JP2015135911A - 半導体光素子及び光モジュール - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 256
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 132
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 28
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 12
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 24
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 59
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 34
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】活性層4を含み、活性層を含んで光の出射方向に延伸する光導波路部と、光導波路部上方に位置するリッジ部と、リッジ部の第1の側方に配置される第1バンク部12と、リッジ部の第2の側方に配置される第2バンク部13と、が形成される半導体多層を備え、半導体多層の上表面の予め定められた領域に積層される絶縁層7と、リッジ部の頂上面であり絶縁層が積層されない第1コンタクト領域を含んで、さらに、第2バンク部に積層される絶縁層の上表面までに連続して広がって形成される第1駆動電極と、第1バンク部の頂上面の一部であり絶縁層が積層されない第2コンタクト領域を含んで、第1駆動電極と非接触で形成されるダミー電極9と、を備える。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザ素子1の構成を示す斜視図である。本実施形態に係る半導体レーザ素子1は半導体多層を含んで形成されるリッジ型の半導体レーザであり、図1に示す通り、1個のリッジ部11(1個の導波路部)を有する単体の半導体レーザ素子1である。本実施形態に係る半導体レーザ素子1はDFB(Distributed Feedback)レーザであるが、これに限定されることがないのは言うまでもない。半導体レーザ素子1は、半導体多層の凸状部分であるリッジ部11(メサ部)を含んでおり、リッジ部11の第1の側方(図の左側)には第1バンク部12が配置されている。また、リッジ部11の第2の側方(図の右側)には第2バンク部13が配置されている。リッジ部11、第1バンク部12、及び第2バンク部13は、半導体多層に形成される。リッジ部11と第1バンク部12の間には第1間隙底面14が設けられており、リッジ部11と第2バンク部13との間には第2間隙底面15が設けられている。ここで、第1間隙底面14及び第2間隙底面15には、リッジ部11と並列して延伸するアイソレーション溝10が形成されている。なお、リッジ部11は、凸状部分の頂上面及び両側の側面を含んでいる。同様に、第1バンク部12及び第2バンク部13は頂上面及び側面を含んでいる。ここで、リッジ部11の両側の側面がなだらかな裾を有する場合等、リッジ部11と、第1間隙底面14又は第2間隙底面15と、の境目が必ずしも明らかでない場合もあり得る。同様に、第1バンク部12又は第2バンク部13の側面がなだらかな裾を有する場合、第1バンク部12と第1間隙底面14との境目、又は第2バンク部13と第2間隙底面15との境目が、必ずしも明らかでない場合もあり得る。そういった場合は、リッジ部11と第1バンク部12とに挟まれる面のうち、少なくとも平坦部分を第1間隙底面と呼ぶこととする。第2間隙底面についても同様である。
半導体レーザ素子に対する要求は、近年のモバイル端末によるインターネットアクセス量の増大やクラウドをベースとしたストレージやコンピューティングの急速な普及に伴い、より増大している。各種ネットワーク、たとえば携帯電話基地局とコアネットワーク間、データセンタ間、もしくはデータセンタ内のネットワーク等の帯域が逼迫し始めてきており、ネットワークの大容量化、高速化の要求に伴い、近年はアクセス網からHPC(High Performance Computer)、データセンタ、ストレージ等の通信システムにまで光技術の適用範囲が広がってきている。例えば、データセンタに使われているサーバーラックではラック間やラック内の通信が銅線によるものであったが、銅線ベースの通信では高速化に伴い通信距離が短くなるため、光技術を取り入れた光インタコネクションの技術が期待されている。
図8は、本発明の第3の実施形態に係る半導体レーザ素子1の断面図である。本発明の第1又は第2の実施形態との相違点は、ダミー電極9がクラッド層5ではなくコンタクト層6の頂上面に形成されている点である。つまり、本実施形態における第2コンタクト領域は、第1又は第2の実施形態における第2コンタクト領域と同様に、半導体多層のうち第1バンク部12の頂上面の一部である。しかし、かかる第1バンク部12の頂上面の一部は、クラッド層5の頂上面の一部である第1の実施形態と異なり、コンタクト層6の頂上面の一部である。本実施形態における第2コンタクト領域は、ダミー電極9とコンタクト層6の界面であるともいえる。また、上記相違点の他は、第3の実施形態に係る半導体レーザ素子1は、第1又は第2の実施形態に係る半導体レーザ素子1と共通の構造を有する。本実施形態におけるサブマウントへの実装方法としては、ジャンクションアップもしくはジャンクションダウンのどちらでもよい点も同様である。また、単位素子単体で機能するが、アレイ化した場合にさらに大容量の光通信に利用することができる点も同様である。
図9は、本発明の第4の実施形態に係る光モジュールの断面図である。本実施形態に係る光モジュールは、第1乃至第3の実施形態のいずれかに係る半導体レーザ素子1と、当該半導体レーザ素子1がジャンクションダウン実装されるサブマウント30と、を含んでいる。半導体レーザ素子1のp型駆動電極8とダミー電極9とがサブマウント30に半田によりろう付けされている。図9は、図2に示した第1の実施形態に係る半導体レーザ素子1をサブマウント30にジャンクションダウン実装した場合を図示している。なお、第2又は第3の実施形態に係る半導体レーザ素子1をサブマウント30にジャンクションダウン実装することとしてもよいのは言うまでもない。すなわち、本実施形態に係る半導体レーザ素子は、単体の半導体レーザ素子であっても、アレイ化された半導体レーザ素子であってもよい。アレイ化された半導体レーザ素子1をジャンクションダウン実装することにより、ワイヤボンディングの本数を減らすことができるという利点がある。いずれの場合であっても、半導体レーザ素子ではサブマウント30側から吸熱もしくは放熱することが一般的であるため、サブマウント30に接している駆動電極面からの放熱経路をより効果的にする必要がある。
