TWI754597B - 晶圓處理設備 - Google Patents

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Abstract

一種晶圓處理設備，包括施壓組件、轉動機構、控制元件及熱源。施壓組件包括具有第一工作面的第一加壓頭和具有第二工作面的第二加壓頭。轉動機構與施壓組件連接。控制元件電性連接至轉動機構。熱源設置於施壓組件旁。

Description

晶圓處理設備
本發明是有關於一種處理設備，且特別是有關於一種晶圓處理設備。
在半導體產業中，晶圓(wafer)的材料例如包括矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化銦(InSb)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)或硒化鋅(ZnSe)。一般而言，製造晶圓的方法包括先形成晶碇(Ingot)，接著將晶碇切片以獲得晶圓。晶碇例如是在高溫的環境中製造。目前，晶碇的生長方法包括柴可拉斯基法(Czochralski process)、物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport, PVT)、高溫化學氣相沉積法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HT-CVD)法以及液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)等。
晶種被置放於高溫爐中，晶種接觸氣態或液態的原料，並形成半導體材料於晶種的表面，直到獲得具有預期尺寸的晶碇為止。晶碇可以視製造方式與製造原料而有不同的結晶構造。舉例來說，碳化矽的晶碇包括3C-碳化矽、4H-碳化矽、6H-碳化矽等。3C-碳化矽屬於立方晶系，而4H-碳化矽以及6H-碳化矽屬於六方晶系。
晶碇在攝氏數百度至攝氏數千度的高溫環境中生長，在晶碇的生長過程中，晶碇靠近晶種的一端稱為晶種端(seed end)，晶碇遠離晶種的一端稱為圓頂端(dome end)。晶種端與圓頂端可能會因為位置的不同而出現攝氏數十至攝氏數百度的溫差，在這種情況下，晶碇的內部可能會出現因為溫差而導致的殘留應力。若晶碇為碳化矽材料，例如晶種端為矽面而圓頂端為碳面，晶碇的矽面殘留壓應力，且晶碇的碳面殘留拉應力。
在晶碇生長完成後，以爐冷或其他方式使晶碇降溫至室溫。當晶碇降溫至塑性-彈性過度溫度以下，晶碇會具有彈性變形的性質且不能再以塑性變形(例如使差排(dislocation)生成、滑移及/或結合)的方式釋放應力。舉例來說，刃差排可以在對應的滑移面(slip plane)上沿著滑移方向滑移至結晶面。在晶碇具有彈性變形的性質時，晶碇的熱收縮大致符合下列公式：ɛ= kΔΤ，在上述公式中，ɛ為應變，k為熱膨脹係數，ΔΤ為溫度差。在降溫晶碇時，若晶種端的溫度不同於圓頂端的溫度，晶種端與圓頂端會由不同的溫度開始降溫，使晶種端的熱收縮程度與圓頂端的熱收縮程度不同。舉例來說，晶種端可能由攝氏1800度降溫至20度，圓頂端可能由攝氏1900度降溫至攝氏20度。此情況導致晶碇出現壓應力殘留以及張應力殘留。換句話說，由於晶種端的ΔΤ與圓頂端的ΔΤ不同，導致晶種端的ɛ與圓頂端的ɛ不同。
在晶碇降溫之後，利用切割設備把晶碇形狀較差的頭尾兩端移除，接著用磨輪設備將晶碇研磨到想要的尺寸(例如3英吋至12英吋)。在一些製程中，於晶碇的邊緣研磨出一道平邊或V型槽。此平邊或V型槽適用於作為晶碇的結晶方向的記號或適用於固定晶碇。
接著將晶碇切片，以獲得多個晶圓(Wafer)。舉例來說，將晶碇切片的方法包括以刀具或鋼線配合磨粒(例如鑽石顆粒)的方式進行切割。在一些情況中，晶圓內部與晶碇一樣殘留有壓應力及張應力。在一些製程中，將晶圓的邊角磨成導圓角，以避免晶圓的邊角因為碰撞而破裂。
