JP2014236080A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. シリコン系基板と、
   前記シリコン系基板上に設けられ、Ａｌ組成を含む第一の層と、前記第一の層よりＡｌの含有が少ない第二の層とが交互に積層された第一のバッファ層と、
   前記第一のバッファ層上に設けられ、Ａｌ組成を含む第三の層と、前記第三の層よりＡｌの含有が少ない第四の層とが交互に積層された第二のバッファ層と、
   前記第二のバッファ層上に設けられ、Ａｌ組成を含む第五の層と、前記第五の層よりＡｌの含有が少ない第六の層とが交互に積層された第三のバッファ層とを有し、
   全体として、前記第二のバッファ層が、前記第一バッファ層及び前記第三バッファ層よりＡｌの含有が多く、
   前記第四の層は、臨界膜厚以上の厚さを有するものであり、且つ前記第二の層及び前記第六の層より転位が多いものであることを特徴とする半導体装置。
2. 前記第三のバッファ層上に設けられた能動層をさらに有し、
   前記第一の層は、Ａｌ組成を含む第一のサブ層と、前記第一のサブ層よりＡｌの含有が少ない第二のサブ層とが繰り返し形成されたものであり、
   前記第五の層は、Ａｌ組成を含む第三のサブ層と、前記第三のサブ層よりＡｌの含有が少ない第四のサブ層とが繰り返し形成されたものであり、
   前記第二のサブ層及び前記第四のサブ層は、前記臨界膜厚未満の厚さを有するものであり、
   前記第二の層は、前記第一のサブ層よりＡｌの含有が少なく、前記二のサブ層より厚いものであり、
   前記第六の層は、前記第四のサブ層よりＡｌの含有が少なく、前記第四のサブ層より厚いものであり、
   前記第四の層は、前記二のサブ層及び前記第四のサブ層より厚く、前記第二の層及び前記第六の層より薄いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第二のサブ層、前記第二の層、前記第四の層、前記第四のサブ層、及び、前記第六の層は、ＧａＮからなることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第一のサブ層、前記第三の層、及び、前記第三のサブ層は、ＡｌＮからなることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
5. 複数の前記第三の層のＡｌの含有が、前記第三のバッファ層に近いほど少なくなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
6. 前記第二のバッファ層を構成する複数の前記第三の層のうち、前記第二のバッファ層の中央部に配置された前記第三の層が、前記第二のバッファ層の上面側及び下面側に配置された前記第三の層と比較して、Ａｌの含有が少ないことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。