JP2014235958A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子に対する優れた封止機能を有する電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、基板としての素子基板１０と、素子基板１０上に設けられた発光素子を含む発光画素２０（２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ）と、素子基板１０の外縁に沿って額縁状に設けられ、発光素子が設けられた第１領域としての表示領域Ｅ、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、外部接続用端子１０３を囲むように設けられたガードライン１０５と、表示領域Ｅを覆うと共に、ガードライン１０５に至る封止膜又は封止構造を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、該電気光学装置を備えた電子機器に関する。

電気光学装置として、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に配置され、発光層を含む機能層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以降、有機ＥＬ素子と言う）を備えた有機ＥＬ装置が知られている。
有機ＥＬ素子は、外部から水分などが機能層に浸入すると、発光機能が失われることがある。それゆえに、有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置では、有機ＥＬ素子に水分などが浸入しないように、有機ＥＬ素子を封止する構造が採用されている。
例えば、特許文献１には、陰極として機能する第２電極を覆う緩衝層を形成する工程と、該緩衝層を覆うガスバリア層を形成する工程とを有する有機ＥＬ装置の製造方法が開示されている。さらに、第２電極を覆う電極保護層を形成してから、該緩衝層を形成する方法も開示されている。
このような有機ＥＬ装置の製造方法によれば、ガスバリア層として水分遮断性に優れる無機膜を用いたとしても、有機ＥＬ素子との間に緩衝層が形成されているので、有機ＥＬ素子を直接にガスバリア層で覆う場合に比べて、熱や圧力などのストレスによってガスバリア層にクラックや剥がれが生ずることを低減し、優れたガスバリア性を有する封止構造を実現できるとしている。

特開２００６−１４７５２８号公報

しかしながら、上記特許文献１に示された封止構造を採用したとしても、実際の有機ＥＬ装置の製造において、複数の有機ＥＬ装置がレイアウトされて形成されたマザー基板から個々の有機ＥＬ装置を取り出そうとして、マザー基板を切断すると、切断面から水分などが浸入して、有機ＥＬ素子の発光機能が失われるおそれがあった。特に、小型の有機ＥＬ装置になると、大型の有機ＥＬ装置に比べて、切断面から有機ＥＬ素子までの距離を十分に確保することが難しく、封止構造の改善が望まれていた。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係わる電気光学装置は、基板と、前記基板上の第１領域に設けられた発光素子と、前記第１領域を囲むように設けられたガードラインと、前記第１領域を覆うと共に、前記ガードラインに至る封止膜又は封止構造を有することを特徴とする。

本適用例の構成によれば、封止膜又は封止構造によって発光素子を封止するだけでなく、ガードラインによって基板の端面側から水分などが浸入して発光素子の発光機能が低下したり、失われたりすることを低減できる。ゆえに、発光機能において高い信頼性品質を有する発光素子を備えた電気光学装置を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記封止膜又は前記封止構造は、前記基板の少なくとも１辺において、前記ガードラインに至るように設けられているとしてもよい。
この構成によれば、基板の少なくとも１辺において、ガードラインに至るように封止膜又は封止構造を設けることで、ガードラインが無い場合に比べて、発光機能における信頼性品質を向上させることができる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記基板は、外部接続用端子が設けられた第１辺を有し、前記封止膜又は前記封止構造は、前記第１辺を除く辺において、前記ガードラインに至るように設けられているとしてもよい。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記封止膜又は前記封止構造は、前記基板の４辺において、前記ガードラインに至るように設けられていることが好ましい。
これらの構成によれば、発光機能においてより高い信頼性品質を有する発光素子を備えた電気光学装置を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記基板上に設けられた複数の配線層を有し、前記ガードラインは、前記複数の配線層のうち、少なくとも２つの配線層のそれぞれに設けられた配線を含むことを特徴とする。
この構成によれば、基板の複数の配線層のうち少なくとも２つの配線層に亘ってガードラインが設けられているので、少なくとも２つの配線層に係わる基板の端面側から水分などが浸入することを抑制できる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記基板は、半導体基板であって、前記ガードラインは、前記半導体基板に電気的に接続されていることを特徴とする。
この構成によれば、半導体基板から複数の配線層にかけてガードラインが設けられているので、半導体基板の端面側から水分などが浸入することを抑制できる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記ガードラインには、所定の電位が供給されることを特徴とする。
この構成によれば、ガードラインを、発光素子に対する封止機能を改善する手段として機能させるだけでなく、外部からの電気的なノイズが電気光学装置の内部に伝播することを防止するためのシールドとして機能させることが可能となる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記封止構造は、前記基板の前記発光素子との間に空間を有するように、前記基板に貼り合わされた封止材を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、所謂、缶封止構造を有する電気光学装置を提供できる。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記封止構造は、前記発光素子が設けられた前記第１領域を封着するように、前記基板に貼り合わされた封止基板を備えているとしてもよい。

上記適用例に係わる電気光学装置において、前記発光素子が有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。
この構成によれば、発光機能においてより高い信頼性品質を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電気光学装置を提供できる。

［適用例］本適用例に係わる電気光学装置の製造方法は、基板上の第１領域に設けられた発光素子と、前記発光素子を封止する封止膜又は封止構造とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記第１領域を囲むようにガードラインを形成する工程と、前記第１領域を覆うと共に、前記ガードラインに至るように前記封止膜又は前記封止構造を形成する封止工程とを有することを特徴とする。

本適用例に係わる電気光学装置の製造方法によれば、発光機能においてより高い信頼性品質を有する発光素子を備えた電気光学装置を製造できる。

［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例の構成によれば、発光機能において高い信頼性品質を有する電子機器を提供できる。

第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 発光画素の電気的な構成を示す等価回路図。 発光画素の配置を示す概略平面図。 図１のＡ−Ａ’線に沿って切ったときの発光画素及びガードラインの構造を示す概略断面図。 図１のＨ−Ｈ’線に沿って切ったときの発光画素及びガードラインの構造を示す概略断面図。 （ａ）はマザー基板を示す概略平面図、（ｂ）はマザー基板における素子基板の配置を示す概略平面図。 第２実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 図７のＨ−Ｈ’線に沿って切った概略断面図。 電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図。 変形例の有機ＥＬ装置における封止構造を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は変形例の封止構造を示す概略断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置の一例として、有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と呼ぶ）を挙げ、図１〜図５を参照して説明する。

