JP5685991B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の半導体装置は、半導体層と、半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層を有している。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の一方の端部の下側の領域に、第1p型半導体領域が形成されている。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、第1p型半導体領域に隣接するとともに半絶縁層の下側の領域に、第2p型半導体領域が形成されている。半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、第2p型半導体領域に隣接するとともに半絶縁層の下側の領域から半絶縁層の他方の端部の下側の領域に跨って、n型半導体領域が形成されている。第1p型半導体領域のp型不純物濃度が、第2p型半導体領域のp型不純物濃度及びn型半導体領域のn型不純物濃度の何れよりも高い。第1p型半導体領域及び第2p型半導体領域からn型半導体領域内に空乏層が最も長く伸びたときに、空乏層が半絶縁層の前記他方の端部の下側の領域までは伸びない。
される。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
20:半導体層
22:外周端
24:上面
26:下面
30:低濃度n型領域
32:中央電極コンタクト領域
34:リサーフ領域
36:外周電極コンタクト領域
38:裏面電極コンタクト領域
40:絶縁層
50:中央電極
60:外周電極
70:半絶縁層
72:端部
74:端部
80:裏面電極
100:半導体素子領域
200:周辺耐圧領域
Claims (1)
- 半導体装置であって、
半導体層と、
半導体層上に形成されており、半導体層よりも電気伝導率が低い半絶縁層、
を有しており、
半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の一方の端部の下側の領域に、第1p型半導体領域が形成されており、
半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、第1p型半導体領域に隣接するとともに半絶縁層の下側の領域に、第2p型半導体領域が形成されており、
半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、第2p型半導体領域に隣接するとともに半絶縁層の下側の領域から半絶縁層の他方の端部の下側の領域に跨って、n型半導体領域が形成されており、
第1p型半導体領域のp型不純物濃度が、第2p型半導体領域のp型不純物濃度及びn型半導体領域のn型不純物濃度の何れよりも高く、
第1p型半導体領域及び第2p型半導体領域からn型半導体領域内に空乏層が最も長く伸びたときに、空乏層が半絶縁層の前記他方の端部の下側の領域までは伸びない、
ことを特徴とする半導体装置。
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