図11は、本発明の第5の実施形態に係る光モジュールの断面図である。上述した第4の実施形態に係る光モジュールにおいて、ダミー電極側半田32の厚みをp型駆動電極側半田31の厚みより厚くすることにより、厚みが等しい場合と比べて、半導体レーザ素子1をサブマウント30により水平に近づけて搭載することを実現している。本実施形態に係る光モジュールは、半導体レーザ素子1とサブマウント30とを備えるが、第4の実施形態に係る光モジュールと異なり、ダミー電極側半田32の厚みとp型駆動電極側半田31の厚みは等しい。しかし、本発明に係る半導体レーザ素子1では、第4の実施形態に係る半導体レーザ素子1と異なり、ダミー電極9の厚みがp型駆動電極8の厚みより厚くなるよう、ダミー電極9が形成されている。上述の点以外については、本実施形態に係る光モジュールは、第4の実施形態に係る光モジュールと同じ構造をしている。すなわち、本実施形態に係る半導体レーザ素子1は、上述のダミー電極9の厚みがp型駆動電極8の厚みより厚くなっていること以外は、第1乃至第3の実施形態のいずれかに係る半導体レーザ素子1と共通する構造をしている。
図12は、本発明の第6の実施形態に係る光モジュールの断面図である。本実施形態に係る光モジュールは、半導体レーザ素子1とサブマウント30とを備えるが、本実施形態に係る半導体レーザ素子1と第5の実施形態に係る半導体レーザ素子1との違いは、p型駆動電極8の頂上面の高さとダミー電極9の頂上面の高さとの差を、両電極の厚みを変えずに、第2バンク部13の下方において半導体多層の一部を積層しないことによって相殺している点である。それ以外については、本実施形態に係る光モジュールは、第5の実施形態に係る光モジュールと共通する構造をしている。
図13は、本発明の第7の実施形態に係る半導体レーザ素子1の上面図である。第7の実施形態に係る半導体レーザ素子1は、DFBレーザ部17と、集積ミラー40と、を備えており、第1の実施形態に係る半導体レーザ素子1と異なり、n型駆動電極3がInP基板2の上表面側に形成される。集積ミラー40は、リッジ部11とn型駆動電極3の間に形成されている。本実施形態に係るDFBレーザ部17は、n型駆動電極3以外について、第1乃至第6の実施形態に係る半導体レーザ素子1と共通する。本実施形態に係る半導体レーザ素子1では、図13に示すように、n型駆動電極3がp型駆動電極8やダミー電極9と共に素子の上方(積層方向側)から見える構成となっている。次図によってより明らかとなるが、本実施形態では、p型駆動電極8が形成されている場所と異なる場所に、エッチング等により半導体多層を除去して形成したInP基板2に到達する溝部35があり、当該溝部35の底面に達するようにn型駆動電極3が形成されている。また、溝部35底面には絶縁層7が形成されていない。n型駆動電極3は、絶縁層7の上表面及びInP基板2の上表面に連続して広がって形成される。ただし、p型駆動電極8及びダミー電極9と非接触で形成される。第3コンタクト領域とは、InP基板2の上表面のうち半導体多層が積層されない領域であり、溝部35の底面に位置している。第3コンタクト領域は、n型駆動電極3とInP基板2の界面であるともいえる。n型駆動電極3は、第3コンタクト領域を含んで、絶縁層7の上表面までに連続して広がって形成される。絶縁層7は、半導体多層の上表面のうち予め定められた領域に形成される。ここで、予め定められた領域とは、半導体多層の上表面の全域から、少なくとも第1コンタクト領域、第2コンタクト領域、及び集積ミラー40が形成される領域を除く半導体多層の上表面である。また、InP基板2の上表面のうち少なくとも第3コンタクト領域には、絶縁層7は形成されない。なお、レーザ特性向上のため、溝部35の側面のうち少なくともn型駆動電極3が形成される部分に絶縁層7が形成されることが望ましい。n型駆動電極3が活性層4やクラッド層5等に直接接触しないようにするためである。本実施形態に係る半導体レーザ素子1では、InP基板2の下表面にn型駆動電極3を形成しなくてもよいため、InP基板2の下表面側からレーザ光を出射するような面出射型半導体レーザに好適な構成となる。
Claims (9)
- 活性層を含み、前記活性層を含んで光の出射方向に延伸する光導波路部と、前記光導波路部上方に位置するリッジ部と、前記リッジ部の第1の側方に配置される第1バンク部と、前記リッジ部の第2の側方に配置される第2バンク部と、が形成される半導体多層と、
前記半導体多層の上表面の予め定められた領域に積層される絶縁層と、
前記リッジ部の頂上面であり前記絶縁層が積層されない第1コンタクト領域を含んで、さらに、前記第2バンク部に積層される前記絶縁層の上表面までに連続して広がって形成される第1駆動電極と、
前記第1バンク部の頂上面の一部であり前記絶縁層が積層されない第2コンタクト領域を含んで、前記第1駆動電極と非接触で形成されるダミー電極と、
を備えることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子であって、
前記第1コンタクト領域は、
コンタクト層の頂上面であり、
前記第2コンタクト領域は、
クラッド層の頂上面である、
ことを特徴とする半導体光素子。 - 請求項2に記載の半導体光素子であって、
前記第2バンク部は、
前記絶縁層が上表面に積層される前記コンタクト層と、
前記コンタクト層が上表面に積層される前記クラッド層と、を含み、
前記第1駆動電極と前記ダミー電極の頂上面の高さの差は、
前記第2バンク部における前記絶縁層の厚みと前記コンタクト層の厚みの和より小さく、
前記ダミー電極の厚みは、
前記第1駆動電極のうち前記第2バンク部に形成される部分の厚みよりも厚い、
ことを特徴とする半導体光素子。 - 請求項2に記載の半導体光素子であって、
前記活性層は、
前記第2バンク部の下方には形成されない、
