JP2005093519A - 炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 SiCからなるインゴッド3を形成する工程と、インゴッド3を切断することによりウエハ4aを形成する工程と、ウエハ4aを加熱することによりウエハ4aの曲率半径を35m以上とする工程とを含むSiC基板4の製造方法である。また、上記製造方法により得られたSiC基板4であって、その表面の欠陥密度が1.1×102個/cm2以上1.0×109個/cm2以下であるSiC基板4である。
【選択図】 図3
Description
図1に示す成長装置5を用いて、SiC種結晶基板1上にSiC結晶2をバルク成長させた。ここで、バルク成長は、坩堝7の内部を1.0×105PaのArガス雰囲気とし、ワークコイル10に高周波電流を流すことによって、SiC種結晶基板1の表面温度がSiC結晶2の温度よりも低くなるように温度勾配をつけて加熱することによって行われた。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で700℃に加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で800℃に加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で2400℃に加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で1400℃に加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で0.005時間加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で0.01時間加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で0.5時間加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で1時間加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で10時間加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で10.5時間加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で100時間加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハを加熱炉内で105時間加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハをSiCからなる加圧板の間に挟み、ウエハに5Paの圧力をかけながら加熱炉内で加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハをSiCからなる加圧板の間に挟み、ウエハに10Paの圧力をかけながら加熱炉内で加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハをSiCからなる加圧板の間に挟み、ウエハに50Paの圧力をかけながら加熱炉内で加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハをSiCからなる加圧板の間に挟み、ウエハに100Paの圧力をかけながら加熱炉内で加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハをSiCからなる加圧板の間に挟み、ウエハに0.05MPaの圧力をかけながら加熱炉内で加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハをSiCからなる加圧板の間に挟み、ウエハに0.1MPaの圧力をかけながら加熱炉内で加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
インゴッドを切断して得られたウエハをSiCからなる加圧板の間に挟み、ウエハに0.5MPaの圧力をかけながら加熱炉内で加熱したこと以外は、実施例1と同様にしてSiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を作製し、このSiC基板の曲率半径(m)を調査した。この調査結果を表1に示す。
実施例1のSiC基板上に半導体層を形成して半導体デバイスを製造したところ、その製造工程においてSiC基板に形状の変化が生じず、また、SiC基板が割れて複数の小片に分かれることもなかった。これは、SiC基板内部の歪みが十分に緩和されていたためと考えられる。
Claims (8)
- 炭化珪素からなるインゴッドを形成する工程と、前記インゴッドを切断することによりウエハを形成する工程と、前記ウエハを加熱することにより前記ウエハの曲率半径を35m以上とする工程と、を含む、炭化珪素基板の製造方法。
- 前記ウエハの加熱温度が800℃以上2400℃以下であることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記ウエハの加熱時における前記ウエハの表面の最高温度部分と最低温度部分との温度差が100℃以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記ウエハを加圧しながら加熱することを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記加圧の圧力が、10Pa以上0.5MPa以下であることを特徴とする、請求項4に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記加圧が、炭化珪素からなる加圧板を用いて行なわれることを特徴とする、請求項4または5に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 請求項1から6のいずれかに記載の炭化珪素基板の製造方法によって得られた炭化珪素基板であって、その表面の欠陥密度が1.1×102個/cm2以上1.0×109個/cm2以下であることを特徴とする、炭化珪素基板。
- 請求項1から6のいずれかに記載の炭化珪素基板の製造方法によって得られた炭化珪素基板であって、半導体デバイス用の基板として用いられることを特徴とする、炭化珪素基板。
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