。オペレータは、表示部３３の表示内容を確認しつつ、入力部３４から半導体ウエハＷの処理手順および処理条件を記述した処理レシピの条件設定を行うこともできる。
表示部３３および入力部３４としては、双方の機能を兼ね備えたタッチパネルを用いることもでき、本実施の形態では熱処理装置１００の外壁に設けられた液晶のタッチパネルを採用している。
上記の構成以外にも熱処理装置１００は、半導体ウエハＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。
たとえば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
＜熱処理装置の動作について＞
次に、熱処理装置１００における半導体ウエハＷの処理手順について説明する。図１２は、半導体ウエハＷの処理手順を示すフローチャートである。以下に説明する熱処理装置１００の処理手順は、制御部３が熱処理装置１００の各動作機構を制御することにより進行する。
まず、給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９およびバルブ１９２が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。
また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置１００における半導体ウエハＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。
続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウエハＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される（ステップＳＴ１）。このときには、半導体ウエハＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。
搬送ロボットによって搬入された半導体ウエハＷは、保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウエハＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
半導体ウエハＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウエハＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウエハＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウエハＷは、被処理面である表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウエハＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
図１３は、半導体ウエハＷの表面温度の変化を示す図である。半導体ウエハＷがチャンバー６内に搬入されてサセプタ７４に保持された後、時刻ｔ１にハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される（ステップＳＴ２）。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウエハＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウエハＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることはない。
ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウエハＷの温度は下部放射温度計２０によって測定される。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの下面（裏面）から開口部７８を介して放射された赤外光を透明窓２１を通して下部放射温度計２０が受光して半導体ウエハＷの裏面温度を測定する（ステップＳＴ３）。なお、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を開始する前から下部放射温度計２０による温度測定を開始するようにしても良い。
ところで、半導体ウエハＷには処理目的に応じた種々の膜が成膜されていることが多い。例えば、フォトマスク用のレジスト膜や層間絶縁膜、高誘電率膜等が半導体ウエハＷに成膜されることがある。これらの膜は典型的には半導体ウエハＷの表面（被処理面）に成膜されているのであるが、近年半導体デバイスの製造プロセスが複雑になるにつれて半導体ウエハＷの裏面にも何らかの膜が形成されることがある。そして、裏面に膜が形成されたままの半導体ウエハＷが熱処理装置１００にて熱処理の対象となるのである。
下部放射温度計２０によって半導体ウエハＷの裏面の温度を非接触で測定する際には、当該裏面の放射率を下部放射温度計２０に設定する必要がある。半導体ウエハＷの裏面に膜が形成されていなければウエハ基材であるシリコンの放射率を下部放射温度計２０に設定すればよいところ、半導体ウエハＷの裏面にも膜が形成されていると、裏面の放射率も膜によって変動することとなる。
