JP2018125302A - 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
先ず、本発明の一実施形態として図1に示す有機EL装置100について説明する。
有機EL装置100は、本発明における「電気光学装置」の一例として示す自発光型の表示装置である。なお、図1は、有機EL装置100の構成を模式的に示す平面図である。
この画素の配列に応じて、有機EL素子30B、有機EL素子30G及び有機EL素子30Rはそれぞれストライプ状に配置されており、青色のカラーフィルター層50B、緑色のカラーフィルター層50G、赤色のカラーフィルター層50Rもまたストライプ状に配置されている。なお、画素20の配置は、ストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。
トランジスター122は、トランジスター121のゲートとデータ線14との間に電気的に接続され、トランジスター121のゲートとデータ線14との間の電気的な接続を制御する書込トランジスターとして機能する。
本実施形態では、絶縁膜38aとして、例えば膜厚40nmの酸化シリコン(SiO2)を形成し、絶縁膜38bとして、例えば膜厚50nmの酸化シリコン(SiO2)を形成している。また、増反射層36及び保護層37も、反射電極35と対向電極33との間の光学的な距離に応じた光路調整を行い、例えば、画素20Bでは、増反射層36及び保護層37の膜厚は、例えば共振波長(輝度が最大となるピーク波長)が470nmとなるように設定されている。
具体的に、本実施形態の有機EL装置100の製造方法について、図9(a)〜(f)を参照して説明する。なお、図9(a)〜(f)は、上記有機EL装置100の製造工程として、有機EL素子30(本実施形態では30Rを例示する。)と外部接続用端子103とを作製する工程を説明するための断面図である。また、図9(a)〜(f)中の右側には、表示領域Eにおける1つの画素20(本実施形態では20Rを例示する。)を示し、図9(a)〜(f)中の左側には、周辺領域Fにおける1つの外部接続用端子103を示している。
これにより、TiN膜を第2のコンタクト電極41及び第2の端子層410に対応した形状にパターニングすることができる。
次に、上記有機EL装置100の変形例として、図10及び図11に示す有機EL装置200について説明する。なお、図10は、画素20(画素20B,20G,20R)の構成を示す平面図である。図11は、図10中に示す線分E─E’による画素20Gの断面図である。また、以下の説明では、上記有機EL装置100と同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。
次に、上記有機EL装置100,200を備えた電子機器の一例として、図12に示すヘッドマウントディスプレイ1000について説明する。なお、図12は、マウントディスプレイ1000の構成を示す概略図である。
具体的に、本発明を適用した電気光学装置としては、上述した発光素子として有機EL素子を備えた有機EL装置に限定されず、例えば無機EL素子やLEDなどの自発光型の発光素子備えた電気光学装置に対して本発明を幅広く適用することが可能である。
コンタクト電極 30(30B,30G,30R)…有機EL素子(発光素子) 31…
画素電極(第1の電極) 31LY…第3の導電膜 310…第3の端子層 310CT
…第2のコンタクトホール 32…発光機能層(発光層) 33…対向電極(第2の電極
) 34…層間絶縁層(絶縁層) 35…反射電極 35CT…開口 35LY…第1の
導電膜 350…第1の端子層 36…増反射層 37…保護層 38…光路調整層 3
9…第1の絶縁膜 39a,39b…凹部 40…埋め込み絶縁膜 41…第2のコンタ
クト電極 41a…第1のコンタクト部 41b…第2のコンタクト部 41CT…コン
タクトホール 41LY…第2の導電膜 410…第2の端子層 410CT…第1のコ
ンタクトホール 60…反射電極 60CT…開口 61…中継電極 62…光学調整層
(保護層、光路調整層) 63…第1の絶縁膜 63a…凹部 64…埋め込み絶縁膜
66…第2の絶縁膜 67…第2のコンタクト電極 67a…第1のコンタクト部 67
b…第2のコンタクト部 67CT…コンタクトホール 67EL…導電膜 68…マス
ク層 E…表示領域 F…周辺領域 100,200…有機EL装置(電気光学装置)
103…外部接続用端子(端子) 110…画素回路 124…トランジスター 100
0…ヘッドマウントディスプレイ(電子機器)
Claims (9)
- 複数の発光素子がマトリックス状に配列された表示領域と、前記表示領域の外側に端子が配置された周辺領域と、含む素子基板を備え、
前記発光素子は、反射電極と、光学調整層と、第1の電極と、発光層と、第2の電極と、が積層され、前記第1の電極がコンタクト電極と電気的に接続された構造を有し、
前記端子は、前記反射電極と同じ第1の導電膜により形成される第1の端子層と、前記コンタクト電極と同じ第2の導電膜により形成される第2の端子層と、前記第1の電極と同じ第3の導電膜により形成される第3の端子層と、が積層された構造を有することを特徴とする電気光学装置。 - 前記第3の導電膜は、透明導電材料を含み、
前記第2の導電膜は、前記第3の導電膜よりも導電性の高い導電材料を含み、
前記第1の導電膜は、導電材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記第3の導電膜は、酸化インジウムスズを含み、
前記第2の導電膜は、窒化チタンを含み、
前記第1の導電膜は、アルミニウム及び銅を含むことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 - 前記第1の電極は、前記コンタクト電極を介して前記反射電極と電気的に接続され、
前記反射電極は、前記画素毎に分割して配置されると共に、前記発光素子を駆動するトランジスターと電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の電気光学装置。 - 前記反射電極は、電源線の一部により構成され、
前記反射電極に形成された開口の内側に、前記発光素子を駆動するトランジスターと電気的に接続される中継電極が配置され、
前記第1の電極は、前記コンタクト電極を介して前記中継電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の電気光学装置。 - 請求項1〜5の何れか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 複数の発光素子がマトリックス状に配列された表示領域と、前記表示領域の外側に端子が配置された周辺領域と、含み、前記発光素子は、反射電極と、光学調整層と、第1の電極と、発光層と、第2の電極と、が積層され、前記第1の電極がコンタクト電極と電気的に接続された構造を有し、前記端子は、第1の端子層と、第2の端子層と、第3の端子層と、が積層された構造を有する電気光学装置の製造方法であって、
第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜をパターニングすることによって、前記表示領域に前記反射電極を形成し、前記周辺領域に前記第1の端子層を形成する工程と、
第2の導電膜を形成し、前記第2の導電膜をパターニングすることによって、前記表示領域に前記コンタクト電極を形成し、前記周辺領域において前記第1の端子層の上に前記第2の端子層を積層する工程と、
第3の導電膜を形成し、前記第3の導電膜をパターニングすることによって、前記表示領域に前記第1の電極を形成し、前記周辺領域において前記第2の端子層の上に前記第3の端子層を積層する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記第3の導電膜は、透明導電材料を含み、
前記第2の導電膜は、前記第3の導電膜よりも導電性の高い導電材料を含み、
前記第1の導電膜は、反射導電材料を含むことを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記第3の導電膜は、酸化インジウムスズを含み、
前記第2の導電膜は、窒化チタンを含み、
前記第1の導電膜は、アルミニウム及び銅を含むことを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置の製造方法。
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