接著，對晶圓執行研磨以及拋光製程，以提升晶圓的表面品質。對晶圓執行研磨以及拋光製程的方法例如包括物理研磨製程以及化學機械研磨製程。物理研磨製程例如是以包含以鑽石顆粒或其他硬度較高的顆粒的研磨液配合拋光墊研磨晶圓表面。物理研磨製程主要是以機械力處理晶圓表面。化學機械研磨製程是以具有腐蝕性的研磨液以及磨料配合拋光墊，對晶圓表面進行研磨。化學機械研磨製程中的具有腐蝕性的研磨液可與晶圓表面發生化學反應，使晶圓表面凹凸不平的部分轉變成硬度較小的材料，藉此使磨料能更容易的移除晶圓表面凹凸不平的部分。
在經過研磨以及拋光製程之後，晶圓的厚度被減少(例如減少數百微米)。晶圓內部殘留的張應力與壓應力會因為晶圓的厚度減少而部分釋放出來，並導致晶圓出現彎曲(Bow)及/或撓屈(Warp)之幾何缺陷。
因此，如何在碳化矽晶圓經切割或研磨後修復上述幾何缺陷，是新一代的半導體材料製程上的重要議題。
本發明提供一種晶圓處理設備，可使晶圓的幾何缺陷藉由退火處理而有效地被修復。
本發明一實施例的晶圓處理設備，包括施壓組件、轉動機構、控制元件及熱源。施壓組件包括第一加壓頭及第二加壓頭。第一加壓頭具有第一工作面。第二加壓頭具有第二工作面。第一加壓頭及第二加壓頭適於相互靠合，以將晶圓夾置於第一工作面與第二工作面之間，並沿施壓方向對晶圓施壓。轉動機構與施壓組件連接。控制元件適於令轉動機構帶動第一加壓頭及第二加壓頭轉動，以調整第一工作面及第二工作面與參考平面的夾角，其中參考平面的法線方向與施壓方向實質上平行。熱源適於加熱被夾置於第一工作面與第二工作面之間的晶圓。
在本發明的一實施例中，上述熱源包括環繞晶圓的射頻線圈。
在本發明的一實施例中，上述的晶圓處理設備更包括多個犧牲層，分別配置於第一工作面及第二工作面上，以接觸晶圓。
在本發明的一實施例中，上述的晶圓處理設備更包括溫度偵測器，適於偵測晶圓的即時溫度，且電性連接至控制元件。
在本發明的一實施例中，上述的控制元件適於根據晶圓的即時溫度與預定退火溫度的差值決定令轉動機構帶動第一加壓頭及第二加壓頭轉動，以調整上述夾角至一預定角度。
在本發明的一實施例中，上述的控制元件適於根據晶圓的即時溫度與預定退火溫度的差值令施壓組件對晶圓施加預定壓力。
在本發明的一實施例中，上述的控制元件適於根據晶圓的即時溫度調整熱源的加熱功率。
在本發明的一實施例中，上述的晶圓處理設備更包括角度偵測器，適於偵測上述夾角的一即時角度，且電性連接至控制元件，其中控制元件適於根據即時角度令轉動機構帶動第一加壓頭及第二加壓頭轉動。
在本發明的一實施例中，上述的晶圓處理設備更包括壓力偵測器，適於偵測第一加壓頭及第二加壓頭對晶圓施加的一即時壓力，且電性連接至控制元件，其中控制元件適於根據即時壓力調整施壓組件對晶圓的施壓大小。
在本發明的一實施例中，上述的控制元件適於控制施壓組件對晶圓施壓的時間。
在本發明的一實施例中，上述的控制元件適於控制轉動機構使上述夾角維持預定角度的時間。
在本發明的一實施例中，上述的施壓組件更包括第一加壓軸及第二加壓軸。第一加壓軸與第一加壓頭連接。第二加壓軸與第二加壓頭連接。第一加壓軸的軸向及第二加壓軸的軸向實質上平行於施壓方向。第一加壓軸於晶圓上的投影位置與第二加壓軸於晶圓上的投影位置錯開。
在本發明的一實施例中，上述的第一加壓頭具有多個上加壓部，第二加壓頭具有多個下加壓部，多個上加壓部於結構上彼此分離且分別對應晶圓的多個區域，多個下加壓部於結構上彼此分離且分別於對應晶圓的多個區域。
在本發明的一實施例中，上述的晶圓的多個區域包括第一區、第二區及第三區，晶圓的幾何中心位於第一區，晶圓的第三區具有晶圓的邊緣，且第二區位於第一區與第三區之間。多個上加壓部包括第一上加壓部、第二上加壓部及第三上加壓部，分別對應晶圓的第一區、第二區及第三區。多個下加壓部包括第一下加壓部、第二下加壓部及第三下加壓部，分別對應晶圓的第一區、第二區及第三區。第一上加壓部與第一下加壓部適於對晶圓的第一區施加第一壓力。第二上加壓部與第二下加壓部適於對晶圓的第二區施加第二壓力。第三上加壓部與第三下加壓部適於對晶圓的第三區施加第三壓力。第一壓力大於第二壓力，且第二壓力大於第三壓力。
