JP2015065217A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 101150073458 DOT1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100278332 Dictyostelium discoideum dotA gene Proteins 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】素子領域及び外周領域に形成された第1導電型の第1半導体領域と、外周領域の第1半導体領域の上面に互いに離間してドット状に配置された複数の第2半導体型の第2半導体領域と、外周領域の第1半導体領域上に第2半導体領域を覆って配置された絶縁膜と、絶縁膜の内部に、第1半導体領域の上面と平行な方向に互いに離間して配置された複数のポリシリコン膜とを備え、素子領域に最近接のポリシリコン膜が半導体素子のゲート電極と電気的に接続され、外周領域の外縁に最近接のポリシリコン膜が半導体素子のコレクタ電極と電気的に接続され、半導体装置の逆バイアス印加時に、隣接するポリシリコン膜間にツェナーダイオードが形成され、且つ第2半導体領域それぞれの全体が空乏化する。
【選択図】図1
Description
上記では、図5に示すようにポリシリコン膜40がマトリクス状に配置されている例を示した。しかし、例えば図10に示すように、ポリシリコン膜40を素子領域101の周囲を囲む多重のリング形状としてもよい。複数のリング形状のポリシリコン膜40を同心円状に配置することによって、ポリシリコン膜40の内側と外側のリング間でツェナーダイオードDを形成することができる。このとき、最も内側を周回するポリシリコン膜40をゲート電極150と電気的に接続し、最も外側を周回するポリシリコン膜40をコレクタ電極80と電気的に接続する。
10…ドリフト領域、第1半導体領域
20…第2半導体領域
30…絶縁膜
40…ポリシリコン膜
51…第1電極
52…第2電極
60…コレクタ領域
65…フィールドストップ領域
80…コレクタ電極
100…半導体素子
101…素子領域
102…外周領域
120…ベース領域
130…エミッタ領域
140…ゲート絶縁膜
150…ゲート電極
170…層間絶縁膜
190…エミッタ電極
Claims (5)
- IGBT構造の半導体素子が配置された素子領域と前記素子領域の周囲に配置された外周領域を有する半導体装置において、
前記素子領域及び前記外周領域に形成された第1導電型の第1半導体領域と、
前記外周領域の前記第1半導体領域の上面に互いに離間してドット状に配置された複数の第2半導体型の第2半導体領域と、
前記外周領域の前記第1半導体領域上に前記第2半導体領域を覆って配置された絶縁膜と、
前記絶縁膜の内部に、前記第1半導体領域の上面と平行な方向に互いに離間して配置された複数のポリシリコン膜と
を備え、
前記複数のポリシリコン膜のうち、前記素子領域に最近接のポリシリコン膜が前記半導体素子のゲート電極と電気的に接続され、前記外周領域の外縁に最近接のポリシリコン膜が前記半導体素子のコレクタ電極と電気的に接続され、
前記半導体装置の逆バイアス印加時に、隣接する前記ポリシリコン膜間にツェナーダイオードが形成され、且つ前記第2半導体領域それぞれの全体が空乏化することを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体装置の逆バイアス印加時に前記第2半導体領域それぞれの全体が空乏化するように、前記第2半導体領域の面積、相互の間隔、不純物濃度が規定されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ポリシリコン膜がマトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 複数のリング形状の前記ポリシリコン膜によって前記素子領域が多重に囲まれていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第2半導体領域が、前記素子領域に形成される前記半導体素子を製造する一連の工程の一部において形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013196911A JP6286981B2 (ja) | 2013-09-24 | 2013-09-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013196911A JP6286981B2 (ja) | 2013-09-24 | 2013-09-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015065217A true JP2015065217A (ja) | 2015-04-09 |
JP6286981B2 JP6286981B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=52832888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013196911A Active JP6286981B2 (ja) | 2013-09-24 | 2013-09-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6286981B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10734476B2 (en) | 2017-11-14 | 2020-08-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Integrated electronic device including an edge termination structure with a plurality of diode chains |
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