JP2020181994A - 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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まず本開示の実施形態の概要について説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。本明細書の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示す。結晶学上の指数が負であることは、通常、数字の上に”−”(バー)を付すことによって表現されるが、本明細書では数字の前に負の符号を付すことによって結晶学上の負の指数を表現する。
以下、本開示の実施形態の詳細について説明する。
まず、本実施形態に係る炭化珪素単結晶基板の構成について説明する。図1および図2に示されるように、炭化珪素単結晶基板10は、第1主面11と、第1主面11と反対側の第3主面13と、第1主面11と第3主面13との間に位置する側端面30とを有している。側端面30は、平面状のオリエンテーションフラット31と、曲面状の曲率部32とにより構成されている。オリエンテーションフラット31は、<11−20>方向に延在する。オリエンテーションフラット31は、略長方形状である。オリエンテーションフラット31の長手方向は、<11−20>方向である。オリエンテーションフラット31に対して垂直な方向は、<1−100>方向であってもよい。
図3は、第1主面11に対して垂直な方向から見てオリエンテーションフラット31を垂直に二等分する断面を見た場合における、第1主面11の断面プロファイル15を示している。図3において、縦軸は、第1主面11の相対高さを示しており、横軸は、オリエンテーションフラット31に対して垂直な方向における、第1主面上の位置を示している。相対高さの測定方法については後述する。第1位置1は、第1主面11に対して垂直な方向から見た場合におけるオリエンテーションフラットの中央の位置である。第2位置2は、第1主面11の中央5から見て第1位置1と反対側における曲率部32の位置である。図3に示されるように、断面視において、端部領域103は、オリエンテーションフラット31に向かうにつれて第1主面11とは反対側の第3主面13から離れる方向に反り上がっていてもよい。第2位置2において、第1主面11の相対高さが最も小さくてもよい。第2位置2から第1位置1に向かうにつれて、第1主面11の相対高さが徐々に大きくなっていてもよい。
反り量は、たとえば神津精機社製のDyvoceシリーズの表面形状測定システム等を用いて測定可能である。図6に示されるように、表面形状測定システム57は、たとえばレーザー変位計50と、XYステージ55とを主に有している。レーザー変位計50は、発光素子51と、受光素子52とを主に有している。発光素子51は、たとえば半導体レーザーである。
次に、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の構成について説明する。図7に示されるように、炭化珪素エピタキシャル基板100は、炭化珪素単結晶基板10と、炭化珪素層20とを有している。炭化珪素層20は、第1主面11上にある。炭化珪素層20は、第1主面11に接する第4主面14と、第4主面14とは反対側の第2主面12を含む。第2主面12において、オリエンテーションフラット31から<1−100>方向に延在しかつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がない。好ましくは、1.5mm以上の長さを有する積層欠陥がなく、より好ましくは2mm以上の長さを有する積層欠陥がない。積層欠陥の長さは、<1−100>方向における長さである。なお、第2主面12において、オリエンテーションフラット31とは異なる領域から延在する積層欠陥があってもよいし、<1−100>方向とは異なる方向に延在する積層欠陥があってもよいし、1mm未満の長さを有する積層欠陥があってもよい。
次に、積層欠陥の観察方法について説明する。積層欠陥の観察には、たとえば株式会社フォトンデザイン製のフォトルミネッセンスイメージング装置が用いられる。炭化珪素エピタキシャル基板100の第2主面12に対して励起光が照射されると、第2主面12からフォトルミネッセンス光が観測される。励起光としては、たとえば白色光が用いられる。白色光は、たとえば313nmのバンドパスフィルターを通過した後、第2主面12に照射される。フォトルミネッセンス光は、たとえば740nmのローパスフィルタを通過した後、カメラ等の受光素子に到達する。以上のように、第2主面12の測定領域のフォトルミネッセンス画像が撮影される。