本發明一實施例的晶圓處理設備，包括施壓組件、轉動機構、控制元件及熱源。施壓組件包括具有第一工作面的第一加壓頭和具有第二工作面的第二加壓頭。轉動機構與施壓組件連接。控制元件電性連接至轉動機構。熱源設置於施壓組件旁。
在本發明的一實施例中，上述熱源包括射頻線圈。
在本發明的一實施例中，上述的晶圓處理設備更包括多個犧牲層，分別配置於第一工作面及第二工作面上。
在本發明的一實施例中，上述的晶圓處理設備更包括溫度偵測器，電性連接至控制元件。
在本發明的一實施例中，上述的晶圓處理設備更包括角度偵測器，電性連接至控制元件。
在本發明的一實施例中，上述的晶圓處理設備更包括壓力偵測器，電性連接至控制元件。
在本發明的一實施例中，上述的施壓組件更包括第一加壓軸及第二加壓軸。第一加壓軸與第一加壓頭連接。第二加壓軸與第二加壓頭連接。第一加壓軸與第二加壓軸錯開。
在本發明的一實施例中，上述的第一加壓頭具有多個上加壓部，第二加壓頭具有多個下加壓部，多個上加壓部於結構上彼此分離，多個下加壓部於結構上彼此分離且分別於對應多個上加壓部。
基於上述，本發明的一實施例晶圓處理設備可使用第一加壓頭的第一工作面及第二加壓頭的第二工作面夾持一晶圓，並可使用轉動機構帶動第一加壓頭及第二加壓頭，以調整第一加壓頭的第一工作面及第二加壓頭的第二工作面與參考平面的夾角。藉此，晶圓處理設備可隨時調整第一加壓頭的第一工作面及第二加壓頭的第二工作面與參考平面的夾角，以使修復晶圓幾何缺陷的效果佳。
圖1是本發明一實施例的晶圓處理設備的示意圖。圖2示出本發明一實施例的晶圓處理設備的施壓組件、轉動機構及熱源。
請參照圖1及圖2，晶圓處理設備10包括施壓組件110。施壓組件110包括第一加壓頭112及第二加壓頭114。第一加壓頭112具有第一工作面112a。第二加壓頭114具有第二工作面114a。第一加壓頭112及第二加壓頭114適於相互靠合，以將一晶圓W夾置於第一工作面112a與第二工作面114a之間，並沿一施壓方向D1對晶圓W施壓。
舉例而言，在本實施例中，施壓組件110更包括第一加壓軸116及第二加壓軸118，其中第一加壓軸116與第一加壓頭112連接，且第二加壓軸118與第二加壓頭114連接。在本實施例中，第一加壓軸116的軸向及第二加壓軸118的軸向實質上可平行於施壓方向D1，但本發明不以此為限。在本實施例中，施壓組件110可以是油壓式、氣壓式、螺桿式或其它任何可適用的形式，本發明並不加以限制。
施壓組件110的第一加壓頭112及第二加壓頭114適於對晶圓W施壓，以在晶圓W上形成一剪力。所述剪力能使晶圓W的幾何缺陷藉由退火處理有效地被修復。具體而言，在本實施例中，施壓組件110對晶圓W施壓時，第一加壓頭112的第一工作面112a及第二加壓頭114的第二工作面114a與參考平面RP（例如：水平面）具有一夾角θ，其中參考平面RP的一法線方向N與施壓方向D1實質上平行；藉此，第一加壓軸116及第二加壓軸118帶動第一加壓頭112及第二加壓頭114對晶圓W施壓時，於晶圓W上可形成所述剪力。
舉例而言，在本實施例中，第一加壓軸116與第二加壓軸118可選擇性地錯開。更進一步地說，施壓組件110對晶圓W施壓時，第一加壓軸116於晶圓W上的投影位置與第二加壓軸118於晶圓W上的投影位置可選擇地性錯開；藉此，施壓組件110對晶圓W所施的力在平行於晶圓W表面Ws，例如上表面及下表面，上的分量會增加，從而提升對晶圓W所施加的剪力。