図１は第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図２は発光画素の電気的な構成を示す等価回路図である。
図１に示すように、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、基板としての素子基板１０と、素子基板１０の第１領域としての表示領域Ｅにマトリックス状に配置された複数の発光画素２０と、複数の発光画素２０を駆動制御する周辺回路であるデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２と、外部回路との電気的な接続を図るための複数の外部接続用端子１０３とを備えている。また、素子基板１０の外縁に沿って、これらの構成を囲むように額縁状に配置されたガードライン１０５を備えている。

発光画素２０は、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとがある。また、同色の発光が得られる発光画素２０が図面上において縦方向に配列し、異なる色の発光が得られる発光画素２０が、図面上において横方向にＢ，Ｇ，Ｒの順に繰り返して配置されている。このような発光画素２０の配置は、ストライプ方式と呼ばれるものであるが、これに限定されるものではない。例えば、異なる色の発光が得られる発光画素２０の横方向における配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの順としてもよい。
以降、同色の発光が得られる発光画素２０が配列した縦方向をＹ方向とし、Ｙ方向に直交する方向をＸ方向として説明する。

発光画素２０の詳しい構成については後述するが、本実施形態における発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と呼ぶ）と、Ｂ，Ｇ，Ｒに対応するカラーフィルターとを備え、有機ＥＬ素子からの発光をＢ，Ｇ，Ｒの発光色に変換してフルカラー表示を可能とするものである。また、有機ＥＬ素子からの発光波長範囲のうち特定の波長の輝度を向上させる光共振構造が発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに構築されている。

有機ＥＬ装置１００において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒは、サブ画素として機能するものであり、Ｂ，Ｇ，Ｒに対応する発光が得られる３つの発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにより、画像表示における１つの画素単位が構成されている。なお、画素単位の構成はこれに限定されず、Ｂ，Ｇ，Ｒ以外の発光色（白色を含む）が得られる発光画素が画素単位に含まれていてもよい。

素子基板１０の第１辺部に沿って、複数の外部接続用端子１０３がＸ方向に配列して設けられている。また、Ｙ方向において外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間にデータ線駆動回路１０１が配置され、Ｘ方向に延在している。また、Ｘ方向において表示領域Ｅを挟んで互いに対向するように一対の走査線駆動回路１０２が設けられている。また、走査線駆動回路１０２は、上記第１辺部と直交する第２辺部において、ガードライン１０５と表示領域Ｅとの間に配置され、Ｙ方向に延在している。

前述したように表示領域Ｅには、複数の発光画素２０がマトリックス状に設けられており、素子基板１０には、図２に示すように、発光画素２０に対応する信号線として、走査線１１、データ線１２、点灯制御線１３、電源線１４が設けられている。
本実施形態では、走査線１１と点灯制御線１３とがＸ方向に並行して延びており、データ線１２と電源線１４とがＹ方向に並行して延びている。
表示領域Ｅには、マトリックス状に配置された複数の発光画素２０におけるＭ行に対応して複数の走査線１１と複数の点灯制御線１３とが設けられ、図１に示した一対の走査線駆動回路１０２のそれぞれに接続されている。また、マトリックス状に配置された複数の発光画素２０におけるＮ列に対応して複数のデータ線１２と複数の電源線１４とが設けられ、複数のデータ線１２は、図１に示したデータ線駆動回路１０１に接続され、複数の電源線１４は複数の外部接続用端子１０３のうちいずれかと接続されている。

走査線１１とデータ線１２との交差部付近に、発光画素２０の画素回路を構成する第１トランジスター２１、第２トランジスター２２、第３トランジスター２３、蓄積容量２４、そして発光素子である有機ＥＬ素子３０が設けられている。
有機ＥＬ素子３０は、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３３と、これらの電極間に挟まれた、発光層を含む機能層３２とを有している。対向電極３３は、複数の発光画素２０に跨って共通に設けられた電極であり、例えば、電源線１４に与えられる電源電圧Ｖｄｄに対して、低位の基準電位ＶｓｓやＧＮＤの電位が与えられる。

第１トランジスター２１及び第３トランジスター２３は、例えばｎチャネル型のトランジスターである。第２トランジスター２２は、例えばｐチャネル型のトランジスターである。
第１トランジスター２１のゲート電極は走査線１１に接続され、一方の電流端はデータ線１２に接続され、他方の電流端は第２トランジスター２２のゲート電極と、蓄積容量２４の一方の電極とに接続されている。
第２トランジスター２２の一方の電流端は、電源線１４に接続されると共に蓄積容量２４の他方の電極に接続されている。第２トランジスター２２の他方の電流端は、第３トランジスター２３の一方の電流端に接続されている。言い換えれば、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とは一対の電流端のうち１つの電流端を共有している。
第３トランジスター２３のゲート電極は点灯制御線１３に接続され、他方の電流端は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。
ここで、第１トランジスター２１、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３のそれぞれにおける一対の電流端は、一方がソースであり、他方がドレインである。

このような画素回路において、走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベルになると、ｎチェネル型の第１トランジスター２１がオン状態（ＯＮ）となり、データ線１２と蓄積容量２４とがオン状態の第１トランジスター２１を介して電気的に接続される。そして、データ線駆動回路１０１からデータ線１２にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線１４に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差が蓄積容量２４に蓄積される。

走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレベルになると、ｎチェネル型の第１トランジスター２１がオフ状態（ＯＦＦ）となり、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬｏｗレベルになった後、点灯制御線１３に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、第３トランジスター２３がオン状態（ＯＮ）となる。そうすると、第２トランジスター２２のソース・ドレイン間には、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流が流れる。この電流は、具体的には、電源線１４から第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に至る経路で流れる。

有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる電流の大きさに応じて発光する。有機ＥＬ素子３０を流れる電流は、第２トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓで設定される第２トランジスター２２と有機ＥＬ素子３０の動作点によって定まる。第２トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓは、走査信号ＹｉがＨｉレベルのときに、データ線１２の電圧水準Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差によって蓄積容量２４に保持された電圧である。このように、発光画素２０は、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａ及び第３トランジスター２３がオン状態になる期間の長さによって発光輝度が規定される。ここで、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値によって発光画素２０において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができ、フルカラー表示を可能としている。