図8に示されるように、炭化珪素単結晶基板10において、第1主面11に対して垂直な方向から見て、オリエンテーションフラット31を垂直に2等分する線分3を4等分する場合を想定する。第1主面11は、オリエンテーションフラット31から線分3の1/4の位置44までの下部領域41を含んでいる。線分3は、第1主面11上に位置する。線分3は、第1主面11の中央5を通る。位置44は、線分3に対して垂直な線分である。位置44は、線分3を4等分した場合に、線分3とオリエンテーションフラット31の接点である第1位置1から、線分3の1/4の長さだけ離れた位置にある。
図7に示されるように、第1変形例に係る炭化珪素エピタキシャル基板100は、第1変形例に係る炭化珪素単結晶基板10と、炭化珪素層20とを有している。炭化珪素層20は、第1主面11上にある。炭化珪素層20は、第1主面11に接する第4主面14と、第4主面14とは反対側の第2主面12を含む。第2主面12において、下部領域41の端部33から<1−100>方向に延在すしかつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がない。なお、第2主面12において、下部領域41の端部33とは異なる領域から延在する積層欠陥があってもよいし、<1−100>方向とは異なる方向に延在する積層欠陥があってもよいし、1mm未満の長さを有する積層欠陥があってもよい。
図9に示されるように、第2変形例に係る炭化珪素単結晶基板10において、第1主面11に対して垂直な方向から見て、オリエンテーションフラット31を垂直に2等分する線分3を4等分した場合を想定する。第1主面11は、オリエンテーションフラット31と反対側の端部35から線分の1/4の位置45までの上部領域43を含んでいる。線分3は、第1主面11上に位置する。線分3は、第1主面11の中央5を通る。位置45は、線分3に対して垂直な線分である。位置45は、線分3を4等分した場合に、線分3と端部35との接点である第2位置2から、線分3の1/4の長さだけ離れた位置にある。
図7に示されるように、第2変形例に係る炭化珪素エピタキシャル基板100は、第2変形例に係る炭化珪素単結晶基板10と、炭化珪素層20とを有している。炭化珪素層20は、第1主面11上にある。炭化珪素層20は、第1主面11に接する面14とは反対側の第2主面12を含む。第2主面12において、上部領域43の端部35から<1−100>方向に延在しかつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がない。なお、第2主面12において、上部領域43の端部35とは異なる領域から延在する積層欠陥があってもよいし、<1−100>方向とは異なる方向に延在する積層欠陥があってもよいし、1mm未満の長さを有する積層欠陥があってもよい。
図10に示されるように、第3変形例に係る炭化珪素単結晶基板10において、第1主面11に対して垂直な方向から見て、オリエンテーションフラット31を垂直に2等分する線分3を4等分する場合を想定する。第1主面11は、オリエンテーションフラット31から線分の1/4の位置44までの下部領域41と、オリエンテーションフラット31と反対側の端部35から線分の1/4の位置45までの上部領域43とを含んでいる。線分3は、第1主面11上に位置する。線分3は、第1主面11の中央5を通る。位置44は、線分3に対して垂直な線分である。位置44は、線分3を4等分した場合に、線分3とオリエンテーションフラット31の接点である第1位置1から、線分3の1/4の長さだけ離れた位置にある。位置45は、線分3を4等分した場合に、線分3と端部35の接点である第2位置2から、線分3の1/4の長さだけ離れた位置にある。
図7に示されるように、第3変形例に係る炭化珪素エピタキシャル基板100は、第3変形例に係る炭化珪素単結晶基板10と、炭化珪素層20とを有している。炭化珪素層20は、第1主面11上にある。炭化珪素層20は、第1主面11に接する面14とは反対側の第2主面12を含む。第2主面12において、下部領域41の端部33から<1−100>方向に延在しかつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がなく、かつ上部領域43の端部35から<1−100>方向に延在しかつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がない。なお、第2主面12において、上部領域43の端部35および下部領域41の端部33とは異なる領域から延在する積層欠陥があってもよいし、<1−100>方向とは異なる方向に延在する積層欠陥があってもよいし、1mm未満の長さを有する積層欠陥があってもよい。
次に、本実施形態に係る炭化珪素単結晶基板の製造方法について説明する。