請參照圖1，此外，在本實施例中，晶圓處理設備10更可選擇性地包括182及犧牲層184，分別配置於第一加壓頭112的第一工作面112a及第二加壓頭114的第二工作面114a上。犧牲層182及犧牲層184用以接觸晶圓W，避免晶圓W直接接觸第一加壓頭112及第二加壓頭114而在高溫下非預期地產生化學反應，且犧牲層182、184的材質可為多層或單層，且至少包含相同於晶圓W的材質，利用和W相同材質之犧牲層182、184直接接觸晶圓W，可以避免產生非預期的化學反應，影響到晶圓W的品質。舉例而言，在本實施例中，若晶圓W的材質為碳化矽，則犧牲層182、184的材質可相同於晶圓W的材質而為碳化矽，但本發明不以此為限。
請參照圖1及圖2，晶圓處理設備10更包括轉動機構120（繪於圖2），與施壓組件110連接。晶圓處理設備10更包括控制元件130（繪於圖1），電性連接至轉動機構120。控制元件130適於令轉動機構120帶動第一加壓頭112及第二加壓頭114轉動，以調整第一加壓頭112之第一工作面112a及第二加壓頭114之第二工作面114a與參考平面RP（例如：水平面）的夾角θ。換言之，透過控制元件130與轉動機構120的配合，第一加壓頭112之第一工作面112a及第二加壓頭114之第二工作面114a與參考平面RP的夾角θ是可調的。
請參照圖2，在本實施例中，轉動機構120例如可包括第一橫向部122、第二橫向部124、第三橫向部126及一直向部128，其中第一橫向部122與直向部128的中間段連接於第一連接處C1，第二橫向部124的一端及第三橫向部126的一端分別與直向部128的兩端連接於第二連接處C2及第三連接處C3，且第二橫向部124的另一端及第三橫向部126的另一端分別與第一加壓頭112及第二加壓頭114連接於第四連接處C4及第五連接處C5，其中第一連接處C1、第二連接處C2、第三連接處C3、第四連接處C4及第五連接處C5是可活動的，以使轉動機構120能自由地調整第一加壓頭112之第一工作面112a及第二加壓頭114之第二工作面114a與參考平面RP的夾角θ（標示於圖1）。
舉例而言，在本實施例中，轉動機構120可包括螺桿及齒輪；然而，本發明不限於此，轉動機構120也包括其它構件。此外，需說明的是，本發明亦不限制轉動機構120一定要包括上述的第一橫向部122、第二橫向部124、第三橫向部126及直向部128；在其它實施例中，轉動機構120也可採用其它構造，只要能帶動第一加壓頭112及第二加壓頭114，以改變夾角θ即可。
請參照圖1及圖2，晶圓處理設備10更包括熱源140，設置於施壓組件110旁。熱源140適於加熱被夾置於第一加壓頭112的第一工作面112a與第二加壓頭114的第二工作面114a之間的晶圓W。舉例而言，在本實施例中，熱源140可包括一射頻線圈（RF coil）。熱源140加熱晶圓W時，所述射頻線圈可環繞晶圓W。
值得注意的是，射頻線圈具有可局部加熱且加熱集中的特性。換言之，射頻線圈可針對晶圓W加熱，而不會過度影響設置於其周邊的構件（例如：施壓組件110的至少一部分及/或轉動機構120的至少一部分）。藉此，不但晶圓處理設備10的總熱能輸出能減少，達到省電的效果；設置於熱源140周邊的構件也不易因熱而損壞，有助於晶圓處理設備10的使用壽命延長；設置於熱源140周邊的構件也不必要採用極耐熱的材料，其材料選擇多，有助於晶圓處理設備10的採購成本降低。此外，射頻線圈的加熱溫度的上限較傳統晶圓爐高，有助於晶圓處理設備10修復各類型的晶圓W幾何缺陷。
請參照圖1，在本實施例中，晶圓處理設備10更可選擇性地包括溫度偵測器150，電性連接至控制元件130。溫度偵測器150適於偵測晶圓W的一即時溫度。在本實施例中，控制元件130適於根據溫度偵測器150所量測到的晶圓W的即時溫度調整熱源140的加熱功率。
