JP5035198B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明の有機EL素子について説明する。
本発明の有機EL素子は、基板と、上記基板上にストライプ状に形成された第1電極層と、上記第1電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の上記第1電極層が露出するように形成された絶縁層と、上記絶縁層上に、上記第1電極層の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成された絶縁性の第2電極層分断用隔壁と、上記絶縁層上に、上記補助電極形成領域を囲むように形成され、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁と、上記補助電極形成用隔壁の開口部を除く、少なくとも上記発光領域内の上記第1電極層上に形成され、発光層を含む有機EL層と、上記有機EL層上に形成された第2電極層と、上記補助電極形成領域内の上記第1電極層上に形成され、上記第2電極層と同一の材料からなる補助電極とを有することを特徴とするものである。
図1は、本発明の有機EL素子の一例を示す上面図、図2は図1のA−A線断面図、図3は図1のB−B線断面図である。なお、図1において、有機EL層および第2電極層は省略されている。
図1〜図3に例示する有機EL素子1は、基板2と、基板2上にストライプ状に形成された第1電極層3と、第1電極層3が形成された基板2上に、発光領域12内および補助電極形成領域13内の第1電極層3が露出するように形成された絶縁層4と、絶縁層4上に、第1電極層の長手方向11と直交する方向にストライプ状に形成された絶縁性の第2電極層分断用隔壁5と、絶縁層4上に、補助電極形成領域13を囲むように形成され、所定の幅dの開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁6と、補助電極形成用隔壁6の開口部を除く、少なくとも発光領域12内の第1電極層3上に形成され、発光層を含む有機EL層7と、有機EL層7上に形成された第2電極層8と、補助電極形成領域13内の第1電極層3上に形成され、第2電極層8と同一の材料からなる補助電極9とを有している。
「補助電極形成領域」とは、補助電極が設けられる領域をいう。この補助電極形成領域は、絶縁層により画定される。
本発明における絶縁層は、第1電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の第1電極層が露出するように形成されるものである。絶縁層により、第1電極層と第2電極層とが接触してショートするのを防ぐことができる。
補助電極形成領域の幅は、補助電極が形成可能であり、補助電極形成用隔壁の開口部の幅以下であればよい。通常、補助電極形成領域の幅は、補助電極形成用隔壁の開口部の幅よりも小さくなるように設定される。具体的に、補助電極形成領域の幅は、100μm以下であることが好ましく、より好ましくは60μm〜1μmの範囲内、さらに好ましくは30μm〜1μmの範囲内である。補助電極形成領域の幅が広すぎると、補助電極形成用隔壁の開口部の幅も広くなりすぎ、有機層形成用塗工液が補助電極形成用隔壁の開口部に入り込みやすくなり、第1電極層の直上に、第2電極層と同じ材料で補助電極を形成することが困難になるからである。一方、補助電極形成領域の幅が狭すぎると補助電極の形成が困難になるからである。
また、発光領域の大きさとしては、有機EL素子の用途等に応じて適宜選択される。
本発明における補助電極形成用隔壁は、上記絶縁層上に、補助電極形成領域を囲むように形成され、所定の幅の開口部を有するものである。この補助電極形成用隔壁は、絶縁性を有している。
なお、補助電極形成用隔壁により画定される領域とは、図1に例示するような領域15をいう。
なお、図6は上面図、図7は図6のD−D線断面図であり、図6において有機EL層および第2電極層は省略されている。
なお、図10は上面図、図11は図10のE−E線断面図であり、図10において有機EL層および第2電極層は省略されている。
なお、補助電極形成用隔壁と第2補助電極形成用隔壁との間隔とは、図10に例示するような間隔k1、k2をいう。
なお、第2補助電極形成用隔壁により画定される領域とは、図10に例示するような領域16をいう。
本発明における第2電極層分断用隔壁は、上記絶縁層上に、第1電極層の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成されるものである。この第2電極層分断用隔壁は絶縁性を有している。第2電極層分断用隔壁は、第2電極層を複数に分断するために設けられるものである。
ここで、小隔壁の端部とは、小隔壁の最も外側の端部をいう。例えば、小隔壁の断面形状が逆テーパー形状である場合、小隔壁の端部は、図13に例示するように上底面の端部となる。また例えば、小隔壁の断面形状が順テーパー形状である場合、小隔壁の端部は、図14に例示するように下底面の端部となる。
なお、小隔壁間の間隔は、光学顕微鏡、レーザ顕微鏡、走査型白色干渉法により測定することができる。
なお、第2電極層分断用隔壁により画定される領域とは、図12に例示するような領域17をいう。
本発明における有機EL層は、上記補助電極形成用隔壁の開口部を除く、少なくとも発光領域内の第1電極層上に形成されるものである。この有機EL層は、少なくとも発光層を含んでいる。
本発明における発光層に用いられる材料としては、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料を挙げることができる。
この場合、図17および図18に例示するように、赤色の発光部21R、緑色の発光部21Gおよび青色の発光部21Bが、ストライプ状の第1電極層の長手方向11に対して平行にストライプ状に配列されていてもよく、図19および図20に例示するように、赤色の発光部21R、緑色の発光部21Gおよび青色の発光部21Bが、ストライプ状の第1電極層の長手方向11に対して垂直にストライプ状に配列されていてもよい。