下部放射温度計２０によって測定された半導体ウエハＷの裏面温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウエハＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、下部放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウエハＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。このように下部放射温度計２０は、予備加熱段階においてハロゲンランプＨＬの出力を制御するための温度センサーでもある。なお、下部放射温度計２０は半導体ウエハＷの裏面の温度を測定しているが、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階では半導体ウエハＷの表裏面に温度差が生じることはなく、下部放射温度計２０によって測定される裏面温度は半導体ウエハＷ全体の温度であるとみなせる。
半導体ウエハＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウエハＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、下部放射温度計２０によって測定される半導体ウエハＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時刻ｔ２に制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウエハＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウエハＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウエハＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、半導体ウエハＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウエハＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウエハＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。
半導体ウエハＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時刻ｔ３にフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの表面にフラッシュ光照射を行う（ステップＳＴ４）。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウエハＷのフラッシュ加熱が行われる。
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウエハＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射により、半導体ウエハＷの表面温度は極めて短時間のうちに急激に上昇する。
半導体ウエハＷの表面温度は上部放射温度計２５によって監視されている。但し、上部放射温度計２５は、半導体ウエハＷの表面の絶対温度を測定するものではなく、当該表面の温度変化を測定する。すなわち、上部放射温度計２５は、フラッシュ光照射時の予備加熱温度Ｔ１からの半導体ウエハＷの表面の上昇温度（ジャンプ温度）ΔＴを測定するのである（ステップＳＴ５）。なお、フラッシュ光照射時にも半導体ウエハＷの裏面温度が下部放射温度計２０によって測定されているものの、照射時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光を照射したときには、半導体ウエハＷの表面近傍のみが急激に加熱されるため、半導体ウエハＷの表裏面で温度差が生じ、下部放射温度計２０によっては半導体ウエハＷの表面の温度を測定することはできない。また、下部放射温度計２０と同様に、上部放射温度計２５の半導体ウエハＷに対する受光角も６０°以上８９°以下としているため、半導体ウエハＷの表面に成膜されている膜の種類にかかわらず上部放射温度計２５によって半導体ウエハＷの表面の上昇温度ΔＴを正確に測定することができる。
次に、制御部３の温度算定部３１がフラッシュ光照射時に半導体ウエハＷの表面が到達した最高温度を算定する（ステップＳＴ６）。半導体ウエハＷの裏面の温度は少なくとも予備加熱時に半導体ウエハＷが一定温度に到達した時刻ｔ２からフラッシュ光が照射される時刻ｔ３までの間は継続して下部放射温度計２０によって測定されている。フラッシュ光照射前の予備加熱の段階では半導体ウエハＷの表裏面に温度差が生じておらず、フラッシュ光照射前に下部放射温度計２０によって測定された半導体ウエハＷの裏面温度は表面温度でもある。温度算定部３１は、フラッシュ光を照射する直前の時刻ｔ２から時刻ｔ３までの間に下部放射温度計２０によって測定された半導体ウエハＷの裏面の温度（予備加熱温度Ｔ１）に上部放射温度計２５によって測定されたフラッシュ光照射時の半導体ウエハＷの表面の上昇温度ΔＴを加算して当該表面の最高到達温度Ｔ２を算定する。温度算定部３１は、算定した最高到達温度Ｔ２を表示部３３に表示するようにしても良い。
下部放射温度計２０の半導体ウエハＷに対する受光角θは６０°以上８９°以下と比較的大きく、半導体ウエハＷの裏面に成膜されている膜の種類にかかわらず下部放射温度計２０によって半導体ウエハＷの裏面の温度を正確に測定することができる。下部放射温度計２０によって正確に測定された半導体ウエハＷの裏面温度（＝表面温度）に上部放射温度計２５によって測定された半導体ウエハＷの上面の上昇温度ΔＴを加算することによって、フラッシュ光照射時の半導体ウエハＷの表面の最高到達温度Ｔ２を正確に算定することができる。
