JP2006261392A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードおよび照明装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板10と、基板の上方に配置されたInを含む第一のn型半導体層12と、第一のn型半導体層の上方に配置された活性層14と、を有し、活性層14は、井戸層141と障壁層142とが積層された多重量子井戸構造からなり、井戸層141の厚さは、1nm以上2.5nm以下となるように構成する。
これにより、窒化ガリウムからなる基板10のオフ角の影響を緩和することができ、個々のチップの特性が良好となる。
【選択図】図1
Description
図1に本発明の実施の形態1に係るGaN−LED1の断面図(GaN−LED1を主発光面に垂直な面で切った面を表す図)を示す。
図8に本発明の実施の形態2に係るGaN−LED2の断面図(GaN−LED2を主発光面に垂直な面で切った面を表す図)を示す。
実施の形態1および実施の形態2のGaN−LEDに示した照明装置を構築することができる。GaN−LED一つ一つが、発光出力が均一なため、色ムラが抑制される。また、動作電圧が均一であるため、駆動回路が安定し、信頼性も向上している。そのような一例を図9、図10に示す。
10 基板
11 第二のn型半導体層
12 第一のn型半導体層
13 n型コンタクト層
14 n型クラッド層
15 活性層
16 p型半導体層
17 p型電極
18 n型電極
20 サブ基板
Claims (15)
- 窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板と、
前記基板の上方に配置されたInを含む第一のn型半導体層と、
前記第一のn型半導体層の上方に配置された活性層と、を有し、
前記活性層は、井戸層と障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなり、前記井戸層の厚さは、1nm以上2.5nm以下となる、
窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。 - 前記井戸層は、InGaNからなる請求項1に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記第一のn型半導体層は、InGaNからなる請求項1または請求項2記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記第一のn型半導体層は、InAlGaNからなる請求項1または請求項2記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記第一のn型半導体層のAlの比率は、3%以下である請求項4に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記第一のn型半導体層の厚さは、10nm以上1μm以下である請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記第一のn型半導体層の上面にn型クラッド層が配置され、前記n型クラッド層の上面に前記発光層が配置されている請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記n型クラッド層は、AlGaNまたはGaNからなる請求項7に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記n型クラッド層の厚さは、5nm以上200nm以下である請求項7または請求項8に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記第一のn型半導体層と前記n型クラッド層との間にn型コンタクト層が配置されている請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記n型コンタクト層は、GaN、AlGaN、InGaN、またはInAlGaNのいずれかからなる請求項10記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記基板の上面は、研磨されている請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 前記基板の上面は、(0001)面に対して、0°以上1°以下のオフ角を有する請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。
- 窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板と、
前記基板の下に配置され、窒化ガリウム系化合物からなる第二のn型半導体層と、
前記第二のn型半導体層の下に配置され、少なくともInを含む第一のn型半導体層と、
前記第一のn型半導体層の下に配置され、窒化ガリウム系化合物からなるn型コンタクト層と、
前記n型コンタクト層の下表面に配置されているn型電極と、
前記第一のn型半導体層の下に配置されたn型クラッド層と、
前記n型クラッド層の下に配置され、井戸層と障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなり、前記井戸層の厚さが1nm以上2.5nm以下となる活性層と、
前記活性層の下に配置され、窒化ガリウム系化合物からなるp型半導体層と、
前記p型半導体層の下に配置されているp型電極と、
前記基板の下で、前記p型電極及び前記n型電極と、Auバンプにより接続されているサブ基板と、
を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード。 - 請求項1から請求項14に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードを複数備えた照明装置。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100809226B1 (ko) | 2006-09-29 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 제조방법 |
CN101626058A (zh) * | 2008-07-09 | 2010-01-13 | 住友电气工业株式会社 | Ⅲ族氮化物类半导体发光元件及外延晶圆 |
WO2011016201A1 (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | パナソニック株式会社 | 発光素子および発光装置 |
JP2011223002A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、発光素子パッケージ及び照明装置 |
JP2012151512A (ja) * | 2012-05-15 | 2012-08-09 | Toshiba Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2013062346A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
US8455917B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor light emitting device |
JP2013183032A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
WO2015119066A1 (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-13 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2019033142A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 高知県公立大学法人 | 深紫外発光素子およびその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214798A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
-
2005
- 2005-03-17 JP JP2005076847A patent/JP4835010B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214798A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100809226B1 (ko) | 2006-09-29 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 제조방법 |
CN101626058A (zh) * | 2008-07-09 | 2010-01-13 | 住友电气工业株式会社 | Ⅲ族氮化物类半导体发光元件及外延晶圆 |
JP2010021287A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系半導体発光素子、及びエピタキシャルウエハ |
JP4572963B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2010-11-04 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物系半導体発光素子、及びエピタキシャルウエハ |
WO2011016201A1 (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | パナソニック株式会社 | 発光素子および発光装置 |
US8507935B2 (en) | 2009-08-06 | 2013-08-13 | Panasonic Corporation | Light emitting element and light emitting device |
JPWO2011016201A1 (ja) * | 2009-08-06 | 2013-01-10 | パナソニック株式会社 | 発光素子および発光装置 |
US8455917B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride semiconductor light emitting device |
US8623683B2 (en) | 2009-12-21 | 2014-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating a nitride semiconductor light emitting device |
US8405102B2 (en) | 2010-04-09 | 2013-03-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, and lighting apparatus |
JP2011223002A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、発光素子パッケージ及び照明装置 |
JP2013062346A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2013183032A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2012151512A (ja) * | 2012-05-15 | 2012-08-09 | Toshiba Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
WO2015119066A1 (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-13 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2015149342A (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-20 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2019033142A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 高知県公立大学法人 | 深紫外発光素子およびその製造方法 |
JP7082390B2 (ja) | 2017-08-04 | 2022-06-08 | 高知県公立大学法人 | 深紫外発光素子およびその製造方法 |
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