次に、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法について説明する。たとえばホットウォール方式のCVD(Chemical Vapor Deposition)を用いて、炭化珪素単結晶基板10上に炭化珪素層20がエピタキシャル成長によって形成される。具体的には、炭化珪素単結晶基板10が、CVDの反応室内に配置される。たとえば反応室内の圧力が大気圧から1×10-6Pa程度に低減された後、炭化珪素単結晶基板10の昇温が開始される。昇温の途中において、キャリアガスである水素(H2)ガスが、反応室に導入される。
次に、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置300の製造方法について説明する。
2 第2位置
3 線分
4 最小二乗直線
5 中央
6,8 点
7,9 接点、接線
10 単結晶基板
11 第1主面
12 第2主面
13 第3主面(面)
14 第4主面(面)
15 断面プロファイル
20 炭化珪素層
30 側端面
31,84 オリエンテーションフラット
32 曲率部
33 下部円弧部(端部)
34 中央円弧部
35 上部円弧部(端部)
36 仮想面
41 下部領域
43 上部領域
50 レーザー変位計
51 発光素子
52 受光素子
53 入射光
54 反射光
55 ステージ
57 表面形状測定システム
61 第1砥石
62 第2砥石
65,71 保持部
67 回転軸
68 第3砥石
80 単結晶インゴット
81 上面
82 下面
83 側面
85 曲面部
91 ベース
92 保護部
93 ワイヤーソー
95 凹部
96 表面
100 炭化珪素エピタキシャル基板
101 反り量
102 領域
103 端部領域(第1端部領域)
104 中央町域
105 外周
131 ドリフト領域
132 ボディ領域
133 ソース領域
134 コンタクト領域
136 酸化膜137 層間絶縁膜
138 配線層
141 第1電極
142 第2電極
143 第3電極
300 炭化珪素半導体装置
Claims (10)
- ポリタイプが4Hである炭化珪素単結晶基板であって、
{0001}面から<11−20>方向に2°以上8°以下傾斜し、最大径が150mm以上である第1主面と、
前記第1主面と反対側の第3主面と、
<11−20>方向に延在するオリエンテーションフラットとを備え、
前記第1主面は、前記第1主面の外周から5mm以内の第1端部領域を含み、
前記第3主面は、前記第3主面の外周から5mm以内の第2端部領域を含み、
前記第1主面に対して垂直な方向において、前記オリエンテーションフラットと連なる前記第1端部領域の第1反り量は、1μm以下であり、
前記第3主面に対して垂直な方向において、前記オリエンテーションフラットと連なる前記第2端部領域の第2反り量は、1μm以下であり、
前記第1主面に対して垂直な方向から見て前記オリエンテーションフラットを垂直に二等分する断面を見た場合、前記第1端部領域は、前記オリエンテーションフラットに向かうにつれて前記第1主面と反対側の面から離れる方向に反り上がっており、
前記第1反り量は、前記オリエンテーションフラットから前記第1主面の中央に向かって3mm離れた位置から5mm離れた位置までの領域における前記第1主面の断面プロファイルから算出される最小二乗直線が、前記オリエンテーションフラットと交わる点と、前記オリエンテーションフラットと前記第1主面との接点との距離であり、
前記第3主面に対して垂直な方向から見て前記オリエンテーションフラットを垂直に二等分する断面を見た場合、前記第2端部領域は、前記オリエンテーションフラットに向かうにつれて前記第3主面と反対側の面に近づく方向に反り下がっており、
前記第2反り量は、前記オリエンテーションフラットから前記第3主面の中央に向かって3mm離れた位置から5mm離れた位置までの領域における前記第3主面の断面プロファイルから算出される最小二乗直線が、前記オリエンテーションフラットに沿って延在する仮想平面と交わる点と、前記オリエンテーションフラットと前記第3主面との接点との距離である、炭化珪素単結晶基板。 - ポリタイプが4Hである炭化珪素単結晶基板であって、
{0001}面から<11−20>方向に2°以上8°以下傾斜し、最大径が150mm以上である第1主面と、
前記第1主面と反対側の第3主面と、
<11−20>方向に延在するオリエンテーションフラットとを備え、
前記第1主面は、前記第1主面の外周から5mm以内の第1端部領域を含み、
前記第3主面は、前記第3主面の外周から5mm以内の第2端部領域を含み、
前記第1主面に対して垂直な方向において、前記オリエンテーションフラットと連なる前記第1端部領域の第1反り量は、1μm以下であり、
前記第3主面に対して垂直な方向において、前記オリエンテーションフラットと連なる前記第2端部領域の第2反り量は、1μm以下であり、
前記第1主面に対して垂直な方向から見て前記オリエンテーションフラットを垂直に二等分する断面を見た場合、前記第1端部領域は、前記オリエンテーションフラットに向かうにつれて前記第1主面と反対側の面に近づく方向に反り下がっており、