フラッシュ光照射が終了した後、所定時間経過後の時刻ｔ４にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウエハＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウエハＷの温度は下部放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、下部放射温度計２０の測定結果より半導体ウエハＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウエハＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウエハＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウエハＷが装置外部の搬送ロボットによりチャンバー６から搬出され、半導体ウエハＷの加熱処理が完了する（ステップＳＴ７）。
本実施形態においては、下部放射温度計２０をサセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの斜め下方に設け、下部放射温度計２０の半導体ウエハＷに対する受光角θを６０°以上８９°以下と比較的大きくしている。よって、半導体ウエハＷの裏面の放射率の膜の種類への依存性は低く、半導体ウエハＷの裏面に成膜されている膜の種類にかかわらず下部放射温度計２０によって半導体ウエハＷの裏面の温度を正確に測定することができる。
また、上部放射温度計２５をサセプタ７４に保持された半導体ウエハＷの斜め上方に設け、上部放射温度計２５の半導体ウエハＷに対する受光角も６０°以上８９°以下としている。よって、半導体ウエハＷの表面に成膜されている膜の種類にかかわらず上部放射温度計２５によって半導体ウエハＷの表面の上昇温度ΔＴを正確に測定することができる。
フラッシュ光照射直前の時刻ｔ２から時刻ｔ３までの間に下部放射温度計２０によって半導体ウエハＷの裏面温度を測定する。フラッシュ光照射時には上部放射温度計２５によって半導体ウエハＷの表面の上昇温度ΔＴを測定する。下部放射温度計２０によって正確に測定された半導体ウエハＷの裏面温度に上部放射温度計２５によって測定された半導体ウエハＷの表面の上昇温度ΔＴを加算することにより、フラッシュ光照射時の半導体ウエハＷの表面温度を正確に求めることができる。
＜基板支持ピン７７の配置位置について＞
フラッシュ光が照射されるフラッシュランプアニールによって、フラッシュ光が照射される半導体ウエハＷの上面の温度は短時間で上昇するため、半導体ウエハＷの上面には急激な熱膨張が生じる。そして、当該熱膨張に起因して、半導体ウエハＷの上面が凸形状となるように半導体ウエハＷが湾曲する。
半導体ウエハＷと半導体ウエハＷに対向する保持プレート７５との空間が、半導体ウエハＷが湾曲することによって伸長（または圧縮）された場合、元の体積に戻ろうとする力、すなわち、復元力が当該空間に生じるものと考えられる。そして、当該復元力は、半導体ウエハＷが湾曲する前後において半導体ウエハＷと保持プレート７５との空間の体積（ギャップ体積）の変化が大きいほど大きなものとなる。
半導体ウエハＷの湾曲に起因する復元力は、基板支持ピン７７に支持されている半導体ウエハＷにぶれを生じさせるため、半導体ウエハＷが基板支持ピン７７から跳ねてしまう懸念が高まる。
上記の前提によれば、半導体ウエハＷが湾曲する前後におけるギャップ体積の変化を小さく抑えることによって復元力を小さくすれば、半導体ウエハＷが基板支持ピン７７から跳ねることを抑制することができる。本実施の形態では、半導体ウエハＷが湾曲する前後において、半導体ウエハＷと保持プレート７５との間の体積（ギャップ体積）の変化ができるだけ少なくなるように、望ましくは、半導体ウエハＷが湾曲する前後において、ギャップ体積が等しくなるように、基板支持ピン７７の配置を設定する基板支持装置について説明する。
ここで、「ギャップ体積が等しい」とは、厳密に体積が等しい場合に限られるものではなく、たとえば、交差または同程度の機能が発揮される範囲において差が生じている場合を含むものとする。
まず、半導体ウエハＷが湾曲していない状態におけるギャップ体積を算出する。湾曲していない状態の半導体ウエハＷの直径をＤｗａｆｅｒとし、保持プレート７５に設けられる基板支持ピン７７の高さをｈｐｉｎとする場合、ギャップ体積Ｖｆｌａｔは、以下の式（１）のように示される。
Figure 2021086859
次に、半導体ウエハＷが湾曲している状態におけるギャップ体積について、図１４を参照しつつ算出する。ここで、図１４は、半導体ウエハＷが湾曲している状態におけるギャップ体積の概要を示す図である。図１４に示されるように、半導体ウエハＷが湾曲している状態におけるギャップ体積Ｖｔｏｔａｌは、上部のドーム部分の体積と、下部の円柱部分の体積との和と考えることができる。なお、図１４に示される湾曲状態は、半導体ウエハＷの湾曲度合いが最大である状態であるものとする。
まず、上部のドーム部分の体積Ｖｄｏｍｅは、半導体ウエハＷが理想的な球面を形成するように湾曲する（撓む）と仮定すると、湾曲している状態の半導体ウエハＷの高さ（すなわち、半導体ウエハＷの中央部の法線方向における、湾曲している状態の半導体ウエハＷの中央部に形成される頂点と、湾曲している状態の半導体ウエハＷの外縁部との間の距離）をｈｂｏｗとし、湾曲している状態の半導体ウエハＷの球面の曲率半径をＲとして、以下の式（２）のように示される。