なお、本実施形態において、発光画素２０の画素回路は、３つのトランジスター２１，２２，２３を有することに限定されず、スイッチング用トランジスターと駆動用トランジスターとを有する構成としてもよい。また画素回路を構成するトランジスターは、ｎチャネル型のトランジスターでもよいし、ｐチャネル型のトランジスターでもよいし、ｎチャネル型のトランジスター及びｐチャネル型のトランジスターの双方を備えるものであってもよい。また、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、薄膜トランジスターであってもよいし、電界効果トランジスターであってもよい。
また、走査線１１、データ線１２以外の信号線である点灯制御線１３、電源線１４の配置は、トランジスターや蓄積容量２４の配置により左右され、これに限定されるものではない。
本実施形態では、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターとして、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターを採用した例について、以降説明する。

発光画素２０の具体的な構成や構造について図３〜図５を参照して説明する。図３は発光画素の配置を示す概略平面図、図４は図１のＡ−Ａ’線に沿って切ったときの発光画素及びガードラインの構造を示す概略断面図、図５は図１のＨ−Ｈ’線に沿って切ったときの発光画素及びガードラインの構造を示す概略断面図である。なお、図４では画素回路のうち、第１トランジスター２１と、第１トランジスター２１に関連する配線などを示し、第２トランジスター２２や第３トランジスター２３の図示を省略している。図５では画素回路のうち、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３と、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３に関連する配線などを示し、第１トランジスター２１の図示を省略している。

図３に示すように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれには、図２に示した等価回路の有機ＥＬ素子３０が設けられている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０を区別するため、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒとして説明することもある。また、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１を発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに区別するため、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとして説明することもある。

発光画素２０Ｂには画素電極３１Ｂと、画素電極３１Ｂと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｂｃとが設けられている。同様に、発光画素２０Ｇには画素電極３１Ｇと、画素電極３１Ｇと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｇｃとが設けられている。発光画素２０Ｒには画素電極３１Ｒと、画素電極３１Ｒと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｒｃとが設けられている。
各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒも平面視で略矩形状であり、長手方向の上方側に各コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃがそれぞれ配置されている。

発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、隣り合う画素電極３１同士を電気的に絶縁すると共に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に機能層３２と接する領域を規定する開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが形成された絶縁構造を有している。

図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ、カラーフィルター５０などが形成された素子基板１０と、透光性の封止基板７０とを備えている。素子基板１０と封止基板７０とは、接着性と透明性とを兼ね備えた樹脂層６０によって貼り合わされている。カラーフィルター５０は、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色に対応したフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを有している。各フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、素子基板１０において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに対応して配置されている。機能層３２から発せられた光は、対応するフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒのいずれかを透過して封止基板７０側から射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造となっている。

素子基板１０の基材１０ｓは、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、透明なガラス基板だけでなく、不透明なセラミック基板や半導体基板を用いることができる。
本実施形態では、基材１０ｓとして半導体基板を用いている。半導体基板は例えばシリコン基板である。

基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０ｗと、ウェル部１０ｗとは異なる種類のイオンをウェル部１０ｗに注入することにより形成されたイオン注入部１０ｄとが設けられている。ウェル部１０ｗは、発光画素２０におけるトランジスターのチャネルとして機能し、イオン注入部１０ｄは、発光画素２０におけるトランジスターのソース・ドレインや配線の一部として機能するものである。

イオン注入部１０ｄやウェル部１０ｗが形成された基材１０ｓの表面を覆う絶縁膜１０ａが形成されている。絶縁膜１０ａはゲート絶縁膜として機能するものである。絶縁膜１０ａ上に例えばポリシリコンなどの導電膜が成膜され、これをパターニングして第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇが形成される。ゲート電極２２ｇは、第２トランジスター２２のチャネルとして機能するウェル部１０ｗに対向して配置される。他の第１トランジスター２１や第３トランジスター２３においても同様にこの導電膜を利用してゲート電極が配置される。

ゲート電極２２ｇを覆う第１層間絶縁膜１５が形成される。そして、第１層間絶縁膜１５を貫通して、例えば、第１トランジスター２１のゲート、ソース、ドレインや第２トランジスター２１のゲート電極２２ｇに至るコンタクトホールが形成される。これらのコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば、第１トランジスター２１のドレイン電極２１ｄや、ドレイン電極２１ｄと、第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとを接続させる配線などが形成される。

第１層間絶縁膜１５上の各種配線を覆う第２層間絶縁膜１６が形成される。そして、第２層間絶縁膜１６を貫通して、第１層間絶縁膜１５上に形成された配線に至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁膜１６の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば、蓄積容量２４の一方の電極２４ａやデータ線１２が形成される。これにより、蓄積容量２４の一方の電極２４ａはコンタクトホールを介して第１層間絶縁膜１５上に形成された配線に接続される。つまり、一方の電極２４ａは電気的に第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇに接続される。

次に、少なくとも一方の電極２４ａを覆う誘電体層（図４では図示を省略している）が形成される。また、誘電体層を挟んで一方の電極２４ａに対向する位置に蓄積容量２４の他方の電極２４ｂが形成される。これにより、一対の電極２４ａ，２４ｂ間に誘電体層を有する蓄積容量２４が形成される。

蓄積容量２４を覆う第３層間絶縁膜１７が形成される。第３層間絶縁膜１７を貫通して、例えば、蓄積容量２４の他方の電極２４ｂや第２層間絶縁膜１６上に形成された配線に至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第３層間絶縁膜１７の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、電源線１４や他の配線が形成される。本実施形態では、電源線１４は光反射性と導電性とを兼ね備えた、例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）などの金属、あるいはこれらの金属の合金を用いて形成される。また、電源線１４は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのコンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃ（図３参照）と重なる部分を除いて、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向し、表示領域Ｅに亘る平面を構成するように形成される。電源線１４の画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向する部分が反射層として機能する。
なお、導電性を有する材料で電源線１４を形成し、電源線１４と画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとの間に、別途、反射層を設ける構成としてもよい。

電源線１４を覆う第１絶縁膜２５が形成される。続いて、第１絶縁膜２５に第２絶縁膜２６、第３絶縁膜２７が積層して形成される。本実施形態では、第１絶縁膜２５を形成する絶縁材料として窒化シリコン（ＳｉＮ）が用いられている。第２絶縁膜２６、第３絶縁膜２７を形成する絶縁材料として酸化シリコン（ＳｉＯ₂）が用いられている。このように、異なる絶縁材料が用いられているのは、この後に行われる第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７のパターニングにおいて、第１絶縁膜２５に対してエッチング選択比を持たせるためである。