ことを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子であって、
前記リッジ部と前記第1バンク部との間に位置する第1間隙底面、及び、前記リッジ部と前記第2バンク部との間に位置する第2間隙底面、に前記リッジ部に並列して延伸するアイソレーション溝がそれぞれ形成され、
前記アイソレーション溝は、
最深部が前記半導体多層に含まれる前記活性層の下に達する、
ことを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子であって、
前記半導体多層が上表面に積層される半導体基板と、
前記半導体基板の上表面のうち前記半導体多層が積層されない第3コンタクト領域を含んで、さらに、前記絶縁層の上表面までに連続して広がって、前記第1駆動電極及び前記ダミー電極と非接触で形成され、前記第1駆動電極と対となって前記活性層に電流を供給する第2駆動電極と、
をさらに備えることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項6に記載の半導体光素子であって、
前記光導波路部の延長線上に集積ミラーをさらに備え、
前記第3コンタクト領域は、
前記リッジ部を上方から見た場合に、前記光導波路部の延長線が、前記集積ミラーと、前記第3コンタクト領域を、この順に貫くよう位置する部分を有し、
前記集積ミラーの鏡面の法線方向は、
前記光導波路部から出射される光の出射方向と斜交する、
ことを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体光素子と、
前記第1駆動電極と、前記ダミー電極と、がろう付けされるサブマウントと、
を備えることを特徴とする光モジュール。 - 活性層とクラッド層とコンタクト層を含み、前記活性層を含んで光の出射方向に延伸する光導波路部と、前記光導波路部上方に配置されるリッジ部と、前記リッジ部の第1の側方に位置する第1バンク部と、前記リッジ部の第2の側方に配置される第2バンク部と、を形成する半導体多層と、
前記半導体多層の上表面の予め定められた領域に積層される絶縁層と、
前記リッジ部の頂上面であって前記絶縁層が積層されない前記コンタクト層の頂上面である前記第1コンタクト領域を含んで、さらに、前記第2バンク部に積層される前記絶縁層の上表面までに連続して広がって形成される第1駆動電極と、
前記第1バンク部の頂上面の一部であって前記絶縁層が積層されない前記クラッド層の頂上面である第2コンタクト領域を含んで、前記第1駆動電極と非接触で形成されるダミー電極と、
を備えることを特徴とする半導体光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014007089A JP6231389B2 (ja) | 2014-01-17 | 2014-01-17 | 半導体光素子及び光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014007089A JP6231389B2 (ja) | 2014-01-17 | 2014-01-17 | 半導体光素子及び光モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015135911A true JP2015135911A (ja) | 2015-07-27 |
JP6231389B2 JP6231389B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=53767569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014007089A Active JP6231389B2 (ja) | 2014-01-17 | 2014-01-17 | 半導体光素子及び光モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6231389B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017092088A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社ソディック | 発光素子 |
JP2018133425A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2019057671A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子及びその製造方法 |
JP2021170673A (ja) * | 2017-08-28 | 2021-10-28 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | 端面発光型のレーザバー |
WO2022030127A1 (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-10 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087866A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体光素子、その実装体および光モジュール |
JP2005183927A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-07-07 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、光ディスク装置および光伝送システム |
JP2005322849A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2006049392A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2006269567A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置、光送信モジュール、及び光送受信モジュール |
JP2007103481A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 半導体レーザ装置および光通信装置 |