Figure 2021086859
一方で、下部の円柱部分の体積Ｖｄｉｓｃは、湾曲している状態の半導体ウエハＷの外縁部と保持プレート７５との間の距離をｈｇａｐとし、湾曲している状態の半導体ウエハＷによって平面視において覆われる面積をｃとして、以下の式（３）のように示される。
Figure 2021086859
ここで、ｈｇａｐ、ｈｂｏｗおよびｈｐｉｎの関係は、以下の式（４）のように示される。
Figure 2021086859
なお、ｘは、半導体ウエハＷの中央部の法線方向における、湾曲している状態の半導体ウエハＷの中央部に形成される頂点と、基板支持ピン７７の上端との間の距離に相当する。
また、Ｒとｘとの関係を、以下の式（５）のように示す。
Figure 2021086859
そうすると、基板支持ピン７７と半導体ウエハＷの中心との間の距離ｒｐｉｎとして、以下の式（６）を導くことができる。
Figure 2021086859
そして、式（４）に式（５）および式（６）を代入することで、以下の式（７）を導くことができる。
Figure 2021086859
さらに、式（７）を式（３）に代入することで、以下の式（８）を導くことができる。
Figure 2021086859
そして、半導体ウエハＷが湾曲する前後においてギャップ体積が等しいとすると、ｒｐｉｎは、以下の式（９）のように示される。
Figure 2021086859
図１５は、Ｖｄｏｍｅ、ＶｄｉｓｃおよびＶｔｏｔａｌの関係に関するシミュレーション結果の例を示す図である。図１５において、縦軸は体積［ｍｍ３］を示し、横軸はｈｂｏｗ［ｍｍ］を示す。図１５の例では、Ｄｗａｆｅｒを３００ｍｍ、ｈｐｉｎを１ｍｍとし、式（９）に従うｒｐｉｎ（すなわち、１０６ｍｍ）の場合が実線で、他のｒｐｉｎ（すなわち、１３５ｍｍ）の場合が点線でそれぞれ示されている。また、Ｖｔｏｔａｌについては、太線で示されている。
図１５に例が示されるように、双方の場合でＶｄｏｍｅはｈｂｏｗの増加に従って増加しているが、Ｖｄｉｓｃはｈｂｏｗの増加に従って減少している。
ただし、実線で示された式（９）に従うｒｐｉｎの場合では、Ｖｔｏｔａｌがｈｂｏｗによらずに一定に保たれており、基板が湾曲する前後（すなわち、ｈｂｏｗが０である場合およびｈｂｏｗが０以外の値である場合）において、ギャップ体積が等しいことが分かる。
＜半導体ウエハＷのジャンプの抑制について＞
次に、図１６、図１７、図１８および図１９を参照しつつ、式（９）に従うｒｐｉｎの場合と、他のｒｐｉｎの場合とで、基板支持ピン７７に支持された半導体ウエハＷが熱処理によって湾曲し基板支持ピン７７から跳ねた（ジャンプした）場合の高さを比較する。
図１６は、式（９）に従うｒｐｉｎ（すなわち、１０６ｍｍ）の場合の、基板支持ピン７７に支持された半導体ウエハＷを試験的にジャンプさせた高さをそれぞれ示す図である。図１６に示された結果は、一般に０．４ｍｓ〜１００ｍｓの間で照射時間を調整可能であるフラッシュランプを用いて、比較的短い時間フラッシュ光が照射された場合に相当する。図１６において、縦軸はジャンプした高さ（比較のための相対値）を示し、横軸は時間（比較のための相対値）を示す。
図１６には、フラッシュランプに３パターンの電圧値が印加された場合に対応する３つのグラフ（電圧値が低い順にＡ、Ｂ、Ｃパターンとする）が示されているが、いずれについても、半導体ウエハＷがジャンプした高さは比較的低い値に抑えられている。なお、以降の図においては、Ａパターンが実線、Ｂパターンが点線、Ｃパターンが太線で示される。
図１７は、式（９）に従うｒｐｉｎ（すなわち、１０６ｍｍ）の場合の、基板支持ピン７７に支持された半導体ウエハＷを試験的にジャンプさせた高さをそれぞれ示す図である。図１７に示された結果は、図１６に示された場合よりも長い時間フラッシュ光が照射された場合に相当する。図１７において、縦軸はジャンプした高さ（比較のための相対値）を示し、横軸は時間（比較のための相対値）を示す。
図１７には、フラッシュランプにＡ、Ｂ、Ｃの３パターンの電圧値が印加された場合に対応する３つのグラフが示されているが、いずれについても、半導体ウエハＷがジャンプした高さは比較的低い値に抑えられている。
図１８は、他のｒｐｉｎ（すなわち、１３５ｍｍ）の場合の、基板支持ピン７７に支持された半導体ウエハＷを試験的にジャンプさせた高さをそれぞれ示す図である。図１８に示された結果は、図１６に示された場合と同じ時間フラッシュ光が照射された場合に相当する。図１８において、縦軸はジャンプした高さ（比較のための相対値）を示し、横軸は時間（比較のための相対値）を示す。
図１８には、フラッシュランプにＡ、Ｂ、Ｃの３パターンの電圧値が印加された場合に対応する３つのグラフが示されているが、いずれについても、図１６に示された場合よりも、半導体ウエハＷがジャンプした高さが大きい値となっている。
図１９は、他のｒｐｉｎ（すなわち、１３５ｍｍ）の場合の、基板支持ピン７７に支持された半導体ウエハＷを試験的にジャンプさせた高さをそれぞれ示す図である。図１９に示された結果は、図１７に示された場合と同じ時間フラッシュ光が照射された場合に相当する。図１９において、縦軸はジャンプした高さ（比較のための相対値）を示し、横軸は時間（比較のための相対値）を示す。