次に、第３絶縁膜２７を部分的にエッチングして、図３に示すように、平面視で発光画素２０Ｂの画素電極３１Ｂと発光画素２０Ｇの画素電極３１Ｇとが後に配置される開口２７ａが形成される。さらに、開口２７ａ内に露出させた第２絶縁膜２６を部分的にエッチングして、図３に示すように、平面視で発光画素２０Ｂの画素電極３１Ｂが後に配置される開口２６ａが形成される。

次に、開口２６ａ内及び開口２７ａ内を被覆すると共に、第３絶縁膜２７を覆う透明導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、開口２６ａ内に画素電極３１Ｂが形成され、開口２７ａ内に画素電極３１Ｇが形成され、第３絶縁膜２７上に画素電極３１Ｒが形成される。透明導電膜は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜である。画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚は、およそ１００ｎｍである。これにより、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間には第１絶縁膜２５が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間には第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とが存在し、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間には第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６、第３絶縁膜２７が存在することになる。以降、電源線１４と画素電極３１との間に設けられた絶縁膜の層数に関らず、これを総称して絶縁膜２８と呼ぶ。

次に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒを覆う絶縁膜２９が形成される。絶縁膜２９は例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）を用いて形成される。そして、この後に形成される機能層３２と各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとが接する領域を規定するために、絶縁膜２９を部分的にエッチングして、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に開口する開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが形成される。絶縁膜２９の膜厚はおよそ６０ｎｍである。

次に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒが配置された表示領域Ｅに亘って、上記開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒを埋めるように機能層３２が形成される。
機能層３２は、発光材料として有機半導体材料が用いられた発光層を含んでおり、例えば、画素電極３１側から順に積層された、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含んで構成される。機能層３２の構成は、特に限定されるものではなく、公知の構成を適用することができる。例えば、機能層３２は、Ｂ（青），Ｇ（緑），Ｒ（赤）の各発光色が得られる発光層を含んで白色発光を実現するものや、Ｂ（青）と橙の発光色が得られる発光層を含んで擬似白色を実現するものでもよい。また、発光効率などを改善する目的で、発光層に注入されるキャリアとしての正孔や電子の移動を助けたり、妨げたりする中間層を含む構成としてもよい。
機能層３２を構成する各層の形成方法についても特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法などの気相プロセスやインクジェット法などの液相プロセスを用いることができる。あるいは気相プロセスと液相プロセスの両方を組み合わせて機能層３２を形成してもよい。

次に、少なくとも表示領域Ｅに跨って機能層３２を覆うように共通の陰極である対向電極３３が形成される。本実施形態では、対向電極３３は、光反射性と光透過性とを有するように、例えば、Ａｇを含む合金（ＭｇＡｇなど）を用い膜厚を制御して形成される。対向電極３３は、水分や熱などによる機能層３２の損傷を考慮して、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成することが好ましい。これにより、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに有機ＥＬ素子３０が形成される。

なお、表示領域Ｅを囲んで陰極配線３６が絶縁膜２８上に設けられている。陰極配線３６は、Ａｌなどの金属材料からなる配線３４と、配線３４を被覆する導電性の保護膜３５とを含んで構成されている。保護膜３５は画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと同じ透明導電膜が用いられている。また、絶縁膜２９は、陰極配線３６上に開口を有するように陰極配線３６の外縁を覆って形成されている。対向電極３３は、機能層３２を覆うと共に、陰極配線３６と重なるように形成される。陰極配線３６は、複数の外部接続用端子１０３のうちいずれかに接続され、対向電極３３に例えば基準電位ＶｓｓやＧＮＤなどの電位を与える配線である。

次に、表示領域Ｅに形成された複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層４０を形成する。本実施形態では、封止層４０は、対向電極３３の表面を覆う第１封止膜４１と、緩衝層４２と、緩衝層４２を覆う第２封止膜４３とにより構成されている。

第１封止膜４１は、水分や酸素などのガスを透過し難く（ガスバリア性）、且つ透明性が得られる、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタンなどの金属酸化物などの無機化合物を用いて形成される。形成方法としては、低温で緻密な膜を形成可能な気相プロセスを用いることが好ましく、例えば、プラズマＣＶＤ法やＥＣＲプラズマスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法や、真空蒸着法、イオンプレーティング法を挙げることができる。第１封止膜４１の膜厚はおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。

第１封止膜４１の表面は、下層に設けられた有機ＥＬ素子３０などの構造体の影響を受けて凹凸が生ずる。本実施形態では、該凹凸や異物の付着などに起因する第２封止膜４３の封止機能の低下を防止するために、第１封止膜４１の表面のうち少なくとも表示領域Ｅにおける該凹凸を緩和して平坦化する緩衝層４２が形成される。
緩衝層４２は、例えば、透明性を有する有機樹脂を溶媒に溶解させた溶液を用い、印刷法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより形成された有機樹脂層である。有機樹脂としては、エポキシ樹脂などを挙げることができる。第１封止膜４１の表面の該凹凸を緩和したり、第１封止膜４１に付着した異物を覆って平坦化することから、その膜厚は、１μｍ〜５μｍが好ましく、本実施形態では、エポキシ樹脂を用いて膜厚がおよそ３μｍの緩衝層４２を形成した。ここで、平面視で、緩衝層４２は少なくとも機能層３２を覆うように形成されており、対向電極３３を覆うように形成されることが好ましい。緩衝層４２を少なくとも機能層３２を覆うように形成することで、機能層３２の端部での凹凸を緩和することができる。また、緩衝層４２は、周辺回路（図４では走査線駆動回路１０２）の表示領域Ｅ側の少なくとも一部を覆うようにしてもよい。

次に、緩衝層４２を覆う第２封止膜４３が形成される。第２封止膜４３は、第１封止膜４１と同様に、透明性とガスバリア性とを兼ね備え、耐水性、耐熱性に優れた無機化合物を用いて形成される。無機化合物としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンが挙げられる。第２封止膜４３は、第１封止膜４１と同じ方法を用いて形成することができる。第２封止膜４３の膜厚は、成膜時にクラックが生じないように、２００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で成膜されることが好ましく、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で成膜することがより好ましい。これにより、少なくとも表示領域Ｅにおいて、緩衝層４２を挟んで第１封止膜４１と第２封止膜４３とが積層された封止層４０ができあがる。ここで、緩衝層４２を対向電極３３を覆うように形成すれば、第１封止膜４１とこれに直接積層した第２封止膜４３により、対向電極３３の端部（陰極配線３６と重なる部分を含む）を覆うことができる。

