JP2014534611A5

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Info

Publication number: JP2014534611A5
Application number: JP2014531934A
Authority: JP
Filing date: 2012-09-19
Publication date: 2015-11-12

Claims

インターポーザベースの画像センシングデバイスであって、
基板の表面に配置される少なくとも１つのインターポーザと、
前記少なくとも１つのインターポーザに配置される少なくとも１つの光検出アレイセンサであって、前記少なくとも１つの光検出アレイセンサは裏面入射型であり、前記少なくとも１つの光検出アレイセンサは背面照明用に構成されており、複数の列のピクセルを含む前記少なくとも１つの光検出アレイセンサと、
前記少なくとも１つの光検出アレイセンサの出力を増幅するように構成された少なくとも１つの増幅回路網要素であって、動作可能なように前記インターポーザに接続されている前記少なくとも１つの増幅回路と、
前記少なくとも１つの光検出アレイセンサの出力をデジタル信号に変換するように構成された少なくとも１つのアナログ‐デジタル変換回路網構成要素であって、動作可能なように前記インターポーザに接続される前記少なくとも１つのアナログ‐デジタル変換回路と、
前記少なくとも１つの光検出アレイセンサのクロック信号又は制御信号の内の少なくとも１つを駆動するように構成された少なくとも１つのドライバ回路網要素であって、動作可能なように前記インターポーザに接続されている前記少なくとも１つのドライバ回路網要素と、
動作可能なように前記１つ又は複数のインターポーザに接続されている少なくとも１つの追加回路要素であって、前記インターポーザが、前記少なくとも１つの光検出アレイセンサ、前記１つ又は複数の増幅回路、前記１つ又は複数の変換回路、前記１つ又は複数のドライバ回路、又は前記１つ又は複数の追加回路の内の少なくとも２つを電気的に結合するように構成された、少なくとも１つの追加回路網要素と、
を備えるインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの増幅回路網要素が前記インターポーザ上に製作される、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つのアナログ‐デジタル変換回路網要素、前記少なくとも１つのドライバ回路網要素、又は前記少なくとも１つの追加回路網要素の内の少なくとも１つが、前記インターポーザ上に製作される、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つのアナログ‐デジタル変換回路網要素、前記少なくとも１つのドライバ回路網要素、又は前記少なくとも１つの追加回路網要素の内の少なくとも１つが、別個の金型内に製作され、前記インターポーザ上に配置される、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの増幅器が、前記光検出アレイセンサの第１の列のピクセルの出力に結合される、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの増幅器が、前記少なくとも１つの光検出アレイセンサの第１の列のピクセルの出力に、及び／又は、前記少なくとも１つの光検出アレイセンサの少なくとも第２の列のピクセルに結合される、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの増幅器が、少なくとも１つの電荷変換増幅器を含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つのインターポーザ上に配置される前記少なくとも１つの光検出アレイセンサが、単一のインターポーザ上に配置される２つ以上の光検出アレイセンサを含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
単一のインターポーザ上に配置される前記２つ以上の光検出アレイセンサが、単一のインターポーザ上に配置される２つ以上の光検出アレイセンサであって、矩形グリッドパターンで配置される前記２つ以上の光検出アレイセンサを含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
単一のインターポーザ上に配置される前記２つ以上の光検出アレイセンサが、単一のインターポーザ上に配置される２つ以上の光検出アレイセンサであって、非矩形グリッドパターンで配置される前記２つ以上の光検出アレイセンサを含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
単一のインターポーザ上に配置される前記２つ以上の光検出アレイセンサ、非矩形グリッドパターンで配置される前記２つ以上の光検出アレイセンサが、単一のインターポーザに配置される２つ以上の光検出アレイセンサであって、前記２つ以上の光検出アレイセンサが非矩形グリッドパターンに配置され、前記非矩形グリッドパターンが第１のシリーズの光検出アレイセンサ及び第２のシリーズの光検出アレイセンサを含み、前記第１のシリーズの光検出アレイセンサからのイメージデータストリームが、前記第２のシリーズの光検出アレイセンサからのイメージデータストリームとインタリーブされる、２つ以上の光検出アレイセンサを含む、請求項１０に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つのインターポーザ上に配置される前記少なくとも１つの光検出アレイセンサが、第１のインターポーザ上に配置される第１の光検出アレイセンサ及び少なくとも第２のインターポーザ上に配置される少なくとも第２の光検出アレイセンサであって、隣接して配置される前記第１のインターポーザ及び前記少なくとも第２のインターポーザを含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの光検出アレイセンサが、少なくとも１つの電荷結合素子（ＣＣＤ）ベースの光検出アレイセンサを含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの電荷結合素子ベースの光検出アレイセンサが、少なくとも１つの時間領域積分（ＴＤＩ）ベースの光検出アレイセンサを含む、請求項１３に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの光検出アレイセンサが、少なくとも５００ピクセル列を有する少なくとも１つの光検出アレイを含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの光検出アレイセンサの表面に配置される紫外線（ＵＶ）反射防止コーティングをさらに備える、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの光検出アレイセンサの表面に配置される前記紫外線（ＵＶ）反射防止コーティングが熱酸化物層であって、前記インターポーザの表面で成長する前記熱酸化物層を備える、請求項１６に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記熱酸化物層の表面に配置される１つ又は複数の誘電体層をさらに備える、請求項１７に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記インターポーザが、シリコンインターポーザを含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記少なくとも１つの光検出アレイセンサと前記少なくとも１つのインターポーザとの間に位置決めされるサポート構造であって、前記サポート構造が前記少なくとも１つの光検出アレイセンサにサポートを提供するように構成される、サポート構造をさらに備える、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記サポート構造が、複数のソルダボールを含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記サポート構造が、大量のエポキシ樹脂を含む、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記基板が、選択された値を超える熱導電率を有する、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記基板が、セラミック基板を含む、請求項２３に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記基板がプリント基板上に配置される、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
前記基板が、前記インターポーザと、プリント基板又は１つもしくは複数のソケットの内の少なくとも１つとの間のインタフェースを提供するように構成される、請求項１に記載のインターポーザベースの画像センシングデバイス。
インターポーザベースの光検出アレイセンサデバイスを製作する方法であって、
基板を提供することと、
前記基板の表面の上に少なくとも１つのインターポーザを配置することと、
前記少なくとも１つのインターポーザの表面上に光検出アレイセンサを配置することであって、前記光検出アレイセンサが裏面入射型であり、背面照明のために構成される、配置すること、
を含み、
前記少なくとも１つのインターポーザが、前記１つ又は複数の光検出アレイセンサの出力を増幅するように構成された１つ又は複数の増幅回路網要素、前記１つ又は複数の光検出アレイセンサの出力をデジタル信号に変換するように構成された１つ又は複数のアナログ‐デジタル変換回路網要素、又は１つもしくは複数のドライバ回路網要素、又は１つもしくは追加の回路網要素の内の少なくとも１つを備えること、
を含む、方法。
サンプルステージ上に配置される対象物体の表面に向かって照明を導くように構成された照明光源と、検出器であって、前記検出器が少なくとも１つの光検出アレイデバイスを備え、前記少なくとも１つの光検出アレイデバイスが少なくとも１つのインターポーザ上に配置される少なくとも１つの裏面入射型光検出アレイセンサを備え、前記少なくとも１つの裏面照射型光検出アレイセンサが背面照明用にさらに構成され、前記少なくとも１つのインターポーザが１つもしくは複数の増幅器回路網要素、１つもしくは複数のアナログ‐デジタル変換回路網要素、１つもしくは複数のドライバ回路網要素、又は１つもしくは追加の回路網要素の内の少なくとも１つを備える、検出器と、
前記対象物体の前記表面の上に照明の焦点を合わせるように構成された焦点調節レンズのセットと、
前記対象物体の前記表面から反射される照明を前記検出器に導くように構成された集光レンズのセットと、
を備える検査システム。
前記検査システムが、明視野検査システム又は暗視野検査システムの内の少なくとも１つを備える、請求項２８に記載の検査システム。
前記照明システムが、紫外線（ＵＶ）光、深ＵＶ光、極ＵＶ（ＥＵＶ）光又は真空ＵＶ光の内の少なくとも１つを生成するように構成される、請求項２８に記載の検査システム。
前記１つ又は複数のドライバ回路網要素が、４ボルトを超える電圧振幅で動作するように構成される、請求項２８に記載の検査システム。
前記１つ又は複数のドライバ回路網要素が、負の電圧レベルと正の電圧レベルの両方で動作するように構成される、請求項２８に記載の検査システム。
前記対象物体が半導体ウェハを含む、請求項２８に記載の検査システム。