図１９には、フラッシュランプにＡ、Ｂ、Ｃの３パターンの電圧値が印加された場合に対応する３つのグラフが示されているが、いずれについても、図１７に示された場合よりも、半導体ウエハＷがジャンプした高さが大きい値となっている。
図１６、図１７、図１８および図１９に示されるように、式（９）に従うｒｐｉｎの場合には、他のｒｐｉｎの場合よりも半導体ウエハＷがジャンプした高さが低くなっている。
＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態によれば、基板支持装置は、保持プレート７５と、複数の基板支持ピン７７とを備える。保持プレート７５は、基板に対向する。ここで、基板は、たとえば、半導体ウエハＷなどに対応するものであり、フラッシュ光の照射で加熱されることによって湾曲可能である。基板支持ピン７７は、保持プレート７５に設けられる。また、基板支持ピン７７は、半導体ウエハＷを支持する。そして、複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５と湾曲していない状態の半導体ウエハＷとの間の空間の体積と、保持プレート７５と湾曲している状態の半導体ウエハＷとの間の空間の体積とが等しくなる位置に配置される。
このような構成によれば、フラッシュ光で半導体ウエハＷが湾曲形状となる場合でも、半導体ウエハＷが基板支持ピン７７から跳ねることを抑制することができるため、結果として半導体ウエハＷが割れることを抑制することができる。
なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板支持ピン７７が、平面視において環状に配置される。このような構成によれば、半導体ウエハＷが理想的な球面を形成するように湾曲する場合に、基板支持ピン７７が、湾曲した状態の半導体ウエハＷを適切に支持することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、半導体ウエハＷは、平面視において円形である。このような構成によれば、半導体ウエハＷが理想的な球面を形成するように湾曲する場合に、半導体ウエハＷが基板支持ピン７７から跳ねることを抑制する。
また、以上に記載された実施の形態によれば、平面視における、それぞれの基板支持ピン７７と円形の半導体ウエハＷの中心部との間の距離ｒｐｉｎは、基板支持ピン７７の高さをｈｐｉｎとし、湾曲している状態の半導体ウエハＷの曲率半径をＲとし、湾曲している状態の半導体ウエハＷの高さをｈｂｏｗとし、湾曲していない状態の半導体ウエハＷの直径をＤｗａｆｅｒとし、湾曲している状態の半導体ウエハＷの平面視における直径をｃとする場合に、上記の式（９）を満たす。このような構成によれば、半導体ウエハＷの湾曲前後で、保持プレート７５と半導体ウエハＷとの間の空間の体積が等しくなるため、湾曲に際して生じる復元力を抑えて半導体ウエハＷが基板支持ピン７７から跳ねることを抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、熱処理装置は、上記の基板支持装置と、半導体ウエハＷにフラッシュ光を照射するためのフラッシュランプＦＬとを備える。このような構成によれば、フラッシュ光が照射された半導体ウエハＷの上面に急激な熱膨張が生じて、半導体ウエハＷの上面が凸形状に湾曲する場合であっても、半導体ウエハＷが基板支持ピン７７から跳ねることを抑制することができる。
以上に記載された実施の形態によれば、基板支持方法において、フラッシュ光の照射で加熱されることによって湾曲可能な半導体ウエハＷに、半導体ウエハＷを支持する複数の基板支持ピン７７が設けられる保持プレート７５を対向させる。そして、複数の基板支持ピン７７を、保持プレート７５と湾曲していない状態の半導体ウエハＷとの間の空間の体積と、保持プレート７５と湾曲している状態の半導体ウエハＷとの間の空間の体積とが等しくなる位置に配置させる。
このような構成によれば、フラッシュ光で半導体ウエハＷが湾曲形状となる場合でも、半導体ウエハＷが基板支持ピン７７から跳ねることを抑制することができるため、結果として半導体ウエハＷが割れることを抑制することができる。
なお、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。
なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、熱処理方法において、上記の基板支持方法によって支持された半導体ウエハＷに、フラッシュランプＦＬを用いてフラッシュ光を照射する。このような構成によれば、フラッシュ光が照射された半導体ウエハＷの上面に急激な熱膨張が生じて、半導体ウエハＷの上面が凸形状に湾曲する場合であっても、半導体ウエハＷが基板支持ピン７７から跳ねることを抑制することができる。
＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。
また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
１１ 移載アーム
１２ リフトピン
１３ 水平移動機構
１４ 昇降機構
２０ 下部放射温度計
２１，２６ 透明窓
２２，２７ 温度測定ユニット
２４，２９ 赤外線センサー
２５ 上部放射温度計
３１ 温度算定部
３３ 表示部
３４ 入力部
４１，５１ 筐体
４３，５２ リフレクタ
５３ ランプ光放射窓
６１ チャンバー側部
６１ａ，６１ｂ，７９ 貫通孔
６２ 凹部
６３ 上側チャンバー窓
６４ 下側チャンバー窓
６５ 熱処理空間
６６ 搬送開口部
６８，６９ 反射リング
７１ 基台リング
７２ 連結部
７４ サセプタ