なお、図17は上面図、図18は図17のG−G線断面図であり、図19は上面図、図20は図19のH−H線断面図である。図17および図19において、補助電極形成用隔壁を一点鎖線、第2電極層分断用隔壁を二点差線で示しており、第2電極層は省略されている。図17および図19において赤色の発光部21R、緑色の発光部21Gおよび青色の発光部21Bを省略したものは、図1に相当する。
上述したように、正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。すなわち、正孔注入層は、正孔注入機能のみを有していてもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有していてもよい。
上述したように、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。すなわち、電子注入層は、電子注入機能のみを有していてもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有していてもよい。
電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではなく、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq3)の誘導体等を挙げることができる。
本発明における補助電極は、補助電極形成領域内の第1電極層上に形成され、第2電極層と同一の材料からなるものである。
本発明における第1電極層は、基板上にストライプ状に形成されるものである。
第1電極層は、陽極であっても陰極であってもよいが、通常は陽極として形成される。
本発明における第2電極層は、上記有機EL層上に形成されるものである。
第2電極層は、陽極であっても陰極であってもよいが、通常は陰極として形成される。
本発明に用いられる基板は、上述の絶縁層、補助電極形成用隔壁、第2電極層分断用隔壁、第1電極層などを支持するものであり、所定の強度を有するものであれば特に限定されない。本発明においては、第1電極層が所定の強度を有する場合には、第1電極層が基板を兼ねるものであってもよいが、通常は所定の強度を有する基板上に第1電極層が形成される。
本発明においては、第1電極層と補助電極との間および第1電極層と発光層との間に導電層が形成されていてもよい。また、第1電極層と補助電極との間および発光層と第2電極層との間に導電層が形成されていてもよい。この導電層は、発光領域および補助電極形成領域のいずれにも形成されるものである。
導電性高分子としては、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。より具体的には、ポリ3,4エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT−PSS)を用いることができる。
また、アルカリ金属類およびアルカリ金属のハロゲン化物としては、アルミリチウム合金、フッ化リチウム、ストロンチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、カルシウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等が挙げられる。
次に、本発明の有機EL素子の製造方法について説明する。
本発明の有機EL素子の製造方法は、ストライプ状の第1電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の上記第1電極層が露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、上記第1電極層の長手方向と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第2電極層分断用隔壁を形成するとともに、上記補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁を形成する隔壁形成工程と、上記絶縁層、上記第2電極層分断用隔壁および上記補助電極形成用隔壁が形成された上記第1電極層上に、発光層を含む有機EL層を構成する有機層のうち少なくとも1層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層形成工程を有し、上記有機EL層を形成する有機EL層形成工程と、上記有機EL層上に第2電極層を形成するとともに、上記補助電極形成領域内の上記第1電極層上に補助電極を形成する第2電極層形成工程とを有することを特徴とするものである。
図4および図5は、本発明の有機EL素子の製造方法の一例を示す工程図である。なお、図4(a)〜(d)は上面図、図5(a)は図4(a)のC1−C1線断面図、図5(b)は図4(b)のC2−C2線断面図、図5(c)は図4(c)のC3−C3線断面図、図5(d)は図4(d)のC4−C4線断面図である。図4(b)および(c)において第1電極層を一点鎖線、図4(d)において第2電極層分断用隔壁および補助電極用隔壁を二点鎖線で示している。
次に、有機EL層7が形成された基板2上の全面に、例えば金属材料を真空蒸着法により成膜し、有機EL層7上に第2電極層8を形成するとともに、補助電極形成領域13内の第1電極層3上に補助電極9を形成する(図5(e)、第2電極層形成工程)。真空蒸着法等では金属材料が補助電極形成用隔壁の開口部にも堆積されるので、図5(e)に例示するように、補助電極形成用隔壁6の開口部には補助電極9が形成される。よって、第1電極層3と補助電極9とを接触させることができ、第1電極層3の直上に、第2電極層8と同一の材料で補助電極9を形成することができる。したがって、工程数を増やすことなく、第1電極層上に補助電極を形成することが可能である。
本発明における絶縁層形成工程は、ストライプ状の第1電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の上記第1電極層が露出するように絶縁層を形成する工程である。
