JP2014183233A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1では、データ書き込み時、高抵抗領域CH2にて電圧降下を生じさせればよく、ゲート電極G1に印加する電圧値を従来よりも低減し得、その分、ゲート絶縁膜8aの膜厚や、さらにはメモリトランジスタ2a,2b,2c,2dを制御する周辺トランジスタ11のゲート絶縁膜8aの膜厚を薄くでき、かくして、回路構成を従来よりも小型化し得る。
【選択図】図2
Description
そこで、本発明は以上の点を考慮してなされたもので、回路構成を従来よりも小型化し得る不揮発性半導体記憶装置を提案することを目的とする。
図1において、1は例えばN型MOS(Metal Oxide Semiconductor)構造でなる4つのメモリトランジスタ2a,2b,2c,2dが2行2列に配置された不揮発性半導体記憶装置を示し、これらメモリトランジスタ2a,2b,2c,2dのうち、例えば任意に選択されたメモリトランジスタ2aに対しソースサイド注入によってデータを書き込み得るようになされている。ここで、この不揮発性半導体記憶装置1は、各メモリトランジスタ2a,2b,2c,2dに対してデータを1回限り書き込み可能なOTPであり、例えばメモリトランジスタ2aに一度書き込まれたデータは消去し得ないように構成されている。
(2−1)基本的な電圧設定によるデータの書き込み動作
次に本発明の不揮発性半導体記憶装置1においてデータの書き込み動作について以下説明する。図1は、複数のメモリトランジスタ2a,2b,2c,2dのうち、1行1列目のメモリトランジスタ2aにのみデータを書き込む際の各部位の電圧値を示している。なお、ここでは、データの書き込みが行われるメモリトランジスタ2aを選択メモリ3aと呼び、データの書き込みを行わないメモリトランジスタ2b,2c,2dを非選択メモリ3bと呼ぶ。
上述した「(2−1)基本的な電圧設定によるデータの書き込み動作」では、一例としてソース線SLに4[V]のソース電圧を印加する場合について説明したが、その他の事例として、メモリトランジスタ2a,2b,2c,2dのサードウォール7の幅を短くし、これに伴いサイドウォール7下の高抵抗領域CH2の長さを短くすることによりソースサイド注入を発生し得るソース電圧を低減することもできる。
次に、不揮発性半導体記憶装置1において、データを読み出す際の電圧印加について以下説明する。図1との対応部分に同一符号を付して示す図4は、メモリトランジスタ2a,2b,2c,2dのうち、1行目のメモリトランジスタ2a,2bのデータを読み出す際の各部位の電圧値を示している。なお、ここでは、データを読み出すメモリトランジスタ2a,2bを読み出しメモリ3cと呼び、データを読み出さないメモリトランジスタ2c,2dを非読み出しメモリ3dと呼ぶ。また、この場合、メモリトランジスタ2a,2b,2c,2dのうちメモリトランジスタ2bにだけデータが書き込まれ、その他のメモリトランジスタ2a,2c,2dにはデータが書き込まれていないものとする。さらに、ここでは、キャリア蓄積領域5に電荷が蓄積された状態(データが書き込まれているとき)を例えば「0」とし、キャリア蓄積領域5に電荷が蓄積されてない状態(データが書き込まれていないとき)を「1」とする。
以上の構成において、メモリトランジスタ2aでは、基板6上にゲート絶縁膜8aを介してゲート電極G1が設けられた単層ゲート構造からなり、ゲート電極G1およびドレイン領域D1間の基板6上に絶縁層8bを介してキャリア蓄積領域5が形成され、キャリア蓄積領域5と対向した基板6の表面に、エクステンション領域ET1の抵抗値よりも高い抵抗値を有した高抵抗領域CH2を設けるようにした。
なお、上述した実施の形態においては、ソース領域S1側にのみエクステンション領域ET1を設け、チャネル領域CH1とドレイン領域D1との間にゲート電極G1の下部領域まで延びる高抵抗領域CH2を設けた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図2との対応部分に同一符号を付して示す図5のように、ドレイン領域D1側に高抵抗領域として低濃度不純物エクステンション領域ET4をドレイン領域D1の側面に接するように設けてもよい。
2a,2b,2c,2d メモリトランジスタ
6 基板
CH2 高抵抗領域
D1 ドレイン領域
ET1,ET2,ET3 エクステンション領域
ET4 低濃度不純物エクステンション領域(高抵抗領域)
G1,G2 ゲート電極
MGA1 メモリトランジスタ
S1 ソース領域
Claims (6)
- 基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられた単層ゲート構造のメモリトランジスタを1または複数備えた不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリトランジスタは、
前記基板の表面に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記基板上に設けられ、前記ゲート電極および前記ドレイン領域間に配置されたキャリア蓄積領域とを備えており、
前記基板の表面には、前記ドレイン領域と接し、かつ前記キャリア蓄積領域と対向した領域に、前記ゲート電極下部のチャネル領域と前記ソース領域との間の抵抗値よりも高い抵抗値を有した高抵抗領域が形成されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記基板には、前記ソース領域に接してエクステンション領域が形成されており、
前記高抵抗領域は、該エクステンション領域よりも不純物濃度が低く形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記高抵抗領域は、前記ドレイン領域から前記チャネル領域の一部に亘って形成されている
ことを特徴とする請求項1または2記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ソース領域に電圧を印加した状態で、前記ゲート電極に電圧を印加してチャネルをオンし、前記チャネル領域および前記高抵抗領域に電流を流すことにより、前記ドレイン領域内のキャリアを、該高抵抗領域を介して前記キャリア蓄積領域に注入する
ことを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ドレイン領域に接続されたビット線に読み出し電圧を印加し、前記ゲート電極に電圧が印加されてチャネルが形成されたときの前記読み出し電圧の変化から、前記キャリア蓄積領域にキャリアが注入されているか否かを判断する
ことを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリトランジスタは、
ゲート絶縁膜の膜厚が、前記メモリトランジスタを制御する周辺トランジスタのうち最も薄いゲート絶縁膜の膜厚と同じに選定されている