７５ 保持プレート
７５ａ 保持面
７６ ガイドリング
７７ 基板支持ピン
７８ 開口部
８１ ガス供給孔
８２，８７ 緩衝空間
８３ ガス供給管
８４，８９，１９２ バルブ
８５ 処理ガス供給源
８６ ガス排気孔
８８，１９１ ガス排気管
１００ 熱処理装置
１０１ インデクサ部
１１０ ロードポート
１２０ 受渡ロボット
１２０Ｒ，１２０Ｓ，１５０Ｒ 矢印
１２１ ハンド
１３０，１４０ 冷却部
１３１ 第１クールチャンバー
１４１ 第２クールチャンバー
１５０ 搬送ロボット
１５１ａ，１５１ｂ 搬送ハンド
１６０ 熱処理部
１７０ 搬送チャンバー
１８１，１８２，１８３，１８４，１８５ ゲートバルブ
１９０ 排気部
２３０ アライメント部
２３１ アライメントチャンバー

Claims (7)

  1. フラッシュ光の照射で加熱されることによって湾曲可能な基板に、対向するための保持プレートと、
    前記保持プレートに設けられ、かつ、前記基板を支持するための複数の基板支持ピンとを備え、
    複数の前記基板支持ピンは、前記保持プレートと湾曲していない状態の前記基板との間の空間の体積と、前記保持プレートと湾曲している状態の前記基板との間の空間の体積とが等しくなる位置に配置される、
    基板支持装置。
  2. 請求項１に記載の基板支持装置であり、
    前記基板支持ピンが、平面視において環状に配置される、
    基板支持装置。
  3. 請求項１または２に記載の基板支持装置であり、
    前記基板は、平面視において円形である、
    基板支持装置。
  4. 請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の基板支持装置であり、
    平面視における、それぞれの前記基板支持ピンと円形の前記基板の中心部との間の距離ｒｐｉｎは、前記基板支持ピンの高さをｈｐｉｎとし、湾曲している状態の前記基板の曲率半径をＲとし、湾曲している状態の前記基板の高さをｈｂｏｗとし、湾曲していない状態の前記基板の直径をＤｗａｆｅｒとし、湾曲している状態の前記基板の平面視における直径をｃとする場合に、
    Figure 2021086859
     を満たす、
    基板支持装置。
  5. 請求項１から４のうちのいずれか１つに記載の基板支持装置と、
    前記基板に前記フラッシュ光を照射するためのフラッシュランプとを備える、
    熱処理装置。
  6. フラッシュ光の照射で加熱されることによって湾曲可能な基板に、前記基板を支持する複数の基板支持ピンが設けられる保持プレートを対向させる工程と、
    複数の前記基板支持ピンを、前記保持プレートと湾曲していない状態の前記基板との間の空間の体積と、前記保持プレートと湾曲している状態の前記基板との間の空間の体積とが等しくなる位置に配置させる工程とを備える、
    基板支持方法。
  7. 請求項６に記載の基板支持方法によって支持された前記基板に、フラッシュランプを用いて前記フラッシュ光を照射する工程を備える、
    熱処理方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7372074B2 (ja) * 2019-08-07 2023-10-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法
JP7370763B2 (ja) * 2019-08-22 2023-10-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
US11764101B2 (en) * 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
JP7336369B2 (ja) * 2019-11-25 2023-08-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法
JP7249989B2 (ja) * 2020-12-16 2023-03-31 日本電子株式会社 荷電粒子線装置
US20220322492A1 (en) * 2021-04-06 2022-10-06 Applied Materials, Inc. Epitaxial deposition chamber

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009177062A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Toshiba Corp 半導体製造方法および半導体製造装置
JP2017139315A (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理用サセプタおよび熱処理装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5580388A (en) * 1993-01-21 1996-12-03 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
JPH0758039A (ja) 1993-08-20 1995-03-03 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
JP2003045944A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板保持装置、基板受渡し方法とこれを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法