本発明における隔壁形成工程は、上記絶縁層上に、上記第1電極層の長手方向と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第2電極層分断用隔壁を形成するとともに、上記補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有する絶縁性の補助電極形成用隔壁を形成する工程である。
本発明における有機EL層形成工程は、上記絶縁層、上記第2電極層分断用隔壁および上記補助電極形成用隔壁が形成された上記第1電極層上に、発光層を含む有機EL層を構成する有機層のうち少なくとも1層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層形成工程を有し、上記有機EL層を形成する工程である。
本発明における有機層形成工程は、上記絶縁層、上記第2電極層分断用隔壁および上記補助電極形成用隔壁が形成された上記第1電極層上に、発光層を含む有機EL層を構成する有機層のうち少なくとも1層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する工程である。
本発明において、印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成する他の層としては、発光層以外の層であることが好ましい。このような層としては、例えば、正孔注入層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。
本発明における第2電極層形成工程は、上記有機EL層上に第2電極層を形成するとともに、上記補助電極形成領域内の上記第1電極層上に補助電極を形成する工程である。
本発明においては、有機EL層形成工程にて発光層を形成する前に、発光領域内および補助電極形成領域内の第1電極層上に導電層を形成する導電層形成工程を行ってもよい。この場合、第1電極層と発光層との間および第1電極層と補助電極との間に導電層が形成されることになる。また、有機EL層形成工程にて発光層を形成した後に、発光層および補助電極形成領域内の第1電極層の上に導電層を形成する導電層形成工程を行ってもよい。この場合、発光層と第2電極層の間および第1電極層と補助電極との間に導電層が形成されることになる。いずれの場合においても、導電層は、発光領域および補助電極形成領域の両方に形成されることになる。
湿式法としては、塗工液を塗布する方法が挙げられる。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスト法、LB法等を挙げることができる。
乾式法としては、真空蒸着法等の一般的な蒸着方法を用いることができる。
[実施例1]
(透明電極層の形成)
まず、ガラス基板(厚み0.7mm)に対して、イオンプレーティング法により膜厚200nmの酸化インジウムスズ(ITO)電極膜を形成し、このITO電極膜上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像、ITO電極膜のエッチングを行って、幅1.7mmのストライプ状の透明電極層を2.3mmピッチで30本形成した。
次に、上記のガラス基板(厚み0.7mm)に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ポリイミド前駆体を主成分とするポジ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、各透明電極層上に1.5mm×1.0mmの発光領域(開口部)が2.3mmピッチで存在し、また各透明電極層上に1.5mm×0.02mmの補助電極形成領域(開口部)が2.3mmピッチで存在するように、絶縁層(厚み1.5μm)を形成した。
次に、上記の絶縁層が形成されたガラス基板に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂からなるネガ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、絶縁層上に透明電極層と直交するように、ストライプ状で断面形状が逆テーパー状の第2電極層分断用隔壁を並列に形成した。この際、第2電極層分断用隔壁を構成する小隔壁の数は2個(2ライン)とした。小隔壁は、幅が50μm、厚みが4μm、逆テーパーの角度が50°であった。
また、上記第2電極層分断用隔壁を形成すると同時に、補助電極形成用隔壁を補助電極形成領域を囲むように形成した。補助電極形成用隔壁は幅が50μm、厚みが4μm、逆テーパーの角度が50°、開口部の幅が30μmであった。
次に、下記組成の正孔注入層用のインキA1を調製した。このインキA1のせん断速度100/秒における粘度(インキ温度23℃)を、Physica社製の粘弾性測定装置MCR301型により定常流測定モードで測定した結果、15cPであった。また、2Hzにおける動的表面張力(インキ温度23℃)をSITA t60/2(SITA Messtechnik GmbH社製)を用いて測定した結果、30dyne/cmであった。
<正孔注入層用のインキA1の組成>
・PEDOT(ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン)/PSS(ポリスチレンスルフォネート)(混合比=1/20)(バイエル社製 Baytron PCH8000)
… 70重量%
・混合溶媒(水:イソプロピルアルコール(沸点82.4℃)=70:30)
… 30重量%
<赤色発光層用のインキB1の組成>
・ポリフルオレン誘導体系の赤色発光材料(分子量:300,000)… 2.5重量%
・溶媒(メシチレン:テトラリン=50:50の混合溶媒) …97.5重量%
(混合溶媒の表面張力=32dyne/cm、沸点=186℃)
(メシチレンの表面張力=28dyne/cm、沸点=165℃)
(テトラリンの表面張力=35.5dyne/cm、沸点=207℃)
