JP2014236080A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- シリコン系基板と、
前記シリコン系基板上に設けられ、Al組成を含む第一の層と、前記第一の層よりAlの含有が少ない第二の層とが交互に積層された第一のバッファ層と、
前記第一のバッファ層上に設けられ、Al組成を含む第三の層と、前記第三の層よりAlの含有が少ない第四の層とが交互に積層された第二のバッファ層と、
前記第二のバッファ層上に設けられ、Al組成を含む第五の層と、前記第五の層よりAlの含有が少ない第六の層とが交互に積層された第三のバッファ層とを有し、
全体として、前記第二のバッファ層が、前記第一バッファ層及び前記第三バッファ層よりAlの含有が多く、
前記第四の層は、臨界膜厚以上の厚さを有するものであり、且つ前記第二の層及び前記第六の層より転位が多いものであることを特徴とする半導体装置。 - 前記第三のバッファ層上に設けられた能動層をさらに有し、
前記第一の層は、Al組成を含む第一のサブ層と、前記第一のサブ層よりAlの含有が少ない第二のサブ層とが繰り返し形成されたものであり、
前記第五の層は、Al組成を含む第三のサブ層と、前記第三のサブ層よりAlの含有が少ない第四のサブ層とが繰り返し形成されたものであり、
前記第二のサブ層及び前記第四のサブ層は、前記臨界膜厚未満の厚さを有するものであり、
前記第二の層は、前記第一のサブ層よりAlの含有が少なく、前記二のサブ層より厚いものであり、
前記第六の層は、前記第四のサブ層よりAlの含有が少なく、前記第四のサブ層より厚いものであり、
前記第四の層は、前記二のサブ層及び前記第四のサブ層より厚く、前記第二の層及び前記第六の層より薄いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第二のサブ層、前記第二の層、前記第四の層、前記第四のサブ層、及び、前記第六の層は、GaNからなることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第一のサブ層、前記第三の層、及び、前記第三のサブ層は、AlNからなることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体装置。
- 複数の前記第三の層のAlの含有が、前記第三のバッファ層に近いほど少なくなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第二のバッファ層を構成する複数の前記第三の層のうち、前記第二のバッファ層の中央部に配置された前記第三の層が、前記第二のバッファ層の上面側及び下面側に配置された前記第三の層と比較して、Alの含有が少ないことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013116030A JP6029538B2 (ja) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | 半導体装置 |
PCT/JP2014/002407 WO2014192229A1 (ja) | 2013-05-31 | 2014-05-02 | 半導体装置 |
US14/891,942 US9401420B2 (en) | 2013-05-31 | 2014-05-02 | Semiconductor device |
CN201480031054.2A CN105247665B (zh) | 2013-05-31 | 2014-05-02 | 半导体装置 |
TW103116866A TWI574310B (zh) | 2013-05-31 | 2014-05-13 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013116030A JP6029538B2 (ja) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014236080A JP2014236080A (ja) | 2014-12-15 |
JP2014236080A5 true JP2014236080A5 (ja) | 2015-12-24 |
JP6029538B2 JP6029538B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=51988284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013116030A Active JP6029538B2 (ja) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9401420B2 (ja) |
JP (1) | JP6029538B2 (ja) |
CN (1) | CN105247665B (ja) |
TW (1) | TWI574310B (ja) |
WO (1) | WO2014192229A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6615075B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2019-12-04 | サンケン電気株式会社 | 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、及び、半導体デバイス用基板の製造方法 |
CN112820773B (zh) * | 2019-11-18 | 2024-05-07 | 联华电子股份有限公司 | 一种高电子迁移率晶体管 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1081818B1 (en) * | 1995-09-18 | 2004-08-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser devices |
EP2234142A1 (en) * | 1997-04-11 | 2010-09-29 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor substrate |
US6255198B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-07-03 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby |
JP3986887B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2007-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
US7052942B1 (en) * | 2003-09-19 | 2006-05-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Surface passivation of GaN devices in epitaxial growth chamber |
US7326971B2 (en) * | 2005-06-08 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Gallium nitride based high-electron mobility devices |
JP5309451B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2013-10-09 | サンケン電気株式会社 | 半導体ウエーハ及び半導体素子及び製造方法 |
US8067787B2 (en) * | 2008-02-07 | 2011-11-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor electronic device |
JP2010219176A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5477685B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-04-23 | サンケン電気株式会社 | 半導体ウェーハ及び半導体素子及びその製造方法 |
JP5572976B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-08-20 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP5564842B2 (ja) * | 2009-07-10 | 2014-08-06 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
-
2013
- 2013-05-31 JP JP2013116030A patent/JP6029538B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-02 WO PCT/JP2014/002407 patent/WO2014192229A1/ja active Application Filing
- 2014-05-02 US US14/891,942 patent/US9401420B2/en active Active
- 2014-05-02 CN CN201480031054.2A patent/CN105247665B/zh active Active
- 2014-05-13 TW TW103116866A patent/TWI574310B/zh active
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