次に、封止層４０上にカラーフィルター５０が形成される。カラーフィルター５０は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対応したフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを有するものである。フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒのそれぞれは、例えば、染料や顔料などの色材が溶解あるいは分散された感光性樹脂材料を含む溶液を塗布して乾燥することにより得られた感光性樹脂層を露光・現像することにより形成される。したがって、３色のフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを形成する場合、少なくとも３回の露光・現像が行われる。図４では、フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒの膜厚が同じであるように示されているが、実際には、有機ＥＬ素子３０からの発光が各フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを透過したときに、適正な色度やホワイトバランスなどの光学特性が得られるように、１．０μｍ〜２．０μｍの範囲内でフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒの膜厚がそれぞれ調整される。
また、フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは平面視でそれぞれ対応する画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと重なり合うように露光・現像されている。さらに、隣り合うフィルター層の境界は、画素電極間に位置して、一方のフィルター層に対して他方のフィルター層の一部が重なるように露光・現像されていてもよい。

本実施形態では、有機ＥＬ素子３０から発せられた光がカラーフィルター５０を透過することで、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに所望の発光色が得られる構成となっている。加えて、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに反射層として機能する電源線１４と対向電極３３との間で光共振構造が構築されており、Ｂ，Ｇ，Ｒの各発光色に対応した共振波長において輝度が強調された発光が得られる。
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとの共振波長は、反射層としての電源線１４と対向電極３３との間の光学的な距離（光路長とも言う）によって決まる。
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとの上記光学的な距離は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に大きくなり、電源線１４と画素電極３１との間に配置された絶縁膜２８の膜厚を異ならせることによって調整されている。具体的には、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間には第１絶縁膜２５が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間には第１絶縁膜２５及び第２絶縁膜２６が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間には第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６、第３絶縁膜２７が存在することで該光学的な距離が発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに異なっている。絶縁膜２８の部分の光学的な距離は、光が透過する絶縁膜の膜厚（ｔ）と屈折率（ｎ）との積によって表すことができる。なお、光が透過する層の屈折率は、透過する光の波長に依存する。

次に、ガードライン１０５について説明する。前述したように、基材１０ｓ上には、複数の配線層が設けられ、発光画素２０の画素回路を構成する、複数のトランジスター２１，２２，２３、蓄積容量２４、これに接続される配線が複数の配線層に分かれて形成されている。以降、複数の配線層のそれぞれを、ゲート電極２２ｇが設けられた配線層を第１配線層、ゲート電極２２ｇに繋がる配線が設けられた配線層を第２配線層、一対の電極２４ａ，２４ｂやデータ線１２が設けられた配線層を第３配線層、電源線１４が設けられた配線層を第４配線層と呼ぶこととする。

本実施形態のガードライン１０５は、平面視では、図１に示すように素子基板１０（基材１０ｓ）の外縁に沿って額縁状に設けられている。その一方で、図４に示すように、ガードライン１０５は、第２配線層に設けられた配線１０５ａと、第３配線層に設けられた配線１０５ｂと、第４配線層に設けられた配線１０５ｃと、絶縁膜２８上に設けられた配線１０５ｄとを含んでいる。配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄのそれぞれは対応する配線層において、額縁状に形成されている。
配線１０５ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）などの金属材料を用いて形成されている。配線１０５ｂは、蓄積容量２４の一方の電極２４ａと同じ例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの金属化合物を用いて形成されている。配線１０５ｃは電源線１４と同じ材料で形成されている。絶縁膜２８上に設けられた配線１０５ｄは、例えば、Ａｌ（アルミニウム）などの金属材料を用いて形成され、表面が酸化されないように、画素電極３１と同じ透明導電膜を用いて形成された保護膜１０５ｅによって被覆されている。

また、ガードライン１０５は、配線１０５ａと基材１０ｓのイオン注入部１０ｄとを電気的に接続させるコンタクト部１０５ｆと、配線１０５ａと配線１０５ｂとを電気的に接続させるコンタクト部１０５ｇと、配線１０５ｂと配線１０５ｃとを電気的に接続させるコンタクト部１０５ｈと、配線１０５ｃと配線１０５ｄとを電気的に接続させるコンタクト部１０５ｉとを含んでいる。つまり、ガードライン１０５は、半導体基板である基材１０ｓに電気的に接続されている。なお、各コンタクト部１０５ｆ，１０５ｇ，１０５ｈ，１０５ｉも配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄと同様に、平面視で素子基板１０（基材１０ｓ）の外縁に沿って額縁状に形成することが好ましい。

ガードライン１０５の幅、具体的には、基材１０ｓから最も遠い位置にある配線１０５ｄの幅は、およそ２０μｍ〜５０μｍである。

図５は、有機ＥＬ装置１００における外部接続用端子１０３が設けられた第１辺部側のガードライン１０５及び発光画素２０Ｇの構造を示す概略断面図である。

ここで発光画素２０Ｇの構造について図５を参照して説明しておく。光共振構造を有する発光画素２０Ｇでは、反射層として機能する電源線１４と画素電極３１Ｇとの間に、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とが配置されている。画素電極３１Ｇは第３絶縁膜２７に設けられた開口２７ａを埋めると共に、コンタクト部３１Ｇｃに設けられた配線１０６と一部が重なるようにパターニングされている。配線１０６は、下層の絶縁膜２８、第３層間絶縁膜１７、第２層間絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１５を貫通して設けられたコンタクト部によって、第３トランジスター２３のソース電極２３ｓに接続されている。第３トランジスター２３のゲート電極２３ｇは、第１層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールによって、第１層間絶縁膜１５上に形成された点灯制御線１３に接続されている。
発光画素２０Ｂ，２０Ｒの画素電極３１Ｂ，３１Ｒのそれぞれと対応する第３トランジスター２３のソース電極２３ｓとの電気的な接続は、発光画素２０Ｇと同様にコンタクト部３１Ｂｃ、コンタクト部３１Ｒｃを介して行われている。

