JP2015097289A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 11
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 164
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 41
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも一つの発光ユニットを含み、高逆方向電圧値を有する発光素子が提供され、前記発光ユニットは、発光エピタキシー構造を含み、前記発光エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の10μA/mm2の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が50Vより大きく、前記発光エピタキシー構造は、成長基板、格子緩衝層、接触層、n型半導体層、活性層、及びp型半導体層をこの順に含み、前記接触層の格子定数と、前記成長基板の格子定数とは、相違を有する。
【選択図】図6
Description
次の表には、本発明の実施例による交流型発光素子における各発光アレー構造の数量の組合せが示されている。
ある発光ユニットを除いた後に、中間の50%にある残りの発光ユニットの閾値逆方向電圧値の絶対値の平均値は、少なくとも50Vより大きく、好ましくは60Vより大きく、更に好ましくは70Vより大きく、一番好ましくは100Vより大きく、且つ、順方向バイアスの条件の下で、150mA/mm2の電流密度で駆動される時に、中間の50%にある残りの発光ユニットの発光効率の平均値は、少なくとも50ルーメン/Wである。
4、5、7 発光素子
4a、4b 発光ユニット
10 成長基板
20 接触層
21 第一電極
31、33 プロセス転換層
32、34 第二プロセス転換層
40 n型クラッド層
50 活性層
60 p型クラッド層
70 第一接続層
71 第二接続層
80 絶縁層
8 発光ウェハ
81 発光ユニット
91〜94 第一〜第四導線パッド
R1、R2、R3、R4 整流発光アレー構造
E1 直流発光アレー構造
Claims (10)
- 少なくとも一つの発光ユニットを含み、高逆方向電圧値を有する発光素子であって、
前記発光ユニットは、発光エピタキシー構造を含み、
前記発光エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の10μA/mm2の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が50Vより大きく、
前記発光エピタキシー構造は、成長基板、格子緩衝層、接触層、n型半導体層、活性層、及びp型半導体層をこの順に含み、
前記接触層の格子定数と、前記成長基板の格子定数とは、相違を有する、発光素子。 - 前記格子緩衝層の格子定数は、前記接触層の格子定数と、前記成長基板の格子定数との間にある、請求項1に記載の発光素子。
- 前記発光素子は、順方向バイアスの条件の下で、150mA/mm2の電流密度で駆動されるときに、少なくとも50lm/Wの発光効率を有する、請求項1に記載の発光素子。
- 前記発光エピタキシー構造は、前記n型半導体層と前記活性層との間に位置するプロセス転換層を更に含み、前記プロセス転換層の導電率は、前記n型半導体層及び前記活性層の導電率より大きい、請求項1に記載の発光素子。
- 前記発光エピタキシー構造は、前記接触層と前記n型半導体層との間に位置するプロセス転換層を更に含み、前記プロセス転換層の導電率は、前記n型半導体層及び前記接触層の導電率より大きい、請求項1に記載の発光素子。
- 前記接触層は、超格子構造である、請求項1に記載の発光素子。
- 前記n型半導体層は、超格子構造である、請求項1に記載の発光素子。
- 基板と、
前記基板上に共に形成される少なくとも二つの前記発光ユニットを含む発光アレー構造と、を更に含む、請求項1に記載の発光素子。 - 前記発光アレー構造は、
複数の整流発光アレー構造と、
少なくとも一つの直流発光アレー構造と、
を含み、
前記複数の整流発光アレー構造の各々は、直列接続される第一数量の前記発光ユニットを含み、
前記複数の整流発光アレー構造は、ホイートストンブリッジの形式に配列され、且つ、交流電源を受けるための二つの入力端と、直流電源を出力するための二つの出力端とを含み、
前記直流発光アレー構造は、前記二つの出力端に接続される第二数量の前記発光エピタキシー構造を含む、請求項8に記載の発光素子。 - 前記発光アレー構造は、逆方向の並列接続の形式に配列され、且つ、交流電源を受けるための二つの入力端を有する、請求項8に記載の発光素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW098119155 | 2009-06-08 | ||
TW098119155A TWI398966B (zh) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 發光元件及其製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010129948A Division JP2010283354A (ja) | 2009-06-08 | 2010-06-07 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015097289A true JP2015097289A (ja) | 2015-05-21 |
Family
ID=43300111
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010129948A Pending JP2010283354A (ja) | 2009-06-08 | 2010-06-07 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2015012090A Pending JP2015097289A (ja) | 2009-06-08 | 2015-01-26 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010129948A Pending JP2010283354A (ja) | 2009-06-08 | 2010-06-07 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8304787B2 (ja) |
JP (2) | JP2010283354A (ja) |
KR (1) | KR101380799B1 (ja) |
DE (1) | DE102010029803B4 (ja) |
TW (1) | TWI398966B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI398966B (zh) | 2009-06-08 | 2013-06-11 | Epistar Corp | 發光元件及其製造方法 |
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CN103811593B (zh) | 2012-11-12 | 2018-06-19 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体光电元件的制作方法 |
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-
2009
- 2009-06-08 TW TW098119155A patent/TWI398966B/zh active
-
2010
- 2010-06-07 JP JP2010129948A patent/JP2010283354A/ja active Pending
- 2010-06-07 US US12/795,169 patent/US8304787B2/en active Active
- 2010-06-08 DE DE102010029803.4A patent/DE102010029803B4/de active Active
- 2010-06-08 KR KR1020100053762A patent/KR101380799B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-01-26 JP JP2015012090A patent/JP2015097289A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100308348A1 (en) | 2010-12-09 |
KR101380799B1 (ko) | 2014-04-04 |
TWI398966B (zh) | 2013-06-11 |
US8304787B2 (en) | 2012-11-06 |
TW201044631A (en) | 2010-12-16 |
KR20100131948A (ko) | 2010-12-16 |
DE102010029803B4 (de) | 2021-01-28 |
DE102010029803A1 (de) | 2011-09-29 |
JP2010283354A (ja) | 2010-12-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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