JP2015131744A - 炭化珪素単結晶の製造方法および応力緩衝部材 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 91
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 84
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 151
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 4
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の主面と、第1の主面の反対側に位置する第2の主面を有し、第1の主面から第2の主面まで延びる孔が複数形成されている応力緩衝層を準備する工程(S10)と、応力緩衝層を介して種基板と台座とを固定する工程(S20)と、種基板上に炭化珪素単結晶を成長させる工程(S30)とを備え、固定する工程(S20)において、応力緩衝層と種基板とは接着剤により固定される。
【選択図】図1
Description
(1)本実施の形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、図1〜図6を参照して、第1の主面30Aと、第1の主面30Aの反対側に位置する第2の主面30Bを有し、第1の主面30Aから第2の主面30Bまで延びる孔31が複数形成されている応力緩衝層30を準備する工程(S10)と、応力緩衝層30を介して種基板10と台座20とを固定する工程(S20)と、種基板10上に炭化珪素単結晶50を成長させる工程(S30)とを備え、固定する工程(S20)において、応力緩衝層30と種基板10とは接着剤40により固定される。
応力緩衝部材30が炭素材料のように、気体の透過性が低い材料で構成されている場合でも、応力緩衝部材30には第1の主面30Aから第2の主面30Bまで延びる複数の孔31が形成されているため、応力緩衝部材30を介して種基板10と台座20とを接着剤40により接着しても、各部材の接着面において空隙を生じさせることなく応力緩衝層30を介して種基板10と台座20とを固定することができる。
次に、本発明の実施の形態についてより詳細に説明する。
10A 第3の主面
10B 第4の主面
20 台座
20A 第5の主面
30 応力緩衝層(応力緩衝部材)
30A 第1の主面
30B 第2の主面
30E 端面
31 孔
40 接着剤
50 単結晶
60 剣山
61 針
70 レーザ光源
Claims (8)
- 第1の主面と、前記第1の主面の反対側に位置する第2の主面を有し、前記第1の主面から前記第2の主面まで延びる孔が複数形成されている応力緩衝層を準備する工程と、
前記応力緩衝層を介して種基板と台座とを固定する工程と、
前記種基板上に炭化珪素単結晶を成長させる工程とを備え、
前記固定する工程において、前記応力緩衝層と前記種基板とは接着剤により固定される、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記接着剤の一部は、前記応力緩衝層の前記孔の内部に露出している、請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記孔の内径は0.001mm以上2mm以下である、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記準備する工程では、前記第1の主面における複数の前記孔のうち、隣接する2つの前記孔の間の距離が局所的に異なっている、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記準備する工程では、前記応力緩衝層にレーザ光を照射することにより前記孔が形成される、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記準備する工程では、前記応力緩衝層に複数の針状突起部が形成された冶具を押圧することにより前記孔が形成される、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 結晶成長に用いられる応力緩衝部材であって、
第1の主面と、前記第1の主面の反対側に位置する第2の主面とを有し、
前記第1の主面から前記第2の主面まで延びる複数の孔が形成されている、応力緩衝部材。 - 炭素材料で構成されている、請求項7に記載の応力緩衝部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014004041A JP6241286B2 (ja) | 2014-01-14 | 2014-01-14 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2014004041A JP6241286B2 (ja) | 2014-01-14 | 2014-01-14 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015131744A true JP2015131744A (ja) | 2015-07-23 |
JP6241286B2 JP6241286B2 (ja) | 2017-12-06 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6241286B2 (ja) |
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2014
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