US7070660B2 (en) * 2002-05-03 2006-07-04 Asm America, Inc. Wafer holder with stiffening rib
KR100549452B1 (ko) * 2002-12-05 2006-02-06 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 광조사형 열처리장치 및 방법
JP4121840B2 (ja) 2002-12-05 2008-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法
WO2005059991A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Mattson Technology Canada Inc. Apparatuses and methods for suppressing thermally induced motion of a workpiece
JP2009164451A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2010080614A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 基板トレイ及びその基板トレイを備えた気相成長装置
JP5549441B2 (ja) 2010-01-14 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 保持体機構、ロードロック装置、処理装置及び搬送機構
KR20120119781A (ko) * 2011-04-22 2012-10-31 삼성전자주식회사 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP6084479B2 (ja) * 2013-02-18 2017-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法、熱処理装置およびサセプター
JP5858438B2 (ja) * 2013-03-26 2016-02-10 株式会社日本製鋼所 アニール被処理体の製造方法、レーザアニール基台およびレーザアニール装置
JP7164289B2 (ja) * 2016-09-05 2022-11-01 東京エレクトロン株式会社 半導体プロセッシング中のオーバレイを制御するための湾曲を制御する応力の位置特定チューニング
JP6838992B2 (ja) * 2017-02-21 2021-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
WO2019049588A1 (en) * 2017-09-07 2019-03-14 Mapper Lithography Ip B.V. METHODS AND SYSTEMS FOR COATING A SUBSTRATE
JP7199888B2 (ja) * 2018-09-20 2023-01-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP7091222B2 (ja) * 2018-10-23 2022-06-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP7312020B2 (ja) * 2019-05-30 2023-07-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
US11764101B2 (en) * 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
JP7336369B2 (ja) * 2019-11-25 2023-08-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板支持装置、熱処理装置、基板支持方法、熱処理方法
US11538708B2 (en) * 2020-05-06 2022-12-27 Sandisk Technologies Llc Multi-zone plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and methods for operating the same
US20220076988A1 (en) * 2020-09-10 2022-03-10 Applied Materials, Inc. Back side design for flat silicon carbide susceptor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009177062A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Toshiba Corp 半導体製造方法および半導体製造装置
JP2017139315A (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理用サセプタおよび熱処理装置

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