請參照圖1，在本實施例中，控制元件130適於根據溫度偵測器150所量測到的晶圓W的即時溫度與預定退火溫度的差值令轉動機構120帶動第一加壓頭112及第二加壓頭114轉動，以調整夾角θ至一預定角度。在本實施例中，晶圓處理設備10更可選擇性地包括角度偵測器160，電性連接至控制元件130。角度偵測器160適於偵測夾角θ的即時角度，以確定夾角θ調整至所述預定角度。在本實施例中，控制元件130更適於控制轉動機構120使夾角θ維持預定角度的時間。在本實施例中，晶圓處理設備10更可選擇性地包括壓力偵測器170，電性連接至控制元件130。壓力偵測器170適於偵測第一加壓頭112及第二加壓頭114對晶圓W施加的一即時壓力。控制元件130適於根據壓力偵測器170所偵測到的即時壓力調整施壓組件110對晶圓W的施壓大小。在本實施例中，控制元件130更適於控制施壓組件110對晶圓W施壓的時間。上述之溫度偵測器150、角度偵測器160及壓力偵測器170可即時將晶圓W的即時溫度、夾角θ的即時角度和對晶圓W施加的一即時壓力回饋至控制元件130，以使控制元件130能適時調整退火製程的各項參數。
請參照圖1及圖2，舉例而言，在本實施例中，晶圓處理設備10執行的退火製程可包括下列步驟：首先，令熱源140對晶圓W加熱，當溫度偵測器150偵測到晶圓W的即時溫度與預定退火溫度的差值實質上為0時，控制元件130令轉動機構120帶動第一加壓頭112及第二加壓頭114轉動，以調整夾角θ至一預定角度；接著，在晶圓W的即時溫度與預定退火溫度的差值實質上為0的情況下，控制元件130令施壓組件110開始對晶圓W施加，以使壓力偵測器170所偵測到的即時壓力實質上等於預定壓力，進而完成退火製程。
舉例而言，在本實施例中，熱源140可加熱晶圓W，以使晶圓W的溫度落在1000 oC～2000 oC的範圍；轉動機構120可使第一加壓頭112的第一工作面112a及第二加壓頭114的第二工作面114a與參考平面RP的夾角θ落在0 o～45 o的範圍。較佳地是，晶圓W平放並從室溫加熱至1500 oC；令轉動機構120帶動第一加壓頭112及第二加壓頭114，以使第一工作面112a及第二工作面114a與參考平面RP的夾角θ調整至25 o；但本發明不以此為限。
值得一提的是，在晶圓處理設備10執行退火製程的過程中，施壓組件110對晶圓W施加壓力的大小、施壓組件110對晶圓W施加壓力的時間、熱源140對晶圓W的加熱溫度及/或夾角θ的大小是可調的。也就是說，在晶圓W的退火製程中，控制元件130可隨時調整退火製程的各項參數，以優化晶圓處理設備10修復晶圓W幾何缺陷的效果。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。
圖3為本發明另一實施例之晶圓處理設備的第一加壓頭的示意圖。圖4示出本發明另一實施例之晶圓的第一表面。
圖5為本發明另一實施例之晶圓處理設備的第二加壓頭的示意圖。圖6示出本發明另一實施例之晶圓的第二表面。
請參照圖4及圖6，晶圓W的表面Ws包括相對的第一表面Ws1及第二表面Ws2。請參照圖3及圖4，在本實施例中，第一加壓頭112A具有多個上加壓部112A-1、112A-2、112A-3，多個上加壓部112A-1、112A-2、112A-3適於從晶圓W的第一表面Ws1對晶圓W施加壓力，多個上加壓部112A-1、112A-2、112A-3於結構上彼此分離且分別對應晶圓W的多個區域W-1、W-2、W-3。請參照圖5及圖6，在本實施例中，第二加壓頭114A具有多個下加壓部114A-1、114A-2、114A-3，多個下加壓部114A-1、114A-2、114A-3適於從第二表面Ws2對晶圓W施加壓力，多個下加壓部114A-1、114A-2、114A-3於結構上彼此分離且分別對應於晶圓W的多個區域W-1、W-2、W-3。