基材１０ｓに設けられた第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とは互いにドレイン（イオン注入部１０ｄ）を共有している。また、第２トランジスター２２のソースは、第３層間絶縁膜１７、第２層間絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１５を貫通して設けられたコンタクト部によって、電源線１４に接続されている。

発光画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０を封止する封止層４０のうち緩衝層４２は、平面視で表示領域Ｅと陰極配線３６とを覆うように設けられている。それ以外の素子基板１０の端面１０ｅに至る領域では、第１封止膜４１と第２封止膜４３とが接して積層されている。素子基板１０の第１辺部側において、第１封止膜４１、第２封止膜４３を貫通する開口４５が設けられ、開口４５内に外部接続用端子１０３が位置している。なお、緩衝層４２は、周辺回路（図５ではデータ線駆動回路１０１）の表示領域Ｅ側の少なくとも一部を覆うようにしてもよい。

外部接続用端子１０３は、周辺回路との電気的な接続を図るため、基材１０ｓ上の複数の配線層のうち、例えば、第２配線層に設けられた配線１０３ａと、第３配線層に設けられた配線１０３ｂと、第４配線層に設けられた配線１０３ｃと、絶縁膜２８上に設けられた配線１０３ｄと、これらの配線を電気的に接続させるコンタクト部とを含んで構成されている。配線１０３ｄは例えばＡｌなどの金属材料を用いて形成され、その表面を保護する保護膜１０３ｅを有している。保護膜１０３ｅは、画素電極３１と同じ透明導電膜が用いられている。つまり、配線１０３ｄは、ガードライン１０５の配線１０５ｄ（図４参照）と同層に形成され、画素電極３１と同じ透明導電膜により被覆されている。

第１辺部側のガードライン１０５は、配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃと、これらの配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを電気的に接続させるコンタクト部１０５ｆ，１０５ｇ，１０５ｈとを含んで構成されている。つまり、第１辺部以外の辺部におけるガードライン１０５（図４参照）に対して、配線１０５ｄとコンタクト部１０５ｉが含まれていない。外部接続用端子１０３に例えば異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いてフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）を熱圧着して実装する場合、ＡＣＦ中に含まれる導電粒子によって、第１封止膜４１、第２封止膜４３が破壊されると、外部接続用端子１０３とガードライン１０５とが電気的に短絡するおそれがある。そこで、第１辺部側では、ガードライン１０５のうち、外部接続用端子１０３の配線１０３ｄと同層に位置する配線１０５ｄと、配線１０５ｄに接続されるコンタクト部１０５ｉとを除いている。

このようにガードライン１０５は、基材１０ｓ上の複数の配線層や絶縁膜２８上に設けられた複数の配線と、該複数の配線を互いに接続させるコンタクト部とを含んで設けられているので、素子基板１０の端面１０ｅ、とりわけ配線層間や絶縁膜間から水分や酸素が内部へ浸入することを抑制できる。

端面１０ｅから浸入する水分や酸素などが有機ＥＬ素子３０に影響を及ぼさないようにするという観点から、ガードライン１０５は、基材１０ｓ上に形成された有機ＥＬ素子３０に近い側の２つの配線層に設けられた配線１０５ｃ，１０５ｄとこれらの配線１０５ｃ，１０５ｄを接続させるコンタクト部１０５ｉを含むことが好ましい。また、前述したように各コンタクト部１０５ｆ，１０５ｇ，１０５ｈ，１０５ｉは配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄと同様に額縁状に設けられていることが、水分や酸素などの内部への浸入を防ぐ点で好ましい。

基材１０ｓに電気的に接続されたガードライン１０５には、有機ＥＬ装置１００が駆動される際に、所定の電位が与えられる。所定の電位は、例えば、外部回路から外部接続用端子１０３を経由して供給される基準電位Ｖｓｓである。配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄのいずれかを外部接続用端子１０３に電気的に接続すれば基準電位Ｖｓｓをガードライン１０５に与えることができる。また、基準電位Ｖｓｓが供給されるデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２から配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄのいずれかを経由して供給することもできる。
ガードライン１０５に基準電位Ｖｓｓを与えることによって、外部からのノイズが半導体基板である基材１０ｓに伝播して、画素回路や周辺回路が誤動作することを防止することができる。つまり、ガードライン１０５は水分や酸素などの浸入を防ぐ封止機能に加えて、電気的なシールドとしても機能する。

基材１０ｓ上に形成された、画素回路、有機ＥＬ素子３０、封止層４０、カラーフィルター５０、ガードライン１０５を含む素子基板１０は、接着性と透明性とを兼ね備えた樹脂層６０を介して封止基板７０と貼り合わされる。樹脂層６０は、例えば、熱硬化型や光硬化型のエポキシ樹脂材料などを用いることができる。該樹脂材料を素子基板１０に塗布した後に、封止基板７０を素子基板１０に押圧して、該樹脂材料を所定の範囲に押し広げた後に硬化させる。

＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００の製造方法について、図６を参照して説明する。図６（ａ）はマザー基板を示す概略平面図、図６（ｂ）はマザー基板における素子基板の配置を示す概略平面図である。

本実施形態における有機ＥＬ装置１００の素子基板１０は基材１０ｓとして前述したように半導体基板を用いている。実際の有機ＥＬ装置１００の製造においては、図６（ａ）に示すマザー基板Ｗを用いる。マザー基板Ｗは例えばシリコンウェハである。マザー基板Ｗには、複数の素子基板１０（基材１０ｓ）がマトリックス状にレイアウト（面付け）されて、上述した画素回路を構成するトランジスター２１，２２，２３、蓄積容量２４、各種配線、ガードライン１０５、有機ＥＬ素子３０、封止層４０、カラーフィルター５０が形成される。例えば、マザー基板Ｗの大きさは直径がφ２５ｃｍ程度であり、素子基板１０の対角の長さは、およそ１４ｍｍ以下である。つまり、有機ＥＬ装置１００は小型な自発光のディスプレイデバイスである。マザー基板Ｗには素子基板１０をレイアウトするときの設計上の基準となるオリフラが設けられている。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、有機ＥＬ素子３０が設けられる表示領域Ｅと、周辺回路（データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２）と、複数の外部接続用端子１０３とを囲むように額縁状にガードライン１０５を形成する。つまり、ガードライン１０５を構成する配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄをそれぞれの配線層において額縁状に形成する。