ことを特徴する請求項1〜5のうちいずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019519059A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-07-04 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc. | 改善されたフラッシュメモリセル及び関連するデコーダ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10885753B2 (en) | 2018-03-21 | 2021-01-05 | Fasteners For Retail, Inc. | Anti-theft device with remote alarm feature |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0997849A (ja) * | 1995-10-02 | 1997-04-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001057394A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2004104009A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007103424A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | メモリセル及びそのメモリセルを有する半導体不揮発性メモリの構造。 |
JP2007288060A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯電子機器 |
JP2009054687A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体装置およびその製造方法 |
JP2012059777A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6384457B2 (en) * | 1999-05-03 | 2002-05-07 | Intel Corporation | Asymmetric MOSFET devices |
JP2004349308A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
JP2005252034A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリ装置とその電荷注入方法、および、電子装置 |
TWI311796B (en) | 2005-11-17 | 2009-07-01 | Ememory Technology Inc | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US20130015516A1 (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Kim Sang Y | Asymmetrical non-volatile memory cell and method for fabricating the same |
US9231097B2 (en) * | 2012-02-07 | 2016-01-05 | Mediatek Inc. | HVMOS transistor structure having offset distance and method for fabricating the same |
-
2013
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0997849A (ja) * | 1995-10-02 | 1997-04-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001057394A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2004104009A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007103424A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | メモリセル及びそのメモリセルを有する半導体不揮発性メモリの構造。 |
JP2007288060A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯電子機器 |
JP2009054687A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体装置およびその製造方法 |
JP2012059777A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019519059A (ja) * | 2016-05-18 | 2019-07-04 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc. | 改善されたフラッシュメモリセル及び関連するデコーダ |
US10741265B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-08-11 | Silicon Storage Technology, Inc. | Flash memory cell and associated decoders |
US11011240B2 (en) | 2016-05-18 | 2021-05-18 | Silicon Storage Technology, Inc. | Flash memory cell and associated high voltage row decoder |
US11257553B2 (en) | 2016-05-18 | 2022-02-22 | Silicon Storage Technology, Inc. | Flash memory cell and associated high voltage row decoder |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140284677A1 (en) | 2014-09-25 |
JP6069054B2 (ja) | 2017-01-25 |
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US9437736B2 (en) | 2016-09-06 |
TW201501271A (zh) | 2015-01-01 |
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