前記第1反り量は、前記オリエンテーションフラットから前記第1主面の中央に向かって3mm離れた位置から5mm離れた位置までの領域における前記第1主面の断面プロファイルから算出される最小二乗直線が、前記オリエンテーションフラットに沿って延在する仮想平面と交わる点と、前記オリエンテーションフラットと前記第1主面との接点との距離であり、
前記第3主面に対して垂直な方向から見て前記オリエンテーションフラットを垂直に二等分する断面を見た場合、前記第2端部領域は、前記オリエンテーションフラットに向かうにつれて前記第3主面と反対側の面から離れる方向に反り上がっており、
前記第2反り量は、前記オリエンテーションフラットから前記第3主面の中央に向かって3mm離れた位置から5mm離れた位置までの領域における前記第3主面の断面プロファイルから算出される最小二乗直線が、前記オリエンテーションフラットと交わる点と、前記オリエンテーションフラットと前記第3主面との接点との距離である、炭化珪素単結晶基板。 - 請求項1または請求項2に記載の炭化珪素単結晶基板と、
前記第1主面上の炭化珪素層とを備え、
前記炭化珪素層は、前記第1主面に接する面とは反対側の第2主面を含み、
前記第2主面において、前記オリエンテーションフラットから<1−100>方向に延在し、かつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がない、炭化珪素エピタキシャル基板。 - 前記第1主面に対して垂直な方向から見て、前記オリエンテーションフラットを垂直に2等分する線分を4等分した場合、前記第1主面は、前記オリエンテーションフラットから前記線分の1/4の位置までの下部領域を含み、
前記下部領域の端部と連なる前記第1端部領域の反り量は、1μm以下である、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素単結晶基板。 - 請求項4に記載の炭化珪素単結晶基板と、
前記第1主面上の炭化珪素層とを備え、
前記炭化珪素層は、前記第1主面に接する面とは反対側の第2主面を含み、
前記第2主面において、前記下部領域の端部から<1−100>方向に延在し、かつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がない、炭化珪素エピタキシャル基板。 - 前記第1主面に対して垂直な方向から見て、前記オリエンテーションフラットを垂直に2等分する線分を4等分した場合、前記第1主面は、前記オリエンテーションフラットと反対側の端部から前記線分の1/4の位置までの上部領域を含み、
前記上部領域の端部と連なる前記第1端部領域の反り量は、1μm以下である、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素単結晶基板。 - 請求項6に記載の炭化珪素単結晶基板と、
前記第1主面上の炭化珪素層とを備え、
前記炭化珪素層は、前記第1主面に接する面とは反対側の第2主面を含み、
前記第2主面において、前記上部領域の端部から<1−100>方向に延在し、かつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がない、炭化珪素エピタキシャル基板。 - 前記第1主面に対して垂直な方向から見て、前記オリエンテーションフラットを垂直に2等分する線分を4等分した場合、前記第1主面は、前記オリエンテーションフラットから前記線分の1/4の位置までの下部領域と、前記オリエンテーションフラットと反対側の端部から前記線分の1/4の位置までの上部領域とを含み、
前記下部領域の端部と連なる前記第1端部領域の反り量は、1μm以下であり、かつ前記上部領域の端部と連なる前記第1端部領域の反り量は、1μm以下である、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素単結晶基板。 - 請求項8に記載の炭化珪素単結晶基板と、
前記第1主面上の炭化珪素層とを備え、
前記炭化珪素層は、前記第1主面に接する面とは反対側の第2主面を含み、
前記第2主面において、前記下部領域の端部から<1−100>方向に延在しかつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がなく、かつ前記上部領域の端部から<1−100>方向に延在しかつ1mm以上の長さを有する積層欠陥がない、炭化珪素エピタキシャル基板。 - 請求項3、請求項5、請求項7および請求項9のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板を準備する工程と、
前記炭化珪素エピタキシャル基板を加工する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。
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