JP2015079951A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 半導体層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、電荷捕獲層と、電極と、を有し、
   前記ゲート絶縁層は、前記半導体層と前記ゲート電極との間に位置し、
   前記電荷捕獲層は、前記半導体層と前記電極との間に位置し、
   前記半導体層は、前記ゲート絶縁層と前記電荷捕獲層との間に位置し、
   前記電荷捕獲層は、第１の絶縁層と、第２の絶縁層とを有し、
   前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層と前記半導体層との間に位置し、
   前記第１の絶縁層のバンドギャップは、前記第２の絶縁層のバンドギャップよりも大きく、
   前記第１の絶縁層の電子親和力は、前記第２の絶縁層の電子親和力よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
2. 半導体層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、電荷捕獲層と、電極と、を有し、
   前記ゲート絶縁層は、前記半導体層と前記ゲート電極との間に位置し、
   前記電荷捕獲層は、前記半導体層と前記電極との間に位置し、
   前記半導体層は、前記ゲート絶縁層と前記電荷捕獲層との間に位置し、
   前記電荷捕獲層は、絶縁層と、前記絶縁層中に電気的に絶縁された導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記電極には、つねに半導体装置における最低電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記電極は、フローティング状態であることを特徴とする半導体装置。