JP2008135629A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 |
JP2008270667A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
WO2009034928A1 (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2011108932A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Opnext Japan Inc | 光半導体装置 |
WO2011065517A1 (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 株式会社日立製作所 | 表面出射型レーザ |
JP2011222927A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-11-04 | Ntt Electornics Corp | リッジ型半導体光素子及びリッジ型半導体光素子の製造方法 |
JP2013243169A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-12-05 | Japan Oclaro Inc | 半導体光素子及び光モジュール |
-
2014
- 2014-01-17 JP JP2014007089A patent/JP6231389B2/ja active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087866A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体光素子、その実装体および光モジュール |
JP2005183927A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-07-07 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、光ディスク装置および光伝送システム |
JP2005322849A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2006049392A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2006269567A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置、光送信モジュール、及び光送受信モジュール |
JP2007103481A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 半導体レーザ装置および光通信装置 |
JP2008135629A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 |
JP2008270667A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
WO2009034928A1 (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2011108932A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Opnext Japan Inc | 光半導体装置 |
WO2011065517A1 (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 株式会社日立製作所 | 表面出射型レーザ |
JP2011222927A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-11-04 | Ntt Electornics Corp | リッジ型半導体光素子及びリッジ型半導体光素子の製造方法 |
JP2013243169A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-12-05 | Japan Oclaro Inc | 半導体光素子及び光モジュール |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017092088A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社ソディック | 発光素子 |
JP2018133425A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2021170673A (ja) * | 2017-08-28 | 2021-10-28 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | 端面発光型のレーザバー |
US11411375B2 (en) | 2017-08-28 | 2022-08-09 | Osram Oled Gmbh | Edge-emitting laser bar |
JP7220751B2 (ja) | 2017-08-28 | 2023-02-10 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 端面発光型のレーザバー |
US11923662B2 (en) | 2017-08-28 | 2024-03-05 | Osram Oled Gmbh | Edge-emitting laser bar |
JP2019057671A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体光素子及びその製造方法 |
WO2022030127A1 (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-10 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6231389B2 (ja) | 2017-11-15 |
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