図６（ｂ）に示すように、封止層４０のうち、第１封止膜４１は、マザー基板Ｗの全面に亘って形成する。緩衝層４２は、マザー基板Ｗにレイアウトされた個々の素子基板１０ごとに、少なくとも表示領域Ｅを覆うように形成する。そして、第２封止膜４３は、第１封止膜４１と同様にマザー基板Ｗの全面に亘って緩衝層４２を覆うように形成する。そして、複数の外部接続用端子１０３を露出させるために、前述したように、第１封止膜４１、第２封止膜４３を貫通する開口４５をエッチング形成する。

封止層４０上にカラーフィルター５０を形成する方法は、前述したとおり、感光性樹脂層を露光・現像する工程を、Ｂ，Ｇ，Ｒのフィルター色に対応して少なくとも３回繰り返しておこなう。

そして、カラーフィルター５０が形成された個々の素子基板１０に対して、樹脂層６０を構成するところの樹脂材料を印刷法などにより塗布し、個片化された封止基板７０を個々の素子基板１０に貼り付けて、樹脂層６０を硬化させる。これによって、マザー基板Ｗにレイアウトされた状態で有機ＥＬ装置１００ができあがる。

続いて、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、マザー基板Ｗを仮想の切断ラインＳＬに沿って切断して個々の有機ＥＬ装置１００を取り出す。マザー基板Ｗを切断する方法は、ダイシング法、レーザーカット法、スジ入れスクライブ法などを採用することができる。

なお、素子基板１０に樹脂層６０を介して封止基板７０を貼り付ける方法は、個片化された封止基板７０を用いることに限定されない。例えば、マザー基板Ｗとほぼ同じ形状、大きさの透明なガラス基板をマザー基板Ｗに貼り付けて、ガラス基板とマザー基板Ｗとを切断することで、個々の有機ＥＬ装置１００を取り出すようにしてもよい。

上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）有機ＥＬ装置１００及びその製造方法によれば、素子基板１０の外縁に沿って額縁状に配置され、平面視で表示領域Ｅ及び周辺回路が設けられた領域を囲むガードライン１０５が形成される。第１封止膜４１及び第２封止膜４３は、平面視でガードライン１０５を覆うように形成される。また、ガードライン１０５は、素子基板１０の複数の配線層において額縁状に形成された配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄとコンタクト部１０５ｆ，１０５ｇ，１０５ｈ，１０５ｉとを含んでいる。したがって、素子基板１０の端面１０ｅから表示領域Ｅに水分や酸素などが浸入することを低減できる。表示領域Ｅには有機ＥＬ素子３０を有する複数の発光画素２０が配置されており、表示領域Ｅを覆う封止層４０に加えてガードライン１０５を有することにより、水分や酸素などの影響によって有機ＥＬ素子３０の発光機能が低下あるいは失われることを低減できる。すなわち、発光機能において優れた信頼性品質を有する有機ＥＬ装置１００を提供あるいは製造することができる。
また、封止基板７０は、素子基板１０の第１辺部を除いて、平面視で封止層４０及びガードライン１０５を覆うように配置されており、水分や酸素などの影響によって有機ＥＬ素子３０の発光機能が低下あるいは失われることを低減できる。
（２）ガードライン１０５は、配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄを互いに電気的に接続すると共に、半導体基板である基材１０ｓに電気的に接続させるコンタクト部１０５ｆ，１０５ｇ，１０５ｈ，１０５ｉを含んでいる。そして、配線１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄのいずれかを経由して、ガードライン１０５に基準電位Ｖｓｓが与えられている。したがって、水分や酸素などの封止機能に加えて、外部からノイズが基材１０ｓの内部に伝播して、画素回路や周辺回路において誤動作が生ずることを低減できる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の電気光学装置について、図７及び図８を参照して説明する。図７は第２実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図８は図７のＨ−Ｈ’線に沿って切った概略断面図である。
第２実施形態の有機ＥＬ装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して、封止層４０の形成範囲を異ならせたものである。したがって、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図７に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２００は、素子基板１０と、素子基板１０において表示領域Ｅに設けられた複数の発光画素２０（２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ）と、表示領域Ｅの周辺に設けられた、データ線駆動回路１０１、一対の走査線駆動回路１０２と、複数の外部接続用端子１０３とを有している。また、素子基板１０の外縁に沿って額縁状に配置され、平面視で表示領域Ｅ及び周辺回路（データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２）が設けられた領域を囲むガードライン１０５を有している。また、平面視で少なくとも表示領域Ｅを覆う封止層４０を有している。

封止層４０は、素子基板１０の外部接続用端子１０３が設けられた第１辺部側において、外部接続用端子１０３と重ならないように形成されている。素子基板１０の第１辺部を除く他の辺部では、封止層４０は平面視でガードライン１０５に至るように形成されている。

封止層４０は、対向電極３３を覆う第１封止膜４１と、緩衝層４２と、緩衝層４２を覆う第２封止膜４３とを含んでいる。第１実施形態では、無機封止膜である、第１封止膜４１及び第２封止膜４３は、マザー基板Ｗの全面に亘って形成されていた。したがって、外部接続用端子１０３を露出させるためには、第１封止膜４１及び第２封止膜４３を部分的に除去する（例えばエッチングする）必要があった。これに対して、第２実施形態では、図８に示すように、第１辺部側の封止層４０の端部４６（第１封止膜４１と第２封止膜４３の端部）が、外部接続用端子１０３に掛からないように選択的に形成されている。よって、第１実施形態のように複数の外部接続用端子１０３を露出させるための開口４５を形成する必要がないので、製造工程を簡略化できる。

言い換えれば、封止層４０は、素子基板１０の少なくとも１辺部側において平面視でガードライン１０５に至るように形成されていれば、ガードライン１０５が無い場合に比べて、有機ＥＬ素子３０に対する封止機能が改善される。第１実施形態のように額縁状のガードライン１０５の各辺に至るように封止層４０を形成してもよいし、第２実施形態のように、素子基板１０の外部接続用端子１０３が設けられる第１辺部側を除いて、残りのガードライン１０５の３辺に至るように封止層４０を形成してもよい。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態としての電子機器について、図９を参照して説明する。図９は電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。

図９に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上記第１実施形態の自発光型の表示装置である有機ＥＬ装置１００（又は上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００）が搭載されている。したがって、発光機能において高い信頼性品質を有する軽量なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