請參照圖4及圖6，舉例而言，在本實施例中，晶圓W的多個區域W-1、W-2、W-3包括第一區W-1、第二區W-2及第三區W-3，晶圓W的幾何中心C位於第一區W-1，晶圓W的第三區W-3具有晶圓W的邊緣E，第二區W-2位於第一區W-1與第三區W-3之間；請參照圖3及圖4，第一加壓頭112A的多個上加壓部112A-1、112A-2、112A-3包括第一上加壓部112A-1、第二上加壓部112A-2及第三上加壓部112A-3，分別對應晶圓W的第一區W-1、第二區W-2及第三區W-3；請參照圖5及圖6，第二加壓頭114A的多個下加壓部114A-1、114A-2、114A-3包括第一下加壓部114A-1、第二下加壓部114A-2及第三下加壓部114A-3，分別對應晶圓W的第一區W-1、第二區W-2及第三區W-3；第一上加壓部112A-1與第一下加壓部114A-1適於對晶圓W的第一區W-1施加第一壓力，第二上加壓部112A-2與第二下加壓部114A-2適於對晶圓W的第二區W-2施加第二壓力，第三上加壓部112A-3與第三下加壓部114A-3適於對晶圓W的第三區W-3施加第三壓力，第一壓力大於第二壓力，且第二壓力大於第三壓力。簡言之，在本實施例中，第一加壓頭112A及第二加壓頭114A可各自具有彼此分離的多個加壓部，以針對晶圓W的不同區域施加不同壓力，因應晶圓W之不同區域的各種幾何缺陷狀況。
10:晶圓處理設備 110:施壓組件 112、112A:第一加壓頭 112A-1、112A-2、112A-3:上加壓部 112a:第一工作面 114、114A:第二加壓頭 114A-1、114A-2、114A-3:下加壓部 114a:第二工作面 116:第一加壓軸 118:第二加壓軸 120:轉動機構 122:第一橫向部 124:第二橫向部 126:第三橫向部 128:直向部 130:控制元件 140:熱源 150:溫度偵測器 160:角度偵測器 170:壓力偵測器 182、184:犧牲層 C:幾何中心 C1:第一連接處 C2:第二連接處 C3:第三連接處 C4:第四連接處 C5:第五連接處 D1:施壓方向 N:法線方向 RP:參考平面 W:晶圓 Ws:表面 Ws1:第一表面 Ws2:第二表面 W-1、W-2、W-3:區域 θ:夾角
圖1是本發明一實施例的晶圓處理設備的示意圖。 圖2示出本發明一實施例的晶圓處理設備的施壓組件、轉動機構及熱源。 圖3為本發明另一實施例之晶圓處理設備的第一加壓頭的示意圖。 圖4示出本發明另一實施例之晶圓的第一表面。 圖5為本發明另一實施例之晶圓處理設備的第二加壓頭的示意圖。 圖6示出本發明另一實施例之晶圓的第二表面。
10:晶圓處理設備
110:施壓組件
112:第一加壓頭
112a:第一工作面
114:第二加壓頭
114a:第二工作面
116:第一加壓軸
118:第二加壓軸
130:控制元件
140:熱源
150:溫度偵測器
160:角度偵測器
170:壓力偵測器
182、184:犧牲層
D1:施壓方向
N:法線方向
RP:參考平面
W:晶圓
Ws:表面
θ:夾角

Claims (22)

  1. 一種晶圓處理設備，包括： 一施壓組件，包括： 一第一加壓頭，具有一第一工作面；以及 一第二加壓頭，具有一第二工作面，其中該第一加壓頭及該第二加壓頭適於相互靠合，以將一晶圓夾置於該第一工作面與該第二工作面之間，並沿一施壓方向對該晶圓施壓； 一轉動機構，與該施壓組件連接； 一控制元件，適於令該轉動機構帶動該第一加壓頭及該第二加壓頭轉動，以調整該第一工作面及該第二工作面與一參考平面的一夾角，其中該參考平面的一法線方向與該施壓方向實質上平行；以及 一熱源，適於加熱被夾置於該第一工作面與該第二工作面之間的該晶圓。
  2. 如請求項1所述的晶圓處理設備，其中該熱源包括環繞該晶圓的一射頻線圈。
  3. 如請求項1所述的晶圓處理設備，更包括： 多個犧牲層，分別配置於該第一工作面及該第二工作面上，以接觸該晶圓。
  4. 如請求項1所述的晶圓處理設備，更包括： 一溫度偵測器，適於偵測該晶圓的一即時溫度，且電性連接至該控制元件。
  5. 如請求項4所述的晶圓處理設備，其中該控制元件適於根據該晶圓的該即時溫度與一預定退火溫度的差值令該轉動機構帶動該第一加壓頭及該第二加壓頭轉動，以調整該夾角至一預定角度。