グラビア版として、セル間隔25μmとなるように格子形状に配列された正方形のセル(セルの一辺が100μm、セルの深さ35μm)を備えた板状のグラビア版(有効幅80mm)を準備した。このグラビア版では、正方形のセルの対角線方向を、後述のブランケットの稼動方向と一致させた。
次に、樹脂フィルムとして、易接着ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東レ(株)製 U10、厚み100μm、表面張力60dyne/cm)を準備した。なお、このフィルムの表面張力は、2種以上の表面張力が判っている液体(標準物質)を使用して、自動接触角計(協和界面科学(株)製 DropMaster 700型)にて接触角θを測定し、γs(樹脂フィルムの表面張力)=γL(液体の表面張力)cosθ+γSL(樹脂フィルムと液体の表面張力)の式に基づいて求めた。
次いで、直径12cm、胴幅30cmのブランケット胴(表面にクッション層(硬度70°)を備える)の周面に、上記の樹脂フィルムを装着してブランケットを作製した。なお、クッション層の硬度はJIS(K6253)デュロメータ硬さ試験によるTypeA硬度である。
赤色発光層を形成した面側に、90mm×90mmの開口部を備えたメタルマスクを配置した。次に、このマスクを介して真空蒸着法によりカルシウムを蒸着(蒸着速度=0.1nm/秒)して導電層(厚み10nm)を形成した。
次に、導電層の形成に用いたメタルマスクをそのまま使用して、真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着(蒸着速度=0.4nm/秒)した。これにより、導電層上に、アルミニウムからなる90mm×90mmの第2電極層(厚み300nm)を形成した。
最後に、第2電極層を形成した面側に、紫外線硬化型接着剤を介して封止板を貼り合わせることにより、有機EL素子を得た。
下記のようにして絶縁層および隔壁を形成した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
透明電極層が形成されたガラス基板(厚み0.7mm)に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ポリイミド前駆体を主成分とするポジ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、各透明電極層上に1.5mm×1.0mmの発光領域(開口部)が2.3mmピッチで存在するように絶縁層(厚み1.5μm)を形成した。
次に、上記の絶縁層が形成されたガラス基板に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂からなるネガ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、絶縁層上に透明電極層と直交するように、ストライプ状で断面形状が逆テーパー状の隔壁を並列に形成した。この際、隔壁を構成する小隔壁の数は2個(2ライン)とした。小隔壁は、幅が50μm、厚みが4μm、逆テーパーの角度が50°であった。
下記のようにして正孔注入層および発光層を形成した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
下記組成の正孔注入層用のインキを調製した。
<正孔注入層用のインキの組成>
・PEDOT(ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン)/PSS(ポリスチレンスルフォネート)(混合比=1/20)(バイエル社製 Baytron PCH8000)
<赤色発光層用のインキの組成>
・ポリフルオレン誘導体系の赤色発光材料(分子量:300,000)… 1.5重量%
・溶媒(キシレン) …98.5重量%
スピンコーターを用いて、正孔注入層(厚み約70nm)の形成を行った。なお、回転数3000rpmであり、乾燥は120℃に設定したホットプレート上で1時間とした。この際、絶縁層の開口部を被覆するように正孔注入層を形成した。
次に、スピンコーターを用いて、発光層(厚み約70nm)の形成を行った。なお、回転数1500rpmであり、乾燥は180℃に設定したホットプレート上で1時間とした。この際、上記正孔注入層を被覆するように発光層を形成した。
実施例1および比較例1、2について、次のようにして評価を行った。評価は電圧印加によって、選択位置(選択ライン)の輝度測定を行い、輝度の均一状況を評価した。選択位置としては、図21おいて、第1電極層の長手方向11、第2電極層の長手方向31、第1電極層の電圧印加位置32、第2電極層の電圧印加位置33としたとき、第1電極層の電圧印加位置32に最も近い箇所を選択位置Iとし、第1電極層の電圧印加位置32に最も遠い箇所を選択位置IIとした。
実施例1では、一定電圧で選択位置Iの輝度を100%としたとき、選択位置IIの輝度は95%であった。
比較例1では、一定電圧で選択位置Iの輝度を100%としたとき、選択位置IIの輝度は80%であった。
比較例2では、一定電圧で選択位置Iの輝度を100%としたとき、選択位置IIの輝度は82%であった。
なお、比較例2の結果から、スピンコート法は、印刷法、吐出法および転写法のいずれにも該当しなく、本発明に適さないことがわかった。
小隔壁の間隔を30μmとして第2電極層分断用隔壁を形成し、下記のようにして正孔注入層および発光層を形成し、第2電極層を形成した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
なお、第2電極層分断用隔壁を形成する際には、後述の正孔注入層および発光層の形成時に基板上に着弾したインクが流出しないように、基板の外縁に、第2電極層分断用隔壁の短辺の端部と接合するように枠状の隔壁を形成した。この枠状の隔壁は電極分離領域よりも外側に設けた。