ヘッドマウントディスプレイ１０００は、観察者Ｍが表示部１００１の表示内容を直接見る構成に限定されず、ミラーなどによって間接的に表示内容を見る構成としてもよい。
また、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右の目のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。

なお、上記有機ＥＬ装置１００又は上記有機ＥＬ装置２００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラのＥＶＦ（電子ビューファー）、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。また、表示部に限定されず、本発明を照明装置や露光装置にも適用することができる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置の製造方法ならびに該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）発光画素２０を封止する封止構造は、素子基板１０に対して樹脂層６０を介して封止基板７０を貼り合わせる構造に限定されない。図１０は変形例の有機ＥＬ装置における封止構造を示す概略断面図である。なお、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００と同じ構成には同じ符号を付して表示している。
例えば、図１０に示すように、変形例の有機ＥＬ装置３００は、素子基板１０と、素子基板１０の表示領域Ｅにおいて発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒと、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒを封止する封止層４０と、封止層４０上に設けられたカラーフィルター５０と、外部接続用端子１０３と、ガードライン１０５と、封止部材８０とを備えている。封止部材８０は、透明性を有する例えばガラス基板やプラスチック基板などを用い、その一方の面に形成された凹部８１を有している。凹部８１は、封止層４０のうち緩衝層４２が形成された領域を覆うことが可能な大きさで形成されている。封止部材８０は、減圧下で素子基板１０と接着又は接合される。したがって、素子基板１０上において外部接続用端子１０３が露出する一方で、カラーフィルター５０と封止部材８０との間には減圧された空間８２が存在することになる。該空間８２に水分や酸素などのガスを吸着する吸着部材を内蔵させてもよい。このような封止構造は、缶封止とも呼ばれている。封止部材８０は、外部接続用端子１０３が設けられた素子基板１０の第１辺部側を除いた３辺部において、平面視でガードライン１０５と重なるように、素子基板１０に接着又は接合されている。すなわち、本実施形態のガードライン１０５は缶封止構造の有機ＥＬ装置３００に適用しても封止機能を改善することができる。

（変形例２）平面視でガードライン１０５に至るように封止層４０を形成するということは、第１実施形態のように、ガードライン１０５を覆うように封止層４０を形成することに限定されない。図１１（ａ）〜（ｃ）は変形例の封止構造を示す概略断面図である。例えば、図１１（ａ）に示すように、封止層４０の端部４６がガードライン１０５の縁部に達するように封止層４０を形成してもよい。また、図１１（ｂ）に示すように、ガードライン１０５の一部と重なるように封止層４０を形成してもよい。さらには、図１１（ｃ）に示すように、ガードライン１０５を覆うと共に、素子基板１０の端面１０ｅに到達しない位置まで封止層４０を形成してもよい。図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、素子基板１０の端面１０ｅすなわちマザー基板Ｗから素子基板１０を切り出したときの切断面（端面１０ｅ）から離間した位置に端部４６が位置するように封止層４０を形成することで、切断ラインに沿った部分には、絶縁膜２８が存在し、マザー基板Ｗの切断時に封止層４０が損傷することを避けることができる。

（変形例３）上記有機ＥＬ装置１００又は有機ＥＬ装置２００において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの構成は、これに限定されない。例えば、カラーフィルター５０は、素子基板１０側に形成されることに限定されず、封止基板７０側に形成されていてもよい。さらには、カラーフィルター５０は必須ではなく、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれにおいて有機ＥＬ素子３０から所望の色の発光が得られる構成としてもよい。
また、例えば、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとの光共振構造において、光学的な距離（光路長）を異ならせる方法は、電源線１４と画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ間の絶縁膜２８の実質的な膜厚を異ならせることに限定されず、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚を異ならせてもよい。さらには、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒはそれぞれ光共振構造を有していなくてもよい。

（変形例４）ガードライン１０５が適用される電気光学装置は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置１００又は有機ＥＬ装置２００であることに限定されず、ボトムエミッション型であってもよい。ボトムエミッション型の場合、素子基板１０の基材１０ｓは光透過性を有する部材が選ばれる。

（変形例５）上記第１実施形態及び第２実施形態において、ガードライン１０５は同一の配線層において額縁状に（リング状に）形成されていることに限定されない。素子基板１０の外縁に沿って配置され、表示領域Ｅや周辺回路、外部接続用端子１０３を含んだ領域を囲むことができれば、例えば、一部が途切れた状態であっても、発明の作用・効果を奏する。

１０…基板としての素子基板、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…発光画素、３０…発光素子としての有機ＥＬ素子、４０…封止層、７０…封止基板、８０…封止部材、８２…空間、１００，２００，３００…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１０３…外部接続用端子、１０５…ガードライン、１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ…配線、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ、Ｅ…第１領域としての表示領域。

Claims (12)

1. 基板と、
   前記基板上の第１領域に設けられた発光素子と、
   前記第１領域を囲むように設けられたガードラインと、
   前記第１領域を覆うと共に、前記ガードラインに至る封止膜又は封止構造を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 前記封止膜又は前記封止構造は、前記基板の少なくとも１辺において、前記ガードラインに至るように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記基板は、外部接続用端子が設けられた第１辺を有し、
   前記封止膜又は前記封止構造は、前記第１辺を除く辺において、前記ガードラインに至るように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記封止膜又は前記封止構造は、前記基板の４辺において、前記ガードラインに至るように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記基板上に設けられた複数の配線層を有し、
   前記ガードラインは、前記複数の配線層のうち、少なくとも２つの配線層のそれぞれに設けられた配線を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記基板は、半導体基板であって、
   前記ガードラインは、前記半導体基板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記ガードラインには、所定の電位が供給されることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記封止構造は、前記基板の前記発光素子との間に空間を有するように、前記基板に貼り合わされた封止部材を備えていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記封止構造は、前記発光素子が設けられた前記第１領域を封着するように、前記基板に貼り合わされた封止基板を備えていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記発光素子が有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 基板上の第１領域に設けられた発光素子と、前記発光素子を封止する封止膜又は封止構造とを有する電気光学装置の製造方法であって、
    前記第１領域を囲むようにガードラインを形成する工程と、
    前記第１領域を覆うと共に、前記ガードラインに至るように前記封止膜又は前記封止構造を形成する封止工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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