  6. 如請求項4所述的晶圓處理設備，其中該控制元件適於根據該晶圓的該即時溫度與一預定退火溫度的差值令該施壓組件對該晶圓施加一預定壓力。
  7. 如請求項4所述的晶圓處理設備，其中該控制元件適於根據該晶圓的該即時溫度調整該熱源的一加熱功率。
  8. 如請求項1所述的晶圓處理設備，更包括： 一角度偵測器，適於偵測該夾角的一即時角度，且電性連接至該控制元件，其中該控制元件適於根據該即時角度令該轉動機構帶動該第一加壓頭及該第二加壓頭轉動。
  9. 如請求項1所述的晶圓處理設備，更包括： 一壓力偵測器，適於偵測該第一加壓頭及該第二加壓頭對該晶圓施加的一即時壓力，且電性連接至該控制元件，其中該控制元件適於根據該即時壓力調整該施壓組件對該晶圓的施壓大小。
  10. 如請求項1所述的晶圓處理設備，其中該控制元件適於控制該施壓組件對該晶圓施壓的時間。
  11. 如請求項1所述的晶圓處理設備，其中該控制元件適於控制該轉動機構使該夾角維持一預定角度的時間。
  12. 如請求項1所述的晶圓處理設備，其中該施壓組件更包括： 一第一加壓軸，與該第一加壓頭連接；以及 一第二加壓軸，與該第二加壓頭連接，其中該第一加壓軸的軸向及該第二加壓軸的軸向實質上平行於該施壓方向； 該第一加壓軸於該晶圓上的一投影位置與該第二加壓軸於該晶圓上的一投影位置錯開。
  13. 如請求項1所述的晶圓處理設備，其中該第一加壓頭具有多個上加壓部，該第二加壓頭具有多個下加壓部，該些上加壓部於結構上彼此分離且分別對應該晶圓的多個區域，該些下加壓部於結構上彼此分離且分別對應該晶圓的該些區域。
  14. 如請求項13所述的晶圓處理設備，其中該晶圓的該些區域包括一第一區、一第二區及一第三區，該晶圓的一幾何中心位於該第一區，該晶圓的該第三區具有該晶圓的一邊緣，該第二區位於該第一區與該第三區之間； 該些上加壓部包括一第一上加壓部、一第二上加壓部及一第三上加壓部，分別對應該晶圓的該第一區、該第二區及該第三區； 該些下加壓部包括一第一下加壓部、一第二下加壓部及一第三下加壓部，分別對應該晶圓的該第一區、該第二區及該第三區； 該第一上加壓部與該第一下加壓部適於對該晶圓的該第一區施加一第一壓力，該第二上加壓部與該第二下加壓部適於對該晶圓的該第二區施加一第二壓力，該第三上加壓部與該第三下加壓部適於對該晶圓的該第三區施加一第三壓力，該第一壓力大於該第二壓力，且該第二壓力大於該第三壓力。
  15. 一種晶圓處理設備，包括： 一施壓組件，包括： 一第一加壓頭，具有一第一工作面；以及 一第二加壓頭，具有一第二工作面； 一轉動機構，與該施壓組件連接； 一控制元件，電性連接至該轉動機構；以及 一熱源，設置於該施壓組件旁。
  16. 如請求項15所述的晶圓處理設備，其中該熱源包括一射頻線圈。
  17. 如請求項15所述的晶圓處理設備，更包括： 多個犧牲層，分別配置於該第一工作面及該第二工作面上。
  18. 如請求項15所述的晶圓處理設備，更包括： 一溫度偵測器，電性連接至該控制元件。
  19. 如請求項15所述的晶圓處理設備，更包括： 一角度偵測器，電性連接至該控制元件。
  20. 如請求項15所述的晶圓處理設備，更包括： 一壓力偵測器，電性連接至該控制元件。
  21. 如請求項15所述的晶圓處理設備，其中該施壓組件更包括： 一第一加壓軸，與該第一加壓頭連接；以及 一第二加壓軸，與該第二加壓頭連接； 其中，該第一加壓軸與該第二加壓軸錯開。
  22. 如請求項15所述的晶圓處理設備，其中該第一加壓頭具有多個上加壓部，該第二加壓頭具有多個下加壓部，該些上加壓部於結構上彼此分離，該些下加壓部於結構上彼此分離且分別於對應該些上加壓部。
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