マイクロドロップ社のマイクロドロップシステム(ディスペンサーヘッド MD-K-140)を用いて、実施例1で用いた正孔注入層用のインキA1を第2電極層分断用隔壁間に吐出した。この際、着弾したインクは第2電極層分断用隔壁の高さで保持されるようにした。またこの際、インクをディスペンサーヘッドのヒーターで加熱して吐出し、塗布方向は第2電極層分断用隔壁の長手方向と平行方向とした。インクの吐出後は、自然乾燥させ、さらに120℃に設定したホットプレート上で1時間乾燥させた。これにより、正孔注入層(厚み約70nm)を形成した。この正孔注入層は80mm×80mm領域でライン状に形成されており、絶縁層の開口部を被覆するように形成した。
次に、導電層の形成に用いたメタルマスクをそのまま使用して、真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着(蒸着速度=0.4nm/秒)した。これにより、導電層上に、アルミニウムからなる90mm×90mmの第2電極層(厚み300nm)を形成した。
下記のようにして電子注入層および第2電極層を形成した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
赤色発光層を形成した面側に、発光領域が開口となるメタルマスクを配置した。次に、このマスクを介して真空蒸着法によりカルシウムを蒸着(蒸着速度=0.1nm/秒)して、補助電極形成領域にはカルシウムが蒸着されないように電子注入層(厚み10nm)を形成した。
次に、90mm×90mmの開口部を備えたメタルマスクを使用して、真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着(蒸着速度=0.4nm/秒)した。これにより、電子注入層上に、アルミニウムからなる90mm×90mmの第2電極層(厚み300nm)を形成した。
2 … 基板
3 … 第1電極層
4 … 絶縁層
5 … 第2電極層分断用隔壁
6、6a … 補助電極形成用隔壁
6b … 第2補助電極形成用隔壁
7 … 有機EL層
8 … 第2電極層
9 … 補助電極
11 … 第1電極層の長手方向
12 … 発光領域
13 … 補助電極形成領域
20 … 有機層
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上にストライプ状に形成された第1電極層と、
前記第1電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の前記第1電極層が露出するように形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に、前記第1電極層の長手方向と直交する方向にストライプ状に形成された絶縁性の第2電極層分断用隔壁と、
前記絶縁層上に、前記第1電極層の長手方向と平行して形成された前記補助電極形成領域を囲むように形成され、所定の幅の開口部を有し、さらに前記第2電極層分断用隔壁と別体に形成された絶縁性の補助電極形成用隔壁と、
前記補助電極形成用隔壁の開口部を除く、少なくとも前記発光領域内の前記第1電極層上に形成され、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成された第2電極層と、
前記補助電極形成領域内の前記第1電極層上に形成され、前記第2電極層と同一の材料からなる補助電極と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記絶縁層上に、前記補助電極形成用隔壁を囲むように形成された第2補助電極形成用隔壁を有することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記第2電極層分断用隔壁の各々が、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- ストライプ状の第1電極層が形成された基板上に、発光領域内および補助電極形成領域内の前記第1電極層が露出するように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、前記第1電極層の長手方向と直交する方向に延在するストライプ状の絶縁性の第2電極層分断用隔壁を形成するとともに、前記第1電極層の長手方向と平行して形成された前記補助電極形成領域を囲むように、所定の幅の開口部を有し、さらに前記第2電極層分断用隔壁とは別体である絶縁性の補助電極形成用隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記絶縁層、前記第2電極層分断用隔壁および前記補助電極形成用隔壁が形成された前記第1電極層上に、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層を構成する有機層のうち少なくとも1層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層形成工程を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に第2電極層を形成するとともに、前記補助電極形成領域内の前記第1電極層上に補助電極を形成する第2電極層形成工程と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第2電極層形成工程が、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記補助電極形成領域内の前記第1電極層の上に、金属材料を成膜する工程であることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記金属材料の成膜方法が真空蒸着法であることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記金属材料として金属ペーストを用いることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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